「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

Since, in the tin-copper alloy plating bath, ditioaniline and a nonionic surfactant are jointly used, a tin-copper alloy film small in current density dependency can be obtd., and an Sn/Cu film compositional ratio can be stabilized in a wide region from low current density to high current density.例文帳に追加

スズ−銅合金メッキ浴にジチオジアニリンと特定のノニオン系界面活性剤を併用するため、電流密度依存性の小さいスズ−銅合金皮膜を得ることができ、低電流密度から高電流密度までの広い領域でＳｎ／Ｃｕ皮膜組成比を安定にできる。 - 特許庁

The copper complex is [Cu^II_2(Sp)_2(OH)_2](ClO_4)_2 complex having a structure of a coordination plane twisted in a spiral form and is obtained by synthesis using natural alkaloid (-)-sparteine as a ligand.例文帳に追加

天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを配位子として用い合成して得られる、配位平面が螺旋状に捻じれた構造を有する［Ｃｕ^ＩＩ_２（Ｓｐ）_２（ＯＨ）_２］（ＣｌＯ_４）_２錯体であることを特徴とする天然アルカロイド（−）−Ｓｐａｒｔｅｉｎｅを用いた銅錯体。 - 特許庁

The Ge ion-eluting Ag alloy having satisfactory corrosion resistance and plastic workability comprises, by mass, ≤97% Ag and 2 to 6% Ge, and the balance one or more selected from Au, Pd, Cu and In.例文帳に追加

９７ｍａｓｓ％以下のＡｇと，２〜６ｍａｓｓ％のＧｅを含み，残部がＡｕ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｉｎの１種類もしくは２種類以上からなることを特徴とするＧｅイオン溶出Ａｇ合金．これにより，耐食性および塑性加工性の良い，Ｇｅイオン溶出Ａｇ合金を提供することが出来る． - 特許庁

To provide a complex sulfide powder useful as a manufacturing intermediate of a compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S which is excellent in uniformity, and a manufacturing method thereof; a compound semiconductor obtained using the above complex sulfide powder; and a solar cell comprising the above compound semiconductor.例文帳に追加

均一性に優れる、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含有する化合物半導体の製造中間体として有用な複合硫化物粉体とその製造方法、前記複合硫化物粉体を用いて得られる化合物半導体、及び前記化合物半導体を含む太陽電池を提供する。 - 特許庁

This decorative copper alloys have a composition consisting of, by mass, 1-6% Al, 0-3% Ti and the balance essentially Cu and whose reflected light spectra have xy chromaticity coordinate values or Lab coordinate values almost identical with those of the alloys in the range from gold-copper alloys to gold-copper-silver alloys.例文帳に追加

質量％で１〜６％のＡｌと、０〜３％のＴｉを含有し残部が実質的にＣｕからなるもので、その反射光スペクトルが金−銅合金から金−銅−銀合金とほぼ同じｘｙ色度座標値あるいはＬａｂ座標値を持つ装飾用銅合金である。 - 特許庁

In this roller bearing for the compressor used under the mixed lubricating condition of hydrofluorocarbon as the refrigerant and the lubricant dissolved in the refrigerant, at least one of a rolling element 1d and bearing rings 1a, 1b has a film mainly composed of nickel (Ni) or copper (Cu).例文帳に追加

冷媒としてのヒドロフルオロカーボン類とこれに溶ける潤滑剤との混合潤滑条件下で使用されるコンプレッサ用転がり軸受において、転動体１ｄおよび軌道輪１ａ，１ｂのうちの少なくともいずれかの部材に、ニッケル（Ｎｉ）または銅（Ｃｕ）を主成分とする皮膜を形成した。 - 特許庁

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染を評価するようにした。 - 特許庁

The semiconductor storage is constituted so that an amorphous thin film 4 is sandwiched between a first electrode 2 and a second electrode 5, at least the first electrode 2 or the second electrode 5 includes Al or Cu, the amorphous thin film 4 is formed of an oxide.例文帳に追加

