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cuを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 5425



例文

The copper alloy material provided with a plating film comprises: a copper alloy substrate 1; an Ni layer 2 formed on the surface thereof; an alloy layer 3 containing Ni and Sn formed thereon, which is formed from an Ni-Sn alloy, an Ni-Cu-Sn alloy or both of them; and a pure Sn layer 4 formed thereon as the outermost surface layer.例文帳に追加

銅合金基材1の表面にNi層2、その上にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁

The average crystal grain size of the conductor for a cable formed of tough pitch copper or a Cu-Sn alloy is smaller than 10 μm; the 0.2% proof stress of the conductor for a cable exceeds 130 MPa; the elongation percentage thereof in fracture is not smaller than 15%; and the conductivity thereof is not smaller than 98% IACS.例文帳に追加

タフピッチ銅又はCu−Sn合金で構成されるケーブル用導体の平均結晶粒径が10μm未満であり、上記ケーブル用導体の0.2%耐力が130MPaを超え、破断時の伸び率が15%以上で、かつ導電率が98%IACS以上である。 - 特許庁

To provide a contact material for a vacuum circuit breaker having a low impurity content, further having reduced hardness by the reduction of the solid solution concentration of Cr solid-soluted into a Cu phase, so as to improve its formability and to be easily mass-produced, to provide a method for producing the same, and to provide a vacuum circuit breaker.例文帳に追加

不純物含有量が少なく、しかもCu相に固溶されているCrの固溶濃度を低減させることにより硬度を低減して成形性を向上させ、容易に量産することが可能な真空遮断器用接点材料,その製造方法および真空遮断器を提供する。 - 特許庁

The titanium alloy sheet includes, by mass, 0.3 to 1.8% Cu, 0.01 to 0.04% O and ≤0.05% Fe, and the balance Ti with impurities of ≤0.3% and has the average crystal grain size of12 μm.例文帳に追加

質量%で0.3〜1.8%のCu、0.01〜0.04%のO、0.05%以下のFeを含有し、残部Tiおよび0.3%以下の不純物からなり、平均結晶粒径12μm以下であることを特徴とする、プレス成形性などの冷間加工性に優れるチタン合金薄板である。 - 特許庁

例文

To obtain an insulator porcelain composition which can be calcined at a low temperature of ≤1,000°C and can be sintered with Ag or Cu and from which a sintered body having high Q value and low dielectric constant, suitable for high frequency use and having high coefficient of thermal expansion can be obtained.例文帳に追加

1000℃以下の低温で焼成することができ、AgやCuとの共焼結が可能であり、Q値が高くかつ比誘電率が低く、高周波用途に適しており、高い熱膨張係数を有する焼結体を得ることを可能とする絶縁体磁器組成物を得る。 - 特許庁


例文

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

8−キノリノール又は8−キノリノール誘導体の金属塩は、Cu、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Yt、La、Pb、Sb、Bi、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Ce及びPrからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

This manufacturing method includes depositing either one of targets selected amoug Al, Ti, Mg, Cu, Ag, Au, Zn, Sn and B, on a substrate surface with a vacuum deposition method, under vacuum atmosphere of10^-1 to10^-3 Pa, while keeping the temperature of the Mg alloy substrate at room temperature to 350°C.例文帳に追加

Mg合金基板の温度を室温から350℃に保ちつつ、1×10^-1から1×10^-3Paの真空雰囲気にて、Al、Ti、Mg、Cu、Ag、Au、Zn、Sn、Bのいずれか1種のターゲットを真空蒸着法により基板表面に蒸着させて作成する。 - 特許庁

To provide a phase transition type optical information recording medium which has a reflection layer consisting of a metal having high reflectance/high heat conductivity of which the main component is Ag, Au, Cu, or the like, especially, Ag or Ag alloy, and an organic layer being adjacent this layer, and in which preservation reliability in a high temperature and high humidity state is good.例文帳に追加

