「cap mask」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GLASS CAP BONDING METHOD AND MASK FOR CURING ENCAPSULANT例文帳に追加

ガラスキャップ接着方法及び封止剤硬化用マスク - 特許庁

The etching mask and cap layers 9 and 8 are removed.例文帳に追加

エッチングマスク９及びキャップ層８を除去する。 - 特許庁

MASK CAP FOR BOREHOLE, WALL SURFACE REPAIRING DEVICE, AND WALL SURFACE REPAIRING METHOD例文帳に追加

穿孔マスクキャップ、壁面補修装置及び壁面補修工法 - 特許庁

A CAP layer CP1 is formed on the upper magnetic film 8 of the MTJ element MD1, and a hard mask HM1 is formed on the CAP layer CP1.例文帳に追加

ＭＴＪ素子ＭＤ１の上部磁性膜８上にＣＡＰ層ＣＰ１が形成され、ＣＡＰ層ＣＰ１上にハードマスクＨＭ１が形成される。 - 特許庁

The lighting field mask 24 is mounted on a front face of a cylindrical cap 32 by screwing a screw 36 into a screw hole 34 through a long hole 35 formed on the lighting field mask.例文帳に追加

採光野マスク２４を、その長孔３５にねじ３６を通してねじ穴３４にねじ込むことにより、円筒キャップ３２の前面に取り付ける。 - 特許庁

A mask 29 having an edge extending along a [011] direction is formed on a cap film 19.例文帳に追加

キャップ膜１９上に［０１１］方向に沿って伸びるエッジを有するマスク２９を形成する。 - 特許庁

A film thickness of the hard mask HM1 is thicker than that of the CAP layer CP1.例文帳に追加

ハードマスクＨＭ１の膜厚はＣＡＰ層ＣＰ１の膜厚より厚く形成される。 - 特許庁

An etching mask 9 is formed at one part of the cap layer 8, and a part to the third cladding layer 7 is removed.例文帳に追加

キャップ層８の一部にエッチングマスク９を形成し、第三クラッド層７まで除去する。 - 特許庁

Thus, when a gap G is generated between the insulator mask 17 and the cap layer 15 in the neighborhood of a border 1d, the lower part 17e close to the cap layer 15 is expanded more, and the upper part 17f distant from the cap layer 15 is expanded less in the insulator mask 17 in the gap G part.例文帳に追加

これで、境界１ｄ近傍で、絶縁体マスク１７とキャップ層１５との間にギャップＧを生じさせると、このギャップＧ部分の絶縁体マスク１７において、キャップ層１５に近い下部１７ｅは多く膨張し、キャップ層１５から遠い上部１７ｆは少なく膨張する。 - 特許庁

Moreover, as the arrangement of the mask for artificial respiration, the mask 1 for artificial respiration, a cap which is mounted on the head of the patient 29, a fixing tabs 11, 12 and 13 in order to fix the mask 1 for artificial respiration on the patient's head, and a fixing unit to collaborate with the cap are prepared.例文帳に追加

また、人工呼吸用マスクの配置として、人工呼吸用マスク１、患者２９の頭部に装着される帽子、ならびに人工呼吸用マスク１を患者の頭部に固締するために、固締用タブ１１，１２，１３および帽子と協働する固締手段を設ける。 - 特許庁

Next, the mesa region is formed through wet etching of the cap layer 5a and semiconductor film 3 using the mask 8a.例文帳に追加

次に、マスク８ａを用いて、キャップ層５ａ及び半導体膜３をウェットエッチングすることによりメサ部を形成する。 - 特許庁

Then, a high concentration source region 7b is formed by implanting arsenic ion taking the side cap film 6 as a mask.例文帳に追加

次に、このサイドキャップ膜６をマスクとして、ヒ素イオンをイオン注入することで、高濃度のソース領域７ｂを形成する。 - 特許庁

A metal layer 10A for a second gate electrode and a second cap layer 9 are formed so as to cover one end portion of a first hard mask 8.例文帳に追加