第１の電極２及び第２の電極５の間にアモルファス薄膜４が挟まれて構成され、第１の電極２及び第２の電極５の少なくとも一方の電極５がＡｌ又はＣｕを含み、アモルファス薄膜４が酸化物により形成された半導体記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

To provide a substrate for a liquid crystal display device having a wiring structure which can avoid problems arising when a Cu material is used and suppress a disclination defect due to a step of a lower-layer side wiring line and a wire breaking defect of an upper-layer side wiring line, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The plating material 5 is prevented from the thermal diffusion of the fundamental components during production or during use by the base layer 2 and the thermal diffusion of the base layer components is obstructed by the intermediate layer 3 and therefore, the contamination of the Cu-Sn intermetallic compound layer of the outermost layer 4 is averted and the functions thereof are satisfactorily maintained.例文帳に追加

めっき材料５は、製造中または使用中の基体成分の熱拡散が前記下地層２により防止され、下地層成分の熱拡散が中間層３に阻止されるので、最外層４のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層が汚染されず、その機能が良好に保持される。 - 特許庁

When a ball enters a second start pocket, the high-order byte CU and low-order byte CL of a count value are acquired to update the high-order byte RU2 and low-order byte RL2 of numerical data which is a random number value by a latching flip-flop 204B and random value registers 206A, 206B.例文帳に追加

第２始動入賞口での始動入賞時には、ラッチ用フリップフロップ２０４Ｂ、乱数値レジスタ２０６Ａ、２０６Ｂにより、乱数値となる数値データの上位バイトＲＵ２及び下位バイトＲＬ２を更新するように、カウント値の上位バイトＣＵ及び下位バイトＣＬを取得する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a quartz glass tool or a member during the production process of the quartz glass tool, by which metal impurities, such as Na, K, Al, Fe, Cu, Ca and Mg, can be easily and sufficiently removed; and to provide an ultrasonic cleaning device suitably used in the same.例文帳に追加

Ｎａ，Ｋ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃａ及びＭｇ等の金属不純物を容易かつ十分に除去することのできる石英ガラス治具又は該石英ガラス治具の製作工程途中の部材の洗浄方法及び該洗浄方法に好適に用いられる超音波洗浄装置を提供する。 - 特許庁

The copper alloy material for the structural member of a resistance welding machine comprises, by mass, 3.0 to 4.5% Ni and 0.6 to 1.2% Si, and the balance Cu with inevitable impurities, and has a tensile strength of ≥900 MPa and an electric conductivity of ≥25%IACS.例文帳に追加

Ｎｉを３．０〜４．５ｍａｓｓ％、Ｓｉを０．６〜１．２ｍａｓｓ％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなり、引張強さ９００ＭＰａ以上、導電率２５％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とする、抵抗溶接機の構造部材用銅合金材料。 - 特許庁

This electronic circuit device is formed by connecting an connection electrode on a circuit board with a connection terminal electrode on an electronic part by using a solder material containing Sn as a main element as well as at least 0.5-2 mass % Zn, 0.5-2 mass % Cu, and 1-5 mass % Ag.例文帳に追加

回路基板上の接続電極と電子部品上の接続端子電極とを、主成分のＳｎのほかに０．５〜２質量％のＺｎ、０．５〜２質量％のＣｕ、及び１〜５質量％のＡｇを少なくとも含むはんだ材料で接続した電子回路装置とする。 - 特許庁

To provide a heat dissipation substrate for a semiconductor device comprising a Cu-invar sintered alloy having high thermal conductivity capable of matching thermal expansion with Si and GaAs of semiconductor elements and various package materials, particularly alumina and AlN, and capable of coping with high integration and light weight.例文帳に追加

半導体素子のＳｉやＧａＡｓ並びに各種パッケージ材料、特にアルミナ、ＡｌＮと熱膨張を整合させることができ、高集積化、軽量化に対応できる高熱伝導率を持つＣｕ−インバー焼結合金からなる半導体装置用放熱基板を低コストで提供すること。 - 特許庁

