「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(104ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface-coated flame-retardant particle comprises a flame-retardant particle, which is comprised of a hydrate of a metal selected from among Mg, Ca, Al, Fe, Zn, Ba, Cu and Ni and has a volume-average particle size within the range of 1-500 nm, and, formed on the surface thereof, a coating layer containing a polyamino acid or a polysilicone.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂａ、Ｃｕ及びＮｉのうちから選択される金属の水和物からなり体積平均粒子径が１〜５００ｎｍの範囲である難燃性粒子の表面に、ポリアミノ酸またはポリシリコーンを含む被覆層が形成されてなることを特徴とする表面被覆難燃性粒子である。 - 特許庁

The amorphous alloy has a composition containing: Cu; Ni; Al; Nb; ≥50 atom% Zr; Au or Ag; and unavoidable impurities; wherein the molar ratios x and y of Au and Ag, respectively, in the entire composition satisfy the relations of 0.4%≤x≤0.7% and 0%<y<0.5%, respectively.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｎｂ、原子比率が５０％以上のＺｒ、及びＡｕもしくはＡｇ、並びに不可避元素を含み、組成全体に占めるＡｕの比率ｘ、Ａｇの比率ｙ（ｘ，ｙはモル比を表す）は、それぞれ０．４％≦ｘ≦０．７％、０％＜ｙ＜０．５％の関係を満たす組成を有している。 - 特許庁

In the friction material containing a matrix composed of at least one of Cu, Ni, Fe, and an alloy thereof, a lubricant, and a friction control agent, the friction control agent contains Al2O3 and ZrO2 and the weight ratio of Al203 to (Al2O3+ZrO2) in the friction control agent is 0.3-0.7.例文帳に追加

少なくともＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅおよびこれらの合金の１種または２種以上からなるマトリックス、潤滑剤、摩擦調整剤を含む摩擦材料において、摩擦調整剤がＡｌ_2 Ｏ_3 およびＺｒＯ_2 を含有し、該摩擦調整剤中の（Ａｌ_2 Ｏ_3）／（Ａｌ_2 Ｏ_3 ＋ＺｒＯ_2 ）の重量比が０．３〜０．７である。 - 特許庁

The overlaying copper alloy powder excellent in cladding and wear resistance is composed of, by mass%, 2-5% Si, 7-20% Ni, ≤10% Fe+Co, and 0.1-10% in total of 1 or more kinds of Al, Zn, Sn, Mn, Cr, Ti, and Zr, with the balance consisting of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｓｉ：２〜５％、Ｎｉ：７〜２０％、Ｆｅ＋Ｃｏ：１０％以下を含有し、かつ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの１種または２種以上を合計０．１〜１０％、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるクラッド性および耐摩耗性に優れた肉盛用銅合金粉末。 - 特許庁

This aluminum alloy sheet has a composition containing 4.8 to 7% Zn, 1 to 3% Mg, 1 to 2.5% Cu and 0.05 to 0.25% Zr, and the balance Al with impurities, and, in the sheet face, a structure containing grain boundaries in which the crystal orientation difference is 3 to 10° are contained by ≥25% is provided.例文帳に追加

Ｚｎ：４．８〜７％、Ｍｇ：１〜３％、Ｃｕ：１〜２．５％、Ｚｒ：０．０５〜０．２５％を含有し、残部Ａｌおよび不純物からなる組成を有するアルミニウム合金板であって、該アルミニウム合金板の板面において結晶方位差が３〜１０°の結晶粒界を２５％以上含む組織を有する。 - 特許庁

Related to a wiring structure 1 that is constituted by integrally forming wiring 2 and a plug 3 with Cu as a material by a damascene method, a difference between deviation stress (1) applied in the longitudinal direction of the wiring and deviation stress (2) applied in a direction vertical to the center axis of the plug is so controlled as to be 220 MPa or below.例文帳に追加

配線部２とプラグ部３とがＣｕを材料としてダマシン法により一体形成されてなる配線構造１において、配線部の長手方向に印加される偏差応力 とプラグ部の中心軸と垂直な方向に印加される偏差応力 との差分を２２０ＭＰａ以下となるように制御する。 - 特許庁

