「cleavage-type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The n-type semiconductor region 12n is formed along a direction intersecting with the cleavage plane of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

ｎ型半導体領域１２ｎは、半導体基板１１の劈開面と交差する方向に沿って形成されている。 - 特許庁

When the characteristics are analyzed, variation in characteristics of an end surface incidence type photodetecting element due to cleavage is reflected on the circuit simulation for the analysis.例文帳に追加

また、特性を解析するにあたり、劈開による端面入射型受光素子の特性変化を回路シミュレーションに反映させて解析する。 - 特許庁

To provide an electrostatic capacitance type sensor whose dielectric layer is difficult to be prevented from deformation and whose cover member does not allow easy extension of cleavage.例文帳に追加

誘電層の変形が阻害されにくく、カバー部材に裂け目が進展しにくい静電容量型センサを提供することを課題とする。 - 特許庁

Furthermore, the p^+-type isolation layer 11 is provided including a cleavage surface 21 having one side at a boundary 20 between the bottom surface and side wall of the recess part 6.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型分離層１１は、凹部６の底面と側壁との境界２０を一辺とするへき開面２１を含むように設けられている。 - 特許庁

Moreover, the semiconductor laser apparatus is the semiconductor laser apparatus in which the semiconductor at the cross-section of cleavage has the uneven shape, for example, the trench type, ridge type or mesa type semiconductor laser apparatus.例文帳に追加

また、前記半導体レーザ装置は、へき開断面の半導体部分が凹凸形状を持つ半導体レーザ装置、たとえばトレンチ型やリッジ型、メサ型の半導体レーザ装置などであることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a phase shift type distribution feedback type semiconductor laser capable of suppressing the variation of laser efficiency due to the variety of cleavage position, and preventing the deviation of outgoing direction of light into up-and-down.例文帳に追加

劈開位置のばらつきに起因するレーザ効率のばらつきを抑制するとともに、光の出射方向が上下にずれるのを防ぐことのできる位相シフト型の分布帰還型半導体レーザを提供する。 - 特許庁

In addition, the semiconductor laser device is provided with the same double hetero-junction structure, a second p-type clad layer, a p-type contact layer, and a p-side electrode, and the cleavage end face of the double hetero-junction structure has a disordered layer structure.例文帳に追加

または、同様のダブルヘテロ接合構造、第２のｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層と、ｐ側電極を具備し、ダブルへテロ接合構造のへき開端面が、無秩序化された層構造である。 - 特許庁

In the compound of type 1, the one-electron oxidant formed by one-electron oxidation can further release electrons of two electrons or more by being accompanied by a subsequent bond cleavage reaction.例文帳に追加

タイプ１の化合物：１電子酸化されて生成する１電子酸化体が、引き続く結合開裂反応を伴ってさらに２電子以上の電子を放出し得る。 - 特許庁

(Type 1): a compound of which one-electron oxidized derivative produced by one electron oxidation of the compound can release one or more electrons with a subsequent bond cleavage.例文帳に追加

(タイプ１)：１電子酸化されて生成する１電子酸化体が、引き続く結合開裂反応を伴って、さらに１電子もしくはそれ以上の電子を放出し得る化合物。 - 特許庁

In a compound (type 1), the one-electron oxidized derivative produced by one electron oxidation of the compound is capable of releasing one or more electrons with a subsequent bond cleavage.例文帳に追加

(タイプ１)１電子酸化されて生成する１電子酸化体が、引き続く結合開裂反応を伴って、さらに１電子もしくはそれ以上の電子を放出し得る化合物。 - 特許庁

Hence, the resonator end face is smoother and flatter cleavage plane than the conventional GaN type semiconductor laser element 10, and the threshold current is also low.例文帳に追加

種結晶層４２が基準線に対して正確な方位で形成されているので、共振器端面が、従来のＧａＮ系半導体レーザ素子１０に比べて平滑で平坦な劈開面となっており、閾値電流も低い。 - 特許庁

The surface of the p-type group III nitride semiconductor layer 8 exposed on a side surface of the semiconductor device forms a cleavage surface having reduced crystal defects, thus preventing a leak current from flowing along the side surface.例文帳に追加

