「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

Chip ID authentication and Cu communication control part authentication, on whether or not game machine chip information and communication control IC information are registered into a host server, are performed, and a game by the game machine is allowed on the basis of results of both of authentication processing.例文帳に追加

遊技機チップ情報および通信制御ＩＣ情報が上位サーバに登録されているか否かのチップＩＤ認証と、ＣＵ通信制御部認証とを行ない、両認証処理の結果に基づいて前記遊技機による遊技を許容する。 - 特許庁

To obtain a dielectric porcelain composition for high frequency capable of approaching contract initiation temperature by lowering contract initiation temperature and suppressing warping and strain even when burned simultaneously with a conductor consisting mainly of Ag and Cu.例文帳に追加

収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of improving the reliability and electrical property of a Cu film accompanied with a barrier metal film and to provide a efficient and easy manufacturing method of the semiconductor device with improved reliability and electrical characteristics.例文帳に追加

バリアメタル膜を伴うＣｕ膜の信頼性や電気的特性などを向上し得るとともに、信頼性や電気的特性などが向上された半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The metal is selected out of W, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb, Hf, V, Cu, Co, Cr, Ni, Mn, Pt, Rh, Ir, Pd and the like while the composition ratio between the metal and germanium or between the metal and germanium-silicon compound is 1:1 to 1:3 in mol ratio.例文帳に追加

前記金属としては、Ｗ、Ｔi、Ｚr、Ｔa、Ｍo、Ｎb、Ｈf、Ｖ、Ｃu、Ｃo、Ｃr、Ｎｉ、Ｍn、Ｐt、Ｒh、Ｉｒ、Ｐdなどから選ばれ、金属とゲルマニウム、あるいは金属とゲルマニウム−シリコン化合物との組成比がモル比で１:１〜１:３の範囲である。 - 特許庁

An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1-3.0 wt.% Mo and comprises 0.1-3.0 wt.% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを０．１〜３．０ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で０．１〜３．０ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。 - 特許庁

Silver oxide is added into the second mixing tank 3 so as to make Cu concentration in the supernatant liquid in the second sedimentation tank 4 ≤0.05 g/l and silver oxide is added into the first mixing tank 1 so as to make pH of the first mixing vessel 1 in a range 4-6.例文帳に追加

第２沈降槽４の上澄液のＣｕ濃度が０.０５ｇ／ｌ以下となるように第２混合槽３に酸化銀を添加し、第１混合槽１のｐＨが４〜６の範囲となるように第１混合槽１に酸化銀を添加する。 - 特許庁

To provide a new high-power Ti-Ni-Cu shape memory alloy which exhibits a higher actuating force, particularly a markedly high actuating force of ≥1 GPa, and can be manufactured by a simple method and also has a stable transformation temperature.例文帳に追加

より大きな発生力、特に１ＧＰａ以上の格段に大きな発生力を示し、しかも簡便な方法によって製造が可能で、変態温度も安定している新しい高強力Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ形状記憶合金を提供する。 - 特許庁

To provide the stripping solution composition superior in anticorrosiveness to the Cu circuit forming substrate at the time of resist stripping by incorporating 2-(2-aminoethoxy)-ethanol, N-methyl-2-pyrrolidone and/or 1,3-dimethyl-n-imidazo-lidinone and a specified compound.例文帳に追加

レジスト剥離性と、Ｃｕ配線基板への防食性に優れ、特に０．２〜０．３μｍ程度以下の極微細なＣｕ配線が形成された基板に対して有用なホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁

In the case of the CPP type magnetic detecting element, a decrease in change (ΔR A) in resistance per unit area is small even if the non-magnetic material layer 24, which is positioned between the fixed magnetic layer 23 and a free magnetic layer 25, is made of a material differing from Cu.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子であるため、前記固定磁性層２３とフリー磁性層２５との間に位置する非磁性材料層２４をＣｕと異なる材質で形成しても、単位面積当たりの抵抗変化（ΔＲ・Ａ）の低下は小さい。 - 特許庁

In this audio and video data recording method, an original stream file and a postrecording data file are managed respectively as different files and also data are constituted as partial data (CU (Continuous Unit) and CA (Continuous Area)) which is divided for every prescribed spacing respectively in the original stream file and the postrecording data file.例文帳に追加

オリジナルストリームファイルとアフレコデータファイルとがそれぞれ別のファイルとして管理されると共に、オリジナルストリームファイルおよびアフレコデータファイルのそれぞれでは、所定の間隔毎に分割された部分データ（ＣＵおよびＣＡ）としてデータが構成される。 - 特許庁

At least one among Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W are preferably incorporated at ≤15% therein and further at least one among Cu, Ag and Au at ≤3% therein.例文帳に追加

合金組成はＦｅをベースとして原子％でＢを１３％以下とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも一つを１５％以下含有させ、更にＣｕ、Ａｇ、Ａｕの少なくとも１種を３％以下含有させると良い。 - 特許庁

