「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(101ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a low temperature-fired ceramic sintered product which has high strength, high thermal conductivity and high Young's modulus, is dense, can be produced by firing at a low temperature of ≤1,000°C, and is useful as an insulating substrate having a wiring layer composed of low resistant conductors such as Cu, Ag, Au and Al on the surface or inside thereof.例文帳に追加

高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。 - 特許庁

On the surface of a terminal connection part 10, a plating film (an Ni layer 21, a Pd layer 22 and an Au layer 23) with a multilayer structure including a metal (Ni) layer preventing diffusion of a metal (Cu) included in the terminal connection part 10 to the outermost surface layer is formed, and a silicon-containing layer 24 is formed on the surface of the plating film.例文帳に追加

端子接続部１０の表面に、端子接続部１０に含まれる金属（Ｃｕ）が最表層へ拡散するのを防止する金属（Ｎｉ）層を含む多層構造のめっき膜（Ｎｉ層２１、Ｐｄ層２２、Ａｕ層２３）が形成され、このめっき膜の表面に、珪素を含む層２４が形成されている。 - 特許庁

This aluminum foil has a composition including 10-30 ppm Si, 10-40 ppm Fe, less than 70 ppm Cu, Ni in such an amount that the ratio of Ni (mass ppm)/Fe (mass ppm)=1 to 3, and the balance aluminum having a degree of purity of 99.9% or more with unavoidable impurities; and has a cubic crystal rate of 95% or more.例文帳に追加

Ｓｉ１０〜３０ｐｐｍ、Ｆｅ１０〜４０ｐｐｍ、Ｃｕ７０ｐｐｍ未満、ＮｉをＮｉ（質量ｐｐｍ）／Ｆｅ（質量ｐｐｍ）＝１〜３の比率で含有し、残部が純度９９．９％以上のアルミニウムとその他不可避不純物よりなる組成を有し、かつ立方晶率が９５％以上である。 - 特許庁

The counter electrode substrate is formed of any one of Al, Cu, Ag, Au or SUS, the corrosion-resistant conductive layer is formed of any one of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is formed of any one of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or conductive polymer, respectively.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

The catalyst for oxidizing carbon monoxide is obtained by depositing as catalyst components, vanadium oxide, copper chloride and palladium chloride on an alumina carrier, has 60-100 m^2/g specific surface area and contains chlorine of 0.5-1.4 molar ratio (Cl/(Cu+Pd)) of chlorine to copper plus palladium.例文帳に追加

本発明は、アルミナ担体に触媒成分として酸化バナジウム、塩化銅及び塩化パラジウムを担持させた一酸化炭素酸化触媒であって、比表面積が６０〜１００ｍ^2／ｇであり、且つ塩素が銅及びパラジウムに対し以下のモル比：Ｃｌ／（Ｃｕ＋Ｐｄ）＝０．５〜１．４で含有されている一酸化炭素酸化触媒を提供する。 - 特許庁

This acesulfame-metal complex is formed from a trace element, preferably Fe, Zn, Cu, Mn, Co and two molecules of acesulfamic acid by precipitation reaction with the use of suitable salts.例文帳に追加

痕跡元素、好ましくはＦｅ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｏと２分子のアセスルファム酸とから適当な塩を使用して沈殿反応によって生成されるアセスルファム−金属錯塩は後味のよい甘い味を示し、それ故に甘味料、栄養補助剤として適しており、かつ痕跡元素を含む食品、医薬および飼料を豊かにする。 - 特許庁

The 3N gold alloy bonding wire contains, by mass, 0.0049 to <0.035% Pt, 0.0049 to <0.035% Cu, 0.0001 to <0.020% Pd and 0.0001 to <0.005% Ca.例文帳に追加

０．００４９質量％以上０．０３５質量％未満のＰｔ、０．００４９以上質量％０．０３５質量％未満のＣｕ、０．０００１質量％以上０．０２０質量％未満のＰｄ、および０．０００１質量％以上０．００５質量％未満のＣａを含有する３Ｎ金合金ボンディングワイヤとする。 - 特許庁

Furthermore, electroless Cu plating is performed, using a plating solution containing a growth suppressor for suppressing growth of copper, whereby copper is selectively precipitated on the layer 14 on which the layer 17 is formed, thereby forming a copper interconnection 13 in a manner of swelling on the layer 14.例文帳に追加

