「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable the effective development of an action of a metal such as Ag, Cu and Zn in a surface-treatment of a substrate having a glass layer and provide a product having a glass layer, etc., imparted with excellent surface characteristics and producible with suppressed loss of the metal.例文帳に追加

ガラス層をもつ基体の表面処理方法及びガラス層をもつ製品に関し、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属による作用を効果的に発揮可能とするとともに、それらの金属の無駄を生じさせず、かつ製品に優れた表面性状をもたせ得るようにする。 - 特許庁

The varistor part 7 consists of a sintered body containing ZnO as a main component, and a rare-earth metal and Cu as a sub component, extends between a pair of end faces 3a and 3b of the element assembly 3 so as to connect to a terminal electrode 5, and manifests voltage nonlinear characteristics.例文帳に追加

バリスタ部７は、ＺｎＯを主成分とし且つ副成分として希土類金属及びＣｏが含有する焼結体からなり、端子電極５に接続されるように素体３の一対の端面３ａ，３ｂ間にわたって延び、電圧非直線特性を発現する。 - 特許庁

The metal oxide particulates are expressed by a compositional formula of ABO_2 (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag; and B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl), and have a mean particle diameter of ≤100 nm.例文帳に追加

組成式ＡＢＯ_２（Ａの金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇ、Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）で表される金属酸化物微粒子であって、平均粒径が１００ｎｍ以下である金属酸化物微粒子。 - 特許庁

The plated substrate for hard disk media consists of a Si single crystal coated with a multilayered film constituted by successively forming 2 to 200nm thick amorphous layers containing at least one or more metals selected from the group consisting of Ni, Cu and Ag together with Si and 5 to 1,000nm thick polycrystalline layers.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶にＳｉと共にＮｉとＣｕとＡｇとからなる一群から選ばれる１種以上の金属を含有する厚さ２〜２００ｎｍの非晶質層と厚さ５〜１０００ｎｍの多結晶層を順次形成してなる多層膜付きハードディスク媒体用メッキ基板を提供する。 - 特許庁

A gas occluding material is produced by loading a catalyst precursor such as Fe, Ni, Cu, Cr or Co onto a porous ceramic which has been obtained by unidirectional freeze vacuum drying and which is excellent in the gas permeability and low in the relative density, and then synthesizing carbon fibers in inner pores or on the surface of the ceramic using the formed catalyst.例文帳に追加

一方向凍結真空乾燥することによりガス透過能が優れる相対密度の低い多孔質セラミックスに、触媒となるＦｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｃｏ等の前駆体を坦持させ後、この触媒を用いて該セラミックスの内部気孔や表面に炭素繊維を合成し、ガス吸蔵体を作製する。 - 特許庁

Upon start winning at a first start winning port, the high order byte CU and low order byte CL of a count value are acquired such that the high order byte RU1 and low order byte RL1 of numerical data being a random number value are updated by a flip-flop 204A for latch and random number value registers 205A and 205B.例文帳に追加

第１始動入賞口での始動入賞時には、ラッチ用フリップフロップ２０４Ａ、乱数値レジスタ２０５Ａ、２０５Ｂにより、乱数値となる数値データの上位バイトＲＵ１及び下位バイトＲＬ１を更新するように、カウント値の上位バイトＣＵ及び下位バイトＣＬを取得する。 - 特許庁

The aluminum-alloy material has a composition which consists of 1.0-1.6 mass% Mn and the balance Al with inevitable impurities and in which the contents of Cu, Fe and Si among the inevitable impurities are regulated, by mass, to ≤0.01%, ≤0.15% and ≤0.15%, respectively.例文帳に追加

アルミニウム合金材の組成を、Ｍｎを１．０乃至１．６質量％含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちＣｕは０．０１質量％以下、Ｆｅは０．１５質量％以下、Ｓｉは０．１５質量％以下に規制された組成とする。 - 特許庁