The hardened silica coating having a thickness of ≤1.5 μm is formed by coating a surface of a metal product body with a coating liquid which has been prepared by adding apatite, zeolite, mica or titanium oxide, each supporting Cu or Ag, to an ultrafine particle silica sol prepared from an alcohol solution containing silica alkoxide or silica and then heating the coated surface at a temp. of ≤250°C.例文帳に追加

シリカアルコキシド、又はシリカを含有するアルコール溶液で調整された超微粒体シリカゾルに、銅又は銀を担持したアパタイトやゼオライト又は雲母、或いは酸化チタンのいずれかを添加して金属製品体の表面に塗装し、２５０゜Ｃ以下で加熱して厚み1.5μm以内の硬化したシリカ皮膜を被着する。 - 特許庁

A determination circuit 13 outputs to a control corcuit 14 a signal CU which becomes an H level when both of the positive phase output signal OUTP and the negative phase output signal OUTM are equal to or more than a reference voltage Vref2, and a signal CD which becomes the H level when both of them are equal to or less than a reference voltage Vref1.例文帳に追加

判定回路１３は、正相出力信号ＯＵＴＰと逆相出力信号ＯＵＴＭの双方が参照電圧Ｖｒｅｆ２以上である場合にＨとなる信号ＣＵと、双方が参照電圧Ｖｒｅｆ１以下である場合にＨとなる信号ＣＤとを制御回路１４に出力する。 - 特許庁

This semiconductor device has such an interconnection structure that an insulation film 2 is formed on a substrate 1 and then an interconnection film 3 made of ordinary temperature superconductive material, chief of which is Cu, Nb3Sn, V3Ga, V3le, BiCa, CuO, and Sr, is formed on the insulation film 2 and then another insulation film 4 is formed on the interconnection film 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１の上に絶縁膜２が形成され、その上にＣｕ、Ｎｂ_3Ｓｎ、Ｖ_3Ｇａ、Ｖ_3Ｇｅ、ＢｉＣａ、ＣｕＯ、Ｓｒを主成分とする常温超電導材料からなる配線膜３が形成され、その上に絶縁膜４が形成された配線構造を有する。 - 特許庁

The content of glass component is larger than 0.1 wt.% and equal to or below 10 wt.% and the content of Cu oxide is 0.1-1 wt.% expressed in terms of CuO per 100 wt.% main component.例文帳に追加

好ましくは、副成分として、Ｂの酸化物を含むガラス成分および／またはＣｕの酸化物をさらに含有し、主成分１００重量％に対して、ガラス成分の含有量が、０．１重量％より大きく、１０重量％以下であり、Ｃｕの酸化物の含有量が、ＣｕＯ換算で、０．１〜１重量％である。 - 特許庁

When the input position of the character input key is moved (A4), a cursor moving direction is determined from pre-move and post-move key input positions (A5 and A6), and a cursor Cu displayed on a display part is moved and displayed in the determined cursor moving direction (A7).例文帳に追加

そして前記文字入力キーの入力位置を移動させると（Ａ４）、当該移動前後の各キー入力位置からカーソル移動方向が判定され（Ａ５，Ａ６）、表示部に表示されているカーソルＣｕが前記設定されたカーソル移動量で前記判定されたカーソル移動方向に移動表示される（Ａ７）。 - 特許庁

In an Al-stabilized superconductive wire that includes a superconductive conductor 1 combined with an Al stabilization material 3 through a solder layer 2, the Al stabilization material 3 includes an Al material 4 that has Cu-alloy coating layers 6a and 6b formed on its surfaces and that is placed around the superconductive conductor 1 with gaps 5.例文帳に追加

超電導心線１上に半田層２を介してＡｌ安定化材３を一体に複合したＡｌ安定化超電導線材において、表面にＣｕ合金の被覆層６ａおよび６ｂを形成したＡｌ材４を超電導心線１の周囲に間隔５を置いて配置することによってＡｌ安定化材３を構成する。 - 特許庁

