「buffer base」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The locking piece 13 is penetrated in an outer circumference surface of the buffer material 9 to join the buffer 9 and the a retainer ring 8a under a condition where a base plate part 10 of the retainer ring 8a is abutted of the buffer 9.例文帳に追加

この保持環８ａの基板部１０に上記緩衝材９を突き当てた状態で、この係止突片１３をこの緩衝材９の外周面に食い込ませて、この緩衝材９と上記保持環８ａとを不離に結合する。 - 特許庁

On this cathode film 24, a portion in contact with the n^--single crystal silicon substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer region 25, a p-base region 27 is formed next to this buffer region and an n^+ source region 26 is further formed next to this base region.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-単結晶シリコン基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

Data received by the terminal 280 are temporarily stored in a buffer 153 of the base station 150 and when the mobile body 20 enters an area 5, the base station 150 makes communication with the base station 220 in the mobile body.例文帳に追加

端末２８０への着信データは、基地局１５０のバッファ１５３に一時記憶され、移動体２０がエリア５に進入すると、基地局１５０と移動体内基地局２２０間で通信が行われる。 - 特許庁

The cylindrical boss 26 has around its base a wall portion 42 and an air gap portion 41 that form a vibrating stress buffer portion.例文帳に追加

筒状ボス２６は、その付け根部周囲に振動応力緩衝部となる、肉部４２と、空隙部４１を有する。 - 特許庁

To provide a base band processing circuit which compresses symbol data to suppress the increase of the memory capacity of a symbol data storage buffer.例文帳に追加

シンボルデータを圧縮し、シンボルデータ格納用バッファのメモリ容量の増大を抑止するベースバンド処理回路の提供。 - 特許庁

The micro-cavity structure 14 is structured of a half mirror 16, a buffer layer 17, and a half mirror 18 sequentially formed on the base plate 12.例文帳に追加

マイクロキャビティ構造14は、基板12上に順に形成されたハーフミラー16と、バッファ層17と、ハーフミラー18とで構成されている。 - 特許庁

The chemically amplified resist 101 comprises a salt having buffer action, a base resin, a photoacid generator and an organic solvent.例文帳に追加

化学増幅型レジスト１０１は、緩衝作用を有する塩、ベース樹脂、光酸発生剤、および有機溶媒を含む。 - 特許庁

The collector layer 50, the base layer 60, and the emitter layer 70 are formed on the buffer layer 30 and the sub-collector layer 40.例文帳に追加

コレクタ層５０、ベース層６０、及びエミッタ層７０は、バッファ層３０及びサブコレクタ層４０上に形成されている。 - 特許庁

The stopper 20 to stop a rear support link 5a comprises a base member 21, a buffer member 26, and a protective member 27.例文帳に追加

後支持リンク５ａを停止させるためのストッパー２０は、ベース部材２１と緩衝部材２６と保護部材２７とからなる。 - 特許庁

An aluminum alloy covered with an aluminum oxide layer is used as a base material, and, on the outside of the base material, a conductive layer, a buffer layer improving adhesion with the base material and compensating the hardness of the base material, and a diamond like carbon layer are formed in order from the base material side.例文帳に追加

酸化アルミニウム層で覆われているアルミニウム合金を基材とし、前記基材の外側に前記基材側から順に、導電層、前記基材との密着性を向上させ、前記基材の硬度を補うためのバッファー層、及びダイヤモンドライクカーボン層を形成する。 - 特許庁

The objective plantation base adjusting agent characteristically includes a pH-abnormal soil conditioner that contains a phosphate buffer solution and an enhancing agent including a salt of strong acid in addition to the plantation base conditioning agent.例文帳に追加

植栽基盤用調整剤に、リン酸緩衝液を含むｐＨ異常土壌改良剤と、強酸の塩を含む増強剤とを含有させたことを特徴とする。 - 特許庁

A mobile terminal transmits an initial scheduling request to a base station and, in response to receiving a scheduling grant signal from the base station, transmits transmit buffer status information.例文帳に追加

