cuを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 5425件
This base material of this electrode wire 1 for a solar cell before plating with molten solder plating applied to a surface of the base material 2 is formed of a rolled material of pure copper containing 99.90 mass% of Cu.例文帳に追加
基材2の表面に溶融はんだめっきが施された太陽電池用電極線材1のめっき前の基材は、Cuを99.90mass%以上含む純銅の圧延材で形成され、圧延方向の結晶方位<100>、<114>、<112>のX線回折によるピーク強度をそれぞれP<100>、P<114>、P<112>と表すとき、下記式に示す<114>および<112>の結晶方位のピーク強度比PR(%)が50〜90%とされる。 - 特許庁
The catalyst for catalytically reducing nitrogen oxide in the exhaust gas of the diesel engine using unburnt carbon contained in the exhaust gas of the diesel engine is composed of acid type zeolite (a), zeolite (b) containing an alkali metal and/or alkaline earth metal, zeolite (c) containing a rare earth metal or zeolite (d) containing at least one kind of a transition metal selected from Fe, Co, Ni and Cu.例文帳に追加
本発明によれば、(a)酸型ゼオライト又は(b)アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属含有ゼオライト又は(c)希土類金属含有ゼオライト又は(d)Fe、Co、Ni及びCuから選ばれる少なくとも1種の遷移金属含有ゼオライトからなることを特徴とするディーゼルエンジン排ガスに含まれる未燃カーボンを還元剤としてディーゼルエンジン排ガス中の窒素酸化物を接触還元するための触媒が提供される。 - 特許庁
When performing depth direction analysis of at least one metal element of Ga, In, Cu, Au or Ag in a sample using monocrystal silicon as a base material by a mass spectrometry method by using oxygen as primary ion, at least a deeper domain than a domain where the sample is oxidized by oxygen as primary ion, is reformed beforehand as a diffusion suppression domain for suppressing diffusion of the metal element resulting from oxidation of the sample.例文帳に追加
一次イオンに酸素を用いて単結晶シリコンを母材とする試料中のGa、In、Cu、Au或いはAgの少なくとも一つの金属元素の深さ方向分析を二次イオン質量分析法によって行う際に、前記試料が前記一次イオンとしての酸素により酸化される領域より少なくとも深い領域を、予め試料の酸化に伴う前記金属元素の拡散を抑制する拡散抑制領域に改質しておく。 - 特許庁
The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加
基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Agに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたAgからなる反射層、を有するものであり、該反射体のCuKα線を用いたX線回折測定により、Agに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが2〜23nmであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁
In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加
p型GaN半導体層上に順次に積層された第1電極層および第2電極層を含むp型GaN半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第1電極層は、p型熱電酸化物を形成できるNi、CuもしくはCo系の合金または固溶体を含むか、またはAl、GaおよびInのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたNi酸化物を含みうる。 - 特許庁
This sputtering target, having 1×10^-4 to 1.5×10^4 Ω.cm for electrical resistivity at 25°C, is obtained by sintering a raw material mixture, containing substantially ZnS and at least one dopant element selected from the group consisting of Al, In, Ag, Cu, N, Li, Na and Cl.例文帳に追加
実質的にZnSと、Al、In、Ag、Cu、N、Li、Na及びClからなる群から選択される少なくとも1種のドーパント元素とを含有する原料混合物を焼結して得られるターゲットであって、該ターゲットの25℃における電気抵抗率が1×10^−4〜1.5×10^4Ω・cmであることを特徴とする、DCスパッタリングの可能な光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット、さらには、これらを用いて作成した光ディスク保護膜により提供。 - 特許庁
This drinking water for pet is obtained by adding a proper amount of a natural mineral active wave motion water containing P, Se, Mo, Sb, Zn, Ni, Co, Sn, B, Mn, Fe, Cr, Mg, Si, V, Be, Cu, Ti, Zr, Al, Sr, Ca, Ba, Na, K, Li and Rb extracted from a soil precursor, to natural water.例文帳に追加
天然水に土壌前駆物質より抽出したリン(P),セレン(Se),モリブデン(Mo),アンチモン(Sb),亜鉛(Zn),ニッケル(Ni),コバルト(Co),スズ(Sn),ホウソ(B),マンガン(Mn),鉄(Fe),クロム(Cr),マグネシウム(Mg),ケイ素(Si),バナジウム(V),ベリウム(Be),銅(Cu),チタン(Ti),ジルコニウム(Zr),アルミニウム(Al),ストロンチウム(Sr),カルシウム(Ca),バリウム(Ba),ナトリウム(Na),カリウム(K),リチウム(Li),リビシウム(Rb)を含む自然ミネラル活性波動水を適量混合したことを特徴とする。 - 特許庁
