「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, Ni, either or both of Cu and Mo, either or both of Ti and B, or either or both of Nb and V can be incorporated.例文帳に追加

Ni、あるいはCu、Moのうちから選ばれた１種または２種、あるいはTi、Ｂのうちから選ばれた１種または２種、あるいはNb、Ｖのうちから選ばれた１種または２種を含有してもよい。 - 特許庁

The steel plate may comprise one or more kinds selected from ≤0.2% Cu, ≤0.3% Ni, ≤0.5% Cr, ≤0.04% Mo and ≤0.08% V, and may comprise one or two kinds selected from Ca and rare earth metals as well.例文帳に追加

さらに、Cu：0.2％以下、Ni：0.3％以下、Cr：0.5％以下、Mo：0.04％以下、Ｖ：0.08％以下のうちの１種または２種以上を含有してもよく、また、Ca、REMのうちの１種または２種を含有してもよい。 - 特許庁

This copper alloy is composed of 0.01-3 mass% precipitation strengthening element and 0.01-5 mass% precipitation promoting element and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

析出強化元素を0.01質量％以上3質量％以下、析出促進元素を0.01質量％以上5質量％以下含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁

To provide a slurry composition capable of applying chemical mechanical polishing to a metal such as Cu with a high efficiency without causing scratch and dishing to the metal, and to provide a method for chemical mechanical polishing.例文帳に追加

Cuなどの金属に対して、高能率でスクラッチやディッシングを生じない化学機械研磨を行うことができるスラリー組成物、及び化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

Thereafter, a TaN film 111 and a Cu film 112 are deposited in the wiring trench 110, and a Cu film 113 is deposited by plating to be completely embedded in the wiring trench 110.例文帳に追加

その後、配線溝１１０中にＴａＮ膜１１１及びＣｕ膜１１２を堆積し、メッキ法によりＣｕ膜１１３を堆積し、配線溝１１０の内部を完全に埋め込む。 - 特許庁

Further, it is preferable that the base material is formed by adding a Cu compound to the basic compound and the addition amount of the Cu compound is larger than 0 mol% and equal to or below 10 mol%.例文帳に追加

また、前記母材は、基本化合物にＣｕ化合物が添加されてなり、当該Ｃｕ化合部の添加量が０ｍｏｌ％よりも多く、１０ｍｏｌ％以下であればより好ましい。 - 特許庁

The NiCu alloy target for a Cu electrode protective film has a composition containing Cu of 25.0-45.0 mass% and (Co, Mo) of 1.0-5.0 mass%, and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

２５．０≦Ｃｕ≦４５．０ｍａｓｓ％、及び、１．０≦(Ｃｏ、Ｍｏ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 - 特許庁

Alternatively, the NiCu alloy target material for a Cu electrode protective film has a composition containing Cu of 5.0-25.0 mass% and (Fe, Mn) of 0-5.0 mass%, and the balance Ni with inevitable impurities.例文帳に追加

５．０≦Ｃｕ≦２５．０ｍａｓｓ％、及び、０≦(Ｆｅ、Ｍｎ)≦５．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材。 - 特許庁

The synergistic microbicidal composition comprises N-methyl-1,2-benzisothiazolin-3-one and Cu(II)2-aminoethanolate and didecyldimethylammonium chloride, or Cu(II)2-aminoethanolate.例文帳に追加

Ｎ−メチル−１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オンおよびＣｕ（ＩＩ）２−アミノエタノレートおよびジデシルジメチルアンモニウムクロリド、またはＣｕ（ＩＩ）２−アミノエタノレートを含有する相乗的殺微生物組成物。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, a Cu wiring layer 13 is formed by electrolytic plating, and a resin film 14 is formed to cover the Cu wiring layer 13.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、電解メッキ法によりＣｕ配線層１３を形成し、Ｃｕ配線層１３を被覆するように樹脂膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide slurry for CMP in which polishing power can be controlled for an insulating film while sustaining good polishing power for a film of Cu or a Cu alloy.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕ合金の膜に対して良好な研磨能力を維持しつつ、絶縁膜に対する研磨性を抑制することが可能なＣＭＰ用ＣＭＰ用スラリを提供する。 - 特許庁