Ag、Au、Cuなどを主成分とする高反射率・高熱伝導率の金属、特にAg又はAg合金からなる反射層と、これに隣接する有機物層を有し、高温高湿状態での保存信頼性の良好な相変化型光情報記録媒体の提供。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Al(アルミニウム)、Cu(銅)、Mg(マグネシウム)等を含有するダイカスト用Zn(亜鉛)合金およびZn(亜鉛)に、低融点金属元素であるBi(ビスマス)、Ga(ガリウム)、In(インジウム)を添加することにより、ダイカスト用Zn合金およびZnの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

例文

In the semiconductor device 100 in which an insulating layer 105 having an overhung section 109 protruded from the end face of a silicon substrate 101 is formed on the element forming surface of the substrate 101, the overhung section 109 has Cu wiring 107 buried in the insulating layer 105.例文帳に追加

シリコン基板101の素子形成面に絶縁層105が設けられ、絶縁層105がシリコン基板101の端面から突出した張出部109を有する半導体装置100において、張出部109は絶縁層105中に埋設されたCuの配線107を有する。 - 特許庁

例文

Between an end 11B of an anode 11 of a first capacitor element acting as a first layer of laminated four capacitor elements and a first conductive pattern 51A of the printed board 50, a board connecting spacer 62 is provided including a spacer main body 62A made of a copper (Cu).例文帳に追加

積層される4つのコンデンサ素子の第1層をなす第1コンデンサ素子の陽極部11の端部11Bとプリント基板50の第1の導電パターン51Aとの間には、銅(Cu)からなるスペーサ本体62Aを有する基板接続用スペーサ62が設けられている。 - 特許庁

The light shielding film has a composition consisting of 2-14% Nb and the balance Ni with inevitable impurities or further containing 1-30%, in total, of Cu and/or V if necessary.例文帳に追加

Nb:2〜14%を含有し、さらに必要に応じてCuおよびVの内の1種または2種を合計で1〜30%含有し、残りがNiおよび不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリックスを形成するための遮光膜およびその遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The halogen X is at least one member selected from the group consisting of F, Cl, Br, and I, and the element L is at least one member selected from the group consisting of Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Ag, and Au.例文帳に追加

ハロゲン元素Xは、F、Cl、BrおよびIからなる群より選択される少なくとも1種であり、元素Lは、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、AgおよびAuからなる群より選択される少なくとも1種である。 - 特許庁

In this plated copper alloy material, a Ni layer 2 is formed on a surface of a copper alloy base material 1, and a Ni/Sn-containing alloy layer 3 formed of a Ni-Sn alloy, a Ni-Cu-Sn alloy or both of them is formed on top of it, and a pure Sn layer 4 is formed on top of it as the outermost layer.例文帳に追加

銅合金基材1の表面にNi層2、その上にNi−Sn合金、Ni−Cu−Sn合金、又はその両者からなるNi,Sn含有合金層3が形成され、その上に最表層として純Sn層4が形成されためっき付き銅合金材。 - 特許庁

The compound A is SrCO_3 and/or SrSO_4, the compound B is an Sr compound which can be changed into an oxide, the compound C is an oxide of La, an oxide of Co, an oxide of Mn, an oxide of Ni, and/or an oxide of Cu, and the compound D is a compound which can be changed into the compound C.例文帳に追加

化合物Aは、SrCO_3および/またはSrSO_4、化合物Bは、酸化物に変化し得るSr化合物、化合物Cは、Laの酸化物、Coの酸化物、Mnの酸化物、Niの酸化物、および/またはCuの酸化物、化合物Dは、化合物Cに変化し得る化合物である。 - 特許庁

The copper alloy plate and strip comprise a copper alloy which contains 1.6-2.4 mass% Fe and the remainder an alloy containing90 mass% Cu, wherein the electric conductivity is 20-50% IACS, the Vickers hardness under a load of 4.9 N isHv 100 and the thickness of an oxidized layer is ≤0.1 μm.例文帳に追加