第２ゲート電極用金属層１０Ａおよび第２キャップ層９を、第１ハードマスク８の一端部を被うように形成する。 - 特許庁

The cap film 7 and the interlayer insulating film 6 are etched taking the resist film 8 as a mask to form an opening 9 reaching the stopper film 3.例文帳に追加

レジスト膜８をマスクとしてキャップ膜７および層間絶縁膜６をエッチングし、ストッパー膜３に達する開孔部９を形成する。 - 特許庁

A second conductive group III-V compound semiconductor region is grown after the mask 29 and the cap layer 19 are removed.例文帳に追加

マスク２９およびキャップ層１９を除去した後に、第２導電型III−Ｖ化合物半導体領域を成長する。 - 特許庁

Then parts of the first cap film 107 and hard mask 108 which are formed on the n-type semiconductor region 10B are removed.例文帳に追加

次に、第１のキャップ膜１０７及びハードマスク１０８におけるｎ型半導体領域１０Ｂの上に形成された部分を除去する。 - 特許庁

First, a resist 30 is used as a mask, and the cap film 20 is etched to partway under first etching condition (first etching step).例文帳に追加

まず、レジスト３０をマスクとして、第１のエッチング条件でキャップ膜２０を途中までエッチングする（第１のエッチング工程）。 - 特許庁

After a thick dielectric film 7 used as a mask is removed, a second cap layer 6 is selectively etched by using a hydrochloric acid-based etchant.例文帳に追加

マスクとして用いた厚膜の誘電体膜７を除去した後、塩酸系エッチャントを用いて第２のキャップ層６を選択エッチングする。 - 特許庁

Its upper part is adhesively mounted on a metopic surface of a cap and its lower part is adhesively mounted on a front surface of a mask by the tapes.例文帳に追加

粘着テープにより上部はキャップの前額面に、下部はマスクの前面に貼り付けて装着する。 - 特許庁

With the above process, the cap layer 112 is exposed on a region other than a region on which the etching mask 118 is coated.例文帳に追加

この工程によって、エッチングマスク１１８が被覆している以外の領域にキャップ層１１２が露出する。 - 特許庁

The hard mask consists of a material having etching selectivity with respect to the interlayer insulating film 13 and the cap insulating film 12.例文帳に追加

ハードマスクは層間絶縁膜１３及びキャップ絶縁膜１２に対してエッチング選択性を有する材料で構成される。 - 特許庁

After forming the alumina mask 32a on the top of the interlayer insulation film 30 consisting of the SiOC film of a low dielectric constant through a cap insulating film 31, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with a photoresist film as a mask to form a via hole 37.例文帳に追加

低誘電率のＳｉＯＣ膜からなる層間絶縁膜３０の上部にキャップ絶縁膜３１を介してアルミナマスク３２ａを形成した後、フォトレジスト膜をマスクにしてキャップ絶縁膜３１と層間絶縁膜３０とをドライエッチングすることによりビアホール３７を形成する。 - 特許庁

In that case, the dancer put a maetengan (a charm of the front of cap) with a cherry kazashi (snapped branch of cherry flower or tree put in the hair or the cap) instead of bugaku mask, and wears similar stage makeup as Kabuki Buyo (Dance of Kabuki [traditional drama performed by male actors]). 例文帳に追加

その場合は、舞楽面を着けずに桜の挿頭花を挿した前天冠を着け、歌舞伎舞踊と同様の舞台化粧をする場合がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed.例文帳に追加

このとき、第２のキャップ層６の表面に存在する変質物Ｄがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第２のキャップ層６のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。 - 特許庁

Only the cylindrical cap 32 and the light field mask 23 can be moved in a light axis direction by rotating the cylindrical cap against the cylindrical case 31.例文帳に追加

円筒キャップ３２を円筒筐体３１に対して回転させることにより、円筒キャップ３２および採光野マスク２４のみを光軸方向に移動させることができる。 - 特許庁

A chamber 23 having an etching chamber 22 inside has a cap 24 closing a top opening of the chamber 23, and holds a semiconductor wafer 4 on the downside of the cap 24 with its etching surface (having a mask 3) down.例文帳に追加