半導体装置の側面に露出するｐ型のIII族窒化物半導体層８の表面はへき開面となり、結晶欠陥が少なく、側面に沿ってリ−ク電流が流れることを防止する。 - 特許庁

To obtain an encapsulated type battery forming a complete sealed aperture part in fusing and attaching the sealed aperture by laser and a cleavage part that is easily cleaved when the internal pressure is increased.例文帳に追加

封口部のレーザーによる融着の際に、完全封口部と内部圧力の上昇時に開裂する易開裂部を同時に形成した密閉型電池を得る。 - 特許庁

To provide an intramolecular cleavage type photo-radical polymerization initiator composition that does not contain any nitrogen atom, sulfur atom, and further phosphorus atom, includes only carbon atom, hydrogen atom, and oxygen atom, and is highly sensitive to light emitted from an ultraviolet LED.例文帳に追加

窒素原子、硫黄原子さらにはリン原子を含有せず、炭素原子、水素原子、酸素原子のみからなり、紫外ＬＥＤの発する光に対して高感度な分子内開裂型光ラジカル重合開始剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition that is manufactured at low cost and is a main chain cleavage type superior in a pattern shape, and also is applicable to a wide range uses because it is free from corrosion of metal and the like.例文帳に追加

低コストで製造が可能でありパターン形状に優れた主鎖開裂型でありながら、金属などの腐食がないことから幅広い用途への適用が可能な感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

(1) The photopolymerizable ink-jet ink comprises one or more photopolymerizable monomers having an SI value of <3, which shows the extent of sensitivity in a skin sensitivity test (LLNA method), a molecule cleavage type photopolymerization initiator, a hydrogen-drawing type photopolymerization initiator, and an amine compound of polymerization promoter.例文帳に追加

（１）皮膚感さ性試験（ＬＬＮＡ法）における感さ性の程度を示すＳＩ値が３未満である１種又は２種以上の光重合性モノマー、分子開裂型光重合開始剤、水素引抜き型光重合開始剤、及び重合促進剤であるアミン化合物を含む光重合性インクジェットインク。 - 特許庁

In the encapsulated type battery having a cover member into an opening part of a battery can to fuse and attach a sealed aperture of the battery can and cover member by laser welding, it forms a region having a small melting amount into the opening by laser and mounts a cleavage part when the internal pressure of the battery is increased.例文帳に追加

電池缶の開口部に蓋体を設けてレーザー溶接によって電池缶と蓋体との封口部を融着した密閉型電池において、封口部にレーザーによる溶け込み量が少ない領域を形成して、電池内部の圧力の上昇時に開裂する部分を設けた密閉型電池。 - 特許庁

To provide the deformation of the cross sectional shape of a hose caused by the bending resistance of a laminate sheet, the cleavage of a lap margin, or the like in a nonpermeation type composite hose provided with a laminate layer formed by longitudinally lapping and winding a tape-like laminate sheet including metallic foil.例文帳に追加

金属箔を含むテープ状ラミネートシートを縦添え巻きしたラミネート層を備える非透過型複合ホースにおいて、ラミネートシートの曲げ抵抗に起因するホース断面形状の変形，重ね代部の開裂等を防止する。 - 特許庁

Type A: a compound represented by X-Y (where X represents a reducing group and Y represents a releasable group), wherein a one electron oxidized body yielded by one electron oxidation of the reducing group represented by X releases Y and yields an X radical in connection with the subsequent cleavage reaction of the X-Y bond to emit another electron from the radical.例文帳に追加

タイプA:X-Yで表される化合物（Xは還元性基、Yは脱離基を表し、Xで表される還元性基が1電子酸化されて生成する1電子酸化体が、引き続くX-Y結合の開裂反応を伴ってYを脱離してXラジカルを生成し、そこから更にもう1電子を放出し得る化合物。 - 特許庁

To provide a composite component which shows extremely enhanced energy absorption to failure due to cleavage in particular of a bond point of a rivet bond type while keeping bonding stiffness in comparison with the well-known composite component based on the technique in the prior art.例文帳に追加