In the photoelectric element that has the light-absorbing layer formed of the sulfide system compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn, and S, members other than the light-absorbing layer forming the photoelectric element is formed of a material that does not contain Na.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＳを含む硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、前記光電素子を構成する前記光吸収層以外の部材は、Ｎａを含まない材料からなる光電素子。 - 特許庁

To obtain an insulator ceramic composition capable of being fired at a low temperature of ≤1,000°C, capable of being cosintered with Ag and Cu, excellent in mechanical strength, having a high Q-value, and capable of providing a sintered compact suitable for a high-frequency use.例文帳に追加

１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体磁器組成物を得る。 - 特許庁

As the entire arrangement of a package, filmy elastomer 9 is thermocompression bonded against an LSI chip 1 and a TAB tape (a wiring board 10 of polyimide provided with adhesive 11 and Cu leads 12) is thermocompression bonded against the elastomer 9.例文帳に追加

パッケージの全体構成としては、ＬＳＩチップ１にフィルム状のエラストマ９を熱圧着し、このエラストマ９にＴＡＢテープ（ポリイミドフィルムの配線基板１０に接着剤１１やＣｕリード１２が設けられたもの）を熱圧着したものとする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a damascene wiring structure, which suppresses an increase in leakage current and an reduction in a dielectric constant in a Cu wiring structure due to etching damage to a fluorocarbon film, and which secures reliability.例文帳に追加

ダマシン配線構造を有する半導体装置において、フルオロカーボン膜へのエッチングダメージによるＣｕ配線構造でのリーク電流の増加や誘電率の低下を抑制し、信頼性の担保された半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A wafer W is stored into a chamber 1, a cuprous carbonate complex, e.g., CH_3COOCu and a reducing agent reducing the same are introduced into the chamber 1 in a vapor phase state, and a Cu film is deposited on the wafer W by a CDV process.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

This raw material alloy is desirable to have the compositions composed of 25-35 wt.% R, 0.5-4 wt.% B, 0.02-0.6 wt.% one or two kinds of Al and Cu, 0.5-4 wt.% Co and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

この原料合金は、Ｒ：２５〜３５ｗｔ％、Ｂ：０．５〜４ｗｔ％、Ａｌ及びＣｕの１種又は２種を０．０２〜０．６ｗｔ％、Ｃｏ：０．５〜４ｗｔ％以下、残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる組成を有することが好ましい。 - 特許庁

The layer 3 is formed on the layer 2, contains more than at least one kind of the elements selected from a group consisting of Au, Ag, Cu and Al and has a thickness of 20 μm or thicker to 100 μm or thinner.例文帳に追加

第２の中間接合層３は、第１の中間接合層２上に形成され、かつ、Ａｕ、Ａｇ、ＣｕおよびＡｌからなる群から選択される少なくとも１種以上を含み、２０μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する。 - 特許庁

An electrode material for an electrochemical capacitor contains composite oxide the general formula of which is M_mWO_n (m is either 1 or 2, n is either 4 or 6, and M is at least one kind of material selected from among Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Mg, Ca, Sr, and Bi).例文帳に追加

電気化学キャパシタ用電極材料は、一般式がＭ_mＷＯ_n（ｍは１及び２のいずれかであり、ｎは４及び６のいずれかであり、ＭはＭｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢｉから選ばれた少なくとも一種）である複合酸化物を含んでいる。 - 特許庁

A contact material according to the present invention has a structure where WC particles and a phase including a Cu_2Te phase surrounding around a Cu_3Te_2 phase are dispersed in a base material mainly comprising Cu, and has a relative density of 90% or more of the theoretical density thereof.例文帳に追加

本発明による接点材料は、Ｃｕを主体とした母材中に、ＷＣ粒子と、Ｃｕ_３Ｔｅ_２相の周囲をＣｕ_２Ｔｅ相が囲んだ相とが分散した組織とし、且つ相対密度を理論密度の９０％以上とする。 - 特許庁

The ornament comprises one or a plurality of first phases essentially consisting of Pt and one or a plurality of second phases comprising Cu in the surface, and in the surfaces of both the phases, the arithmetic average surface roughness of the first phase(s) is higher than that of the second phase(s).例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を表面に有し、両相の表面において第１相は第２相よりも算術平均表面粗さが大きいこと。 - 特許庁

The Cu alloy film for a display device is directly contacted with a glass substrate on a board and contains 0.1 to 10.0 atom% in total of one or more elements selected from the group consisting of Ti, Al, and Mg.例文帳に追加

基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing the positive electrode material for the lithium ion battery is to manufacture the positive electrode material expressed by the general formula Li_xA_yPO_4(0.8<x<2, 0<Y<1.5, where, A is one kind selected from Co, Ni, Mn, Fe, Cu, and Cr).例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極材料の製造方法は、一般式Ｌｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４（０．８＜ｘ＜２、０＜Ｙ＜１．５、ただし、ＡはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃｒから選ばれた１種）で表されるリチウムイオン電池用正極材料を製造するものである。 - 特許庁

