「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of pyrolytically treating a waste wood contained in building waste, a sulfur-containing substance is supplied along with the CCA woody waste in which Cr, Cu and As are injected to pyrolytically treat the woody waste.例文帳に追加

建設廃棄物に含まれる廃木材を熱分解処理する方法において、Ｃｒ，ＣｕおよびＡｓが注入されたＣＣＡ木材系廃棄物とともに、硫黄含有物質を供給して熱分解することを特徴とする廃木材の熱分解処理方法。 - 特許庁

The non-leaded solder is composed essentially of Sn, and the balance composition includes 0.3 to 1.0 mass % Cu, 0.001 to 0.100 mass % Ga, 0.001 to 0.010 mass % P, 0.01 to 1.00 mass % Ag, and 0.001 to 0.010 mass % Ni.例文帳に追加

Ｓｎを主成分とし、残余の組成にＣｕ ０．３〜１．０質量％，Ｇａ ０．００１〜０．１００質量％，Ｐ ０．００１〜０．０１０質量％，Ａｇ ０．０１〜１．００質量％，Ｎｉ ０．００１〜０．０１０質量％，を含むようにして、無鉛はんだを構成する。 - 特許庁

An uppermost layer of an electrode pad whereto a bump and a plating film are to be applied is formed of a metal of large ionization tendency, especially Al, and an uppermost layer of an electrode pad whereto a bump and a plating film are not to be applied is formed of a metal of small ionization tendency, especially Cu.例文帳に追加

バンプやめっき被膜をつけようとする電極パッドの最上層部をイオン化傾向の大きい金属、特にＡｌで形成し、バンプやめっき被膜をつけようとしない電極パッドの最上層部をイオン化傾向の小さい金属、特にＣｕで形成する。 - 特許庁

To provide a method for heating a steel material with which red-brittleness of the steel material caused by Cu at the hot-rolling time of the steel material can be restrained by improving the heating method without causing a problem like the case of adding Ni or Si.例文帳に追加

鋼材を熱間圧延する際のＣｕに起因する鋼材の赤熱脆性の発生を、ＮｉやＳｉの添加による場合のような問題を生じることなく、加熱方法を工夫することにより抑制できる鋼材の加熱方法を提供すること。 - 特許庁

The electrophotographic toner is produced by mixing a toner containing a Cu phthalocyanine compound as a colorant with a toner containing a Si phthalocyanine compound, in which the mixing ratio of the toner containing the Si phthalocyanine compound to the whole toner by mass is 0.1 to 12 mass%.例文帳に追加

着色剤としてＣｕフタロシアニン化合物を含有させたトナーに、Ｓｉフタロシアニン化合物を含有させたトナーを混合し、全トナーに質量に対するＳｉフタロシアニン化合物を含有するトナーの混合比率が、０．１〜１２質量％である電子写真用トナー。 - 特許庁

The flexible flat cable has an alloy layer 11 of Cu_3Sn_1 (a copper-tin system) on a base material 10 of Cu (copper), as well as a conductor with an alloy layer 12 of Cu_6Sn_5 (a copper-tin system) formed on the above alloy layer 11.例文帳に追加

本発明のフレキシブルフラットケーブルは、Ｃｕ（銅）の基材１０上にＣｕ_３Ｓｎ_１（銅−錫系）の合金層１１が形成されているとともに、当該合金層１１上にＣｕ_６Ｓｎ_５（銅−錫系）の合金層１２が形成されている導体を有する。 - 特許庁

A wiring board is one constituted into a structure, wherein a base layer 5 consisting of an epoxy resin is formed on the surface of an about 0.8-mm thick BT board 3 consisting of a bismaleimide triazine(BT) resin containing a glass fiber and moreover, Cu wirings 7 are formed on the layer 5.例文帳に追加

配線基板１は、ガラス繊維を含むビスマレイミド・トリジアン（ＢＴ）樹脂からなる厚さ約０．８ｍｍのＢＴ基板３の表面上に、エポキシ樹脂からなる下地層５が形成され、更に下地層５の上にＣｕ配線７が形成されたものである。 - 特許庁