内部をエッチング室２２としたチャンバ２３の上面開口部を塞ぐキャップ部２４の下面に、半導体ウエハ４を、そのエッチング面（マスク３の存在する面）を下向きにして保持する。 - 特許庁

The second cap film 37 on the second active region is coated with a second mask pattern, and the second cap film 37 on the first active region is etched and removed.例文帳に追加

第２活性領域上の第２キャップ膜３７を第２マスクパターンで覆い、第１活性領域上の第２キャップ膜３７をエッチングして除去する。 - 特許庁

In the insulator mask 17, a line expansion coefficient is high at a lower part close to a cap layer 15, and it is low at an upper part distant from the cap layer 15.例文帳に追加

絶縁体マスク１７内では、キャップ層１５に近い下部では線膨張率が高く、キャップ層１５から遠い上部では線膨張率が低い。 - 特許庁

A method for producing the hetero-junction bipolar transistor includes forming an etching mask (96) on an emitter cap layer (118), forming a reentry shape (100) by selectively etching the exposed portion the cap layer, and exposing a portion of the cap layer, and exposing a portion of an emitter layer (116).例文帳に追加

ヘテロ接合バイポーラトランジスタを形成する方法は、エミッタキャップ層(118)上にエッチングマスク(96)を形成して、該キャップ層の一部を露出し、該キャップ層の露出した部分を選択的にエッチングしてリエントリ形状(100)を形成すると共にエミッタ層(116)の一部を露出させる。 - 特許庁

After this, the cap insulating film 31 and the interlayer insulation film 30 are dry-etched with the alumina mask 32a as a mask to form the wiring groove.例文帳に追加

その後、アルミナマスク３２ａをマスクにしてキャップ絶縁膜３１および層間絶縁膜３０をドライエッチングすることにより、配線溝を形成する。 - 特許庁

Also, a common second metal cap layer 37 for covering a hard mask 32 and a second wiring 34 (second barrier metal 35 and second wiring layer 36) is laminated on the surface of the hard mask 32.例文帳に追加

また、ハードマスク３２の表面に、ハードマスク３２と、第２配線３４（第２バリアメタル３５及び第２配線層３６）と、を覆う共通の第２メタルキャップ層３７を積層した。 - 特許庁

A cap layer 12, a first interlayer insulating film 13, an etching stopper layer 14, a second interlayer insulating film 15, a hard mask layer 16, and another hard mask layer 18, are sequentially formed on a wiring layer 11.例文帳に追加

配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。 - 特許庁

To provide an aid for preventing slippage of a cap-type oxygen mask to which an existing oxygen mask is attached directly, and that can be attached and removed quickly, safely and securely without the oxygen mask being slipped even if one's head is moved with lying on one's back or even if one lies on one's stomach by being turned.例文帳に追加

既存の酸素マスクを其のままの状態で装着でき、仰向けで頭をずらしても、体向して臥状態にしても酸素マスクがずれず、脱着が素早く安全に安心してできる帽子型酸素マスクずれ防止補助具を提供する。 - 特許庁

Because the masking cap 1 is made of a plastic and the projecting part 4 is engaged with the existing peripheral groove 22 of the rod like body 21, the masking cap 1 is easily attached and detached to surely mask the end part of the rod like body without easily dropping out.例文帳に追加

該マスキングキャップ１はプラスチック製であり棒状体２１の既存の周溝２２に該凸部４が係合するから、棒状体２１の端部２３に簡単に着脱でき、かつ容易に脱落することがなく確実に該端部をマスキングする。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown on a substrate 100, Au/Ti is formed on a cap layer 112 as an anode 114, a photoresist 116 is applied onto the anode 114, exposure is carried out with a mask, and an etching mask 118 is formed.例文帳に追加

基板１００上に半導体層を成長させ、キャップ層１１２の上にアノード１１４としてＡｕ／Ｔｉを形成し、アノード１１４上にフォトレジスト１１６を塗布し、マスクをかけて露光し、エッチングマスク１１８を形成する。 - 特許庁