そして、銅の成長を抑制するための成長抑制剤を含むめっき液を用いた銅の無電解めっきが行われることにより、パラジウム層１７が形成されたバリアメタル層１４上に銅が選択的に析出させられ、銅配線１３がバリアメタル層１４上に隆起した状態に形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an inexpensive and highly reliable high integrated circuit can be formed by suppressing an excessive facility investment, keeping a high productivity and forming physically and electrically appropriate connection in an interlayer wiring with a multilayer wiring structure using a wiring material made mainly of Cu.例文帳に追加

余剰な設備投資を抑制し、かつ高い生産性を保持して、Ｃｕを主成分とする配線材を用いた多層配線構造の配線層間において、物理的、電気的に良好な接続を形成することによって、安価で信頼性の高い高集積回路となる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser assembly 30 has a semiconductor laser element 32; a sub-mount 36 made of SiC which is jointed to the substrate side of the semiconductor laser element 32 via a first indium solder-layer 34; and a heat sink 40, made of Cu which is jointed to the rear-surface side of the sub-mount 36 via a second indium solder-layer 38.例文帳に追加

本半導体レーザアセンブリ３０は、半導体レーザ素子３２と、第１のインジウム半田層３４を介して半導体レーザ素子３２の基板側に接合されているＳｉＣ製サブマウント３６と、第２のインジウム半田層３８を介してサブマウント３６の裏面側に接合されているＣｕ製ヒートシンク４０とを備えている。 - 特許庁

Since each address electrode has the single-layer structure of the metal material containing AL as a main constituent, manhours in a photolithography process is reduced, and manufacturing efficiency can remarkably be improved as compared with the case where a conventional address electrode is formed in a three-layer structure of Cr/Al/Cr or Cr/Cu/Cr.例文帳に追加

また、アドレス電極はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。 - 特許庁

The optical waveguide type module includes the chip 20 formed with a waveguide, an aluminum heater 24 for heating the chip, and a highly thermally-conductive material 26, such as a Cu-W alloy, interposed between the chip and the heater in such a manner that the heat of the heater is evenly distributed and conducted to the chip.例文帳に追加

導波路を形成したチップ（２０）と、このチップを加熱するアルミナ製ヒータ（２４）と、該ヒータの熱を均一に分布させて前記チップに伝えるべく、チップとヒータとの間に介在させたＣｕ−Ｗ合金のような高熱伝導性材料（２６）と、を含むことを特徴とする光導波路型モジュール用パッケージ。 - 特許庁

To obtain a low temperature fired ceramic sintered compact with high strength, high thermal conductivity, high Young's modulus and high denseness, capable of manufacturing by firing at a low temperature of ≤1000°C, and useful for a insulating substrate provided with a wiring layer of a low resisting conductor such as Cu, Ag, Au, and Al on the surface or inside.例文帳に追加

高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。 - 特許庁

Oxides of a Group III element, a Group XIII element, a lanthanoid element and at least one element selected from the group consisting of Mg, Nb, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, B, Pb and Sn as additive components are added to a denitrification catalyst, which contains V_2O_5 as an active component and at least TiO_2 as a carrier component.例文帳に追加

活性成分としてＶ_２Ｏ_５を含有し、担体成分として少なくともＴｉＯ_２を含有する脱硝触媒に、添加成分として、３族元素、１３族元素、ランタノイド元素およびＭｇ、Ｎｂ、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｎの群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物を含有せしめて成る。 - 特許庁

In this laminated ceramic capacitor, which is formed by integrally laminating a plurality of dielectric layers composed of a dielectric ceramic composition and a plurality of internal electrodes upon another, the porcelain composition contains one kind or two or more kinds of impurity elements, selected from among Mn, V, Cr, Mo, Fe, Ni, Cu, and Co at a ratio of 0.01-1.0 mol%.例文帳に追加

複数の誘電体層と複数の内部電極とを一体的に積層してなり、該誘電体層は誘電体磁器組成物からなる積層セラミックコンデンサにおいて、該誘電体磁器組成物にＭｎ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ及びＣｏから選択された１種又は２種以上の不純物元素を０．０１〜１．０モル％の範囲で含ませた。 - 特許庁