The method also includes a step of forming a second Cu diffusion barrier insulating film 8 on this, and a step of forming a structure that the copper residue 7a is sandwiched between the first and second Cu diffusion barrier insulating films 3 and 8.例文帳に追加

この上に第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜８を設けて、銅残渣７ａを第１および第２のＣｕ拡散バリア絶縁膜３，８で挟み込んだ構造にする。 - 特許庁

In the aluminum nitride powder, the intensity ratio I(002)/I(100) of diffraction peak of (002) plane to that of (100) plane in X-ray diffraction using a Cu-Kα ray is 0.2-0.5.例文帳に追加

Cu−Kα線を用いたX線回折において（００２）面と（１００）面からの回折ピークの強度比Ｉ（００２）／Ｉ（１００）が０．２〜０．５であることを特徴とする窒化アルミニウム粉末。 - 特許庁

To provide a Cu-Zn-Sn alloy plate and a tin-plated Cu-Zn-Sn alloy strip having not only excellent pressing processability, but also excellent strength, electrical conductivity, and bending processability.例文帳に追加

プレス加工性だけでなく、強度、導電率、及び曲げ加工性にも優れたＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金板及びＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金Ｓｎめっき条を提供する。 - 特許庁

The water-repellent catalyst is manufactured by deposing Pd and one or more metals selected from the group consisting of Cu, Sn and In on one or more carriers selected from the group consisting of activated carbon, Al_2O_3, SiO_2, TiO_2 and ZnO_2.例文帳に追加

Pd並びに、Cu、Sn及びInより成る群から選ばれる一つ以上の金属が、活性炭、Al_2O_3、SiO_2、TiO_2及びZnO_2より成る群から選ばれる一つ以上の担体に担持された、撥水性を有する触媒。 - 特許庁

To provide a technique capable of decreasing a generation of splashing upon depositing by using an Al-Ni-La-Cu-based Al alloy sputtering target containing Ni, La, and Cu.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｌａ、およびＣｕを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。 - 特許庁

Then, a Cu film 107 is deposited on the barrier metal film 106, and then the Cu film 107 and the barrier metal film 106 are polished to form a via plug 108 and an upper layer interconnection 109.例文帳に追加

次に、バリアメタル膜１０６上にＣｕ膜１０７を堆積し、Ｃｕ膜１０７及びバリアメタル膜１０６を研磨してビアプラグ１０８及び上層配線１０９を形成する。 - 特許庁

A solder foil which is made by rolling material containing particles of Cu or the like as metallic particles and particles of Sn as solder particles, and the electronic apparatus, where components are connected with one another by that solder foil.例文帳に追加

金属粒子としてCu等の粒子と、はんだ粒子としてSnの粒子を含むはんだ材料を圧延して形成したはんだ箔、また該はんだ箔を用いて接続した電子機器。 - 特許庁

To provide a CMP(chemical-mechanical polishing) composition for planerizing a metal layer of Cu and a Cu alloy, hardly causing dishing, capable of improving surface flatness, and capable of reducing a production cost by improving through-put.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｕ合金の金属層を平坦化するための、ディッシングが少なく、表面平坦度が向上し、スループットを上げて製造コストを下げ得るＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

The Au wire or the Cu wire is employed which is obtained by applying the coating of a substance for increasing a reflection factor on the Au wire or Cu wire for the wire bonding of the semiconductor light emitting device.例文帳に追加

半導体発光装置のワイヤーボンディングに使用されているＡｕ線やＣｕ線の表面に反射率を高める物質をコーティングしたＡｕ線やＣｕ線を用いる。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the semiconductor device, after forming the Cu layer 4 on an insulating film 2 for filling wiring grooves 1 in the insulating film 2 by electroplating, the surface of the Cu layer 4 is sputtered by using rare gas ions.例文帳に追加

絶縁膜２上に、絶縁膜２に形成された配線溝１を埋め込むＣｕ層４を電気めっきで形成したのち、Ｃｕ層４の表面を稀ガスイオンを用いてスパッタする。 - 特許庁

The reinforcing board 13 employs such a material as Cu, Cu alloy, Fe, Fe alloy, or the like, having a linear expansion coefficient smaller than that of the material (e.g. Al) at other part of the base board 1.例文帳に追加