To provide a sheet material of a Cu-Ni-Si copper alloy, which has little anisotropy and excellent bendability while keeping such a high strength as a tensile strength of 700 MPa or more, and also has excellent stress relaxation resistance, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

引張強さ７００ＭＰａ以上の高強度を保持しつつ、異方性が少なく且つ優れた曲げ加工性を有するとともに、優れた耐応力緩和特性を有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, the rough film 110 which is released from the base material, is stored in a vacuum chamber, the metallic film is formed on the roughened surface by a Cr sputtering process (122) and a Cu sputtering process (123) in that order, and further, copper is plated on the metallic film to obtain the metal-coated substrate 130.例文帳に追加

次に基材から剥がした粗化フィルムを真空チャンバ内に収容して、Ｃｒスパッタ（１２２）、Ｃｕスパッタ（１２３）を順にすることにより粗化面上に金属薄膜を形成し、更にその上にＣｕメッキすることにより金属被覆基板１３０を得る。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities and includes as additive elements: titanium (Ti); a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、チタン（Ｔｉ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属を含んでいる。 - 特許庁

The Al-Si brazing material contains Cu: 5-40 wt.%, Zn: 0.5-20 wt.%, Si: 2.7-5.2 wt.%, and a residual Al, and a not more than 1.5 wt.% element inevitable to entrain, and provided with a melting point not higher than 580°C.例文帳に追加

本発明のＡｌ−Ｓｉ系ろう材は、Ｃｕ：５〜４０ｗｔ％、Ｚｎ：０．５〜２．５ｗｔ％、Ｓｉ：２．７〜５．２ｗｔ％、及び残部Ａｌ及び１．５ｗｔ％以下の混入不可避的元素を含有し、且つ５８０℃以下の融点を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The honeycomb-shaped methanol reforming catalyst is manufactured by kneading a catalyst powder containing at least Cu and Zn, an inorganic binder, an organic binder and water and subjecting the resulting kneaded mixture to extrusion molding before baking the same at 200-400°C.例文帳に追加

少なくともＣｕ及びＺｎを含む触媒粉末と、無機バインダー，有機バインダーおよび水とを混練し、押し出し成形を行い、さらに２００℃以上４００℃以下の温度範囲で焼成して得られることを特徴とするハニカム型メタノール改質触媒の製造方法。 - 特許庁

This method for producing a polyurethane elastic fiber, characterized by dry-spinning a polyurethane solution containing the hinokitiol and a metal oxide and/or a composite metal oxide containing at least one element selected from Zn, Si, Cu, Ni, Fe, Al and Mg.例文帳に追加

ヒノキチオールと、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ａｌ及びＭｇから選ばれた少なくとも一種の元素を含む金属酸化物および／又は複合金属酸化物とを含有するポリウレタン溶液を乾式紡糸することを特徴とするポリウレタン弾性繊維の製造方法。 - 特許庁

As a practical example of composite films, a binder film 2A of a hexamethyl disiloxane (HMDSO) polymer obtained by polymerizing an HMDSO monomer is formed on a polyimide substrate 1, and a thin metal film 3 of Cu is formed on the binder film 2A.例文帳に追加

複合フィルムの具体例として、ポリイミド基板１上に、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）モノマをプラズマ重合させたＨＭＤＳＯポリマからなるバインダ膜２Ａが形成され、このバインダ膜２Ａ上に、Ｃｕからなる金属薄膜３を形成したものが挙げられる。 - 特許庁

A fuel electrode material solid mixture comprising a starting material containing at least nickel (Ni) and copper (Cu) and the electrolyte is dispersed in a solvent and formed in slurry, and the slurry is applied to a porous supporting substrate or the electrolyte 1 and baked.例文帳に追加

少なくともニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）を含む出発原料および電解質からなる燃料極材料固体混合物を溶剤に分散させて、スラリー化させ、金属あるいはセラミックスからなる多孔質支持基体あるいは電解質１上に塗付し、焼成する。 - 特許庁