A chip-size package is provided with a wiring layer 7 which is composed of Cu widely existing on the surface of a chip, and is connected to Al electrode 1, a metal post 8 formed via a photosensitive block copolymer polyimide layer P so that it is positioned on the wiring layer 7, and a solder ball 12 formed on the metal post via Pd 9, Ni 10 and Au 11.例文帳に追加

Ａｌ電極１と接続され、チップ表面に延在するＣｕから成る配線層７と、当該配線層７上に位置するように感光性のブロック共重合ポリイミド層Ｐを介して形成されたメタルポスト８と、当該メタルポスト８上にＰｄ９，Ｎｉ１０，Ａｕ１１を介して形成された半田ボール１２とを具備する。 - 特許庁

A TaN film 7 and a Cu film 8 are installed inside a recessed part for wiring 5 arranged inside the film 2 through the film 3, inside a recessed part for dummy wiring 6, which is arranged inside the film 2 through the film 3 within a prescribed range from a region where the recessed part 5 is formed, and on the surface of the SiC film 3.例文帳に追加

膜３を貫通して膜２の内部にかけて設けた配線用凹部５の内側、および凹部５が形成されている領域から所定の範囲内で膜３を貫通して膜２の内部にかけて設けたダミー配線用凹部６の内側、およびＳｉＣ膜３の表面上にＴａＮ膜７およびＣｕ膜８を設ける。 - 特許庁

This metal bond drilling and boring tool 6 includes a rod main body 6 having a roughly semispherical tip part 6C, and abrasive grains bound to the tip part of the rod main body and an outer circumferential surface for a specified length from the tip part by bond material 14 mainly comprising Cu-based alloy.例文帳に追加

メタルボンド穴あけ及び中ぐり工具６であって、概略半球状の先端６Ｃ部を有するロッド状本体６と、ロッド状本体の先端部及び該先端部からの所定長さの外周面にＣｕ系合金を主成分とするボンド部材１４によって接着された砥粒とを含んでいる。 - 特許庁

The shape memory alloy has a composition consisting of, by atom, 15 to 50% In, 5 to 45%, in total, of at least one element selected from the group consisting of Mn, Fe, Cu, Ag and Au, and the balance Pd with inevitable impurities and also has a single-phase structure composed of a bcc ordered structure.例文帳に追加

本願発明合金は、Ｉｎを１５〜５０原子％含有し、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕからなる群から選ばれた少なくとも１種類を合計で５〜４５原子％含有し、残部がＰｄと不可避不純物とからなる組成と、ｂｃｃ規則構造からなる単相組織を有する形状記憶合金とする。 - 特許庁

This silver coin consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る銀コインは、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

The high purity calcium hydroxide powder has a purity of ≥99.9 mass%, a total content of specific heavy metals (Pb, Hg, Bi, Cd, Sn, and Cu) of ≤1 mass ppm, and a total content of specific elements A (Ba, Bi, Cd, Pb, Tl, Zr, and P) of ≤1 mass ppm.例文帳に追加

純度が９９．９質量％以上、特定重金属（Ｐｂ、Ｈｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｎ及びＣｕ）の合計含有量が、１質量ｐｐｍ以下、及び特定元素Ａ（Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｚｒ及びＰ）の合計含有量が０．１質量ｐｐｍ以下である、高純度水酸化カルシウム粉末である。 - 特許庁

The method for treating copper concentrate includes a separation step in which copper concentrate mainly comprising copper pyrite (CuFeS_2) is sulfurated and then ground, and the ground ore having a 50% particle diameter of 5 to 10 μm is subjected to floatation sorting treatment to separate the ground ore into a concentrate with a high Cu grade and a concentrate with a high Fe grade.例文帳に追加