This selective method for producing a multi-substituted butadiene is provided by reacting two alkene compounds containing an alkene bond and bonded with an organic group containing an atom selected from group 13 to 16 elements of a long period type periodic table and bonded with a second carbon atom of a first and second carbon atoms forming the alkene bond through the atom in the presence of a catalyst containing copper (Cu).例文帳に追加
アルケン結合を含み、該アルケン結合を形成する第一の炭素原子及び第二の炭素原子の内の該第二の炭素原子に、元素の長周期型周期表における第13族から第16族から選択される原子を含む有機基が該原子を介して結合してなるアルケン化合物の2つを、少なくとも銅(Cu)含有触媒を含む触媒の存在下で反応させる多置換ブタジエンの選択的製造方法である。 - 特許庁
The joined body 10 is composed of a ceramic substrate of an alumina ceramic 11, on the surface of which a metallized conductor 14 comprising a metal having a high melting point is formed, and a square-shaped metal plate of a stainless steel 12, which are joined by an Ag-Cu brazing filler metal.例文帳に追加
アルミナセラミックからなり表面に高融点金属からなるメタライズ導体14が形成されたセラミック基板11と、四角形状のステンレス鋼からなる金属板12がメタライズ導体14にAg−Cu系ろう材を介して接合される接合体10であって、金属板12のメタライズ導体14との接合部の少なくとも1辺の外周縁部に、金属板12の側面の途中から接合表面にかけて削除される切り欠き部15を有する。 - 特許庁
This organic EL element has a hole implantation electrode, an electron implantation electrode and one or more kinds of organic layers arranged between these electrodes, a hole implantation layer being provided between the hole implantation electrode and the organic layers, and containing carbide of Si and/or nitride of Si as a main component, as well as one or more kinds of either of Cu, Fe, Ni, Ru, Ge and Sn.例文帳に追加
本発明の有機EL素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた1種以上の有機層とを有し、前記ホール注入電極と前記有機層との間にホール注入層を有し、前記ホール注入層は、Siの炭化物および/またはSiの窒化物を主成分として含有し、前記ホール注入層は、さらに、Cu、Fe、Ni、Ru、GeおよびSnのいずれか1種以上を含有する。 - 特許庁
The conductive paste contains conductive filler constituents selected from Sn and a combination of one or more of elements selected from a group of Bi, In, Ag, and Cu, a thermosetting resin constituent, and a curing agent constituent corresponding to the thermosetting resin constituent as basic constituents, and also includes a thixotropy-giving additive for giving thixotropy to the thermosetting resin constituent in a range of mounting temperature by adding to the basic constituents.例文帳に追加
導電性ペーストは、Snと、Bi、In、AgおよびCuの群から選ばれる1種またはそれ以上の元素との組合せから選ばれる導電性フィラー成分、熱硬化性樹脂成分およびこれに対応する硬化剤成分を基本成分とし、上記の基本成分に添加することによって、装着温度範囲にて熱硬化性樹脂成分にチクソトロープ性を付与するチクソ性付与添加剤を更に含むことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a metal recovering method and apparatus, which is related to a method and apparatus of recovering a metal or an alloy as a valuable resource from a process liquid such as an etching waste liquid containing mainly copper (Cu), and nickel (Ni), capable of recovering copper and the like of recovery object metals as a metal or an alloy as a valuable resource, and dispensing with additional preparation of a flocculant for treatment.例文帳に追加
主として銅(Cu)やニッケル(Ni)を含むエッチング廃液等の被処理液から、それらを有価物である金属単体あるいは合金として回収する方法と装置に関し、エッチング廃液等の被処理液から回収対象金属である銅等を有価物である金属単体あるいは合金として回収することができ、しかも処理のための凝集剤を別途準備する必要のない回収方法と装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
A catalyst active substance and a fire-resistance inorganic oxide are carried on a carrier of an exhaust gas cleaning catalyst, and the catalyst active substance is a coprecipitated burnt powder containing one or two kinds of rare earth metal elements formed by a coprecipitation process and containing at least a cerium and also at least one kind metal element selected from the group of Ag, Cu, Pt, Pd, Rh and Pb.例文帳に追加