The solder hierarchy is used to Sn/Ag and Sn/Cu non-eutectic solder alloy having high liquidus temperature for mutually joining of the solder with the C4 technique at the first level and used to an alloy having low liquidus temperature for mutually joining the second level.例文帳に追加

はんだ階層は、第１レベルのＣ４はんだ相互接続のために、高い液相線温度を有するＳｎ／ＡｇおよびＳｎ／Ｃｕの非共晶はんだ合金を使用し、第２レベルの相互接続のために、低い液相線温度を有する合金を使用する。 - 特許庁

By allowing a reformed gas 8 of hydrocarbon fuel with addition of oxygen or air to flow in the gas passage 16 and bringing into contact with the Cu-based CO selective oxidation catalyst 17, CO in the reformed gas 9 is selectively oxidized to reduce the CO concentration.例文帳に追加

炭化水素系燃料の改質ガス８を、酸素又は空気を添加した状態でガス流路１６に流してＣｕ系ＣＯ選択酸化触媒１７と接触させることで、改質ガス９中のＣＯを選択的に酸化させてＣＯ濃度を低減させる。 - 特許庁

This tire is formed using a complex made of rubber composition having bismaleimide or further trans-polybutadiene, and of a steel cord formed by twisting steel filaments containing a specific amount of Cu, Co, and Ni in a brass plating in a distribution in the specific depth direction.例文帳に追加

ビスマレイミドまたはさらにトランスポリブタジエンを配合したゴム組成物と、特定量のＣｕ、Ｃｏ、Ｎｉを特定の深さ方向の分布でブラスめっき中に含むスチールフィラメントを撚り合わせてなるスチールコードとからなる複合体を使用して、タイヤを構成する。 - 特許庁

The copper plated layer is used as the antenna 101, and an Ag, Pd and Cu alloy is used for its seed layer 107 and TiN or Ti is used for its barrier layer 116.例文帳に追加

アンテナ１０１と集積回路１００が一体形成された半導体装置において、アンテナ１０１として銅めっき層を用いるとともに、そのシード層１０７としてＡｇ、Ｐｄ及びＣｕの合金を用い、バリア層１１６としてＴｉＮ又はＴｉを用いるものである。 - 特許庁

This antistatic agent comprises a composite material which comprises a long chain alkyl quaternary ammonium compound and a silica wall honeycomb-network surrounding the quaternary ammonium compound and has an X-ray diffraction peak at a diffraction angle of 2.2 to 4.4° (Cu-α).例文帳に追加

長鎖アルキル第４級アンモニウム化合物とこの第４級アンモニウム化合物を囲むシリカ壁のハニカム状ネットワークとから成り且つ回折角２．２乃至４．４゜（Ｃｕ−α）にＸ線回折ピークを有する複合体から成ることを特徴とする帯電防止剤。 - 特許庁

The Cu-Ni-Mn alloy has a composition containing, by weight, 15 to 25% nickel, 15 to 25% manganese and 0.001 to 1.0% crushed chiplike additives, and the balance copper with ordinary impurities.例文帳に追加

この課題は、本発明によれば、１５%ないし２５%のニッケルと、１５%ないし２５%のマンガンと、０．００１%ないし１．０%の破砕チップ状添加物と、残りは銅および通常の不純物から成るＣｕ−Ｎｉ−Ｍｎ合金によって解決される（パーセント記載は重量に関わる）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer having excellent GOI characteristics, and a method for evaluating the silicon epitaxial wafer by performing qualitative/quantitative analysis of Cu contained in the silicon epitaxial wafer with high sensitivity.例文帳に追加

優れたＧＯＩ特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すると共に、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるＣｕの定性・定量分析を高感度に行うためのシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を提供する。 - 特許庁

To generate Germane (GeH_4) by electrolysis of aqueous electrolyte solutions containing GeO_2, hydroxide and water with metal alloy electrodes, such as, copper or tin base alloy electrodes with alloying elements such as Sn, Pb, Zn, Cu, etc.例文帳に追加