銅精鉱の処理方法は、黄銅鉱（ＣｕＦｅＳ_２）を主体とする銅精鉱を硫化した後に摩鉱し、５０％粒子径が５μｍ〜１０μｍの摩鉱精鉱を浮遊選鉱処理することによって、Ｃｕ品位の高い精鉱とＦｅ品位の高い精鉱とに分離する分離工程を含む。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the case of the secondary battery includes 0.6-1.5 wt.% Mn, 0.1-0.8 wt.% Si, 0.1-0.8 wt.% Cu, 0.1-0.8 wt.% Fe, more than 0.2 to 0.7 wt.% Zn, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｎを０．６〜１．５重量％、Ｓｉを０．１〜０．８重量％、Ｃｕを０．１〜０．８重量％、Ｆｅを０．１〜０．８重量％、Ｚｎを０．２超〜０．７重量％それぞれ含有し、残部が不可避的不純物及びＡｌからなることを特徴とする二次電池ケース用アルミニウム合金板により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The central conductor is constituted of metallic materials with any of Cu, Au, Ag and Al as main components or alloy materials containing them as base materials, and metallic materials of any of Ni, Fe, Ti and W or alloy materials containing them are cladded as doubling materials on at least the face butted to the inner peripheral electrode 12 of the tongue piece 32.例文帳に追加

中心導体はＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌのいずれかを主成分とする金属材又はそれらを含む合金材を母材とし、少なくとも舌片３２の内周電極１２と当接する面にはＮｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗのいずれかの金属材又はそれらを含む合金材を合わせ材としてクラッドされている。 - 特許庁

This ornament consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu, Ta, Cr, Ti, Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る宝飾品は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

A dielectric composition represented by the formula: NdTi(Nb1-xTax)O6 (0≤x≤0.8) is used and, when necessary, less than 1.0 (≠ 0) pt.wt. of at least one selected from oxides of Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu is admixed to the dielectric composition.例文帳に追加

一般式がＮｄＴｉ（Ｎｂ_1-xＴａ_x）Ｏ_6（ただし０≦ｘ≦０．８）で表される誘電体組成物を用い、必要に応じて前記誘電体組成物に、更に副成分としてＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ及びＣｕの群から選ばれた少なくとも１つを酸化物に換算して１．０重量部（ただし０重量部を除く）以下の量を添加する。 - 特許庁

The high-damping copper alloy material is composed of a copper alloy having a composition consisting of 2 to 50 wt.%, in total, of at least one element among Cr, Mo, W and Nb and the balance Cu with inevitable impurities, and the at least one element among Cr, Mo, W and Nb is contained as a secondary phase of ≥10 aspect ratio.例文帳に追加

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、またはＮｂのうちの少なくとも１種が合計で２〜５０ｗｔ％含有され、残部不可避不純物とＣｕよりなる銅合金であって、前記Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、またはＮｂのうちの少なくとも１種が、アスペクト比が１０以上の第二相として含有されている銅合金制振材料。 - 特許庁

This musical instrument consists of a metallic material having a composition essentially consisting of Ag, containing, by weight, 0.1 to 5.0% Pd and containing one or plural elements selected from the groups consisting of Al, Au, Pt, Cu Ta, Cr, Ti Co and Si by 0.1 to 5.0% in total.例文帳に追加

本発明に係る楽器は、Ａｇを主成分とし、Ｐｄを０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなるものである。 - 特許庁

The aluminum alloy is composed of 0.90-1.60 mass % Fe, 0.03-0.20 mass % Si, 0.0005-0.030 mass % Cu and the balance Al with unavoidable impurities, wherein the tensile strength is 170-120 MPa without process annealing in cold rolling.例文帳に追加

アルミニウム合金は、Ｆｅ：０．９０乃至１.６０質量％、Ｓｉ：０.０３乃至０.２０質量％及びＣｕ：０.０００５乃至０.０３０質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる組成を有し、冷間圧延時に中間焼鈍を行わず、引張強度が１７０乃至２１０ＭＰａである。 - 特許庁

Then, after forming the conductive layer 22 (Cu) for filling the groove 18x inside the groove 18x and on the protective metal layer 20, by utilizing the protective metal layer 20 as a polishing protective layer and mechanically polishing the conductive layer 22, the conductive layer 22 is embedded inside the groove 18x, and a wiring layer 24 is obtained.例文帳に追加

続いて、溝１８ｘを埋め込む導電層２２（Ｃｕ）を溝１８ｘ内及び保護金属層２０上に形成した後に、保護金属層２０を研磨防御層として利用して、導電層２２を機械研磨することにより、導電層２２を溝１８ｘ内に埋め込んで配線層２４を得る。 - 特許庁