To provide an electrode which has higher performance, is less expensive than a conventional one and has an electrode part represented by a W-Cu composite material with high costs in materials and manufacturing, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明では、材料費および製造にかかる費用が大きなＷ−Ｃｕ複合材に代表される電極部を有す電極およびその製造方法について、従来用いられているものよりも高性能かつ安価な電極および製造方法を提供することをその課題とするものである。 - 特許庁

The conductive paste composition contains properly compounded Cu powder, Cu_2O powder, CuO powder, glass frit not containing Pb or Cd with a softening point of 650°C or less, a compound containing Mn, Ni or Bi, and organic vehicle.例文帳に追加

適正な配合のＣｕ粉末と、適正な配合のＣｕ_2Ｏ 粉末と、適正な配合のＣｕＯ粉末と、軟化点が６５０℃以下でＰｂとＣｄを含有しない適正な配合のガラスフリットと、Ｍｎ、ＮｉもしくはＢｉを含有する適正な配合の化合物と、適正な配合の有機ビヒクルとを含有している。 - 特許庁

The antifungal metal component-carrying inorg. material particles carrying either at least one side of Ag or Cu on the surface of one or ≥2 kinds of inorg. material particles comprising primarily of either zinc oxide, calcium carbonate, alumina and zirconium are compounded in the glaze powder.例文帳に追加

酸化亜鉛、炭酸カルシウム、アルミナ及びジルコンいずれかを主体とする無機材料粒子の１種又は２種以上のものの表面に、Ａｇ及びＣｕの少なくとも一方を抗菌金属成分として担持させた抗菌金属成分担持無機材料粒子を釉薬粉末中に配合する。 - 特許庁

A contact is not provided on the Pt film 35 constituting the upper electrode 35a, and the upper electrode 35a is connected to upper wiring (Cu wiring 42) by a conductor sidewall 40, a dummy lower electrode 33b, a dummy cell plug 30, and the partial wiring 21b.例文帳に追加

上部電極３５ａを構成するＰｔ膜３５の上にコンタクトが設けられておらず、導体サイドウォール４０，ダミー下部電極３３ｂ，ダミーセルプラグ３０及び局所配線２１ｂによって上部電極３５ａが上層配線（Ｃｕ配線４２）に接続されている。 - 特許庁

When any one of detected temperatures θ1-θ3 from the respective temperature sensors exceeds a preset temperature, a controller CU reduces the present ratio of a torque command value Tem (Teg) to the electric drive device part with respect to a torque command value Tm to the hydraulic drive device part.例文帳に追加

コントローラＣＵは、各温度センサからの検出温度θ１〜θ３のいずれか１つでも予め設定された温度を超えたときは、現在の、油圧駆動装置部に対するトルク指令値Ｔｍ、電動駆動装置部に対するトルク指令値Ｔｅｍ（Ｔｅｇ）の比率を低減する。 - 特許庁

A roughened surface is formed by bringing etching solution into contact with aluminum or an aluminum alloy having a surface coating containing (1) at least one metal selected from metals in the first group comprising Sn, Cu, Fe, Ni, Co, Bi, Sb, Ag and Te, and (2) zinc.例文帳に追加

（１）Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ及びＴｅからなる第一群の金属より選択される少なくとも１種の金属と（２）亜鉛とを含む表面皮膜を有するアルミニウム又はアルミニウム合金をエッチング溶液と接触させることにより粗化表面を形成する。 - 特許庁

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb.例文帳に追加

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。 - 特許庁

The target is provided with a target material 11 containing at least one kind among the groups consisting of Ni, Cu, Sn, Ag, Al and Co by 0.01 to 1 atomic %, and the balance substantially Si and a backing plate 12 supporting the target material 11.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも１種を０．０１原子％以上１原子％以下含有し残部が実質的にＳｉからなるターゲット材１１と、前記ターゲット材１１を支持するパッキングプレート１２とを具備する事を特徴とするターゲット。 - 特許庁