Refractive indexes n1 to n3 of the first to the third dielectric layers satisfy relations: n1>n2, n3>n2 and by using Cu, Au, Ti and their alloys as the lower reflecting layer, reflectivity of an amorphous part can be raised and absorptivity of the amorphous part can be lowered to enable suppressing cross erasing.例文帳に追加

第１〜第３誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を満たし、下部反射層としてＣｕ，Ａｕ，Ｔｉ及びそれらの合金を用いることにより、非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。 - 特許庁

The aluminum alloy substrate for a magnetic disk has a composition containing, by mass, 0.01 to 0.1% Cu, 3.0 to 6.0% Mg, 0.02 to 0.1% Cr, 0.04 to 0.7% Zn and 0.001 to 0.02% Ni, and the balance Al with impurities.例文帳に追加

磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、Ｃｕ：０．０１乃至０．１質量％、Ｍｇ：３．０乃至６．０質量％、Ｃｒ：０．０２乃至０．１質量％、Ｚｎ：０．０４乃至０．７質量％及びＮｉ：０．００１乃至０．０２質量％を含有し、残部がＡｌ及び不純物からなる。 - 特許庁

The ferrite material is a Ni-Zn-Cu based ferrite material containing 43-50.5 mol% Fe_2O_3, 10-48 mol% NiO, 0-34 mol% ZnO and 0-17 mol% CuO as a basic composition and contains 0.1-7.0 mol% In_2O_3.例文帳に追加

本発明のフェライト材料は、４３〜５０．５モル％のＦｅ_２Ｏ_３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料であって、０．１〜７．０モル％のＩｎ_２Ｏ_３を含有する。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

The composite material includes: one or more first phases essentially consisting of Pt; and one or more second phases containing Cu, also, the reflectance of natural light in the surface monotonously increases to the wavelength in a visible light region, and further, the points of inflexion are provided in the range of 520 to 600 nm wavelength.例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を有し、かつ、表面における自然光の反射率が可視光領域の波長に対して単調増加するとともに、変曲点を波長５２０〜６００ｎｍの範囲に有すること。 - 特許庁

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

The Bi2223 superconducting wire material is manufactured by using a powder mixing a composite oxide powder, containing Bi, Sr, Ca and Cu that are manufactured by the liquid phase methods, including a spray drying method, a freeze drying method, an evaporative decomposition method, with a metal Pb powder as the precursor powder for the superconducting wire material.例文帳に追加

スプレードライ法、フリーズドライ法、噴霧熱分解法等の液相法によって作製されたＢｉ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃｕを含む複合酸化物粉末と金属Ｐｂ粉末が混合された粉末を超電導線材用前駆体粉末として用いＢｉ２２２３超電導線材を製造する。 - 特許庁

To provide a casting drum composed of a Cu-alloy made sleeve and an SUS-made core light in weight, free from the sliding of a fitting part in thermal loading, and long in durable life, in a twin drum type continuous casting drum used for twin drum type continuous casting equipment.例文帳に追加

双ドラム式連続鋳造設備に用いる双ドラム式連続鋳造用ドラムにおいて、軽量で、熱負荷時に嵌合部の滑りのない、そして耐用寿命の長い、Ｃｕ合金製スリーブとＳＵＳ製コアとで構成される鋳造用ドラムを提供することを課題とする。 - 特許庁

The winding chip inductor is provided with a ferrite core and a coil wound on the ferrite core, the ferrite core including: a ferrite phase comprising N-Cu-Zn ferrite; a Zn_2SiO_4 phase comprising Zn_2SiO_4; and an impurity phase comprising unavoidable impurities.例文帳に追加

この発明は、フェライトコアと、該フェライトコアに巻回されているコイルとを備え、該フェライトコアが、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなるフェライト相と、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４からなるＺｎ_２ＳｉＯ_４相と、不可避不純物からなる不純物相とからなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The device for producing the silicon ingot includes a bottomless cooling mold 1 and a heating induction coil 2, and furthermore a plasma torch 3 as a heat source, and uses electromagnetic induction heating and plasma heating in combination, wherein copper (Cu) is used as a plasma electrode 12 which is installed in the plasma torch.例文帳に追加