移動端末は基地局に最初のスケジューリング要求を送信、基地局からのスケジューリング許可信号の受信に応じて、送信バッファ状態情報を送信する。 - 特許庁

The buffer is arranged between the tube and the base plate of the body and has a thermal expansion ratio higher than that of the body and lower than that of the base plate.例文帳に追加

前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。 - 特許庁

After the base station BS1 is switched to the other base station BS2, the moving object 10 transmits a route updating notice to the other base station BS2, and the other base station BS2 extracts the final packet from a hand-over buffer and transmits it to the moving object 10.例文帳に追加

基地局ＢＳ１から他の基地局ＢＳ２に切替えた後に、移動体１０が該他の基地局ＢＳ２に経路更新通知を送信し、他の基地局ＢＳ２はハンドオーバ用バッファから最後のｎパケットを取出し移動体１０へ送信する。 - 特許庁

To obtain a method for sticking a buffer member for a liquid crystal display device which is capable of improving the dimensional accuracy of the buffer member for the liquid crystal display device consisting of the peripheral edge of a base material by suppressing the deformation of the base material.例文帳に追加

基材の変形を抑制することによって、この基材の周縁部からなる液晶表示装置用緩衝部材の寸法精度を向上させることができる液晶表示装置用緩衝部材の貼り付け方法を提供すること。 - 特許庁

This method removes overhead of a buffer copy generated when a conventional method is used for a scene of the object base.例文帳に追加

本発明の方法は、オブジェクトベースのシーンに対して従来の方法を用いた場合に生じるバッファコピーのオーバーヘッドを除去する。 - 特許庁

The IGBT 10 has an n-type buffer region 12 between a p-type collector region 11 and a p-type base region 14.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、Ｐ型のコレクタ領域１１とＰ型ベース領域１４との間にＮ型のバッファ領域１２を備える。 - 特許庁

A buffer part 68 is fixed to a hammer shank side of a rail base arranged along the entire length of a keyboard.例文帳に追加

鍵盤の全長に沿って配設されるレールベース６６の図示せぬハンマシャンク側（図の下側）には緩衝部６８が固定されている。 - 特許庁

The junction interface between the n+ type buffer region 13 and the n- type base region 14 is formed to have unevenness.例文帳に追加

ｎ＋型バッファ領域１３とｎ−型ベース領域１４との接合界面は凹凸を有するように形成されている。 - 特許庁

A substantially tabular buffer part 17 having a substantially same thickness is provided on a flange 7 side wall surface of the base part 8.例文帳に追加

基部８のフランジ７側壁面には、略平板形状をなし、略同一の厚みを有する緩衝部１７が設けられている。 - 特許庁

A heat conductive buffer material 1 of this invention includes: a base material sheet 2; a heat conductor 3; and a foam object 4 of foam particles.例文帳に追加

本発明に係る熱伝導緩衝材１は、基材シート２と、熱伝導体３と、発泡粒子の発泡物４とを含む。 - 特許庁

A base layer 12, a superlattice buffer layer 13, a GaN layer 14 and a coating layer 15 are sequentially stacked on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１に順次、下地層１２、超格子バッファー層１３、ＧａＮ層１４、被覆層１５が積層形成されている。 - 特許庁

A base texture is mapped to the surface object and plotted on a frame buffer, a wave crest expression texture is mapped to the surface object and plotted on the frame buffer as performing α synthesis based on the α value next.例文帳に追加

水面オブジェクトにベーステクスチャをマッピングしてフレームバッファに描画し、次にα値に基づきα合成しながら、水面オブジェクトに波頭表現テクスチャをマッピングしてフレームバッファに描画する。 - 特許庁

Next, a buffer layer 3, having composition of Al_pGa_qIn_1-p-qN (0≤p≤1, 0<q≤1), is formed on the AlN base layer 2, and a group 4 of GaN semiconductor layers are formed on this buffer layer 3.例文帳に追加