The inorganic antimicrobial agent 26 is inorganic, and the water glass 28, which fixes the inorganic antimicrobial agent 26 in the vitrified grinding wheel structure, is a combination (Na2O.SiO2) of sodium oxide and silicon dioxide, which provides an antimicrobial vitrified grinding wheel safer than oxide metal, such as silver Ag, zinc Zn and copper Cu, and having antimicrobial activity.例文帳に追加

この無機抗菌剤２６は無機物であり、その無機抗菌剤２６をビトリファイド砥石組織内に固着する水ガラス２８も酸化ナトリウムおよび二酸化珪素の結合体（Ｎａ_2 Ｏ・ＳｉＯ_2 ）であることから、銀Ａｇ、亜鉛Ｚｎ、銅Ｃｕなどの酸化物系金属よりも安全性が高く、抗菌力を備えた抗菌性ビトリファイド砥石が得られる。 - 特許庁

This is a negative electrode material for lithium secondary battery having a coating layer at the current collector, and the coating layer is a granular rough plated film of Cu formed on the current collector and an Sn alloy plated film having a minute convex shape part including at least a curved face portion formed on top of it.例文帳に追加

集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が集電体上に形成されたＣｕの粒状粗化めっき被膜および更にその上に形成された少なくとも曲面部分を含む微小凸状部を有するＳｎ合金めっき膜であることを特徴とするリチウム２次電池用負極材料。 - 特許庁

The preform for precise press forming, lens and prism are each composed of a near-infrared absorption glass obtained by incorporating Cu ions into a fluorophosphate glass comprising ZnF_2 of 1 to 15 mass% and ZnF_2 of 0 to 2 mass% expressed in terms of fluoride (wherein, the fluoride comprised in the glass may be oxide to 70 mass%).例文帳に追加

フッ化物に換算して１〜１５質量％のＺｎＦ_2および０〜２質量％のＡｌＦ_3を含むフツリン酸塩ガラス（但し、前記ガラスに含まれるフッ化物は、７０質量％まで酸化物であることができる）に、さらにＣｕイオンを含有する近赤外光吸収ガラスからなる精密プレス成形用プリフォーム、レンズおよびプリズム。 - 特許庁

The fired body provided with the antifungal glaze layer whose base surface is covered with the antifungal glaze layer containing at least one side of Ag or Cu is obtained by forming a glaze powder layer by applying the glaze powder on at least one part of the surface of a base constituted with ceramic or metal in the form of slurry and firing.例文帳に追加

その釉薬粉末を、セラミック又は金属で構成された素地の表面の少なくとも一部に対し、泥漿の形にて塗布して釉薬粉末層を形成し、これを釉焼することにより、素地表面がＡｇ及びＣｕの少なくとも一方を抗菌金属成分として含有する抗菌釉薬層により覆われた抗菌釉薬層付焼成体を得る。 - 特許庁

The light shielding film has a composition consisting of 5-50% Ta, 1-6% Mo and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-10%, in total, of Cu and/or V and 0.5-3% Nb.例文帳に追加

Ｔａ：５〜５０％、Ｍｏ：１〜６％を含有し、さらに必要に応じてＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％含有し、さらに必要に応じてＮｂ：０．５〜３％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The extruded material 50 is a cylinder liner and the staring material consists of, by mass, 12-29% Si, the first metallic elements, > 0 to ≤ 5% Cu, > 0 to ≤ 2% Mg, hard particles, 0.1-3% graphite and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

押出材５０はシリンダライナであって、出発材料は、１２質量％以上２９質量％以下のシリコンと、第１の金属元素と、０質量％を超え５質量％以下の銅と、０質量％を超え２質量％以下のマグネシウムと、硬質粒子と、０．１質量％以上３質量％以下のグラファイトとを含み、残部がアルミニウムと不可避的不純物である。 - 特許庁

The copper alloy plate material is composed of 0.5 to 1.5% by mass of Ni, 1.2 to 2.2% by mass of Sn, 0.03 to 0.15% by mass of P and the balance of substantially Cu.例文帳に追加

