「cell array」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

A reference cell array 12 includes a reference cell bit line RB (RBT or RBN) to which a prescribed number of reference cells 22 are connected.例文帳に追加

リファレンスセルアレイ１２は、所定数のリファレンスセル２２が接続されたリファレンスビット線ＲＢ（ＲＢＴ又はＲＢＮ）を有する。 - 特許庁

An ECC cell P1 is arranged at the central part of a cell array other than the remote end part of a word line 6 of a X decoding circuit 3.例文帳に追加

ＥＣＣセルＰ１を、Ｘデコード回路３に対して、ワード線６の遠端部以外のセルアレイの中央部に配置する。 - 特許庁

To provide a cell array structure that is capable of reducing the unit area per cell and preventing a decrease in yield in wiring processing.例文帳に追加

セルあたりの単位面積を縮小可能で配線加工における歩留り低下を防止可能なセルアレイ構成を提案する。 - 特許庁

A driver circuit having a redundant control function to store the information on the defective memory cell is provided to repair a defect of the memory cell array.例文帳に追加

駆動回路に不良メモリセルに関する情報を記憶した冗長制御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する。 - 特許庁

To provide a bit line decoder scheme selecting one memory cell comprising two storage site in a dual bit memory cell array.例文帳に追加

デュアルビット・メモリ・セルのアレーで２つの記憶サイトを含む１つのメモリ・セルを選択するビット線デコーダ構造を提供すること。 - 特許庁

Thereby, charging current to the floating capacity of the dummy cell from the virtual ground type memory cell array region and geneation of leak current can be prevented.例文帳に追加

仮想接地型メモリセルアレイ領域からダミーセルの浮遊容量への充電電流やリーク電流の発生を防止する。 - 特許庁

Data read from a memory cell MC for one page in one block BL of a memory cell array is stored in a data holding circuit 12.例文帳に追加

メモリセルアレイの１ブロックＢＬ内の１ページ分のメモリセルＭＣから読み出されたデータがデータ保持回路１２で保持される。 - 特許庁

MICROCHANNEL ARRAY DEVICE, METHOD FOR HOLDING PARTICLE, METHOD FOR HOLDING CELL AND INJECTING SUBSTANCE, AND APPARATUS FOR HOLDING CELL AND INJECTING SUBSTANCE例文帳に追加

マイクロチャネルアレイ装置、粒子保持方法、細胞保持ならびに物質注入方法、及び細胞保持ならびに物質注入装置 - 特許庁

In this case, the internal address is an address which is at least one-clock antecedent to an address of a memory cell of a normal cell array to be repaired.例文帳に追加

この際、内蔵アドレスは、リペアしようとするノーマルセルアレイのメモリセルのアドレスより少なくとも１クロック以前のアドレスである。 - 特許庁

Therefore, without using a redundancy memory cell which has a defect, a defective normal memory cell array can be replaced.例文帳に追加

そのため、不良が発生している冗長メモリセルを使用せずに、欠陥を生じている正規メモリセルアレイを置換することができる。 - 特許庁

The cell has a smaller size and advantageously usable in memory devices having a high cell density array.例文帳に追加

本明細書で開示されるセルは、サイズがより小さく、高セル密度アレイを有するメモリ装置において有利に用いることができる。 - 特許庁

The memory cell array block 200 includes at least first and second memory cell blocks 21, 22 divided into blocks with an erasure unit.例文帳に追加

メモリセルアレイブロック２００は、消去単位でブロック分割された少なくとも第１及び第２のメモリセルブロック２１，２２を含む。 - 特許庁

The power control device 20 keeps all the ground voltages of the solar cell modules in the solar cell panel array 10 at positive values.例文帳に追加

電力制御装置２０は、太陽電池パネルアレイ１０における太陽電池モジュールの対地電を全て正の値に保つ。 - 特許庁

The invention includes the semiconductor device having a memory cell array having a nonvolatile memory cell, a page (region) included in the memory cell array and storing page data (region data), a WR latch circuit (first storage part) storing data from the memory cell array and after that outputting the data to the outside and a control circuit, and its control method.例文帳に追加