本発明では、ＧｅＯ_２、水酸化物及び水を含有する電解水溶液を、金属合金電極、例えばＳｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｃｕ等の元素と合金化した銅基合金電極又はスズ基合金電極を用いて電解して、ゲルマン（ＧｅＨ_４）を生成させる。 - 特許庁

As the photosensitization dyes, central metal is to be a metal atom selected from Cu, Zn and Ru, and a specific tetraazaporphyrin complex having at least one carboxy group is used to joint to an inorganic semiconductor through the carboxy group of the tetraazaporphyrin complex.例文帳に追加

光増感色素として、中心金属をＣｕ、Ｚｎ、Ｒｕから選択される１つの金属原子とし、少なくとも１個のカルボキシ基を有する特定のテトラアザポルフィリン錯体を使用して、テトラアザポルフィリン錯体のカルボキシ基を介して無機半導体に結合させる。 - 特許庁

As electrode material, W-based electrode material such as W-Ag, W-Cu and W-Au is formed in through-holes 2, so that a board material, having W-based electrodes 3 which is dense and superior in thermal resistance and has small working step-difference to a board, is obtained.例文帳に追加

電極材としてＷ−Ａｇ,Ｗ−Ｃｕ,Ｗ−ＡｕなどのＷ系電極材をスルーホール２に形成することにより、緻密で基板１との加工段差の小さい耐熱性にすぐれたＷ系電極３を有する基板材料を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an electric resistance measurement pattern which is suitable for specifying places where a film thickness is thinned in a wiring of a Cu wiring or the like, for example, by a CMP treatment without increasing any chip size, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

チップサイズを増大させることなく、Ｃｕ配線等の配線における例えばＣＭＰ処理による膜厚の薄膜化が起こった箇所を特定するのに好適な電気抵抗測定パターンを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This member is provided with a steel base material 1 having a surface hardened layer 2 and a facial pressure reducing layer 3 of soft metal such an Sn and an Sn-Cu alloy formed on the surface hardened layer 2 and whose hardness is lower than that of the surface by ≥150 Hv.例文帳に追加

表面硬化層２を有する鋼製母材１と、前記表面硬化層２の上に形成され、その表面硬度に対して硬度がＨｖ１５０以上低いＳｎ、Ｓｎ−Ｃｕ合金等の軟質金属からなる面圧低減層３とを備える。 - 特許庁

When forming a film of rare earth elements on a metal base 1 by using an electron beam deposition device 30, an insert crucible 37 is first put inside a recess formed on the upper part of a water cooled hearth 33 made of Cu, and a material 38 is put in the crucible 37.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置３０を用いて金属基材１に希土類金属膜を成膜するに際して、まず、Ｃｕからなる水冷ハース３３の上部に形成された凹部にインサート坩堝３７を嵌め込み、インサート坩堝３７に原料３８を収容する。 - 特許庁

The aluminum alloy member has a composition containing, by weight, 3.0 to 4.2% Si, 0.4 to 0.6% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.5%, in total, of Zn, Mn, Ni, Sn and Cr and being free from Cu as an essential additive element.例文帳に追加

アルミニウム合金部材の組成として、Ｓｉ：３．０〜４．２ｗｔ％、Ｍｇ：０．４〜０．６ｗｔ％を含有し、Ｆｅ：０．２ｗｔ％以下、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｒの合計量：０．５ｗｔ％以下とされ、かつ、必須添加元素としてＣｕを含有しないものを採用する。 - 特許庁

At a cap, the outer peripheral metallic part 11 of a base 10 and the exposed parts of an inner lead 14 and an outer lead 15, a Cu-plated layer is respectively formed, an Ni-plated layer is next formed and it is heated to solid-phase-diffuse CuNi to form a CuNi alloy layer 3.例文帳に追加