無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。 - 特許庁

The aluminum alloy piping material for a heat exchanger has a composition containing, by weight, >0.8 to 1.5% Mn, >0.1 to l.5% Cu, >0.05 to 0.2% Cr and ≤0.2% Si, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｍｎを０．８ｗｔ％を越え、１．５ｗｔ％以下、Ｃｕを０．１ｗｔ％を越え１．５ｗｔ％以下、Ｃｒを０．０５ｗｔ％を越え０．２ｗｔ％以下、Ｓｉを０．２ｗｔ％以下含有し、残部アルミニウムおよび不可避的不純物からなる熱交換器用アルミニウム合金配管材。 - 特許庁

The plating film for electromagnetic shielding includes at least either of a Cu plating film containing a carbon nanotube, having a crystal orientation whose ratio [(220)/(111)] of the peak intensity of (220) plane and the peak intensity of (111) plane obtained by X-ray diffraction is 1 or more, and an Ni plating film containing a carbon nanotube.例文帳に追加

Ｘ線回折で得られる（２２０）面のピーク強度と（１１１）面のピーク強度の比［（２２０）／（１１１）］が１以上である結晶配向を有し、カーボンナノチューブを含有するＣｕめっき膜と、カーボンナノチューブを含有するＮｉめっき膜の、少なくとも一方からなる。 - 特許庁

The heat sink 50 comprises a substrate 51 containing a metal having low coefficient of thermal expansion and Cu and having surface roughness R1 of 1-5 μm, an intermediate layer 52 formed on the surface 54 of the substrate 51, and a thin diamond film layer 53 formed on the surface of the intermediate layer 52.例文帳に追加

ヒートシンク５０は、低熱膨張係数の金属とＣｕとを含み、その表面の粗さＲ_Z が１μｍ以上５μｍ以下である基板５１と、基板５１の表面５４に形成された中間層５２と、中間層５２の表面に形成されたダイヤモンド薄膜層５３とを備える。 - 特許庁

This magnetic recording medium is produced by forming a first underlaid film 2 containing at least Co or Cu and P on a nonmagnetic substrate 1, a second underlaid film 3 consisting of Cr as a principal component and nonmagnetic materials on the first underlaid film 2, a magnetic film 5 on the second underlaid film 3.例文帳に追加

非磁性の基板１上にＣｏあるいはＣｕの少なくとも１種とＰを含む第１の下地膜２と、第１の下地膜２の上にＣｒを主成分とする非磁性材料からなる第２の下地膜３と、第２の下地膜３の上に磁性膜５とが形成される。 - 特許庁

A green sheet 14 is provided between a Cu wiring board 11 wherein an IGBT 12 and a diode 13 are bonded, and a cooler 15, and its thickness is made projected and larger on the side of the cooler in an area not opposite to the IGBT 12 and the diode 13.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３が接合されたＣｕ配線板１１と冷却器１５との間に設けられたグリーンシート１４の厚みが、ＩＧＢＴ１２およびダイオード１３と対向しない領域において冷却器１５側に凸状に厚くなるように構成されている。 - 特許庁

The first arm 131 includes a recessed portion 138 on the front side of the arm, and when the second arm 132 is turned toward the front side of the first arm together with the camera head 150 and both arms are folded in a storage posture, the recessed portion 138 encloses a lens unit CU of the camera head 150.例文帳に追加

第１アーム１３１は、アーム正面側に陥没凹所１３８を備え、この陥没凹所１３８には、第２アーム１３２がカメラヘッド１５０と共に第１アーム正面側に回動されてアームが重なった収納姿勢となると、カメラヘッド１５０のレンズユニットＣＵを取り囲む。 - 特許庁