本発明は、不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイと、メモリセルアレイに含まれ、ページデータ（領域データ）を記憶するページ（領域）と、メモリセルアレイからデータを格納し、その後データを外部に出力するＷＲラッチ回路（第１記憶部）と制御回路を有する半導体装置とその制御方法である。 - 特許庁

To provide a non-voltage semiconductor memory unit, which can read data of a spare memory cell array with priority to a main memory array in which a physical address of a memory cell array comprising NAND structure, is precedent and to provide data reading method used for the unit.例文帳に追加

ＮＡＮＤ構造からなるメモリセルアレイの物理的アドレスが先にあるメインメモリアレイより先にスペアメモリアレイのデータを優先的にリードできる不揮発性半導体メモリ装置及びこれに用いるデータリード方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the semiconductor memory device, in which a mixture of a DRAM memory cell array and a nonvolatile RRAM memory cell array are installed commparatively and the area can optionally be set after manufacturing, is obtained.例文帳に追加

これにより、ＤＲＡＭメモリセルアレイと不揮発性のＲＲＡＭメモリセルアレイを混載し、製造後に任意に領域を設定可能な半導体記憶装置を実現することができる。 - 特許庁

The device is formed in a manner that a one-port memory cell array 11 and a two-port memory cell array 12 on which a plurality of word lines WL 1 for a first port is commonly provided are mixed on one chip.例文帳に追加

共通に第１ポート用ワード線ＷＬ１が設けられる１ポートメモリセルアレイ１１と２ポートメモリセルアレイ１２とを１チップ上に混在させて半導体記憶装置を構成する。 - 特許庁

When returning from the power-down mode to the normal operation mode, the semiconductor storage device sequentially precharges only the bit lines BL and /BL of a memory cell array block 11 to be accessed out of the plurality of memory cell array blocks.例文帳に追加

パワーダウンモードから通常動作モードへの復帰時には、複数のメモリセルアレイブロックのうち、アクセスされるメモリセルアレイブロック１１のビットラインＢＬ，／ＢＬのみを順次プリチャージする。 - 特許庁

At the time of read-out, the voltage equal to the control gate voltage of the memory cell array 1 is applied as the control gate voltage of the cell array for evaluating read-disturb, and read-disturb stress is given.例文帳に追加

読み出し時には、リードディスターブ評価用セルアレイの制御ゲート電圧として、メモリセルアレイ１の制御ゲート電圧と等しい電圧が印加され、ゲートディスターブストレスが与えられる。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, a first memory cell array 30 and a second memory cell array 60 are laminated via a first interlayer insulator 20 and a second interlayer insulator 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

An electrostatic screening line SL is made on the sub bit line SB of the redundant memory cell array, and the data line DL to be connected to the ordinary memory cell array is made on the electrostatic screening line SL.例文帳に追加

冗長メモリセルアレイのサブビット線ＳＢ上に静電遮蔽線ＳＬを形成し、通常メモリセルアレイに接続されるデータ線ＤＬを静電遮蔽線ＳＬ上に形成する。 - 特許庁

To provide a self-alignment method for forming a floating gate memory cell array with high programming and erasure efficiency in which the size of memory cell can be reduced, and an array formed by that method.例文帳に追加

メモリセルの小型化可能でプログラミング及び消去効率の高い浮遊ゲート・メモリセル配列を形成するセルフアライメント方法及びその方法により製造される配列が提供される。 - 特許庁

In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁

The width of the element separation area on the end of the memory cell array is larger than the inside (T1>T2), and an interval between the floating gate electrodes on the end of the memory cell array is larger than the inside (S1>S2).例文帳に追加

メモリセルアレイの端部での素子分離領域幅が内部よりも大きく（Ｔ_１＞Ｔ_２）、かつ、メモリセルアレイの端部での浮遊ゲート電極間隔が内部より大きくなっている（Ｓ_１＞Ｓ_２）。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device for executing an operation test of a memory cell array by using test data which has been stored in a ROM-FUSE area in the memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイ内のＲＯＭ−ＦＵＳＥ領域にテストデータを記憶しておき、このテストデータを用いてメモリセルアレイの動作テストを実行する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The switch is configured to switch a connection between connecting the memory cell array to the active power supply line and connecting the memory cell array to the data-retention power supply line.例文帳に追加