Fe:1.6〜2.4%(質量%、以下同じ)を含有し、残部が90%以上のCuを含む銅合金からなり、導電率が20〜50%IACS、4.9N荷重のビッカース硬さがHv100以上、酸化層の厚さが0.1μm以下である銅合金板・条。 - 特許庁

The ink is in the form of a solution where an organometallic compound containing at least one transition metal selected from Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu and an organometallic compound containing at least one noble metal selected from Pd, Pt, Rh, Ir, Ru and Os are included in water or an organic solvent as the main solvent.例文帳に追加

水或いは有機溶剤を主溶媒として、Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cuから選択される少なくとも一種の遷移金属を含む有機遷移金属化合物と、Pd,Pt,Rh,Ir,Ru,Osから選択される少なくとも一種の貴金属を含む有機貴金属化合物とを含む溶液とする。 - 特許庁

In the optical recording medium having a lower heat-resistant protective layer 2, optical recording layer 3, upper heat-resistant protective layer 4 and reflective heat radiation layer 5 successively laminated on a substrate 1, the heat-resistant protective layer consists of Ag and/or Cu, In and/or Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板1上に、下部耐熱保護層2、光記録層3、上部耐熱保護層4及び反射放熱層5を順次積層した光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ag及び/又はCuと、In及び/又はAlと、O(酸素)とからなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

By mass, 10 to 100 ppm Al is added to a copper alloy comprising 1.0 to 4.5% Ni and 0.2 to 1.0% Si, and the concentration of Al in the surface is controlled to 0.01 to 0.5%, thus a Cu-Ni-Si-based alloy excellent in plating adhesion can be obtained.例文帳に追加

1.0〜4.5質量%のNiおよび0.2〜1.0質量%のSiを含有する銅合金に10〜100質量ppmのAlを添加し、表面のAl濃度を0.01〜0.5質量%に調整することにより、めっき密着性に優れたCu−Ni−Si系合金が得られる。 - 特許庁

A melt of a Cu-based alloy for casting containing, by mass, 3 to 20% Ag, 0.5 to 1.5% Cr and 0.05 to 0.5% Zr is rapidly solidified and molded by casting and is subjected to precipitation aging treatment at 450 to 500°C to precipitation-strengthen the same.例文帳に追加

3〜20%(質量%、以下同じ)のAgと、0.5〜1.5%ののCrと、0.05〜0.5%のZrとを含む鋳造用Cu基合金の溶融物を鋳造により急冷凝固させて成形し、450〜500℃で析出時効処理を施して析出強化させる。 - 特許庁

The Al-Si based powder alloy material is obtained by subjecting powder produced by a well-known method such as gas atomizing, and having a composition containing, by mass, 15 to 50% Si, 0 to 0.5% Mg, 0 to 0.5% Cu and 0 to 0.3% Fe, and the balance substantially Al to compacting.例文帳に追加

ガスアトマイズ等の公知の方法で製造されたSi:15〜50質量%、Mg:0〜0.5質量%、Cu:0〜0.5質量%、Fe:0〜0.3質量%であり、残部が実質的にAlからなる粉末を固化成形して得られるAl−Si系粉末合金材料に係る。 - 特許庁

To provide a brazing sheet excellent in formability as well as brazability (erosion resistance) in the brazing sheet for heat exchanger in which an Al-Si-Mg brazing filler metal is used for a shell material, an Al-Mn alloy or the alloy added with one kind or more among Mg, Cu, Ti, Si is used for a core material and these are cladded.例文帳に追加

Al−Si−Mg系ろう材を皮材とし、Al−Mn系合金もしくはこれにMg,Cu,Ti,Siの1種以上を添加した系の合金を芯材としてクラッドしてなる熱交換器用ブレージングシートにおいて、成形性とろう付け性(耐エロージョン性)とがともに優れたものを提供する。 - 特許庁

In each counter circuit CU, starts and stops of counting actions on S clocks CK_1-CK_s are sequentially propagated, so that in the process of the counting action on the clock CK_n, the counting actions on the clocks CK_1-CK_n-1, CK_n+1-CK_s are stopped.例文帳に追加

