「coupling potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the case of operation activation, the input gate voltage of an output transistor NA1 (NB1) in a boosting potential generating circuit is boosted close to 2×VCC+|negative voltage VNN| level from the state of precharging close to a power supply voltage VCC by capacity coupling.例文帳に追加

動作活性の際、昇圧電位発生回路の出力トランジスタＮＡ１（ＮＢ１）の入力ゲート電圧を電源電圧ＶＣＣ付近にプリチャージされている状態から容量結合によって２×ＶＣＣ＋｜負電圧ＶＮＮ｜レベル付近まで昇圧する。 - 特許庁

When electrostatic discharge is generated to the terminal 2 of an IC 11, gate potential becomes higher at a portion on the central side of a cell region composed of a plurality of assembled single cells so that the portion is brought into an on-state by coupling by the parasitic capacitance of an MOS transistor 12.例文帳に追加

ＩＣ１１の端子２に対し静電気放電が生じた時、ＭＯＳトランジスタ１２の寄生容量による結合により、単一セルが複数集合してなるセル領域の中央側部分のゲート電位が上昇し当該部分がオン状態となる。 - 特許庁

To reduce an effect onto a signal generated in a detection electrode affected by a noise resulting from a magnetic field, in a potential measuring instrument for modulating a coupling capacitance between a measuring object and the detection electrode by mechanical motion by a driving mechanism using magnetic force.例文帳に追加

磁力を用いる駆動機構による機械的運動で測定対象と検知電極間の結合容量を変調する電位測定装置において、磁場を原因とする雑音が、検知電極で発生する信号に与える影響を低減することである。 - 特許庁

The separator for the fuel cell in which electrode potential on its surface is 0.7 to 1.2 V is manufactured by having stainless steel coated with silane coupling agents such as alkoxy silane system surfactant and then covering with fluorine system monomolecular film.例文帳に追加

ステンレス鋼にアルコキシシラン系界面活性剤等のシランカップリング剤を塗布し、フッ素系単分子膜を被覆することにより、通気溝表面にフッ素系有機薄膜が形成され、表面の電極電位が０．７〜１．２Ｖである燃料電池用セパレータを製造する。 - 特許庁

The display driving circuit for driving first and second panels comprises a data driver for driving a plurality of data lines of the second panel; and a potential switch circuit, coupling to the data lines for determining whether to conduct a predetermined voltage to the data lines according to ON/OFF status of the first and second panels.例文帳に追加

第１及び第２パネルを駆動するディスプレイ駆動回路は、第２パネルの複数のデータ線を駆動するデータドライバーと、第１及び第２パネルのオン／オフ状態に応じてデータ線に参照電位を印加するかどうかを決めるためにデータ線に接続される電位スイッチ回路とを含む。 - 特許庁

When either of a pair of dummy word lines DWL0, DWL1 arranged in a memory cell array is selected, minute potential difference is generated between bit lines BLZ and BLX by capacitive coupling between the dummy word lines DWL0, DWL1 and the bit lines BLZ, BLX.例文帳に追加

メモリセルアレイ内に配設されている一対のダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１のいずれかを選択すると、ダミーワード線ＤＷＬ０，ＤＷＬ１とビット線ＢＬＺ，ＢＬＸとの間の容量結合によりビット線ＢＬＺ，ＢＬＸ間に微少電位差が生成される。 - 特許庁

The battery sensor includes a first die including first and second input terminals configured for coupling to the positive and negative potential terminals of the battery; and a second die including the voltage sensor, wherein the first and second die are electrically isolated from each other.例文帳に追加

バッテリーセンサは、バッテリーの正電位端子及び負電位端子に結合するため構成された第１の入力端子及び第２の入力端子を含む第１のダイと、電圧センサを含む第２のダイとを含み、第１のダイ及び第２のダイは互いに電気的に絶縁されている。 - 特許庁

The shading layer 23 and the counter electrode 32 are electrically connected with each other via a transfer 36, and the shading layer 23 and the counter electrode 32 are brought into the same potential, and it is also possible to prevent instability of a driving voltage caused by the occurrence of coupling and leak current between signal lines, scanning lines, and driving circuit wiring.例文帳に追加

遮光層23および対向電極32をトランスファ36で電気的に接続することにより、遮光層23および対向電極32が同電位となり、信号線間や走査線間および駆動回路配線間でのカップリングや電流のリークが起こり、駆動電圧が不安定になることも防止できる。 - 特許庁

A coupling capacitance is formed between a pixel electrode 26a of the final line in the display area 17 in a vertical scanning direction V and the dummy pixel electrode 26b, difference of potential variation between the pixel electrode 26a of the final line and the pixel electrode 26a prior thereto by one line is suppressed and thereby display quality is enhanced.例文帳に追加

垂直走査方向Ｖの表示エリア17での最終行の画素電極26aとダミー画素電極26bとの間でカップリング容量を形成し、最終行の画素電極26aとその１行前の画素電極26aとの電位変動量の差を抑制して、表示品位を向上できる。 - 特許庁