次いで、ＡｌＮ下地層２に、Ａｌ_ｐＧａ_ｑＩｎ_１−ｐ−ｑＮ（０≦ｐ≦１，０＜ｑ≦１）なる組成を有するバッファ層３を形成し、このバッファ層３上に、ＧａＮ半導体層群４を形成する。 - 特許庁

A support member 19 is installed at the base end of the shaft, and elastic buffer members 18 are fixed between the support member and the rotary member to make the support member axially movable as these buffer materials are compressed.例文帳に追加

シャフトの基端に支持部材１９が取り付けられ、支持部材と回転部材との間に弾性緩衝部材１８が固定され、この緩衝部材の圧縮により軸方向に可動とされている。 - 特許庁

A display control CPU 101 receives a display control command via an input buffer circuit 105 when a strobe signal is inputted via the input buffer circuit 105 from a main base board 31.例文帳に追加

表示制御用ＣＰＵ１０１は、主基板３１から入力バッファ回路１０５を介してストローブ信号が入力されると、入力バッファ回路１０５を介して表示制御コマンドを受信する。 - 特許庁

After forming an n-type buffer layer 7, a surface of the n-type buffer layer 7 is covered with a protecting film 8, then flaws 6, which are generated in forming the n-type buffer layer 7, are removed by a mirror polishing, and a p-type base region and an n-type emitter region are formed on the surface.例文帳に追加

ｎ型バッファ層７を形成した後で、このｎ型バッファ層７の表面を保護膜８で被覆し、ｎ型バッファ層７を形成したたきに付いたキズ６を鏡面研磨で除去し、その面に、ｐ型ベース領域やｎ型エミッタ領域を形成する。 - 特許庁

The loading platform device 19 comprises a base 22 fixed to the vehicle body 2, a buffer 23 which is supported by the base 22 and elastically expandable in the vertical direction, and a loading table 24 which is supported by the buffer 23 to load the cargo 18 on an upper surface thereof.例文帳に追加

荷台装置１９が、車体２に固定された基台２２と、この基台２２に支持され上下方向に弾性的に伸縮自在とされる緩衝体２３と、この緩衝体２３に支持されてその上面に荷物１８を載置可能とする載置台２４とを備える。 - 特許庁

In the woody floor material A equipped with woody base material 1b, surface facing material 1a, and a buffer 6 bonded by lamination onto a rear surface side of the woody base material, a microcapsule 7 containing the formaldehyde scavenger is mixed at least in the buffer 6.例文帳に追加

木質系基材１ｂと、表面化粧材１ａと、木質系基材の裏面側に接着積層した緩衝材６とを備えた木質床材Ａにおいて、ホルムアルデヒド捕捉剤を内包したマイクロカプセル７を少なくとも緩衝材６の中に混入する。 - 特許庁

The base material for a semiconductor device comprises a substrate, a GaInNP buffer layer or a GaNP buffer layer deposited on the substrate, and a base layer for formation of a functional element deposited on the GaInNP buffer layer or the GaNP buffer layer, wherein the base layer for a functional element includes a high crystalline Al_xGa_1-xN semiconductor layer as the uppermost layer and also includes a low crystalline AlGaN semiconductor layer.例文帳に追加

半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a buffer cassette which is large-sized, used for temporarily accommodating and storing a glass base plate and a glass base plate in the middle of processing, is randomly accessible by a robot, and shows a high accommodation efficiency.例文帳に追加

大型の、ガラス基板及び工程途中のガラス基板を一時的に収納、保管するための、ロボットによるランダムアクセス可能で、且つ、収納効率の高いバッファカセットを提供する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 includes: an n- type base region 14 formed on a semiconductor substrate 10; and an n+ type buffer region 13 formed on the undersurface of the n- type base region 14.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０に設けられたｎ−型ベース領域１４と、ｎ−型ベース領域１４の下面に設けられたｎ＋型バッファ領域１３とを有する。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