各カウンタ回路CU内において、S個のクロックCK_1〜CK_sによるカウント動作の起動および停止を順次伝播させることで、クロックCK_nによるカウント動作が行われている時は、クロックCK_1〜CK_1−n、CK_1+n〜CK_sによるカウント動作を停止させる。 - 特許庁

To provide a data displaying method for displaying, in a visually easy-to-understand manner, the position of a specific peak top of bound energy of a photoelectron peak (such as Cu 2p3/2 photoelectron peak) and the position of a specific peak top of kinetic energy of an Auger transition peak (such as a CuLMM Auger transition peak).例文帳に追加

光電子ピーク(例えば、Cu 2p3/2光電子ピーク)の束縛エネルギーの特定のピークトップ位置とオージェ遷移ピーク(例えば、CuLMMオージェ遷移ピーク)の運動エネルギーの特定のピークトップ位置を視覚的に理解しやすく表示するデータ表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for forming a Cu based wiring film of which the resistance is reduced, the adhesion to a glass substrate and an Si layer is successful, and which has Si diffusion barrier nature in a process temperature range of a wiring film of a flat panel display device or the like.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やSi層への密着性が良好で、かつSi拡散バリア性を有するCu系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In loading a long Cu foil 50 plate material wound around a winding core 51 on an air chuck 11, the front edge of a stopper bolt 122 is projected from a surface at the side facing a flange 13 on a clamping 12, resulting in a clearance d1 being present between the clamping 12 and the flange 13.例文帳に追加

巻芯51に対し巻回された長尺状のCu箔50板体をエアチャック11に装填する際には、クランピング12のフランジ13と対向する側の面からはストッパボルト122の先端が突出しており、これによりクランピング12とフランジ13との間には、隙間d1が存在する。 - 特許庁

The aluminum cast alloy comprises, by mass, ≤0.2% Mg, 0.05 to 0.3% Ti, 10 to 21% Si, 2 to 3.5% Cu, 0.1 to 0.7% Fe, 1 to 3% Ni and 0.001 to 0.02% P, and the balance Al with impurities.例文帳に追加

Mg:0.2mass%以下、Ti:0.05〜0.3mass%、Si:10〜21mass%、Cu:2〜3.5mass%、Fe:0.1〜0.7mass%、Ni:1〜3mass%、P:0.001〜0.02mass%を含有し、残部Alおよび不純物からなるアルミニウム鋳造合金よりなる。 - 特許庁

Further, the Al-Fe based intermetallic compound 1 is either one kind or two or more kinds of Al3Fe, Al6Fe, Al-Fe-X based (X is either one kind or two or more kinds of Ni, Si, Cu, Be, Ce, Co, Mn, Nd, La) intermetallic compounds.例文帳に追加

また、前記Al−Fe系金属間化合物は、Al_3Fe、Al_6Fe、Al−Fe−X系(XはNi、Si、Cu、Be、Ce、Co、Mn、Nd、Laのうちのいずれかの1種又は2種以上)金属間化合物のうちのいずれか1種又は2種以上である。 - 特許庁

The alloy steel powder for the iron-based sintered, heat-treated material is prepared by coating the surface of a pre-alloyed steel powder comprising 0.5-2.0 mass% Mo, preferably more than 1.0 mass% to 2.0 mass% Mo, and the balance being Fe and unavoidable impurities with 0.1-0.8 mass% Cu.例文帳に追加

Mo:0.5 〜2.0mass%、好ましくはMo:1.0 mass% 超〜2.0mass%を含有し残部Feおよび不可避的不純物からなる予合金鋼粉表面に、Cu:0.1 〜0.8mass%を配合した鉄系焼結熱処理材料用合金鋼粉である。 - 特許庁

The copper alloy for a terminal and a connector has a composition containing, by mass, 0.8 to 1.5% Ni, 0.5 to 2.0% Sn, 0.015 to 5.0% Zn and 0.005 to 0.1% P, and the balance Cu with inevitable impurities, and the area ratio of precipitates is5%.例文帳に追加