質量％で、Ｎｉ：０.５〜１.５％、Ｓｎ：１.２〜２.２％、Ｐ：０.０３〜０.１５％、残部が実質的にＣｕからなる組成を有し、圧延方向に直角方向（ＴＤ）のばね限界値が５５０Ｎ／ｍｍ^2以上、圧延方向に直角方向（ＴＤ）のたわみ係数が１１０〜１３０ｋＮ／ｍｍ^2、導電率が３０％ＩＡＣＳ以上である銅合金板材。 - 特許庁

The method deposits the dopant metal in the bulk of semiconductor wafer where heating is started from a backside of the semiconductor wafer W3 by a hot plate 1 irradiating ultraviolet rays onto the surface of the semiconductor wafer W3 by a ultraviolet irradiation lamp 2, and then the dopant metal Cu in the bulk of the semiconductor wafer W3 is deposited.例文帳に追加

紫外線照射ランプ２により半導体ウェハＷ３表面に紫外線を照射しながら、半導体ウェハＷ３をホットプレート１により裏面側から加熱し、半導体ウェハＷ３のバルク中の不純物金属Ｃｕを析出させることを特徴とする半導体ウェハのバルク中の不純物金属の析出方法。 - 特許庁

At least one or more among Fe oxide, Mo oxide, Mn oxide, Sn oxide, W oxide, Ga oxide, Ge oxide, Cu oxide, Cr oxide and Sb oxide are applied to a steel sheet into linear and/or dotted-line shape after primary recrystallization annealing and before secondary recrystallization annealing, or after secondary recrystallization annealing and before purification annealing.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍後二次再結晶焼鈍前に、もしくは二次再結晶焼鈍後純化焼鈍前に、Ｆｅ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｇａ酸化物、Ｇｅ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｓｂ酸化物のうちの少なくとも１種以上を、鋼板に線状および／または点列状に塗布する。 - 特許庁

To provide a heat-resistant member for a device using a high energy density in which the load on the cooling capacity is reduced by further improving the heat conductivity, a joined body is further improved, the adhesiveness is excellent in dissimilar materials with large difference in the coefficient of thermal expansion such as W, Cu and Ni, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

更なる熱伝導性の向上による冷却能の負荷軽減を目指し、接合体をさらに改善し、ＷとＣｕやＮｉのように熱膨張係数の差が大きい異種材料において密着性に優れた、且つ熱伝導性を向上させた接合体等の高エネルギー密度利用機器用耐熱部材とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁

This method for paper making comprises adding a polyethylene amine after adding Fe^2+ or Cu^2+ to neutral or alkaline paper containing 30-100 wt.% mechanical pulp and/or deinked pulp and a filler to fix an anion trash such as hemicellulose, dissolved and remaining lignin, a resin acid and, a fatty acid, derived from the mechanical pulp on the pulp fibers efficiently in a paper making system.例文帳に追加

機械パルプ及び／または脱墨パルプを30〜100重量％含むパルプと填料から成る、中性及至アルカリ性の紙料に対して、Ｆｅ^２＋あるいはＣｕ^２^＋を添加した後に、ポリエチレンイミンを添加して、抄紙系内の機械パルプ由来のヘミセルロースや溶存リグニン、樹脂酸、脂肪酸などのアニオントラッシュを効果的にパルプ繊維に定着させる。 - 特許庁

To provide a Cu-Cr-Zr alloy having excellent high temperature strength, thermal conductivity and fatigue resistance, to provide its production method and to provide a cooling roll for continuous casting excellent in a service life and used for continuous casting of a twin roll system or the like in which a local heat cycle load for a short time compared with a conventional system is applied.例文帳に追加

優れた高温強度、高熱伝導性を有するとともに、耐疲労特性に優れたＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ系合金とその製造方法、さらに従来の鋳型に比べて著しく短時間で、しかも局部的な熱サイクル負荷を受ける双ロール方式等の連続鋳造に用いる使用寿命に優れた連続鋳造用冷却ロールを提供する。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