スイッチは、メモリセルアレイをアクティブ電力供給線に接続することと、メモリセルアレイをデータ保持電力供給線に接続することとの間で、接続を切り換えるように構成される。 - 特許庁

A plurality of vias ZB are provided which extend in the lamination direction of the cell array layer for individually connecting the first or second wiring of each cell array layer MA to the semiconductor substrate 51.例文帳に追加

各セルアレイ層ＭＡの第１又は第２の配線と半導体基板５１とをそれぞれ個別に接続するセルアレイ層の積層方向に延びる複数のビアＺＢを有する。 - 特許庁

A data input and output circuit includes a plurality of first selection circuits and second and third selection circuits to input data to a memory cell array or output data read from the memory cell array.例文帳に追加

データ入出力回路は、複数の第１選択回路、および第２、第３選択回路を有し、メモリセルアレイにデータを入力し、またはメモリセルアレイから読み出したデータを出力する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory includes: a memory cell array 10 having a plurality of memory cells including electrically programmable anti-fuse elements; and a control circuit 20 for controlling the memory cell array.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、電気的にプログラム可能なアンチフューズ素子を含む複数のメモリセルを有するメモリセルアレイ１０と、メモリセルアレイを制御する制御回路２０とを備える。 - 特許庁

To provide a cross-point type ferroelectric memory of high quality, wherein a memory cell array constituted of ferroelectric capacitors in the cross-point type ferroelectric memory in which lamination of a plurality of layers is performed, and memory cell array arranged in each layer via an interlayer insulator prevents noise from adjacent memory cell array.例文帳に追加

強誘電体キャパシタからなるメモリセルアレイが、複数層積層されたクロスポイント型強誘電体メモリにおいて、層間絶縁層を介して各層に配置されたメモリセルアレイが、隣接するメモリセルアレイから受けるノイズを防止して、高品質なクロスポイント型強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a memory cell array, an output buffer that receives data from the memory cell array and outputs the data received from the memory cell array in response to a latency signal, and a latency circuit that generates the latency signal in response to CAS latency and a read-out signal.例文帳に追加

メモリセルアレイ、メモリセルアレイからデータを受信し、レイテンシ信号に応答してメモリセルアレイから受信されたデータを出力する出力バッファ及びＣＡＳレイテンシと読出し信号に応答してレイテンシ信号を発生させるレイテンシ回路を備える半導体メモリ装置である。 - 特許庁

Backside of a solar cell array 3 is pivoted by a shaft 8 of a single shaft supporting portion 2, spindle 11 of an electric jack 4 is coupled to the backside of the solar cell array 3, linear driving of the spindle 11 is performed by the electric jack 4, and the solar cell array 3 is rotary driven around the shaft 8.例文帳に追加

太陽電池アレイ３の裏側を一軸支持部２の軸８により枢支して、太陽電池アレイ３の裏側に電動ジャッキ４のスピンドル１１を連結し、電動ジャッキ４によりスピンドル１１をリニア駆動して、軸８周りに太陽電池アレイ３を回転駆動している。 - 特許庁

The semiconductor storage device comprises a row decoder, a first cell array arranged in one side of the row decoder, a second cell array arranged in the other side of the row decoder, word lines arranged on the row decoder corresponding to the predetermined row address of the first cell array, and a wiring layer for terminating the word lines corresponding to the predetermined row address of the second cell array.例文帳に追加

半導体記憶装置は、行デコーダ部と、前記行デコーダ部の一方に配置された第１のセルアレイと、前記行デコーダ部の他方に配置された第２のセルアレイと、前記行デコーダ部上に配置され、前記第１のセルアレイの所定の行アドレスに対応するワード線と前記第２のセルアレイの前記所定の行アドレスに対応するワード線を短絡する配線層とを有する。 - 特許庁

The NAND cell block 1 of a memory cell array comprises NAND cells in which a plurality of memory cell transistors MC are connected in series between a bit line BL and a source line SL.例文帳に追加

メモリセルアレイのＮＡＮＤセルブロック１は、複数のメモリセルトランジスタＭＣがビット線ＢＬとソース線ＳＬの間に直列接続されたＮＡＮＤセルにより構成される。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁

In a main arithmetic circuit 20 for executing a parallel arithmetic operation in a parallel arithmetic processing device, a DRAM cell array 30 having a dynamic memory cell, DRAM cell is arranged for storing data.例文帳に追加

並列演算を実行する主演算回路（２０）において、データを記憶するために、ダイナミック型メモリセル（ＤＲＡＭセル）を有するＤＲＡＭセルアレイ（３０）を配置する。 - 特許庁

Concretely, in the memory, the relieving processing of the defective cell is executed by executing the cell check of a sector different from an access sector in an erasure/write-in processing cycle to a memory cell array 11.例文帳に追加

具体的には、メモリ・セル・アレイ１１への消去・書き込み処理サイクルにおいて、アクセス・セクタと異なるセクタのセル検査を実行し、不良セルの救済処理が実行される。 - 特許庁

To provide a method of restricting the writing to a particular memory cell without cutting a wire of a memory cell array, or without bringing a prober in contact with the individual memory cell or row or column.例文帳に追加

メモリセルアレイの配線を切断したり、個々のメモリセルあるいは行や列にプローバーを当てたりせずに、特定のメモリセルへの書き込みを制限する方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array 1 including a memory cell transistor MC, an output latch circuit 3, a dummy memory cell (DC) 6, a CMOS inverter 4, and a read control circuit 5.例文帳に追加

メモリセルトランジスタＭＣを有するメモリセルアレイ１と、出力ラッチ回路３と、ダミーメモリセル（ＤＣ）６と、ＣＭＯＳインバータ４および読み出し制御回路５とを有する。 - 特許庁

Phase units are binary colorable within each unit of the hierarchical circuit design, e.g., cell, an array, a net, or array of nets and/or cells.例文帳に追加

位相単位は、階層回路設計の各々の単位、例えば、セル、アレイ、ネット、又は、ネット及び／又はセルのアレイごとに、バイナリ・カラー付け可能である。 - 特許庁

SELF-ALINE TYPE METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY OF FLOATING GATE MEMORY CELL HAVING EDGE DIRECTED IN HORIZONTAL DIRECTION, AND MEMORY ARRAY FORMED BY IT例文帳に追加

水平に向けたエッジをもつフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレーを形成するセルフ・アライン型方法及びそれにより形成されたメモリアレー - 特許庁

The cell array region Ar1 is appropriate as a buffer memory region suitable for frequently writing/reading, and the cell array region Ar2 is appropriate as a multivalent memory region of which data storage amount per a single memory cell is increased.例文帳に追加

セルアレイ領域Ａｒ１は頻繁に書込／読出しを行うのに適したバッファメモリ領域として適しており、セルアレイ領域Ａｒ２は単一メモリセル当りのデータ記憶量を高くした多値記憶領域として適している。 - 特許庁

To provide a method by which a write-in time for a cell array of a DRAM which comprises a semiconductor memory, especially, word lines and bit lines and in which a cell of a cell array is decided at an intersection point of these lines can be largely and surely shortened more than conventional one.例文帳に追加

半導体メモリー、特に、ワード線およびビット線を含み、これらの線の交差点でセルアレイのセルが確定されるＤＲＡＭのセルアレイへの書き込み時間が、確実に、従来よりも大幅に節約される方法を提供する。 - 特許庁

To improve the power-generation efficiency of a large and large-scale solar cell device comprising a solar cell array, wherein the effective cooling of a crystalline solar cell array is realized by an economical technique which requires no operational cost or energy.例文帳に追加

運用コストやエネルギを要しない経済的な手法で、結晶系の太陽電池アレイの効果的な冷却を実現し、この種の太陽電池アレイを備えた大型，大規模の太陽電池装置の発電効率を向上する。 - 特許庁

To provide a general-purpose logic cell which can develop a semiconductor device, wherein a logic circuit designed by a user is integrated, within a short period and at a low cost, a general purpose logic cell array using it, and an ASIC using this general-purpose logic cell array.例文帳に追加

ユーザが設計した論理回路が組み込まれた半導体装置を短期間且つ低コストで開発できる汎用ロジックセル、これを用いた汎用ロジックセルアレイ及びこの汎用ロジックセルアレイを用いたＡＳＩＣを提供する。 - 特許庁