Ni:0.8〜1.5質量%、Sn:0.5〜2.0質量%、Zn:0.015%〜5.0質量%以下、P:0.005%〜0.1質量%を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、析出物の面積率が5%以下である端子・コネクタ用銅合金。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたCu配線層3上の所定位置に、CVD法又はALD法によりバリアメタル層5を形成する工程と、前記バリアメタル層5を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にAl層6を形成する工程を備える。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Sn-P copper alloy sheet which can meet the recent demand for higher efficiency and higher speed in a press forming process for manufacturing connection parts such as automotive terminal-connector and has a satisfactory strength-ductility balance and also has excellent stress relaxation resistance and electric conductivity.例文帳に追加

前記高効率化、高速化した自動車用端子・コネクタなどの接続部品を製造するプレス成形工程に対応し、強度−延性バランスに優れ、同時に、耐応力緩和特性と導電率にも優れさせるCu−Ni−Sn−P系の銅合金板を提供することを目的とする。 - 特許庁

The aqueous surface preparation agent contains (A) at least one kind of chitosans selected from chitosan and chitosan derivatives, and (B) a metallic compound containing at least one kind of elements selected from Ti, Zr, Hf, Mo, W, Se, Ce, Fe, Cu, Zn, V and trivalent Cr.例文帳に追加

キトサンおよびキトサン誘導体から選ばれる少なくとも1種のキトサン類(A)と、Ti、Zr、Hf、Mo、W、Se、Ce、Fe、Cu、Zn、Vおよび3価Crから選ばれる少なくとも1種の金属を含む金属化合物(B)とを含有することを特徴とする水性下地処理剤。 - 特許庁

By flowing such a comparatively large current, concentration of a welding current takes place successively on projections of small contact resistance among a plurality of projections, melting metallic plating layers (Ag and Cu plating layers) at the tip end contact part of the projections and exposing the base metal (Fe plate).例文帳に追加

このような比較的大電流を流すことにより、複数の突起部のうち、接触抵抗の小さい突起に順次、溶接電流の集中が起こり、突起部の先端接触部の金属めっき被覆層(Agめっき層とCuめっき層)が溶融して金属母材(Fe板)が露出する。 - 特許庁

A negative electrode active material for the aqueous lithium ion secondary battery uses an aqueous electrolyte made of a compound represented by general formula (I): M^1S_2 (I) (where M^1 represents an element selected from at least one kind from a group consisting of Fe, Mn, Ni, Cu, Co, Nb, Mo, Ti and V).例文帳に追加

負極活物質が、一般式(I):M^1S_2(I)(式中、M^1は、Fe、Mn、Ni、Cu、Co、Nb、Mo、TiおよびVからなる群の少なくとも1種類から選ばれる元素を表す。)で表される化合物からなることを特徴とする水系電解質を用いる水系リチウムイオン二次電池。 - 特許庁

The aluminum alloy for conduction has a composition comprising at least one kind of element selected from Cu and Mg in the ratio of 0.3 to 10.0 wt.%, Zr in the ratio of 0.01 to 1.0 wt.% and/or Si in the ratio of 0.02 to 2.0 wt.%, and the balance Al as the main component with inevitable impurities.例文帳に追加

本発明に係る導電用アルミニウム合金は、 Cu,Mgから選択される少なくとも1種の元素を0.3〜10.0重量%、 Zrを0.01〜1.0重量%及び/又はSiを0.02〜2.0重量%の割合で含有し、 残部が主成分であるAlと不可避不純物、で構成されるものである。 - 特許庁

In the formula, Ln1 is one or both of La and Sm, Ln2 is one or both of Ba and Ca, A is one or both of Fe and Cu, 0.5<x1.0, 0<y<1.0, and -0.5≤d≤0.5.例文帳に追加