The oxide scinitillator satisfies one of the following conditions: (1) content of K or Si is less than 100 wtppm, (2) content of B is less than 100 wtppm, and (3) content of Cu or Ti is less than 100 wtppm.例文帳に追加

構成元素としてＧｄ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ及びＯを含み、結晶構造がガーネット構造である酸化物シンチレータであって、１）Ｋ又はＳｉの含有量が100wtppm未満、２）Ｂの含有量が100wtppm未満、３）Ｃｕ又はＴｉの含有量が20wtppm未満のいずれかの条件を満たす酸化物シンチレータである。 - 特許庁

Polishing liquid to polish the surface of a substrate with a surface thereof formed of non-ferrous metal such as copper or copper alloy contains univalent and/or divalent copper ions and chlorine ions with the Cu/Cl mole ratio being 10^-1 to 10^3, and the pH value being 0.5-10.例文帳に追加

表面が銅又は銅合金等の非鉄金属材からなる基板の表面を研磨する研磨液であって、１価及び／又は２価の銅イオンと塩素イオンとを含有し、Ｃｕ／Ｃｌモル比が１０^-1〜１０^3の割合であり、ｐＨ０．５〜１０であることを特徴とする非鉄金属材用研磨液。 - 特許庁

The reflow-Sn-plated copper alloy material has a coating layer comprising a Ni or Ni alloy base plating layer, a Cu-Sn alloy intermediate layer and a surface layer of the Sn plating layer from the base material side and has a hardness of the Sn plating layer of ≤13 Hv.例文帳に追加

被覆層が素材側からＮｉまたはＮｉ合金下地めっき層、Ｃｕ−Ｓｎ合金中間めっき層、表層のＳｎめっき層からなり、Ｓｎめっき層の硬さが１３Ｈｖ以下であることを特徴とする耐ウィスカー性に優れた銅合金リフローＳｎめっき材。 - 特許庁

The impurity atoms introduced for forming the light-absorbing region can be those of any elements, except Cu and Cr, and the region must be formed separately from a region immediately underlying the ridge, by taking the movement of the introduced atoms caused by heat diffusion into consideration.例文帳に追加

光吸収領域形成のために導入される不純物原子は、ＣｕやＣｒを除けばどのような原子でもよく、また導入した原子の熱拡散による移動を考慮して光吸収領域はリッジの直下領域から離れて形成されている必要がある。 - 特許庁

The high temperature brazing filler metal has a composition consisting essentially of Bi, comprising, as a secondary metal element, either one kind of metal selected from, by mass, 1 to 12% Ag, 0.1 to 0.3% Cu and 2 to 8% Sb, and supplemented with 0.001 to 0.01% P.例文帳に追加

主成分をＢｉとし、第２金属元素として、１〜１２質量％のＡｇ、０．１〜０．３質量％のＣｕ、２〜８質量％のＳｂより選択されるいずれか１種を含有し、さらに０．００１〜０．０１質量％のＰを添加した組成からなる高温ろう材である。 - 特許庁

The connecting material 100 is constituted of a member including Zn 101, and a plurality of metal layers 102, 103 layered around the Zn 101, and ≥80% of the surface area of the outermost surface area of the member is covered with a metal M (Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd) 103.例文帳に追加

接続材料１００は、Ｚｎ１０１と、Ｚｎ１０１の周囲に積層された複数の金属層１０２，１０３とを備えた部材からなり、部材最表面の表面積の８０％以上を金属Ｍ（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ）１０３によって被覆するように形成されている。 - 特許庁

After the air/fuel ratio detector 1 is started, the voltage Vs output from a terminal CU is used to judge whether the active state of a whole region air/fuel ratio sensor 10 reaches a semiactive state capable of detecting whether an air/fuel ratio is rich or lean by the fluctuations of a gas detection signal Vic.例文帳に追加

空燃比検出装置１の起動後、全領域空燃比センサ１０の活性状態が、空燃比がリッチかリーンかをガス検知信号Ｖｉｃの変動により検出可能な半活性状態に達したか否かを端子ＣＵから出力される電圧Ｖｓを用いて判定する。 - 特許庁