Therefore, even if coupling capacitors C1, C2 are formed between the bit line pair BS, /BS and the readout line OLCD for display, electric charges charged and discharged between these capacitors and the readout line OLCD for display are balanced out, a signal potential of the readout line OLCD for display is not deteriorated.例文帳に追加

よって、ビット線対ＢＳ，／ＢＳビット線と表示用読み出し線ＯＬＣＤとの間にカップリング容量Ｃ１，Ｃ２が形成されても、この容量と表示用読み出し線ＯＬＣＤとの間で充放電される電荷が相殺され、表示用読み出し線ＯＬＣＤの信号電位は劣化しない。 - 特許庁

The sub-decode signal line functions as a conductive line for shielding static electricity for the ground line, a potential of the ground line is raised by capacity coupling with the other signal lines, electric charges are flowed out from a memory cell of the non-selection sub-word line, and deterioration of the refresh property is prevented.例文帳に追加

サブデコード信号線が、接地線に対する静電遮蔽用の導電線として機能し、接地線の電位が他の信号線との間の容量結合により上昇して、非選択サブサード線のメモリセルから電荷が流出してリフレッシュ特性が劣化するのを防止する。 - 特許庁

A capacitor C interposed between adjacent signal lines 12 is connected to a wire 50 with low impedance from the side of the signal lines 12 to attenuate the capacity coupling between the adjacent signal lines 12 and potential variations of video signals sampled to the respective signal lines are suppressed.例文帳に追加

隣接する信号ライン１２の間に介在する容量Ｃを信号ライン１２側より低インピーダンスの配線５０に接続して、隣接する信号ライン１２間の容量カップリングを減衰させ、各信号ラインにサンプリングされた映像信号の電位変動を抑制する。 - 特許庁

This biosensor is provided as constitutive elements with a device 1, a conductive thin film 2 on a device 1 surface, a biomolecule 3 arranged on the thin film 2 and for forming a coupling selectively to a specimen or a conjugate with the specimen, and detects a change of a potential of the biomolecule 3.例文帳に追加

デバイス１と、該デバイス１表面に施した導電性薄膜２と、該薄膜２上に配され、被検体または被検体との結合体に対して選択的に結合を形成する生体分子３と、を構成要素とし、前記生体分子３の電位の変化を検出することを特徴とする。 - 特許庁

The zones 13n and 13p reduce the resistance of a channel coupling between a channel region 63 controlled by the potential of a gate electrode 21 and respective source/drain regions 61 and 62, and also reduce the overlap capacitance between the gate electrode 21 and the respective source/drain regions 61 and 62.例文帳に追加

この濃縮帯１３ｎ、１３ｐは、各ソース／ドレイン領域６１、６２と、ゲート電極２１の電位によって制御されているチャネル領域６３との間のチャネル連結部の抵抗を低減し、ゲート電極２１と各ソース／ドレイン領域６１、６２との間のオーバーラップ容量を低減する。 - 特許庁

When a hand 51b moves, the bend 71 slides, constantly touching the upper surface of the conductive plate 522 electrically connected with the ground potential mechanically, and a neutralization passage of hand 51b-holder 53b-coupling column 55b-contactor 7-conductive plate 522 is always formed.例文帳に追加

このため、ハンド５１ｂが移動する際に、屈折部７１は電気的にグランド電位に接続されている導電プレート５２２の上面と機械的に常時接触しながら摺動し、ハンド５１ｂ−ホルダ５３ｂ−連結コラム５５ｂ−接触子７−導電プレート５２２という除電経路が常時形成されている。 - 特許庁

An electrostatic coupling capacity between the detection electrode 101 and the measuring object 111 is modulated by capacity modulation means 105-108, to thereby measure the electric potential of the measuring object 111 by using an electric signal generated on the detection electrode 101 and an electric signal generated on the reference electrode 103.例文帳に追加

容量変調手段１０５−１０８により検知電極１０１と測定対象１１１間の静電結合容量を変調することで、検知電極１０１上に発生する電気信号と参照電極１０３上に発生する電気信号を用いて、測定対象１１１の電位を測定する。 - 特許庁

The voltage-detecting circuit determines the voltage potential of a control signal node by capacity coupling based on a first capacitative element C1, connected between the VDD1 node and a control signal node N3, a second capacitative element C3 connected between the VDD2 node and the control signal node, and a load carrying capacity CL of a control signal output node.例文帳に追加

電圧検出回路は、VDD1ノードと制御信号ノードN3との間に接続された第１の容量素子C1と、VDD2ノードと制御信号ノードとの間に接続された第２の容量素子C3と、制御信号出力ノードの負荷容量CLとによる容量結合により制御信号ノードの電位を決定する。 - 特許庁