To provide ports which are conveniently located on a mask, which are protected from accidental breakage and which do not foul tubing, and a port cap which corresponds to the mask, which is sufficiently large so as to be easy to handle and which is not so small as to be easily lost.例文帳に追加

マスク上の便利な位置に設けられており、偶発的な破損を受けないように保護されており、かつ、チューブを詰まらせることのないマスクポート及び、そのようなポートに対応して、取り扱いやすいように充分に大きく、かつ、紛失しやすい、小ささではないポートキャップを提供すること。 - 特許庁

The CAP layer CP1 has a crystalline ruthenium (Ru) simple substance as a composition material, and the hard mask HM1 has a crystalline tantalum (Ta) simple substance as a composition material.例文帳に追加

ＣＡＰ層ＣＰ１は結晶質のルテニウム（Ｒｕ）単体構造を構成材料としており、ハードマスクＨＭ１は結晶質のタンタル（Ｔａ）単体構造を構成材料としている。 - 特許庁

Since solidified photoresist is difficult to remove after reflow step, a sacrificial buffer layer 21 is provided between a photoresist mask 51 and the cap layer 14, thus facilitating removal of a photoresist 51.例文帳に追加

フォトレジストが固くなり、硬化しリフローステップの後は除去しづらくなるために、犠牲バッファ層２１が、フォトレジストマスク５１とキャップ層１４の間に配置され、フォトレジスト５１の除去を容易にする。 - 特許庁

The container has a container body 3 having an upper opening and a cap 4 to cover the container body 3 and houses a mask blanks 1 having a resist film inside.例文帳に追加

上方が開口した容器本体３と、該容器本体３に被せる蓋４とを備えて、内部に、レジスト膜を有するマスクブランクス１を収納する。 - 特許庁

The upper laminate 112 includes an occupied area along lamination planes thereof smaller than that of the lower laminate 111, and the upper laminate includes a free layer 40, a cap layer 38 and a hard mask 39 in order.例文帳に追加

上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。 - 特許庁

Then, the source-drain material film 12 not protected by the mask layer is removed while the gate 1 is protected with the cap film 7 and thereby the source-drain material films 12 are left in both sides of the gate 1.例文帳に追加

次いで、ゲート１をキャップ膜７で保護しながらマスク層で保護されていないソース・ドレイン材料膜１２を除去し、ゲート１の両側にソース・ドレイン材料膜１２を残す。 - 特許庁

Moreover, a back end of line (BEOL) mutual connection structure including the film as a BEOL insulator, cap, or hard mask layer is provided too.例文帳に追加

さらに、ＢＥＯＬ絶縁体、キャップまたはハード・マスク層として本発明の誘電膜を含むバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造も提供する。 - 特許庁

A semiconductor wafer 4 with the etching face (on which a mask 3 is formed) downward is held at a lower face of a cap 24 for filling an upper opening of a chamber 23 with an inner etching room.例文帳に追加

内部をエッチング室２２としたチャンバ２３の上面開口部を塞ぐキャップ部２４の下面に、半導体ウエハ４を、そのエッチング面（マスク３の存在する面）を下向きにして保持する。 - 特許庁

The elastic support member 4 is an annular body composed of an elastic base 6 and a cap 7, and an inner peripheral edge part is detachably fitted to an outer peripheral edge of the mask body 3.例文帳に追加

弾性支持部材４は、弾性台座６とキャップ７とからなる環状体で、内周縁部がマスク本体３の外周縁に離脱可能に嵌合する。 - 特許庁

To provide a facial protective shield for preventing clouding of the shield due to an expired air without sense of oppression or occlusion when mounted and further extremely easily mounting and replacing while a mask or a cap left wearing as it is.例文帳に追加

装着時に圧迫感や閉塞感がなく、呼気によるシールドの曇りを防ぎ、さらに、マスクやキャップを着用したままで装着及び交換が極めて容易な顔面保護シールドを提供する。 - 特許庁