The deodorizing composition for the ammoniacal odor contains at least one kind of metal ions selected from a group comprising Zn ions, Cu ions, Ni ions, Co ions and Ag ions and at least one kind of antibacterial components selected from a group comprising alcohol, cresol, chlorine dioxide, hypochlorous acid and chlorine, and pH is 3.5 to 8.4.例文帳に追加

Ｚｎイオン、Ｃｕイオン、Ｎｉイオン、ＣｏイオンおよびＡｇイオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンと、アルコール、クレゾール、二酸化塩素、次亜塩素酸および塩素からなる群から選ばれる少なくとも１種の抗菌成分とを含有し、ｐＨが３．５〜８．４であることを特徴とするアンモニア性臭気の消臭組成物。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor device has a process for forming an insulating film above a semiconductor substrate; a process for forming a recessed part in the insulating film; a process for forming a barrier metal layer on an inner surface of the recessed part; a process for forming a seed layer containing Ru and Cu on the barrier metal layer; and a process for forming a copper layer on the seed layer.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

Inside molten solder 3' of a joint area, a diffusible metallic compound layer 9a of Cu and Zn is formed around the metal grain 7 to inhibit the formation of a diffusible metallic compound layer 9b on the joint interface between the copper terminal 2 or the copper bump 5 and the molten solder 3' and then prevent strength reduction, ensuring post-joint reliability.例文帳に追加

接合部の溶融半田３’の内部において金属粒子７の周辺にＣｕとＺｎの拡散性金属化合物層９ａを形成させることにより、銅端子２や銅バンプ５と溶融半田３’の接合界面における拡散性金属化合物層９ｂの形成を抑制し、強度低下を防止して接合後の信頼性を確保することができる。 - 特許庁

The CSP semiconductor device 1 is patterned in a grid pattern by Cu posts 1h, each serving as a post-electrode connected via connection terminals and bumps formed on the mounting substrate to the bottom surface of a resin seal section 1k in which semiconductor chips are sealed, mounted at each of intersections of sets of equally spaced parallel lines perpendicular to each other.例文帳に追加

ＣＳＰの半導体装置１は、半導体チップが封止された樹脂封止部１ｋの底面に、実装基板に形成された接続端子とバンプを介在させて接続されるポスト電極であるＣｕポスト１ｈが、互いに直交する等間隔の平行線の各交点に設けられていることで格子状に配設されている。 - 特許庁

The aluminum alloy material is used as the core material (C1) of the brazing sheet B31 (or B32) of the aluminum alloy, which has a brazing filler material (F) at least on one side of the core (C1); and comprises more than 2.5 but 3.5 mass% or less Cu and the balance aluminum with unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明のアルミニウム合金材は、心材Ｃ１の少なくとも片面にろう材Ｆを備えるアルミニウム合金ブレージングシートＢ３１（またはＢ３２）の心材Ｃ１として使用されるアルミニウム合金材であって、Ｃｕ：２．５質量％を超え、３．５質量％以下を含有し、残部がアルミニウムおよび不可避的不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

A manufacturing method of a laminated electronic component comprises the steps of preparing a laminate having a plurality of magnetic body layers 2 composed of a ferrite including Fe, Zn, Cu, and Ni and an internal electrode 3 disposed between the plurality of magnetic body layers 2, and burning the laminate at a temperature rising rate of 100°C/minute or higher.例文帳に追加

本発明の積層型電子部品の製造方法は、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＮｉを含むフェライトからなる複数の磁性体層２と、複数の磁性体層２の間に配置される内部電極３と、を備える積層体を用意する工程と、積層体を１００℃／分以上の昇温速度で焼成する工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The memory device 10 has an arrangement in which a memory thin film 4 is sandwiched between a first electrode 2 and a second electrodes 6, wherein the memory thin film 4 comprises an insulating material or semiconductor material, and a thin film 3 containing Cu and Te is formed between the memory thin film 4 and the first electrode 2 or the second electrode 6.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶用薄膜４が挟まれて構成され、記憶用薄膜４が絶縁材料又は半導体材料から成り、記憶用薄膜４と第１の電極２或いは第２の電極６との間に、Ｃｕ及びＴｅが含まれている薄膜３が形成されている記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The heat resisting magnesium alloy includes, when the total is 100 mass% (hereinafter simply referred to as %), 1% or more and 4% or less copper (Cu), 2% or less calcium (Ca) and/or 2% or less manganese (Mn), 0.001% or more and 1.5% or less scandium (Sc), and magnesium (Mg) and inevitable impurities as the reminder.例文帳に追加