公知先行技術に基づき公知の複合構成部材に比べて、同じ結合剛性のまま、特に裂開による故障に至るまでの、リベット結合部の形の結合点のエネルギ吸収を著しく高くする複合構成部材を提供する。 - 特許庁

A nitride group semiconductor laser element 10 includes: nitride group semiconductor layers 12 to 19 formed on an n-type GaN substrate 11, a light emitting surface 30a composed of a cleavage surface and a p-side pad electrode 23 formed on the nitride group semiconductor layers 12 to 19.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１０は、ｎ型ＧａＮ基板１１上に形成された窒化物系半導体各層１２〜１９と、劈開面からなる光出射面３０ａと、窒化物系半導体層上に形成されたｐ側パッド電極２３とを備えている。 - 特許庁

To achieve a high-output and long-life semiconductor light-emitting device with a ridge stripe type wave guide structure, by improving the production yield depending on the cleavage and assembling of the semiconductor light-emitting device, and reducing the stress to the ridge-stripe part when the semiconductor light-emitting device is assembled in a j-down manner.例文帳に追加

リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置の劈開、組立による歩留まりを向上させ、ｊ−ｄｏｗｎで組み立てた場合にリッジストライプ部分へのストレスを軽減し、高出力、長寿命を達成する。 - 特許庁

Type A: a compound represented by X-Y, wherein X is a reducing group; Y is a releasable group; and a one-electron oxidized derivative produced by one electron oxidation of the reducing group represented by X releases Y accompanied with consecutive cleavage reaction of the X-Y bond and generates an X radical, whereby another electron can further be emitted therefrom.例文帳に追加

タイプA:X-Yで表される化合物（Xは還元性基、Yは脱離基を表し、Xで表される還元性基が1電子酸化されて生成する1電子酸化体が、引き続くX-Y結合の開裂反応を伴ってYを脱離してXラジカルを生成し、そこから更にもう1電子を放出し得る化合物。 - 特許庁

A cleavage guide groove 3 which penetrates with the p-type clad layer 12 and whose bottom surface is disposed at a position higher than an upper surface of the active layer 9 is formed in an end surface region which is disposed by sandwiching the aperture portion in plan view and which includes an end surface of a resonator of the semiconductor laser element.例文帳に追加

平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 - 特許庁

To provide a surface decorative material with natural stone type patterns for a building or a structure and its manufacturing method efficiently showing mica thin pieces on the surface side, having its cleavage almost along the surface of the decorative material, and fully exhibiting its scaly brightness.例文帳に追加

雲母薄片が効率よく表面側に現われ、その劈開平面がほぼ装飾材の表面に沿った形で存在し鱗片状の光輝性が十分に発揮される天然石調模様を有する建築物又は構築物用表面装飾材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a polymer of a water soluble vinyl monomer is characterized in that in a method for polymerizing the water soluble vinyl monomer in an aqueous solution in the presence of a polymerization initiator, a reversible additional cleavage-type chain transfer agent is allowed to be present in the aqueous solution.例文帳に追加

水溶性ビニル系モノマーを水溶液中で重合開始剤の存在下に重合する方法において、水溶液中に可逆的付加開裂型連鎖移動剤を存在させることを特徴とする水溶性ビニル系モノマーの重合体の製造方法。 - 特許庁

This inkjet ink comprises at least water, a pigment dispersion, a water-soluble polymerizable or cross-linkable substance having an ethylenic unsaturated bond, and a water-soluble photoinitiator, wherein the pigment dispersion is anionic, and the photoinitiator is an anionic and cleavage type photoinitiator selected from the group comprising benzylketal type photoinitiators, benzoine type photoinitiators, α-hydroxyacetophenone type photoinitiators, and oxime ester type photoinitiators.例文帳に追加

少なくとも水、顔料分散体、エチレン性不飽和結合を有する水溶性の重合性または架橋性物質、及び水溶性の光開始剤からなるインクジェットインクにおいて、該顔料分散体がアニオン性であり、かつ該光開始剤がベンジルケタール型光開始剤、ベンゾイン型光開始剤、α−ヒドロキシアセトフェノン型光開始剤及びオキシムエステル型光開始剤から選ばれるアニオン性で開裂型の光開始剤であることを特徴とするインクジェットインク。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents an outbreak of a chipping or unauthorized cleavage and makes an element separation at a high yield when the semiconductor device having a wurtzite type crystal structure having relatively low Mohs hardness such as a ZnO-based crystal and the like is cut into individual pieces from a wafer state to a chip state.例文帳に追加

