「buffer base」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A control portion 111 causes a line base synthesis filter portion 213 to perform a line based wavelet inverse transform for every lowest band component P line, to generate the image data of base band of one line, and a buffer 122 to hold it.例文帳に追加

制御部１１１は、ラインベース合成フィルタ部２１３に、最低域成分Pライン毎にラインベースウェーブレット逆変換を行わせ、１ラインのベースバンドの画像データを生成させ、それをバッファ１２２に保持させる。 - 特許庁

Before authentication is established and the data are transmitted, data of a transmitting buffer 65 at each corresponding downward subscriber station in the base station 11 are cleared, and data of the own upward transmitting buffer 62 are cleared by the corresponding subscriber station 21.例文帳に追加

認証が確立してデータ伝送を行う前に、基地局１１内の該当する下り加入者局毎送信バッファ６５のデータのクリアを行うとともに、該当する加入者局２１が自身の上り送信バッファ６２のデータのクリアを行う。 - 特許庁

When the front open part 11 is closed, a hook driving member 22 is driven by the base frame 50; the hook member 21 is rotated: the hook part 21b is separated from the buffer guide 30; and the buffer guide 30 is returned to a working position by an urging member.例文帳に追加

前面開放部１１が閉じられると、ベースフレーム５０によりフック駆動部材２２が駆動され、フック部材２１が回動されて、フック部２１ｂが緩衝ガイド３０から離れ、緩衝ガイド３０は付勢部材により動作位置に復帰する。 - 特許庁

To provide a bag-like material for creating a soil environment which has a buffer action for not removing a base too much while removing a surplus base in soil, and to provide a method for adjusting a plant nourishment environment.例文帳に追加

土壌中の余剰な塩基を除去しつつ、かつ塩基を過剰に除去せしめないための緩衝作用を有する土壌環境を造成する袋状資材と植物養分環境を調整する方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 2 has a base substrate 10 and a buffer layer 11 which is formed at least on the crystal growth surface of the base substrate 10 and has the same composition as that of the magnetic garnet single crystal film 12 to be formed by the liquid phase epitaxial growth.例文帳に追加

この基板２は、ベース基板１０と、ベース基板１０の少なくとも結晶育成面に形成され、液相エピタキシャル成長により成長される磁性ガーネット単結晶膜１２と同じ組成のバッファ層１１と、を有する。 - 特許庁

A buffer means for buffering impact force generated when opening a paper loading base 62 is provided in a space 67 being a dead space originally between a manual feed cover 60 and the paper loading base 62 except parts in the vicinity of shafts 61 and 63.例文帳に追加

軸６１および軸６３近傍を除く手差カバー６０と用紙積載台６２との間の元々のデッドスペースであった空間６７に、用紙積載台６２の開動作時の衝撃力を緩衝する緩衝手段を設けた。 - 特許庁

A base fishing rod 1 has a cylindrical body part 11 and a buffer layer 12 formed in the inner circumference of the end on the tip side of the body part 11 and softer than the body part 11.例文帳に追加

元竿１は、筒状の本体部１１と本体部１１の穂先側端部内周面に形成され本体部１１より軟質な緩衝層１２とを有する。 - 特許庁

A second conduction type of second base layer (7) and a first conduction type emitter layer (8) are placed in the main cell, and a second conduction type buffer layer (9) is placed in each dummy cell.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

They are produced by reacting an appropriate steroid alcohol with sulfamoyl chloride or n-alkyl chloride or alkanoylsulfamoyl chloride in the presence of a buffer or a base.例文帳に追加

それらは、緩衝液又は塩基の存在下、適切なステロイドアルコールを、塩化スルファモイルまたは塩化ｎ−アルキルもしくはアルカノイルスルファモイルと反応させて製造される。 - 特許庁

The treatment liquid is preferably a buffer liquid comprising at least one base chosen from an alkali metal hydroxide, an alkaline earth metal hydroxide and an amine.例文帳に追加

前記処理液は、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、及びアミンから選択される少なくとも１種の塩基を含む緩衝液であることが好ましい。 - 特許庁

A buffer layer made of AlN, a channel layer made of GaN and a barrier layer made of Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1) are epitaxially formed on the base substrate.例文帳に追加

該下地基板の上に、ＡｌＮからなるバッファ層と、ＧａＮからなるチャネル層と、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなる障壁層とをエピタキシャル形成する。 - 特許庁

The layer 30 consists of a base Si film 12, an Si buffer film 13, an SiGe film 14, and a top Si film 15 which are grown epitaxially respectively.例文帳に追加