The Al alloy sheet for forming is composed of an alloy material of an Al-Mg-Si series or an Al-Mg-Si-Cu series as a raw material, Defining a cube orientation density as C and ND rotation as N, C<15, N<15, 1/20<N/C<1 are satisfied.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系のＡｌ合金を素材とし、キューブ方位密度をＣ、ＮＤ回転キューブ方位の密度をＮとし、Ｃ＜１５、Ｎ＜１５、１／２０＜Ｎ／Ｃ＜１を満たし、さらに耳率が７％以下、結晶粒度がＡＳＴＭナンバーで５以上である成形加工用Ａｌ合金板。 - 特許庁

To surely prevent the diffusion of a material easily diffusible into an interlayer insulating film and is represented by a Cu-containing material into the interlayer insulating film and the peeling of the material, and at the same time, to reduce the interlayer capacity of wiring and to enable the wiring to maintain high oxidation resistance when the wiring is formed by using the material.例文帳に追加

Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。 - 特許庁

The Peltier-electrode board is manufactured by forming an insulation layer 2 made of an epoxy-based resin, etc., having a thermal expansion coefficient close to the one of such a semiconductor material as Si on the surface of a metallic substance 1 made of Cu-W, etc., having a large heat conductivity, and by forming electrode layers 3 comprising metallic foils on the insulation layer 2.例文帳に追加

熱伝導率の大きいＣｕ−Ｗなどからなる金属体１の表面にＳｉなどの半導体材料に熱膨張率が近いエポキシ系樹脂などからなる絶縁層２を形成し、該絶縁層２の上に金属箔からなる電極層３を形成してペルチェ電極基板を製作する。 - 特許庁

In an electro-optical device 1a, a flexible substrate 7 is configured by laminating a resin base layer 71, a wiring layer 72 comprised of a metal layer of Cu or the like and a resin protecting layer 73 in the order and folded with round corners in both the front surface side corner 18 and the rear surface side corner 19 of an element substrate 10.例文帳に追加

電気光学装置１ａにおいて、可撓性基板７は、樹脂製のベース層７１、Ｃｕなどの金属層からなる配線層７２、および樹脂製の保護層７３がこの順に積層されており、素子基板１０の表面側角部１８および裏面側角部１９の双方において角丸に折り曲げられている。 - 特許庁

The surface of this product is coated with an Mg alloy containing, as chemical components, each element of Fe, Ni, Co and Cr of ≤0.05 wt.%, a Cu element of ≤0.5 wt.%, each element of Al, Zn, Mn and Si of 20 to 0.0001 wt.%, and the balance Mg with inevitable impurities.例文帳に追加

化学成分として、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒの各元素を０．０５重量％以下、Ｃｕ元素を０．５重量％以下、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｓｉの各元素を２０〜０．０００１重量％含有し、残部がＭｇおよび不可避的不純物からなるＭｇ合金により表面が被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

The coupling conductor is made of a Cu foil and includes a body part 15M, a lead connection part 15R contacting the lead terminal 30R and connected to the lead terminal 30R, finger parts 15F contacting a source pad of a trench MOSFET (chip), and a coupling part 15B integrating tips of the finger parts 15F in a space part.例文帳に追加

この連結導体は、Ｃｕ箔で構成され、本体部１５Ｍと、リード端子３０Ｒに当接し、リード端子３０Ｒに接続されるリード接続部１５Ｒと、トレンチＭＯＳＦＥＴ（チップ）のソースパッドに当接するフィンガー部１５Ｆと、フィンガー部１５Ｆの先端を空間部で一体化する連結部１５Ｂとで構成されている。 - 特許庁

An exhaust gas treatment catalyst consisting of the sintered carrier consisting of at least one kind among Pt, Pd, Ru, Ag, Au, Mn, Fe, Cu, Sn, and Co and at least one kind selected from among Ti, Ai, Si, and Mg, and a solid heat medium are mixed and are combusted at 600-850°C in a fluidized bed reactor.例文帳に追加

Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｃｏの少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれた、少なくとも１種の酸化物からなる焼結担体からなる排ガス処理触媒と固体熱媒体とを混合し６００〜８５０℃で流動層反応器で燃焼させる。 - 特許庁

The wiring structure has a 1st insulating film 710a on a lower- layer Cu wire, a 2nd insulating film 711a which does not have a step due to the lower-layer wire on the 1st insulating film, and a 3rd insulating film 713a which is formed on the 2nd insulating film and is thicker than the 2nd insulating film 711a.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線上に第１の絶縁膜７１０ａを備え、該第１の絶縁膜上に下層配線起因の段差を有しない平坦な第２の絶縁膜７１１ａを備え、該第２の絶縁膜上に形成し、第２の絶縁膜の厚みよりも大きい厚みを有する第３の絶縁膜７１３ａとから成る。 - 特許庁