Also, since an n well 111 in the driving control circuit region 201 is separated from an n^- well 112 in the pixel paved region 202, potential fluctuation of the n well 111 does not propagate directly to the pixel paved region 202 but becomes capacitive coupling by parasitic capacitance, and the influence on the pixel paved region 202 can be reduced.例文帳に追加

また、駆動等制御回路領域２０１のｎウェル１１１と、画素敷き詰め領域２０２のｎ^-ウェル１１２は分離されているので、ｎウェル１１１の電位の変動は直接、画素敷き詰め領域２０２に伝搬せず、寄生容量による容量結合となって画素敷き詰め領域２０２への影響は小さくできる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is arranged so a to modulate a gamma correction voltage or a compensation potential difference Vepp in capacitance coupling driving by a vertical cycle control voltage generated according to the temperature of at least one point in the liquid crystal device and the expected temperature distribution in the vertical direction of the liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて作成された垂直周期の制御電圧により、ガンマ補正用電圧もしくは容量結合駆動における補償電位差Ｖｅｐｐを変調するようにした。 - 特許庁

An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加

このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。 - 特許庁

The minute capacitance element includes: first and second metal electrodes having respective opposite facets, facing each other, formed on an insulator layer to define a first gap therebetween; and a shield electrode which is formed on the insulator layer, can be connected to an externally applied potential, and defines a slit confining a coupling capacitance within the first gap.例文帳に追加

微小容量素子は、絶縁層上に成膜されかつそれぞれが互いに対向して第１間隙を画定する対向面を有する第１及び第２金属電極と、絶縁層上に成膜されかつ外部電位に接続可能でありかつ第１間隙内において結合容量制限スリットを画定するシールド電極と、からなる。 - 特許庁

When the node α is in the floating state, a capacitive coupling between the gate and the source of the TFT 203 by the capacity 205 is used to make a potential of the node α higher than VDD, so that an output signal having an amplitude between VDD and GND can be normally obtained without amplitude attenuation due to a threshold of the TFT.例文帳に追加

ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのしきい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出力信号を得ることが出来る。 - 特許庁

The coupler (200) for electromagnetically coupling an unbalanced transmission line and a balanced transmission line includes: a first strip line (151) connected to the unbalanced transmission line; and a second strip line (152) electromagnetically coupled to the first strip line (151) and a constant potential is applied to a midpoint of the second strip line (152).例文帳に追加

本発明は、不平衡伝送路と平衡伝送路とを電磁結合する結合装置（２００）であって、不平衡伝送路に接続された第１のストリップライン（１５１）と、不平衡伝送とに接続され、第１のストリップライン（１５１）と電磁結合した第２のストリップライン（１５２）とを有し、第２のストリップライン（１５２）の中間点に定電位が印加されることを特徴とする。 - 特許庁

This potential sensor has: the detection electrode 102 for measuring voltage of a measurement target by a change of an induced electric amount; capacitance modulation means 103-107 modulating coupling capacitance between the measurement target and the detection electrode 102 by use of the electrostatic force; and a meas 108 for electrically shielding the reaching of the electric field caused by the electrostatic force to the detection electrode 102.例文帳に追加

電位センサは、誘起される電気量の変化によって測定対象の電圧を測定するための検知電極102と、静電力を用いて測定対象と検知電極102間の結合容量を変調する容量変調手段103−107と、静電力に起因する電場が検知電極102に届くのを電気的にシールドするための手段108を有する。 - 特許庁

The phase and the noise amount of electromagnetic noise superposed on a ground wire 3 and feeders 5 of the power receiving cord due to the coupling of electromagnetic noise emitted to the outside of the equipment with the ground wire 3 and the feeders 5, are made substantially equal to each other, to reduce a potential difference between the ground wire 3 and the feeders 5, with respect to the above electromagnetic noise.例文帳に追加

また、前記機器外部へ放射される電磁ノイズが前記受電コードの接地線３と給電線５とに結合することによる前記接地線３および前記給電線５に重畳する電磁ノイズの位相とノイズ量を略同一にし、前記接地線３と給電線５との間の前記電磁ノイズについての電位差を低減させる。 - 特許庁

The semiconductor memory device where nonvolatile memory cells (mm0 to mm15) including control gate and memory gate electrodes to which predetermined voltages are supplied in writing, erasing and reading operations are formed, is provided with a control circuit for increasing reading currents from the memory cells by increasing the potential of the memory gate electrode by coupling the control gate and memory gate electrodes when data are read from the nonvolatile memory cells.例文帳に追加

書込み、消去、及び読み出しの各動作においてそれぞれ所定電圧が供給されるコントロールゲート電極及びメモリゲート電極を含む不揮発性メモリセル（ｍｍ０〜ｍｍ１５）が形成された半導体記憶装置において、上記不揮発性メモリセルからデータ読み出しが行われるときに、上記コントロールゲート電極と上記メモリゲート電極との間のカップリングによりメモリゲート電極の電位を上げることでメモリセルからの読出し電流を増大させるための制御回路を設ける。 - 特許庁