半導体層３０は、下地Ｓｉ膜１２と、各々エピタキシャル成長されたＳｉバッファ膜１３，ＳｉＧｅ膜１４，トップＳｉ膜１５とから構成されている。 - 特許庁

First and second n-buffer layers 2a and 2b are formed on both sides of an n- drift layer 1, over which first and second p+ base layers 3a and 3b are formed.例文帳に追加

ｎ^- ドリフト層１の両側に、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂが形成され、これらのｎバッファ層２ａ、２ｂ上に第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂが形成される。 - 特許庁

The base station detects the utilization factor of a transmission buffer in generating FCMP and decides how to configure each slot of an uplink frame, on the basis of the utilization factor.例文帳に追加

基地局はＦＣＭＰを生成する際に、送信バッファの使用率を検出し、その使用率に基づいて、アップリンクフレームの各スロットをどのような構成にするか決定する。 - 特許庁

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13.例文帳に追加

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。 - 特許庁

To evade the overflow of data stored in a buffer inside a radio base station when a radio communication environment is deteriorated in data communication corresponding to QoS control.例文帳に追加

ＱｏＳ制御に対応したデータ通信において、無線通信環境が悪化した場合に、無線基地局内のバッファに記憶されるデータがオーバーフローすることを回避する。 - 特許庁

In the main cell, a second base layer 7 of the second conduction type and emitter layer 8 of the first conductive type are installed, and in the dummy cell, a buffer layer 9 of the second conductive type is installed.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層７と第１導電型のエミッタ層８とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層９が配設される。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

In addition, the device has a page data base part 500 which stores the number of data bytes read from a receiving buffer at the point of time when an ending page instruction is received, in the unit of pages.例文帳に追加

さらに、終了ページ命令を受け取った時点での受信バッファから読み込んだデータバイト数をページ単位に記憶するページデータベース部５００を設ける。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

A base band signal processing circuit 3 sends a frequency switching signal to an oscillation circuit 7 through a buffer circuit 6 to switch the oscillation frequency of the oscillation circuit 7.例文帳に追加

ベースバンド信号処理回路３は、バッファ回路６を介して、周波数切換信号を発振回路７に送ることにより、発振回路７の発振周波数を切り換える。 - 特許庁

Accordingly, the body can be prevented from being damaged by buffering a difference in thermal expansion ratio between the base plate and the tube of the body by the buffer.例文帳に追加

従って、ベースプレートと本体部のチューブとの間の熱膨張率の差異を緩衝部によって緩衝させることにより、本体部が破損されることを防止することができる。 - 特許庁

To solve a matter that communication is interrupted when the data stored in the receiving buffer 308 of a terminal station are drained during handover processing of the terminal station for switching the base station.例文帳に追加

端末局が基地局を切り替えるハンドオーバ処理中に、端末局の受信バッファ３０８の蓄積データ量が枯渇すると、通信途切れが発生する。 - 特許庁

To provide an emitter follower circuit 11 that acts like a buffer for impedance conversion or the like and can stably compensate a base current Ib of a transistor(TR) Q1 supplied to a load.例文帳に追加

インピーダンス変換のバッファなどとして用いられるエミッタフォロワ回路１１において、負荷側へ流れるトランジスタＱ１のベース電流Ｉｂの補償を安定して行う。 - 特許庁

This soundproof flooring material 10 includes the plate-like wood base material 12 with a specific gravity of 0.2-0.4, a surface strengthening layer 13 which is provided on the top surface of the wood base material 12 and which is higher in hardness than the wood base material 12, and a buffer material 14 which is attached to an undersurface of the wood base material 12.例文帳に追加

防音床材１０を、０．２以上０．４以下の比重を有する板状の木質基材１２と、木質基材１２の上面に設けられた、木質基材１２よりも硬度が高い表面強化層１３と、木質基材１２の下面に取り付けられた緩衝材１４とで構成することにより、上記課題を解決することができる。 - 特許庁

The third buffer layer 5 is provided for reducing threading dislocation and residual strain of the light emitting layer 6, improving planarity of a base of the light emitting layer 3, and moderating a piezoelectric field of the light emitting layer 6 by using carriers generated in the third buffer layer 5, and Si is added to the third buffer layer as an impure substance acting as a donor.例文帳に追加

第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 - 特許庁

The base station can receive feedback for controlling scheduling of uplink data transmission between the mobile terminal and the base station, can estimate the buffer occupancy at the mobile terminal based on the feedback received, and can switch the mobile terminal from a scheduling mode presently used for uplink transmission to another scheduling mode based on the estimated buffer occupancy.例文帳に追加