Subsequently, laser beams 5 are overlappingly scanned in the atmosphere of a second CVD gas 4 of DMAu-Tfac or HfacCu-tmvs, whereby a conductive film 6 made of Au or Cu which is electrically connected to the contact 3 at a low resistance is formed.例文帳に追加

続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 - 特許庁

This glass is formed by depositing a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate is not subjected to bending and/or tempering after the deposition.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁

The soft-dilute-copper-alloy wire contains Ti of 4-55 ppm by mass and the balance of Cu, and is characterized in that the average crystal grain size is 20 μm or less in the surface layer up to a depth of at least 50 μm from the surface.例文帳に追加

４ｍａｓｓｐｐｍ〜５５ｍａｓｓｐｐｍのＴｉを含み、残部が銅である軟質希薄銅合金線において、少なくとも表面から５０μｍ深さまでの表層における平均結晶粒サイズが２０μｍ以下であることを特徴とする軟質希薄銅合金線。 - 特許庁

In the formula, L1 represents a ligand comprising within its molecule a thiol group binding to a plurality of species of substrates and a terpyridyl group binding to a plurality of species of metallic elements, L2 represents terpyridine or a terpyridine derivative, and M represents a metallic element selected from Co, Cr, Cu, V, Fe, Ru, Os and Ni.例文帳に追加

（式中、Ｌ１は分子内に、多くの金属基板に結合可能なチオール基と、多くの金属元素に結合可能なターピリジル基を有した配位子である。Ｌ２はターピリジン、またはターピリジン誘導体である。ＭはＣｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｖ，Ｆｅ，Ｒｕ，ＯｓまたはＮｉから選ばれる金属元素である。） - 特許庁

A semiconductor device includes an insulating film 2, a groove 5 formed in the insulating film 2, a barrier metal film 3 formed on sidewalls and bottom surface of the groove 5 and consisted of an alloy of titanium (Ti) and tantalum (Ta), and the copper (Cu) wiring 4 laminated on the barrier metal film 3 and positioned in the groove 5.例文帳に追加

半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。 - 特許庁

A contaminants, such as Cu or the like adhered to a back surface of a silicon wafer 50 is first removed, by cleaning it with an acid solution, and a compound generated on the back surface of the silicon wafer 50, when cleaning with this acid solution is removed by cleaning with pure water mixed with ozone.例文帳に追加

シリコンウェハ５０の裏面に付着しているＣｕなどの汚染物質を最初に酸性溶液による洗浄で除去し、この酸性溶液による洗浄時にシリコンウェハ５０の裏面に発生する化合物をオゾンが混入された純水による洗浄で除去する。 - 特許庁

The material of contacts 13a and 13b attached to a pair of electrodes 7 and 8 mounted on one end of conductive bars 5 and 6 respectively comprises a conductive component of Cu as the main component whose content percentage is 90-98 wt.% and B whose content percentage is 10-2 wt.%.例文帳に追加

導電棒５，６の一端にそれぞれ設けられる一対の電極７，８に取付けられた接点１３ａ、１３ｂの材料として、９０〜９８ｗｔ％の含有量でＣｕを主成分とする導電成分と、１０〜２ｗｔ％の含有量のＢを有する材料とする。 - 特許庁

This surface contracted layer 2 is made of a porous plate made of copper alloy (94.9 wt.% Cu-5.5 wt.% Sn-0.1 wt.% P), its thickness is 45 μm, and a through hole of an averaged diameter 5 μm is formed in distribution density (porosity 4%) of 1,600 pieces/mm2.例文帳に追加

この表面絞り層２は、銅合金製（９４．９ｗｔ％Ｃｕ−５．５ｗｔ％Ｓｎ−０．１ｗｔ％Ｐ）の多孔板からなり、その厚さは４５μｍであり、平均直径５μｍの貫通孔が、１，６００個／ｍｍ^２の分布密度（気孔率４％）で形成されている。 - 特許庁