Therein, the fertilizer component retained and adsorbed on the substrate features that the composition ratio of nitrogen, phosphate and kalium is 1:1:1 and, subsequently, the composition ratio of calcium to boron is 1:1, and further, the composition ratio of microelements Cu/Zn:Mo:Fe/Mn is 1:2:3.例文帳に追加

この基材に保持・吸着された肥料分の特長は、窒素・リン酸・加里の配合比率を１対１対１とし、次にカルシウムとホウ素の配合比率を１対１とした、更に微量要素のＣｕ・Ｚｎ対Ｍｏ対Ｆｅ・Ｍｎの配合比率を１対２対３とする。 - 特許庁

The invented conductive paste for external electrodes 5 and 6 contains a spherical Cu powder with an average particle diameter of 1μm to 3μm, a flake Ni powder with an average particle diameter of 3μm to 20μm, and flake compositions; and has a film density of 4.0g/cm^3 after drying.例文帳に追加

本発明の外部電極５、６形成用導電性ペーストは、平均粒径が１μｍ〜３μｍの球状Ｃｕ粉末と、平均粒径が３μｍ〜２０μｍのフレーク状Ｎｉ粉末と、ガラス成分とを含有し、且つ、乾燥後の膜密度が４．０ｇ／ｃｍ^３以上である。 - 特許庁

Si and one selected from Zr, Ti, TiB, Hf and V are added to an Al-Cu-Mg based alloy to obtain an aluminum alloy for casting containing, by weight, 1.0 to 3.0% Si and one selected from Zr, Ti, TiB, Hf and V by ≤0.3%.例文帳に追加

Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金にＳｉおよびＺｒ、Ｔｉ、ＴｉＢ、ＨｆおよびＶより選択された１つを添加し、Ｓｉを１．０〜３．０重量％、Ｚｒ、Ｔｉ、ＴｉＢ、ＨｆおよびＶより選択された１つを０．３重量％以下含有した鋳造用アルミニウム合金を得る。 - 特許庁

A first green sheet 10 containing a foundation material such as a non-glass-based material is formed, a metal paste layer 11 containing metal components such as Ag and Cu is provided thereupon, and a restriction layer 12 is formed thereupon using paste containing a hard-to-sinter ceramic material.例文帳に追加

本発明においては、まず、非ガラス系材料等の素地材料を含むグリーンシート１０を形成し、その上に、ＡｇやＣｕ等の金属成分を含む金属ペースト層１１を設け、さらに、その上に、難焼結性のセラミック材料を含むペーストを用いて拘束層１２を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of: forming a Cu silicide on an uppper part of a first copper wiring 22a structured of the metal containing copper; and forming a barrier metal film 24b between a connection plug 28 structured of the metal containing copper and a second copper wiring 22b structured of the metal containing copper.例文帳に追加

銅含有金属により構成された第一の銅配線２２ａの上部にＣｕシリサイドを形成し、銅含有金属により構成された接続プラグ２８と銅含有金属により構成された第二の銅配線２２ｂとの間にバリアメタル膜２４ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a ceramic raw material composition capable of firing at a low temperature of ≤1,000°C, firing simultaneously along with a wiring conductor consisting of a metal such as Ag, Au or Cu as a major component, and improving a chemical resistance such as a plating liquid resistance of a ceramic substrate obtained by firing it.例文帳に追加

１０００℃以下の低温焼成が可能で、Ａｇ、ＡｕまたはＣｕなどの金属を主成分とする配線導体と同時に焼成できるとともに、これを焼成して得られたセラミック基板の耐めっき液性等の耐薬品性を高めることができる、セラミック原料組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a roughening method for Cu plating wiring which provides a higher firm sticking property of fine wiring and interlayer insulating layer relating to a method of obtaining the firm sticking property of the fine wiring and the interlayer insulating resin in manufacturing of a multilayered wiring board and satisfies electric characteristics.例文帳に追加

多層配線板の製造における微細配線と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、さらなる微細配線と層間絶縁層が高い密着性を得るとともに電気特性も満足するＣｕメッキ配線の粗化方法を提供する。 - 特許庁