Ln1_1-xLn2_xA_1-yCo_yO_3+d ……(1) 但し、Ln1はLa又はSmのいずれか一方又は双方の元素であり、Ln2はBa又はCaのいずれか一方又は双方の元素であり、AはFe又はCuのいずれか一方又は双方の元素であり、0.5<x<1.0であり、0<y<1.0であり、−0.5≦d≦0.5である。 - 特許庁

This member is obtained by integrating, by solid phase welding through a Cu plating layer, a metallic body 12 using Ti as an insert 13 in a recess at the tip end in the center, wherein the Ti as the metallic body 12 is usable for precision machining, having a larger coefficient of thermal expansion than the titanium/aluminum intermetallic compound constituting the base body 11.例文帳に追加

中央先端の凹部に、精密加工が可能で、且つ、熱膨張率が基体11を構成するチタンアルミ金属間化合物よりも大きい金属体12としてのTiをインサート13としてCuメッキ層を介して固相結合によって一体化したものである。 - 特許庁

This method for producing the highly pure pentaalkoxytantalum which has Al, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Na, Ni, Pb, Zn, Th and U contents of <50 ppb, respectively, and a chlorine content of <1 ppm comprises distilling crude pentaalkoxytantalum by the use of a distilling column.例文帳に追加

ペンタアルコキシタンタル粗液を蒸留塔を用いて蒸留する、Al、Ca、Cd、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Zn、ThおよびUの含有量が各々50ppb未満であり、かつ塩素元素の含有量が1ppm未満である高純度ペンタアルコキシタンタルの製造方法。 - 特許庁

To produce a lithium titanium complex oxide, where the inequality: Ia>Ib>Ic is effected in an X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα beam sources, wherein Ia is the peak intensity of the (200) face; Ic is the peak intensity of the (004) face; and Ib is the peak intensity of the (31-3) face.例文帳に追加

Cu−Kα線源を用いたX線回折スペクトルにおいて、(200)面のピーク強度Ia、(004)面のピーク強度Ic、及び、(31−3)面のピーク強度Ibの間に、Ia>Ib>Icとなる関係が成立する、リチウムチタン複合酸化物を製造する。 - 特許庁

To provide a plated Cu rectangular conductive body for a flexible flat cable (FFC) which has excellent corrosion resistance and insertion/drawing durability even when the rectangular conductive body of tin or tin alloy plated copper or copper alloy is heat-treated and capable of suppressing generating whisker after connector engagement, wherein the maximum length of the generated whisker is controlled to50 μm.例文帳に追加

純錫めっき或いは錫合金めっきが施された銅又は銅合金の平角導体を熱処理しても、耐食性並びに挿抜耐久性に優れると共に、コネクタ嵌合した後もウイスカーの発生を抑制したFFC用のめっきCu平角導体を提供することにある。 - 特許庁

Preferably, the powder contains Zn by 15-35 mol% in terms of ZnO and one, two, or more kinds of elements selected out of Ni, Mn, Cu, Mg, and Co by 15-50 mol% in total in terms of NiO, MnO, CuO, MgO and CoO.例文帳に追加

また、前記フェライト粉がZnO換算で15〜35mol%のZnを含有し、さらにはNi、Mn、Cu、Mg及びCoの内から選ばれる1種又は2種以上を含有し、NiO,MnO、CuO、MgO、CoOに換算した合計量が15〜50mol%であることが好ましい。 - 特許庁

In the method of manufacturing this compressor swash plate, thermal spraying powder of the Cu-based-MnS is spread to the base material 81 by the HVOF spraying method, and the sliding layer 82 structuring at least the sliding surface 8a for allowing the shoe 21 to slide thereon is formed on the base material 81.例文帳に追加

また、本発明の圧縮機用斜板の製造方法は、Cu系−MnSからなる溶射粉末をHVOF溶射法により基材81に溶射し、シュー21が摺動する摺動面8aを少なくとも構成する摺動層82を基材81上に形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate whose recesses, such as wiring grooves, via-holes and contact holes are filled with metals such as Al, Cu, Ag, etc., which are used for wirings and which are unevenness on its surface, a metal thin film 3 made of metal which is more difficult to be CPM-polished than the metal for wirings is formed as a sacrificial layer 4.例文帳に追加