To obtain a polishing composition wherein metallic impurities of Cu, Mn, Ni, Fe, Zn, Cr, etc are hardly present on the surfaces of its fumed silica particles and in its dispersion medium and which is optimal for polishing silicon wafers etc, and to provide a method of obtaining the above polishing composition at a low cost.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｃｒ等の金属性不純物がヒュームドシリカ粒子表面及び分散媒中にほとんど存在せず、シリコンウエハ等の研磨に最適な研磨用組成物を得ること、及び低コストでこの研磨用組成物を得る方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor package is made by diecasting a thermocompression bonded metal 001/polyimide 002/Cu foil base board 003 using a metal plate 001 of 0.1-0.5 mm thick as a base.例文帳に追加

ＬＳＩチップ搭載部のダイアタッチ材塗布部とワイヤーボンディング部との間に、ポリイミド樹脂またはポリイミド除去により露出したスティフナーが存在している半導体パッケージにおいて、ポリイミド樹脂上に形成される、ワイヤーボンディング部とダイアタッチ材塗布部を分けるように、幅50μｍ以上のエポキシ樹脂ダムを形成する。 - 特許庁

The sputtering target material is composed of the Ag alloy which is prepared by adding specific small amounts of metal component (A) selected from Ge, Ga and Sb, specific small amounts of metal component (B) selected from Au, Pd and Pt, and, if necessary, a small amounts of Cu to Ag and carrying out alloying.例文帳に追加

Ａｇに、特定少量のＧｅ、ＧａおよびＳｂから選ばれる金属成分（Ａ）、特定少量のＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる金属成分（Ｂ）、及び場合により、少量のＣｕを添加して合金化してなるＡｇ合金から構成されたスパッタリングターゲット材。 - 特許庁

The progress of the oxidation of a copper (Cu) interconnection layer 104 is suppressed by supplying oxygen plasma 105 to the surface layer thereof thereby forming an oxidation layer 106 where the number of CuO bonds is larger than that of Cu_2O bonds (e.g. CuO bonds occupy 50% or more).例文帳に追加

銅（Ｃｕ）配線層１０４の表層部に、酸素プラズマ１０５を供給して、Ｃｕ_2Ｏ結合よりも、ＣｕＯ結合が多い状態の酸化層１０６（例：ＣｕＯ結合の占める割合が５０％以上）を形成し、銅（Ｃｕ）配線層１０４の酸化の進行を抑制する。 - 特許庁

In hot tool steel and cold tool steel, the compositional contents of C, Si, Mn, P, S, Cr, Cu+Ni+Co, 2Mo+W and V as components are limited, and the balance substantially Fe with inevitable impurities, and Nb, Sn, Pb, B, Ta and Bi are not incorporated.例文帳に追加

熱間工具鋼及び冷間工具鋼の成分Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ｃｒ、Ｃｕ＋Ｎｉ＋Ｃｏ、２Ｍｏ＋Ｗ及びＶの含有量を組成限定し、残部が実質的にＦｅ及び不可避的不純物よりなり、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂ、Ｔａ及びＢｉを含有させない。 - 特許庁

An insulating layer 3 made up of Al_2O_3 is formed on the inside surface of the base plate 1 to cover the whole mounting areas of the three flat plates 2, and wiring layers 4 composed of Cu are formed on the surface of the insulating layer 3 corresponding to the mounting areas of each flat plates 2.例文帳に追加

また、ベース板１の内面上には３つの平板部分２の搭載領域全体を覆うようにＡｌ_２Ｏ_３からなる絶縁層３が成膜され、絶縁層３の表面上には各平板部分２の搭載領域に対応してＣｕからなる配線層４が成膜されている。 - 特許庁

The Cu-Zn-based alloy having a temperature range a where it becomes a β-phase single phase at a high temperature and a crystal structure comprising at least two phases containing α-phase at normal temperature, which are formed from β-phase by phase transformation, is subjected to a single hot extrusion at the temperature range of the β-phase single phase.例文帳に追加