担体上に触媒活性物質と、耐火性無機酸化物とが担持されてなる排ガス浄化用触媒であって、前記触媒活性物質は、溶液から共沈法により形成された少なくともセリウムを含む希土類金属元素の1種または2種以上とAg、Cu、Pt、Pd、Rh、Pbから選ばれる少なくとも1種の金属元素とを含む共沈焼成体粉末であることを特徴とする排ガス浄化用触媒。 - 特許庁
The power semiconductor module includes a semiconductor element which has an Ni layer formed on an electrode surface, a metallic conductor pattern, and solder joining the semiconductor element and semiconductor pattern together, wherein the solder consists of Sn and 3 to 10 wt.% Cu, and an inter-metal compound formed near an interface between the semiconductor element and solder is 6 to 50 μm thick.例文帳に追加
本発明のパワー半導体モジュールは、電極表面にNi層が形成された半導体素子と金属製導体パターンと前記半導体素子と前記導体パターンを接合したはんだとを備え、前記はんだの組成比がSn−3wt%Cu〜Sn−10wt%Cuであり、前記半導体素子とはんだとの界面付近に形成された金属間化合物の厚さが、6μm〜50μmであることを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 特許庁
In Japan too it has been held that with a view to introducing the CU system the 'Panel for the Prompt Supply of Effective and Safe Drugs' should consider, with continued adherence to the principle of government approval once the necessary domestic clinical trials have been conducted, such matters as the basic philosophy of this system (the scope of unapproved drugs to be covered and the target patients), the respective roles of the government, pharmaceutical companies and physicians, and the handling under medical insurance. (Fiscal 2007 ~ )例文帳に追加
我が国でも、「有効で安全な医薬品を迅速に提供するための検討会」において、国内で必要な治験を行った上で、国が承認するとの原則を堅持すべきであるとしつつ、CU制度の基本的考え方(対象とすべき未承認医薬品の範囲や対象者)、国・製薬企業・医師の役割分担、医療保険上の取扱い等について、CU制度の導入に向けて検討すべきとされた。(2007 年度~) - 厚生労働省
In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加
ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともCuを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸/過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のIR−ATR法から算出される表面金属指数Asmが0.001以上、かつ表面抵抗率が1×10^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁
The oxide superconductor S has an oxide superconducting layer b obtained through a method to form a film by a chemical reaction of oxide superconductor raw material gas on at least one surface side of a tape- form base material 38 containing Ag in it, on a surface layer part of the base material 38 formed a diffused layer c with Cu diffused, and the oxide superconducting layer formed on the diffused layer c.例文帳に追加
Agを含むテープ状の基材38の少なくとも一面側において酸化物超電導体の原料ガスを化学反応させて前記基材上に成膜する方法により得られた酸化物超電導層bを有し、前記基材38の表層部に、Cuが拡散された拡散層cが形成され、該拡散層c上に前記酸化物超電導層が形成されたことを特徴とする酸化物超電導導体S及びその製造方法。 - 特許庁
The oxide superconductor SA comprises an oxide superconductor base TA composed of a tape-form metallic main material a and an Ag layer b possessing rolled texture formed on at least one surface side of the metallic main material a, a diffused layer c formed with Cu diffused on a surface layer part of the Ag layer b of the base TA, and an oxide superconducting layer d formed on the diffused layer c.例文帳に追加
テープ状の金属母材aと、該金属母材aの少なくとも一面側に形成された圧延集合組織を有するAg層bとを備えた酸化物超電導導体用基材T_Aと、前記基材T_AのAg層bの表層部にCuが拡散されて形成された拡散層cと、前記拡散層c上に形成された酸化物超電導層dとを備えたことを特徴とする酸化物超電導導体S_A及びその製造方法を採用する。 - 特許庁
The powder X-ray diffraction pattern of the biimidazole compound shows a diffraction peak at least in each region from 9.0° to 9.2°, from 11.0° to 11.2° and from 21.2° to 21.4° of 2θ angle by Cu-Kα characteristic X-ray diffraction.例文帳に追加
(A)バインダー樹脂、(B)光重合性モノマー、(C)光重合開始剤、(D)着色材料および(E)溶剤を含有し、光重合開始剤として少なくともビイミダゾール化合物を含む着色感光性樹脂組成物において、ビイミダゾール化合物の(1)粉末X線回折パターンがCu−Kα特性X線回折の2θ角度で少なくとも9.0°〜9.2°の範囲、11.0°〜11.2°の範囲および21.2°〜21.4°の範囲にそれぞれ回折ピークを有することを特徴とする着色感光性樹脂組成物。 - 特許庁