This raises TypeError if base doesn't support the read-onlybuffer protocol or doesn't provide exactly one buffer segment, or it raises ValueError if offset is less than zero.例文帳に追加

base が読み出し専用バッファに必要なバッファプロトコルをサポートしていない場合や、厳密に一つのバッファセグメントを提供していない場合にはTypeError を送出し、offset がゼロ以下の場合にはValueError を送出します。 - Python

To allow a base station device to easily assume that a packet in a transmission buffer in a mobile station is discarded by exceeding an allowable delay time.例文帳に追加

移動局の送信バッファ内のパケットが許容遅延を超えて破棄されたという事象を、基地局装置内で容易に推定する。 - 特許庁

Then, the first base station 3 transmits backup data which is not yet acquired by the portable terminal 2, stored in the buffer 1 to the portable terminal 2.例文帳に追加

そして第１の基地局３は、バッファに格納していた、携帯端末２が未取得のバックアップデータを携帯端末２に送信する。 - 特許庁

A base object and an object for mask generation are plotted while being overlapped and the α value to become mask information is set to each of pixels of the frame buffer.例文帳に追加

下地オブジェクトとマスク生成用オブジェクトを重ねて描画して、マスク情報となるα値をフレームバッファの各ピクセルに設定する。 - 特許庁

A non-slip 8 is arranged in the rear part of the base frame 1 and a buffer material 9 is adhered on its front surface so that heels do not ache.例文帳に追加

ベースフレーム１の後方には滑り止め８を設け、その表面に緩衝材９を貼り付けて踵が痛まないようにしてある。 - 特許庁

The first base station 3 receives data which is not yet acquired by the portable terminal 2 from the server 1, stores it in a buffer and starts backup.例文帳に追加

第１の基地局３は携帯端末２が未取得のデータをサーバ１から受信し、バッファに格納してバックアップを開始する。 - 特許庁

The base part 8 is made of a hard material H, and the seal part 10 and the buffer part 17 are made of soft material S having comparatively flexibility.例文帳に追加

前記基部８は、硬質材Ｈからなり、シール部１０と緩衝部１７とは、比較的柔軟性を持つ軟質材Ｓからなる。 - 特許庁

For example, the buffer means 50 has many vertical protrusions and a triangle-shaped cross-section, and the insides of a tip part, an intermediate part and a base part thereof are formed thin in those thicknesses.例文帳に追加

例えば、垂直な多数の突起、断面が三角形状、更には、その先端部や中間部、基部の内部を薄肉とする。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

In the active layer 3 between the N-type buffer region 4 and the P-type base region 6, the N-type base region 12 is provided, and a gate electrode 9 is provided through a gate insulating film 14 extending from the surface of the N-type base region 12 onto the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

Ｎ型バッファ領域４とＰ型ベース領域６との間の活性層３には、Ｎ型ベース領域１２が設けられ、Ｎ型ベース領域１２の表面上からＰ型ベース領域６の表面上に延在するゲート絶縁膜１４を介してゲート電極９が設けられる。 - 特許庁

A work floor 7 is disposed around the precision instrument supported and installed by the base isolation device in a base isolating manner, a base isolation clearance 8 is secured between the work floor and the precision instrument, and a buffer 9 restricting the excess horizontal displacement of the precision instrument is installed in the base isolation clearance.例文帳に追加

免震装置により免震支持して設置した精密機器の周囲に作業床７を設けるとともに、作業床と精密機器との間には免震クリアランス８を確保し、免震クリアランスに精密機器の過大水平変位を拘束する緩衝装置９を設置する。 - 特許庁

This sheet body comprises the base material layer 3, a base film 14 compounded with the base layer 3 and the buffer layer 4 having a cap film 15 with a plurality of cap parts for forming a plurality of hermetically sealed air cells 18 between the cap film 15 and the base film 14 through compounding both films 14 and 15.例文帳に追加

基材層３と、基材層３に複合された、ベースフィルム１４、およびベースフィルム１４に複合されることによってベースフィルム１４との間で複数の密閉空気室１８を形成するための複数のキャップ部が形成されたキャップフィルム１５を備えた緩衝層４とを有する。 - 特許庁