移動端末と基地局間のアップリンクデータ伝送のスケジューリングを制御するためのフィードバックを受信することと、受信されたフィードバックに基づいて移動端末のバッファ占有を推定することと、推定されたバッファ占有に基づいて移動端末を、アップリンク伝送のために現在使用されるスケジューリングモードから他のスケジューリングモードに切替えることを提案する。 - 特許庁

The current comparison circuit prepares comparison base information based on comparison base information entered from the input terminal and current detection information from the current detection circuit, outputs a delay control signal and buffer control signal, and enters them into the counter, counts each of them, and outputs the delay control signal and buffer control signal.例文帳に追加

電流比較回路は、入力端子から入力された比較基準情報と、電流検知回路からの電流検知情報とから比較基準情報を作成し、ｄｅｌａｙ制御信号およびバッファ制御信号を出力しカウンタに入力し、それぞれカウントし、ｄｅｌａｙ制御信号とバッファ制御信号とを出力する。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

The intermediate layer 13 is set to have an impurity concentration between those of the buffer and base layers 12 and 14 considering its thickness dimension, so that a depletion layer will not reach the buffer layer 12 at the time of turning OFF the L load switching operation.例文帳に追加

中間層１３は、バッファ層１２とベース層１４との中間的な不純物濃度に設定すると共に厚さ寸法を考慮して設定することにより、Ｌ負荷スイッチング動作のターンオフ時に空乏層がバッファ層１２まで到達しないようにすることができる。 - 特許庁

The buffer mat is formed by sticking a bubble buffer sheet 2 in which a flat base film 5 and an embossed film 6 having many projections 6a are stuck together to have projecting closed cells, to a resin member 3 including a resin plate 4 having a porous structure.例文帳に追加

平面状のベースフィルム５と多数の凸部６ａを形成したエンボスフィルム６とを貼り合わせて凸状の独立した気泡を有する気泡性緩衝シート２を、多孔質構造を有する樹脂板４からなる樹脂部材３に貼り合わせて形成した。 - 特許庁

This reagent contains a pigment selected from a group of eriochrome black T (EBT) and calmagite, triethanol amine, a glycol compound and a pH buffer agent, and the pH buffer agent comprises a combination of an amine selected from a group of primary amines and secondary amines, and a salt of a weak base.例文帳に追加

エリオクロムブラックＴ（ＥＢＴ）またはカルマガイトから選択される色素，トリエタノールアミン，グリコール化合物およびｐＨ緩衝剤を含有し、前記ｐＨ緩衝剤が、一級アミンまたは二級アミンから選択されるアミン類と弱塩基の塩との組み合わせからなる。 - 特許庁

Thus, the base voltage of the buffer TR has temperature characteristics to compensate the temperature characteristics of the collector-emitter voltage of the buffer TR1 so that the duty factor and the signal amplitude can be maintained within a prescribed range over a wide temperature range.例文帳に追加

このため、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のベース電圧が温度特性を持ち、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のコレクタ・エミッタ間電圧の温度特性を補償することができ、広い温度範囲でデューティ比及び信号振幅を所定範囲に維持することが可能となる。 - 特許庁

A reception buffer 9 and transmission buffer 13 have the characteristic that the gain decreases as the signal frequency decreases from near the high cut-off frequency of a base-band signal and corrects the distortion of the signal due to the loss in a reception system and a transmission.例文帳に追加

受信側バッファ９と送信側バッファ１３は、信号周波数がベースバンド信号の高域カットオフ周波数付近から低下するに従って利得が低減する特性を有し、受信系統と送信系統で生じる損失による信号の歪みを修正する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display with reduced contact resistance by which the contact resistance can be reduced by depositing a buffer layer on the upper surface of an aluminum base metal and performing an annealing process so that the metal atoms of the buffer layer remain.例文帳に追加

アルミニウムベースメタルの上面にバッファ層を形成し、そのアーニリング過程でバッファ層の金属原子が残存するようにして、接触抵抗を減少させることができるようにした、接触抵抗を減少させた液晶ディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

Impurities being mixed into a carrier supply layer 5, a buffer layer 2 or a Schottky contact layer can be reduced by forming any one of the buffer layer, carrier supply layer 5 or Schottky contact layer on an InAlAs/ InGaAs base semiconductor wafer of InAlGaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系の半導体ウェハのバッファ層２、キャリア供給層５か、あるいはショットキーコンタクト層８のいずれかをＩｎＡｌＧａＡｓにすることにより、キャリア供給層５、バッファ層２か、あるいはショットキーコンタクト層８への不純物の混入を減少させることができる。 - 特許庁