補強板１３の材料は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ、Ｆｅ合金等、ベース板１の他の部位の材料（例えばＡｌ）に比べて線膨張係数の低い材料を用いる。 - 特許庁

To solve the problem that a Ta_2O_5 dielectric film is preferably formed on a Cu electrode when an effective MIM structure capacitor is formed by applying LSI for mix installment, but since Cu has a large diffusion coefficient and low heat resistance or oxidation resistance, electric characteristics of the capacitor deteriorate.例文帳に追加

混載ＬＳＩ適用して有効なＭＩＭ構造キャパシタを形成するためには、Ｃｕ電極上にＴａ_２Ｏ_５誘電体膜を形成することが望ましい。 - 特許庁

Vias 13 reaching a Cu foil 12 are formed into an insulation base 11 of a first printed board 10, and through-conductors 17 are formed in the vias 13, while an adhesive 30 is applied to specified regions of a Cu foil 22 surface of a second printed board 20, except corresponding portions of the foil surface to the through-conductors 17.例文帳に追加

第１プリント基板１０の絶縁基材１１に銅箔１２に届くバイアホール１３を形成し、そのバイアホール１３内に貫通導体１７を形成する。 - 特許庁

To provide a deposition method for forming an interlayer dielectric which has excellent adhesion onto distributing Cu wires, and is free from cohesion of Cu, and so on.例文帳に追加

半導体装置の製造において、Ｃｕ配線上に密着性が良好で、Ｃｕの凝集等が起こらない層間絶縁膜を形成するための成膜方法を提供する。 - 特許庁

The powder 12 of W-type hexagonal ferrite is expressed by a composition formula Co_xMe_2-xBaFe_16O_27, and Me is one kind or more kinds selected from Mg, Mn, Fe, Ni, Cu, and Zn which may be in a bivalent metal ion state.例文帳に追加

Ｗ型六方晶フェライトの粉体１２は組成式が Co_xMe_2-xBaFe_16O_27 で示され、Meは２価の金属イオン状態となり得る金属、Mg, Mn, Fe, Ni, CuおよびZnから選ばれた１種または２種以上である。 - 特許庁

To provide a thin Al-Cu joined structure of excellent dimensional characteristic by ensuring an Al-Cu different joining member of excellent workability, and reducing the thickness thereof by rolling.例文帳に追加

加工性に優れたＡｌ−Ｃｕ異材接合部材を確保し、これを圧延加工により減肉することによって、優れた寸法特性の薄型Ａｌ−Ｃｕ接合構造物を提供する。 - 特許庁

A gold alloy for glasses comprises, by weight ratio, 33-42% Au, 15-39% Ag, 2-7% Ni and the balance Cu, while controlling the weight ratio of Cu to Ag into 90-140%.例文帳に追加

重量割合をＡｕ３３〜４２％、Ａｇ１５〜３９％、Ｎｉ２〜７％、残りをＣｕとし、Ａｇに対するＣｕの重量割合を９０〜１４０％とした眼鏡用金合金。 - 特許庁

The Cu bonding wire is characterized in consisting of 2 mass ppm or less of Cl, 2 to 7.5 mass% of Au, and remaining Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ｃｌの含有量が２質量ｐｐｍ以下である、２質量％以上７．５質量％以下のＡｕを含み、残部Ｃｕと不可避不純物からなることを特徴とするＣｕボンディングワイヤ。 - 特許庁

To provide a Cu alloy film for reducing resistance in a process temperature region of a wiring film of a flat display device or the like, and a sputtering target material for forming the Cu alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

A Cu or Cu alloy plate 2 is superimposed on a steel strap 1, Al or Al alloy foil 3 is superimposed on the plate 2, and thereafter they are heated by a heating furnace 8.例文帳に追加

帯鋼１上にＣｕまたはＣｕ合金板２を重ね、更にこのＣｕまたはＣｕ合金板２上にＡｌまたはＡｌ合金箔３を重ね、その後、加熱炉８で加熱する。 - 特許庁

To provide a method for producing fine particles of a Cu-P alloy and fine particles of a Cu-Sn-P alloy, which reduces the formation of dendrite by conducting a reduction reaction in a liquid phase.例文帳に追加