配線溝、ビアホール、コンタクトホールの凹部に配線に利用する金属であるAl、Cu、またはAg等を埋め込んだ後の凹凸を有する半導体基板上に、犠牲層として該配線金属よりもCMP研磨されにくい金属からなる金属薄膜を形成する。 - 特許庁

A semi-intermediate layer 32 consisting of an oxide, a nitride and/or a carbide and an intermediate layer 33 consisting of at least one of Si, B, Al, Ti, Cr, V, Ni, Cu, Fe, Co, Gd, Sm, and Nd are provided from the side of the substrate 31 between the substrate 31 and the magnetic layer 34.例文帳に追加

基板31と磁性層34との間に、基板31側から酸化物、窒化物および/または炭化物からなる準中間層32と、Si、B、Al、Ti、Cr、V、Ni、Cu、Fe、Co、Gd、SmおよびNdのうちの少なくとも1つからなる中間層33を設ける。 - 特許庁

On the surface of the substrate 11 provided with the alloy layer 17, a washing liquid which dissolves Mn selectively to Cu is supplied and dissolves the Mn in the alloy layer 17 which does not contribute to forming of the self-forming barrier film into the washing liquid to remove selectively.例文帳に追加

次いで、合金層17が設けられた状態の基板11の表面に、Cuに対してMnを選択的に溶解する洗浄液を供給し、自己形成バリア膜の形成に寄与しない合金層17中のMnを、洗浄液に溶解させて選択的に除去する。 - 特許庁

The photosensitice conductor paste comprises (A) an electrically conductive metal such as Cu or Ag, (B) an inorganic additive component such as borosilicate glass, (C) a photosensitive organic component containing an organic binder having a carboxyl group and (D) a polyhydric alcohol having plural alcoholic hydroxyl groups such as glucitol.例文帳に追加

(A)CuやAg等の導電性金属成分、(B)ホウ珪酸ガラス等の無機添加成分、(C)カルボキシル基を有した有機バインダを含む感光性有機成分、および、(D)グルシトール等のように複数のアルコール性水酸基を有した多価アルコール、からなる感光性導体ペースト。 - 特許庁

Sufficient breaking performance can be provided by containing Cr and either of Cu and Ag; a chopping current can be reduced by a sublimation phenomenon of the carbide in current cutoff; arc drive is facilitated; and excellent breaking performance can be exerted.例文帳に追加

CrとCuまたはAgのいずれか一方を含むことにより、十分な遮断性能が得られ、また、電流遮断時における炭化物の昇華現象によって裁断電流を小さくするとともに、アーク駆動を促進し、優れた遮断性能を発揮することができる。 - 特許庁

No contact is provided on the Pt film 35 constituting an upper electrode 35a, which is connected with an upper layer wire (Cu wire 42), the conductor film 37 for connection, a dummy lower electrode 33b, a dummy cell plug 30 and the local wire 21b.例文帳に追加

上部電極35aを構成するPt膜35の上にコンタクトが設けられておらず、接続用導体膜37,ダミー下部電極33b,ダミーセルプラグ30及び局所配線21bによって上部電極35aが上層配線(Cu配線42)に接続されている。 - 特許庁

例文

To provide a ferritic stainless steel which is excellent in any of oxidation resistance (including resistance to oxidation with water vapor), thermal fatigue characteristic and high-temperature fatigue characteristic by preventing the deterioration of the oxidation resistance due to the addition of Cu without adding expensive elements such as Mo and W.例文帳に追加

MoやW等の高価な元素を添加することなく、かつ、Cu添加による耐酸化性の低下を防止することによって、耐酸化性(耐水蒸気酸化性を含む)、熱疲労特性および高温疲労特性のいずれにも優れるフェライト系ステンレス鋼を提供する。 - 特許庁




  
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