ＺｎＯ系結晶等の比較的モース硬度の低いウルツ鉱型の結晶構造を有する半導体装置をウエハ状態からチップ状態に個片化する際にチッピングや不正劈開の発生を防止して、高歩留りで素子分離を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The cyanoacrylate-based adhesive composition comprises (A) α-cyanoacylate, (B) a polyfunctional compound having a (meth)acryloyl group, (C) a peroxide, (D) a metallocene compound of a transition metal in group 8 of the periodic table which has an aromatic electron-based ligand, and (E) an intramolecular cleavage-type photoradical initiator as essential components.例文帳に追加

本発明では必須成分として（Ａ）α−シアノアクリレート、（Ｂ）（メタ）アクリロイル基を有する多官能性化合物、（Ｃ）過酸化物、（Ｄ）芳香族電子系配位子を含有する周期律第８族遷移金属メタロセン化合物、（Ｅ）分子内開裂型光ラジカル開始剤を含有するシアノアクリレート系接着剤組成物とした。 - 特許庁

In the mass spectrometry due to a tandem type mass spectrometry apparatus, bond dissociation energy is calculated by using a molecular simulation method, the prediction information of the cleavage pattern of peptide and/or the peak position of the mass spectrum and/or the intensity ratio of a spectrum is added to obtained experiment information for use as the identification of protein.例文帳に追加

本発明のプロテオーム解析方法は、タンデム型質量分析装置による質量分析において、分子シミュレーション法を用いて結合解離エネルギーを算出して、ペプチドの開裂パターンおよび／または質量スペクトルのピーク位置および／またはスペクトルのＩｎｔｅｎｓｉｔｙ比の予測情報を、得られた実験情報に加えて、蛋白質の同定に用いることを特徴とする。 - 特許庁

The siloxane derivative has: a partial cleavage cage type silsesquioxane structure; a constitutional unit represented by a general formula (1), wherein R^1 and R^2 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydrocarbon, or a partial substitution product thereof, respectively, and may be same or different when two or more R^1 and R^2 are present in one molecule; and an epoxy group.例文帳に追加

部分開裂型カゴ状シルセスキオキサン構造、及び下記一般式（１）：（式中Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素、又はこれらの部分置換体を示し、そしてＲ^１及びＲ^２は１分子中に複数存在する場合同一でも異なっていてもよい。）で表される構成単位、及び、エポキシ基を有することを特徴とするシロキサン誘導体を提供する。 - 特許庁

The water-based emulsion composition for the plastic coating material is a water-based emulsion comprising a copolymer obtained by copolymerizing two or more kinds of ethylenic unsaturated monomer compositions in the presence of a 6-20C alkyl group-containing alkyl mercaptan and an addition cleavage type chain transfer agent containing a benzene ring and has a glass transition temperature of the copolymer of ≥90°C.例文帳に追加

２種以上のエチレン性不飽和単量体組成物を、炭素原子数６〜２０のアルキル基を有するアルキルメルカプタン及びベンゼン環を有する付加開裂型連鎖移動剤の存在下で、共重合して得られる共重合体を含有する水性エマルジョンであり、その共重合体のガラス転移温度が９０℃以上であるプラスチック塗料用水性エマルジョン組成物である。 - 特許庁

A nitride semiconductor laser element 10 is constituted so that the main surface of the nitride semiconductor substrate 101 is a (1-100) surface, a resonator end surface intersects with the main surface, in a cleavage constituting the resonator end surface, a digging portion 115 which is a digging region opened toward the nitride semiconductor layer surface is formed aside of at least one side of a stripe type waveguide.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子１０は、窒化物半導体基板１０１の主面が（１−１００）面であり、共振器端面は、主面に直交し、共振器端面を構成する劈開面において、ストライプ状導波路の少なくとも片側の脇に、窒化物半導体層表面に向けて開口した掘り込み領域である掘り込み部１１５を備える構成とする。 - 特許庁