液相で還元反応を行うことにより、デンドライト化が抑制されたＣｕ−Ｐ合金微粒子、及びＣｕ−Ｓｎ−Ｐ合金微粒子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain good solderability when joining an object to be joined having a metallic conductor composed of Cu or a metal containing Cu as the main body with Pb-free solder.例文帳に追加

ＣｕまたはＣｕを主成分とする金属からなる金属導体を有する被接合体をＰｂフリー半田によって接合するにあたって、良好な半田付け性が得られるようにする。 - 特許庁

The Cu-Ga based alloy powder includes, in atom%, not less than 25% and less than 40% of Ga, the balance comprising Cu and unavoidable impurities, wherein the powder has an oxygen content of 200 ppm or less.例文帳に追加

原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。 - 特許庁

The composite wire rod is subjected to heat treatment in a heating furnace to diffuse zinc in the zinc layer into the Cu-Zn layer and thus form the Cu-Zn alloy layer 5.例文帳に追加

この複合線材に対して加熱炉により熱処理を施し、亜鉛層中の亜鉛を前記Ｃｕ−Ｚｎ層中に拡散させることにより、Ｃｕ−Ｚｎ合金層５を形成する。 - 特許庁

Its ferromagnetic characteristic is adjusted by adding other anti-ferromagnetic transition metals such as Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, or Ru, etc., adding a dopant, or adjusting the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁

The repeating bases 7 are made of a metal such as Cu, Cu alloy, Al or Al alloy or ceramic, such as Al_2O_3 having an electrical conductive layer formed on its top surface.例文帳に追加

中継台７は、例えばＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ又はＡｌ合金等の金属製であるか、又は少なくとも上面に電気伝導層が形成されたＡｌ_２Ｏ_３等のセラミックス製である。 - 特許庁

To provide low-resistance and high-reliability Cu wiring by eliminating influences caused by so-called battery effect in a semiconductor device and manufacturing method thereof for forming Cu wiring through Damascene techniques.例文帳に追加

Ｃｕ配線をダマシン法で形成する半導体装置及びその製造方法において、いわゆる電池効果による影響を無くし、低抵抗で信頼性の高いＣｕ配線を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer grinding method capable of maintaining a gettering sink effect and decreasing a metal atom such as copper (Cu) contained in a wafer, assuring flexural strength.例文帳に追加

ゲッタリングシンク(gettering sink)効果を維持するとともに抗折強度を確保しつつウエーハの内部に含有している銅（Cu）等の金属原子を減少させることができるウエーハの研削方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method for efficiently and reliably removing copper oxide on a surface of Cu and removing Cu-containing residue attached on an interlayer dielectric.例文帳に追加

Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a Cu-Zn alloy sheet which has excellent bending workability while preventing the surplus increase of a load in cold rolling after intermediate annealing upon production of a Cu-Zn alloy sheet.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｚｎ合金板の製造に際し、中間焼鈍後の冷間圧延の負荷が過度に大きくなるのを防止しつつ、曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｚｎ合金板を得る。 - 特許庁

To provide a Cu sputtering target which can stabilize a plasma and keep a self-maintaining discharge for a long time in a self-ion-sputtering method of Cu.例文帳に追加

Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁

The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.例文帳に追加

本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of removing Cu ions from a solution containing arsenic acid (pentavalent As) and Cu ions while suppressing reduction of the arsenic acid (pentavalent As) to arsenious acid (trivalent As) as much as possible.例文帳に追加

砒酸（５価Ａｓ）とＣｕイオンとを含有する溶液から、当該砒酸（５価Ａｓ）の亜砒酸（３価Ａｓ）への還元を極力抑えつつ、Ｃｕイオンを除去する方法を提供する。 - 特許庁

Then, the ferromagnetic properties thereof are controlled by the addition of antiferromagnetic transition metals such as Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh, Ru or the like, the addition of dopants, and the control of the concentration of the transition metals.例文帳に追加

そして、Ti, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Rh,またはRuなどその他の反強磁性の遷移金属の添加、ドーパントの添加などやこれらの遷移金属の濃度の調整、により強磁性特性を調整する。 - 特許庁