キャップ並びにベース１０の外周金属部１１及びインナーリード１４、アウターリード１５の露出部にそれぞれＣｕメッキ層を形成し、次にＮｉメッキ層を形成し、加熱してＣｕＮｉを固相拡散させＣｕＮｉ合金層３を形成する。 - 特許庁

The second and third aluminum alloy layers contain 0.3 to 1.3 mass% Si, 0.3 to 1.0 mass% Cu and 0.3 to 1.5 mass% Mn and is regulated in the Mg content to ≤0.2 mass% and the thicknesses thereof are 50 to 100 μm.例文帳に追加

第２及び第３のアルミニウム合金層は、Ｓｉ：０．３乃至１．３質量％、Ｃｕ：０．３乃至１．０質量％及びＭｎ：０．３乃至１．５質量％を含有しＭｇ含有量が０．２質量％以下に規制され、その厚さは５０乃至１００μｍである。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet is produced by hot-rolling at a temperature of 250°C or below, after an Al alloy ingot containing Mg, Cu, Zn and Cr of each suitable content is homogenized at 400-600°C for 1-15 h, and thereafter cold-rolling at a ratio of pressure reduction of 5-20%.例文帳に追加

Ｍｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒをそれぞれ適量含有するＡｌ合金鋳塊を４５０〜６００℃で１〜１５時間均質化処理したのち、２５０℃以下の上がり温度で熱間圧延し、次いで圧下率５〜２０％で冷間圧延するＡｌ合金板の製造方法。 - 特許庁

Polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyether-imide or polyaramide film is preferably used as the polymer film, and a single metal selected from aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au) and silver (Ag) is preferably used as the metal.例文帳に追加

本発明は、高分子フィルム基板上半連続巻き取り式真空蒸着法で金属蒸着層を両面に形成し、高温連続使用及び電子回路での線間の狭ピッチ化を可能にし，又シールド材としては優れたシールド特性を有するものである。 - 特許庁

A copper alloy of such a structure that In and Sn in 0.15-1.0 wt.% in total are added to Cu is subjected to a cold stretching process into a wire diameter of 0.08 mm or less so that an ultra-thin wire 2 is formed, and at least three of such wires 2 are twined to produce a strand.例文帳に追加

Ｃｕに合計で０．１５〜１．０ｗｔ％のＩｎとＳｎを添加した銅合金を素線径０．０８ｍｍ以下に冷間伸線加工してなる極細素線２を形成し、この極細素線２を少なくとも３本以上撚線加工してなるものである。 - 特許庁

A SiCN film 5, and a SiOC film 6, a PAE film 8, and an SiOC film 8 are formed in this order on a substrate of which the surface layer is an interlayer insulation film 2 embedded with first Cu wiring 4, so as to form interlayer insulation films.例文帳に追加

第１Ｃｕ配線４が埋め込み形成された層間絶縁膜２を基板の表面層とし、当該基板上にＳｉＣＮ膜５、ＳｉＯＣ膜６、ＰＡＥ膜８、およびＳｉＯＣ膜８をこの順に成膜してなる層間絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing steel, which can provide a finer ferrite than that by a conventionally controlled rolling/cooling method or a hot forging method, and which can be easily industrially performed because of machining with a low deformation resistance, without needing Cu as an essential element.例文帳に追加

従来の制御圧延−制御冷却法や、従来の熱間鍛造法より微細なフェライトを得ることができ、かつ、低い変形抵抗で加工するため、工業的に容易に行うことができ、Ｃｕの添加を必須としない鋼の製造方法の提供。 - 特許庁

The metal constituting the compound phase is preferably at least one kind of metals selected from Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Fe, Ni, Co, Cu, Al, Mg, Zn, and alloys thereof, stainless steel, permalloys and super heat resistant alloys.例文帳に追加

複合相を構成する金属は、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ及びそれらの合金、ステンレス鋼、パーマロイ及び超耐熱合金から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。 - 特許庁

The rolled copper foil comprises copper (Cu) with inevitable impurities, and includes as additive elements: boron (B) as an additive element; a metal which has a crystal structure other than a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper; and a metal which has a crystal structure of a face-centered cubic structure and is solid-solved in the copper.例文帳に追加