本発明の耐熱マグネシウム合金は、全体を１００質量％としたときに（以下単に「％」とする）、１％以上４％以下の銅（Ｃｕ）と、２％以下のカルシウム（Ｃａ）および／または２％以下のマンガン（Ｍｎ）と、０．００１％以上１．５％以下のスカンジウム（Ｓｃ）と、を含み、残部がマグネシウム（Ｍｇ）と不可避不純物とからなることを特徴とする。 - 特許庁

with one or more metal atom(s) (Me) selected from Mg, Al, Ti, Cu, and Zr by 0.1-5 mol% where the amount of Li_2CO_3 present on a surface of a particle is 0.05-0.20 wt.%.例文帳に追加

）で表されるリチウムニッケルマンガンコバルト系複合酸化物に、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ及びＺｒから選ばれる１種または２種以上の金属原子（Ｍｅ）を０．１モル％以上５モル％未満含有させたリチウム複合酸化物であって、粒子表面に存在するＬｉ_２ＣＯ_３量が０．０５〜０．２０重量％であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。 - 特許庁

The adsorbent is obtained by mixing and stirring a porous carrier which contains at least Al as a constituent element, and whose average fine pore diameter is 2 to 50 nm, and an aqueous solution containing at least one metal ion selected from Ag+ and Cu^2+, by separating the porous carrier from the stirred mixed product, and by burning the separated porous carrier.例文帳に追加

構成元素として少なくともＡｌを含み、平均細孔径が２〜５０ｎｍである多孔質担体と、Ａｇ^＋及びＣｕ^２＋から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含む水溶液とを混合撹拌し、撹拌後の混合物から前記多孔質担体を分離し、分離した前記多孔質担体を焼成することによって得られる吸着剤。 - 特許庁

Since a heavy metal acquisition layer composed of a crystal alteration layer is formed on the reverse-surface side of the silicon substrate through laser beams irradiation, Cu and Ni mixed principally in the reverse-surface grinding and polishing processes and heavy metal mixed in a process following the thin thickness processing can be also obtained in a reverse-surface neighborhood region.例文帳に追加

本発明によれば、レーザー光の照射によってシリコン基板の裏面側に結晶変質層からなる重金属捕獲層を形成していることから、主に裏面研削・研磨工程において混入するＣｕ、Ｎｉや薄厚加工後の次工程で混入する重金属も裏面近傍領域に捕獲することが可能となる。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the battery case includes 0.1-2.0 mass% Fe, 0.05-0.5 mass% Si, 0.05-0.5 mass% Mn, Cu regulated to 0.5 mass% or less, Mg regulated to 1.0 mass% or less and the balance Al with unavoidable impurities; and has an electro-conductivity of 62 IACS% or lower.例文帳に追加

Ｆｅ：０．１〜２．０質量％、Ｓｉ：０．０５〜０．５質量％、Ｍｎ：０．０５〜０．５質量％を含有し、Ｃｕ：０．５質量％以下、Ｍｇ：１．０質量％以下に規制し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる電池ケース用アルミニウム合金板において、前記電池ケース用アルミニウム合金板の導電率が６２ＩＡＣＳ％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The coated Pb-free solder alloy has a sheet shape, a wire shape or a ball shape and is comprised of the Pb-free solder alloy containing ≥50 mass% and ≤99.5 mass% of Bi and a coating layer coated on a surface, having a thickness of ≥0.05 μm and ≤1.20 μm and comprising at least one element of Ag, Au, Cu and Ni.例文帳に追加