The integration of high performance copper inductors are conducted wherein a tall, Cu laminate spiral inductor is formed at the last metal level, and at the last metal + 1 level, with the metal levels interconnected by a bar via having the same spiral shape as the spiral metal inductors at the last metal level and the last metal + 1 level.例文帳に追加

高いＣｕ積層スパイラル・インダクタが最終金属層および最終金属層より１つ上層の層で形成され、その金属層は、最終金属層および最終金属層より１つ上層のスパイラル金属インダクタと同じスパイラルの形をしたバー・ビアで相互接続される。 - 特許庁

To solve the problem of semi-hard magnetic materials having high coercive force in hot workability caused by Cu aggregation and to provide the semi-hard magnetic materials having good magnetic properties, bias materials for magnetic markers, magnetic markers and production methods of bias materials for magnetic markers.例文帳に追加

本発明の目的は、高い保磁力を具備した半硬質磁性材料の、Ｃｕの凝集に起因する熱間加工性の問題を解決し、磁気特性に優れた半硬質磁性材料、磁気マーカ用バイアス材、磁気マーカおよび磁気マーカ用バイアス材の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The catheter is constituted of a metallic tubular body including a substrate part and a tip end part, which are formed with the same wire made of the alloy of Cu-Al-Mn and obligatory impurity element, and partially having the compatible phase tissue of two-layer structures, i.e., an α phase and a β phase.例文帳に追加

カテーテルであって、その金属管状体がＣｕ−Ａｌ−Ｍｎおよび不可避不純物元素から構成された合金からなる同一線で形成された基質部と先端部とを持ち、その少なくとも一部にα相とβ相の２層構造の混相組織を備えている。 - 特許庁

The stock 12 to be worked formed of an aluminum alloy is subjected to forging at a high working degree in such a manner that the eutectic fusion of Al-Cu compounds in the stock 12 to be worked by the subsequent solution treatment is prevented, and a scroll 13 after the forging is subjected to solution treatment and aging treatment.例文帳に追加

アルミニウム合金で形成される被加工素材１２を、当該被加工素材１２中のＡｌ−Ｃｕ化合物が後の溶体化処理によって共晶融解とならないように高加工度で鍛造成形し、鍛造成形後のスクロール１３に溶体化処理及び時効処理を行うようにした。 - 特許庁

A copper alloy comprising, by mass, 1 to 10% Ag and 0.01 to 0.5% Mg, and the balance Cu with inevitable impurities is heat-treated in the pressure of ≤3.0×10^3Pa by plasma discharge, and is finally wire-drawn to a wire diameter of ≤0.2 mm.例文帳に追加

１〜１０mass％のＡｇ、０．０１〜０．５mass％のＭｇを含有し残部がＣｕ及び不可避の不純物からなる銅合金に、３．０×１０^3Ｐａ以下の圧力下でプラズマ放電による熱処理を施した後、最終的に線径０．２ｍｍ以下の極細線に伸線する。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

The surface of the ingot obtd. by casting the Cu-Ga alloy in which the compsn. of Ga is controlled to 15 to 70% by a melting method is provided with an In part insularly formed by melting by 0.1 to 60 wt.% to the ingot.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金であってそのＧａの組成が１５重量％乃至７０重量％として溶解法により鋳造したインゴットの表面に、インゴットに対する組成が０．１重量％〜６０重量％で溶解により島状に形成されたＩｎ部分を設ける。 - 特許庁

The reactive layer 2 of these bonding interface is formed on the inter face between the first reactive layer 4 containing an active metal as Ti and the alumina part and has the second reactive layer 7 substantially free from the active metal as Ti and containing Cu-Al-O.例文帳に追加

これらの接合界面の反応層２は、Ｔｉのような活性金属を含む第１の反応層４と、アルミナ部材１との界面側に生成され、Ｔｉのような活性金属を実質的に含まないＣｕ−Ａｌ−Ｏからなる第２の反応層７とを有している。 - 特許庁