高温でβ相単相となる温度域を有し、β相からの相変態により常温でα相を含む２相以上の結晶組織を有するＣｕ−Ｚｎ系合金について、β相単相の温度域で１回の熱間押出を行う。 - 特許庁

The hydrogen-storage composite formed body and the hydrogen- storage composite sintered compact in which, other than hydrogen-storage material powder, powder of at least one metal selected from a group consisting of Cu, Ni, Zn, Al, Fe, Sn, In, Pt, Pd, Au and Ag is incorporated are provided.例文帳に追加

本発明は、水素吸蔵材料粉に加えて、ＣｕとＮｉとＺｎとＡｌとＦｅとＳｎとＩｎとＰｔとＰｄとＡｕとＡｇとからなる一群から選ばれる少なくとも１種の金属粉を含有してなる水素吸蔵複合成形体及び水素吸蔵複合焼結体を提供する。 - 特許庁

In this structure, a fuel gas never intrudes into the joining part between both the members, and Ni and Cu are remarkably excellent in high-temperature oxidation resistance, whereby the separator is surely protected from a fuel electrode atmosphere by the protective plate 20, and growth of a high-temperature oxidation coating is stopped.例文帳に追加

本構成では、両部材の接合部分に燃料ガスが侵入することばなく、且つ、ＮｉおよびＣｕは耐高温酸化性に著しく優れるため、セパレータは、この保護板２０によって燃料極雰囲気から確実に保護され、高温酸化被膜の成長が阻止される。 - 特許庁

The material is a composite sintered compact 11 of a semiconducting ceramic material having a spinel structure comprising ≥2 kinds of metal oxides selected from MnO, CoO, NiO, CuO, Fe2O3, and Al2O3 and a magnetic ceramic material comprising Ni-Zn-Cu-based ferrite.例文帳に追加

複合型半導体磁器材料はＭｎＯ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｆｅ_2Ｏ_3及びＡｌ_2Ｏ_3からなる群より選ばれた２種以上の金属酸化物からなるスピネル構造の半導体磁器材料と、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを主成分とする磁性体磁器材料との混合焼結体１１である。 - 特許庁

Alternatively, the composite material further comprises a third phase, in a space between the first phase and the second phase, contacted with both the phases, and containing an intermetallic compound formed of Pt and Cu, and the maximal value of the reflectivity of natural light in the surface lies in the range of 560 to 640 nm in wavelength.例文帳に追加

更に第１相と第２相との間において、両相に接し、ＰｔとＣｕにより形成された金属間化合物を含む第３相を有している、表面における自然光の反射率の極大値が波長５６０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下の範囲にある複合材。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element and a method of manufacturing the same in which an organic binder is made easy to be removed (defatted) even if oxygen partial pressure is low, the time needed for the defatting is shortened while oxidation of Cu of an electrode layer is suppressed during defatting to improve the productivity, and piezoelectric characteristics are maintained.例文帳に追加

酸素分圧が低くても有機バインダが除去（脱脂）され易くなり、脱脂の際の電極層のＣｕの酸化を抑制しつつ、脱脂に要する時間を短縮して生産性を向上させ、圧電特性を維持した圧電素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface treatment method for an Si-base aluminum alloy consists of a stage for forming an anodically oxidized film 13 on the aluminum alloy containing Si by an electrolyte prepared by mixing phosphate and fluoride and a stage for forming a plating film 14 of an Ni-Cu alloy on the anodically oxidized film.例文帳に追加

Ｓｉ系アルミニウム合金の表面処理方法は、りん酸塩並びにふっ化物を混合した電解液でＳｉを含むアルミニウム合金に陽極酸化被膜１３を形成する工程と、陽極酸化被膜上にＮｉ−Ｃｕ合金のメッキ被膜１４を形成する工程とからなる。 - 特許庁