コーティングされたＰｂフリーはんだ合金は、シート状、ワイヤー状またはボール状であって、Ｂｉを５０質量％以上９９.５質量％以下含有するＰｂフリーはんだ合金と、その表面にコーティングされたＡｇ、Ａｕ、ＣｕおよびＮｉのうちの少なくとも１元素からなる厚さ０.０５μｍ以上１.２０μｍ以下のコーティング膜とからなる。 - 特許庁

Subsequently, the sintered magnet body on its surface is coated with an RHM alloy layer composed of the RH (wherein RH is one or two or more rare earth elements selected from among Dy, Ho and Tb) and metal M (wherein M is one or two or more metal elements selected from among Al, Cu, Co, Fe and Ag), the metal M forming RHM so as to induce a melting point lowering.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面にＲＨ（但し、ＲＨは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）と、ＲＨＭとなり融点を下げる金属Ｍ（但し、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇから選ばれる金属元素の１種または２種以上）とからなるＲＨＭ合金層を被覆する。 - 特許庁

The magnesium alloy for casting includes, by mass, 1 to 5% copper (Cu), 0.1 to 5% calcium (Ca) and tin (Sn) of 0.1 to 3 by a mass ratio (Sn/Ca) to the Ca, and the balance magnesium (Mg) with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明の鋳造用マグネシウム合金は、全体を１００質量％としたときに、１質量％以上５質量％以下の銅（Ｃｕ）と、０．１質量％以上５質量％以下のカルシウム（Ｃａ）と、該Ｃａに対する質量比（Ｓｎ／Ｃａ）で０．１以上３以下の錫（Ｓｎ）と、を含み、残部がマグネシウム（Ｍｇ）と不可避不純物とからなることを特徴とする。 - 特許庁

This method for modifying the viscosity of the liquid is characterized by taking note to magnetic energy said to be useful for improving the solubility of oils and fats, effecting the magnetic energy of a solid magnet of which magnetic flux density is increased by baking ≥1 metal element selected from titanium Ti, silver Ag, copper Cu, germanium Ge and vanadium V with the magnet, on the solid magnet.例文帳に追加

油脂類の溶解性の向上に有効であるとされている磁気エネルギーに着目し、チタンＴｉ、銀Ａｇ、銅Ｃｕ、ゲルマニウムＧｅ、バナジウムＶから選ばれる一もしくはそれ以上の金属元素を焼付けることによりその磁束密度を増大させた固体磁石の磁気エネルギーを粘稠性液体に作用させることを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor apparatus comprises a process for forming an insulating film having a relative dielectric constant of 3 or smaller on a substrate, a process for forming wiring made of Cu in the insulating film, a process for supplying reducing gas on the wiring surface, and a process for forming the barrier film on the wiring after supplying the reducing gas.例文帳に追加

基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This Mn-contained copper alloy sputtering target consists of a copper alloy containing 0.6-30 mass% Mn, and the balance Cu with impurities, wherein the contents of the impurities are regulated to be ≤40 ppm metallic impurities, ≤10 ppm oxygen, ≤5 ppm nitrogen, ≤5 ppm, and ≤10 ppm carbon.例文帳に追加

Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、かつ前記不純物が金属系不純物：４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなるパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

The ceramics wiring board provides such wiring layers laminated in sequence on its top surface as a groundwork metallization layer, a primary diffusion preventive layer, a conductor layer, a secondary diffusion preventive layer, a layer mainly consisting of at least one kind of material among Ti, Ag, Cu, or Bi, Au or Au-Sn alloy layer, and a soldering layer comprising Sn or Sn alloy.例文帳に追加

セラミック基板の上面に、下地金属層、第１拡散防止層、導体層、第２拡散防止層、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉの少なくとも１種を主成分とする層と、ＡｕまたはＡｕ−Ｓｎ合金層、ＳｎまたはＳｎ合金からなる半田層が順次積層された配線層を具備していることを特徴とするセラミックス配線基板。 - 特許庁