The donor film 80 comprises a base material film 50, a light-heat conversion layer 55 formed on the base material film 50, a transfer layer 75 formed on the light-heat conversion layer 55, a buffer film 65 interposed between the light-heat conversion layer 55 and the transfer layer 75.例文帳に追加

ドナーフィルム８０は基材フィルム５０、基材フィルム５０上に位置した光−熱変換層５５、光−熱変換層５５上に位置した転写層７５、及び光−熱変換層５５と転写層７５間に介在した緩衝膜６５を備える。 - 特許庁

The mobile station sends a STOP data flow control command to the base station causing the base station to either stop transmitting data or transmit data at a lower data rate and thus prevents the mobile buffer overflow and loss of data from occurring.例文帳に追加

移動体は、ＳＴＯＰデータフロー制御コマンドを基地局に送り、これにより、基地局に、データ送信を停止させる、またはより低いデータレートでデータを送信させ、これにより、移動体バッファオーバフローおよびデータ損失がおきることを防止する。 - 特許庁

This prevents the packet loss during hand-over about the terminal 11 moving from the original base station area to the destined base station area, reduces the required buffer quantity of a network therefor and realizes the sequence error avoidance of the packets after hand-over.例文帳に追加

これにより、移動通信端末について移動元基地局エリアから移動先基地局エリアへのハンドオーバ中のパケットロスの防止、そのために必要とされるネットワークのバッファ量削減、ハンドオーバ後のパケットの順序違い防止を実現できる。 - 特許庁

In an electronic component, a buffer layer 100 constituted of a non-metallic material is provided on a base stand 11, a conducting film 12 is provided on the layer 100, grooves 13 are provided in the film 12 and the base stand 11 is provided with one pair of terminal parts 15 and 16.例文帳に追加

本発明は、基台１１上に非金属材料で構成されたバッファ層１００を設け、バッファ層１００上に導電膜１２を設け、導電膜１２に溝１３を設け、基台１１に一対の端子部１５，１６とを設けた。 - 特許庁

The plasma display device reduces noise and vibration and includes a plasma display panel (PDP) adapted to display an image, a chassis base attached to a rear surface of the PDP and a buffer member arranged in between the PDP and the chassis base.例文帳に追加

ノイズ及び振動を低減するためのものであって、画像を表示するプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）と、ＰＤＰの背面に結合されるシャーシベースと、ＰＤＰとシャーシベースとの間に介装される緩衝部材とを備えるプラズマディスプレイ装置である。 - 特許庁

In a cassette type detector 1, a part of the side of a base 22 to which an electric substrate 23 is attached and the inner wall of a housing 3 are jointed by second buffer members 27B, and thereby the impact applied to the base 22 at least is absorbed.例文帳に追加

カセッテ型検出器１において、第２の緩衝部材２７Ｂにより、基台２２の電気基板２３が取り付けられている面の一部と、ハウジング３の内壁とが接合させ、少なくとも基台２２に加わる衝撃を吸収される。 - 特許庁

The patch server 21 of an remote patch device 2 authenticates the accessed tuner based on the content of an authentication data base (DB) 23, sends patch data accumulated in a patch data buffer 22 to the tuner 1, patches the program and stores the status and the change history of the tuner 1 in a status data base 24 and a change history data base 25.例文帳に追加

リモートパッチ装置２のパッチサーバ２１は、認証データベース（ＤＢ）２３の内容に基づきアクセスしたチューナの認証を行い、パッチデータバッファ２２に蓄えられたパッチデータをチューナ１に送りプログラムにパッチを当てるとともに、ステータスデータベース２４及び変更履歴データベース２５に当該チューナ１のステータス及び変更履歴を記憶する。 - 特許庁

The anticorrosive coated steel includes a base material steel and an anticorrosive coated layer laminated directly or via an intermediate layer on the base material steel and based on an inorganic compound containing sulfur or silicon, wherein a substance having a pH buffer action is incorporated into at least the steel side part or the intermediate layer of the anticorrosive coated layer, coming into contact with the base material steel.例文帳に追加

素地鋼材と、該素地鋼材上に、直接または中間層を介して積層され、硫黄または珪素を含有する無機化合物ベースの防食被覆層とを有し、前記素地鋼材と接触する、防食被覆層の少なくとも鋼材側部分または中間層に、ｐＨ緩衝作用のある物質を含有させる。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