The counter electrode substrate is made of Al, Cu, Ag, Au or stainless steel, the corrosion resistant conductive layer is made of Ti, Cr, Ni, Nb, Mo, Ru, Rh, Ta, W, In, Pt or hastelloy, and the conductive catalyst layer is made of carbon, Tu, Rh, Pd, Os, Ir, Pt or a conductive polymer.例文帳に追加

対向電極基板はＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＳＵＳの何れか、耐腐食性導電層はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｎ、Ｐｔ、ハステロイの何れか、導電性触媒層は、カーボン、Ｔｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、導電性高分子の何れかによってそれぞれ形成される。 - 特許庁

To provide a capacitor and its manufacturing method by which planarization of a substrate can be realized, its adhesive force with a titania nanosheet can be improved, while maintaining electrode functions of Cu in the substrate, the titania nanosheet having a desired shape, a desired number of layers and desired thickness can be realized on the patterned substrate.例文帳に追加

基板の平坦化を具現することができ、基板におけるＣｕの電極機能を維持しながら、チタニアナノシートとの接着力を向上することができ、パターニングされた基板上に所望の形状、層数、及び厚さを有するチタニアナノシートを具現することができる、キャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The memory element 10 comprises a memory layer 3 disposed between a first electrode 2 and a second electrode 6, and consisting of an oxide containing tantalum or silicon and a rare earth element; and an ion source layer 4 containing any element selected from Cu, Ag, and Zn and making contact with the memory layer 3.例文帳に追加

第１の電極２と第２の電極６との間に記憶層３が配置され、この記憶層３に接して、Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層４が設けられ、記憶層３がタンタル又はシリコンと希土類元素とを含有する酸化物から成る記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The antibacterial amorphous alloy 10 has particles 2 formed from at least one metal selected from Ag and Cu dispersed in an amorphous alloy 1 having a supercooled liquid region at 20°C or higher, wherein at least one part of the particles 2 is exposed to a face of the amorphous alloy 1.例文帳に追加

２０℃以上の過冷却液体領域を有する非晶質合金１中に、Ａｇ及びＣｕから選択される少なくとも一種の金属からなる粒子２が分散し、粒子２のうちの少なくとも一部が非晶質合金１面に露出していることを特徴とする抗菌性非晶質合金１０。 - 特許庁

To provide a semiconductor component superior in quality, by suppressing the occurrence of burrs in a layer containing Cu or Ag of a semiconductor element, in a bonded structure bonding the semiconductor element with an electrode by a bonding material which is composed mainly of Bi for solving conventional problems.例文帳に追加

本発明は、前記従来の課題を解決するもので、Ｂｉを主成分とする接合材料により、半導体素子と電極とを接合した接合構造体において、半導体素子のＣｕあるいはＡｇを含む層のバリ発生を抑制することによって、品質の優れた半導体部品を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor element 1 having an Ni electrode 14; an Ni-plated frame; an Sn-Bi-Cu lead-free solder 3 which connects the Ni electrode 14 of the semiconductor element 1 to the Ni-plated frame; and a resin which seals the periphery of the semiconductor element 1.例文帳に追加

半導体装置において、Ｎｉ電極１４を有する半導体素子１と、Ｎｉめっきを施したフレームと、半導体素子１のＮｉ電極１４をＮｉめっきを施したフレームに接続するＳｎ−Ｂｉ−Ｃｕ系鉛フリーはんだ３と、半導体素子１の周囲を封止するレジンとを備えた。 - 特許庁

To provide a plating method by which a plating film can be reliably formed by an electroless plating method on the entire surface of an Ag electrode provided on a ceramic base material containing a Cu component and an unnecessary plating film is not deposited on a region other than the Ag electrode region on the ceramic base material.例文帳に追加

Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に設けられたＡｇ電極の表面全体に、無電解めっきにより確実にめっき膜を形成することが可能であるとともに、セラミック基材の上記Ａｇ電極外の領域には、無用のめっき膜を析出させることのないめっき方法を提供する。 - 特許庁