The method of producing the galvannealed steel sheet excellent in appearance and processability, in which after pre-metal-plating containing at least one element among elements selected from Ni, Co, Cu, and In is applied to a steel sheet containing at least, by mass%, Si:0.01-2%,例文帳に追加
質量%で少なくともSi:0.01〜2%、Mn:0.01〜3%、P:0.01〜0.2%を含有する、鋼板に、Ni、Co、Cu、Inの中から選ばれる元素の少なくとも1種の元素を含有するプレめっきを金属分換算値で下記式(1)に従う量付与した後、還元雰囲気中で焼鈍し、Alを0.10〜0.20%含有したZn浴を用いて合金化溶融亜鉛めっきをすることを特徴とする、外観、加工性の良好な合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法。 - 特許庁
The method for specifying the Cu contaminated position when reproducing the silicon wafer in combination of one or more treatment processes uses a P-type silicon wafer or a P-type silicon wafer and a N-type silicon wafer as a monitoring wafer to perform at least one detecting operation in the reproducing processes for detecting the electric resistance of the monitoring wafer before and after the plurality of single or consecutive treatment processes during reproduction.例文帳に追加
一以上の処理プロセスを組合わせてシリコンウエハーを再生する際に、該再生時におけるCu汚染箇所を特定する方法であって、 モニターウエハーとして、P型シリコンウエハー、若しくはP型シリコンウエハー及びN型シリコンウエハーを使用し、前記再生時における単一若しくは連続する複数の処理プロセスの前後で、前記モニターウエハーの電気抵抗を検知する検知操作を、当該再生工程で、少なくとも一回実施することを特徴とするCu汚染箇所の特定方法である。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor element 2 mounted on a rectangular PBGA substrate 1 composed of an epoxy circuit board 11 having Cu wirings 12 in an inner layer, the semiconductor element 2 sealed with an epoxy resin 4, and mounting solder balls 5 disposed on the backside of the PBGA substrate 1.例文帳に追加
内層にCu配線12を有するエポキシ回路基板(11)で構成される矩形のPBGA基板1上に半導体素子2が搭載され、かつ半導体素子2がエポキシ樹脂4により封止されるとともに、PBGC基板1の裏面に実装用の半田ボール5が配設されている半導体装置において、PBGA基板1のコーナ部には、外方向に向けて放射状に突出された突起形状部14がエポキシ回路基板(11)を形成しているエポキシ樹脂により一体形成される。 - 特許庁
The high strength thick steel plate having excellent arrest properties in the Z direction has a chemical composition comprising 0.01 to 0.12% C, ≤0.50% Si, 0.4 to 2% Mn, ≤0.05% P, ≤0.008% S, 0.002 to 0.05% Al, ≤0.01%例文帳に追加
C:0.01〜0.12%、Si≦0.50%、Mn:0.4〜2%、P≦0.05%、S≦0.008%、Al:0.002〜0.05%、N≦0.01%、Nb:0.003〜0.1%を含み、〔C+(Mn/6)+(Cu/15)+(Ni/15)+(Cr/5)+(Mo/5)+(V/5)〕:0.32〜0.40を満たし、残部はFeと不純物の化学組成を有し、板厚中心部における有効結晶粒径≦25μmで、C断面における板厚1/4位置を中心として、Z方向で特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数NzとC方向で前記と同じ特定長さを有する任意の直線と交差する有効結晶粒の粒界数Ncとの比Nz/Ncが1.05以上のZ方向のアレスト特性に優れた高強度厚肉鋼板。 - 特許庁
To provide a measuring apparatus which can precisely, simply, and quickly specify measuring pattern species, measure a film thickness and process end points in a film eliminating process and a film forming process, for a substrate having a pattern structure constituted of various pattern species, a substrate in an STI(shallow trench isolation) process and a substrate in a Cu process in which a barrier metal layer exists.例文帳に追加
様々なパターン種から構成されるパターン構造を有する基板、更にSTI工程の基板及びバリアメタル層の存在するCu工程の基板に対しても、測定しているパターン種(A、B、C、D、E、F)の特定、膜厚の測定、膜の除去工程、成膜工程に於ける工程終了点の測定を精度良く、簡便、且つ高速に行うことができる測定装置及び測定方法及びこの測定装置を用いた研磨装置及びこの測定方法を用いた研磨方法を提供すること。 - 特許庁
Disclosed is a method where a base is dipped into a plating bath, and an Sn-Ag-Cu three-element alloy thin film is formed on the whole surface or a part of the base by electroplating.例文帳に追加
本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Sn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式(I)で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合される。 - 特許庁
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