圧延銅箔は、銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物に、添加元素として、硼素（Ｂ）と、面心立方構造以外の結晶構造を有し、銅に固溶する金属と、面心立方構造の結晶構造を有し、銅に固溶する金属とを含んでいる。 - 特許庁

An area, which defines a lower limit straight line L of the inclination to become the lower limit value cL of the segment C and an upper limit straight line U of the inclination to become the upper limit value cU of the block C through certain teacher data Ti as boundaries and is held between both the straight lines L and U, is defined as a valid area A.例文帳に追加

ある教師データＴｉを通り、傾きが区間Ｃの下限値のｃ^L となる下限直線Ｌと、傾きが区間Ｃの上限値ｃ^U となる上限直線Ｕとを境界とし、両直線Ｌ，Ｕに挟まれた領域を有効値域Ａとする。 - 特許庁

Because the potential difference between Al and Ti or Ta is retained around 0.9 V as well as the potential difference between Al-Si-Cu and Ti or Ta is maintained around 1.5 V, the cell reaction between the IC electrode 6 and the mounting electrode 2a is suppressed to prevent corrosion of the electrode.例文帳に追加

ＡｌとＴｉ，Ｔａ間では約０．９Ｖ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕとＴｉ，Ｔａ間では１．５Ｖ程度の電位差を保持していることから、ＩＣ電極６および実装電極２ａ間の電池反応を抑制し、腐食を防止することができる。 - 特許庁

This perylene hybrid pigment is characterized in that an X-ray diffraction pattern of the pigment obtained by including one or more metal atoms has the diffraction peaks at 6.2, 10.1 and 12.2 expressed in terms of 2θ (2θ±0.2) angles in the Cu-Kα characteristic X-ray diffraction.例文帳に追加

１つ以上の金属原子を含有させて得られる顔料のＸ線回折パターンがＣｕ−Ｋα特性Ｘ線回折の２θ（２θ±０．２）角度で少なくとも６．２、１０．１、１２．２、に回折ピークを有することを特徴とするペリレン混成顔料。 - 特許庁

The method is characterized in that, using flexibility of a metallic or metallic alloy porous body containing Ni, Cu, Ti, Al, Ag or W, the porous body is inserted into the gap to strengthen the weld zone in combination with the carrying of a brazing filler metal.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ或いはＷを含む金属或いは合金金属の多孔体の柔性を利用して、該間隙に多孔体を挿入し、且つ挿入される多孔体をしてろう材の担持と併せて接合部を強化せしめることを特徴とする。 - 特許庁

At least one kind of metal selected from Si, Zn, Al, Sn, Cu and Mg is applied on the surface of a glass particle, and a projection of a substrate having the projection is made using a coated particle, of which a part of the glass is exposed on the surface.例文帳に追加

ガラス粒子の表面にＳｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、ＣｕおよびＭｇのうちから選ばれる少なくとも１種の金属を被覆するとともに、前記ガラスの一部が表面に露出してなる被覆粒子を用いて、突起付き基板の突起を作製する。 - 特許庁

A method include: a step (d) of removing the second barrier metal film (Ru film) formed on the first barrier metal on the upper surface of an interlayer dielectric; and a step (e) of depositing a seed copper (Cu) film on the first and second barrier metal film after the step (d).例文帳に追加

層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。 - 特許庁

The press-in face of the metallic ring constituting the airtight terminal for press-in sealing is primary-plated with copper (Cu) in 5-20 μm thickness, and then a lead-free plating having ≥220°C, preferably ≥240°C, melting temperature is formed thereon in 1-5 μm thickness to obtain the airtight terminal for press-in sealing.例文帳に追加

圧入封止用気密端子を構成する金属環の圧入面に５〜２０μｍの銅（Ｃｕ）を下地メッキし、その上に溶融温度が２２０℃以上好ましくは２４０℃以上の鉛フリーメッキを１〜５μｍ施した圧入封止用気密端子とする。 - 特許庁