To provide a glass ceramic which can be sintered at a temperature of 1050°C or lower, can be sintered synchrously with a conductor, the main ingredient of which is Cu or Ag, having high thermal conductivity, high strength, excellent water resistance, low dielectric constant and low dielectric loss.例文帳に追加

１０５０℃以下での焼成が可能で、ＣｕやＡｇを主成分とする導体との同時焼成ができ、高い熱伝導率で、かつ高強度および耐水性に優れ、誘電率および誘電損失の低いガラスセラミックスを提供する。 - 特許庁

The composite electric wire includes the electric wire body W consisting of the center conductive wire AL, and an outer layer conductive wire CU which is extended along the outer peripheral face of this center conductive wire AL in Z direction, and arranged so as to surround this center conductive wire AL.例文帳に追加

複合電線は、中心導線ＡＬとＺ方向にこの中心導線ＡＬの外周面に沿って延長すると共にこの中心導線ＡＬを囲むように配置される外層導線ＣＵとからなる電線本体Ｗを含んでいる。 - 特許庁

It is preferable that the alloy component in the zincate treatment film is composed of at least one or more elements among Cu, Fe, Ni, and Sn and further the average size of crystalline grains of the Zn alloy zincate film formed by zincate treatment is <1 μm.例文帳に追加

好ましくは、ジンケ−ト処理皮膜の合金成分が、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎのうちの少なくとも１種以上であり、さらに、ジンケ−ト処理により形成されるＺｎ合金ジンケート皮膜の結晶粒の平均径が１μｍ未満である。 - 特許庁

The method of manufacturing the toners having a process step of melting and kneading at least a binder resin and multi component metal oxides, such as Fe, Ti, Cu, and Mn, which are black pigments, in which this process step melts and kneads this mixture by using a continuous two-roll kneading machine.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂及び黒色顔料である、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｎ等の複合金属酸化物を溶融混練する工程を有するトナーの製造方法であって、該工程が連続式２本ロール型混練機を用いて溶融混練する。 - 特許庁

A gas outlet 12 is arranged at an in-furnace position in which the temperature profile in a baking furnace is not higher than the thermal decomposition temperature of binder resin, and a formed body containing at least Cu powder and binder resin is fed to the baking furnace by a belt conveyor 9.例文帳に追加

焼成炉内の温度プロファイルがバインダ樹脂の熱分解温度以下である炉内位置にガス排出口１２を配設し、少なくともＣｕ粉末とバインダ樹脂とを含有した成形体をベルトコンベア９で焼成炉に供給する。 - 特許庁

Since an MIM structure capacitor employing a Ta_2O_5 film having a high permittivity can be formed on the Cu-interconnect, a high integration, low cost LSI for mix installment can be realized.例文帳に追加

また、Ｔａ_２Ｏ_５誘電体膜を不活性雰囲気中で後熱処理することにより、下地の酸化を抑制しながらＴａ_２Ｏ_５誘電体膜中の酸素欠損を修復できるため、キャパシタ容量のヒステリシスと電圧による変化を低減することができる。 - 特許庁

The super-extra-fine copper-alloy wire can be obtained by preparing a wire rod where Ag of ≥99.99 mass% purity is added in amounts of 1.0-5.0 mass% to high-purity Cu containing ≤1 mass ppm, in total, of inevitable impurities and subjecting the wire rod to wire drawing to ≤0.08 mm diameter.例文帳に追加

この超極細銅合金線は、不可避不純物の総和が１ ｍａｓｓｐｐｍ以下の高純度Ｃｕに、純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のＡｇを１．０〜５．０ｍａｓｓ％添加した線材を直径０．０８ｍｍ以下に伸線したものである。 - 特許庁

The aluminum plate contains 1×10^7-10^10/cm^3 of an Fe-contained intermetal compound having aluminum impurity of not less than 99.98 mass%, which contains Fe 5-50 ppm and Cu 5-40 ppm, the residual part consisting of an inevitable impurity and has grain size of 0.1-1 μmϕ when converted into a sphere.例文帳に追加

アルミニウム板は、アルミニウム純度が99.98質量%以上でFe5〜50ppm、Cu5〜40ppmを含有するとともに、残部が不可避的不純物からなり、球形に換算したときの粒径が0.1〜1.0μmφのFe含有金属間化合物を1×10^7〜10^10/cm^3の数、含有する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ni-Si based copper alloy sheet which has excellent fatigue resistance and a spring property even if used at high temperature and high oscillation environment for a long time after bending working of a prescribed shape as a raw material as a relay movable piece, a socket terminal or the like of various electric parts.例文帳に追加

各種種電子部品のリレー可動片やソケット端子等の素材として所定形状に曲げ加工後に、長時間に亘り高温及び高振動環境下で使用されても優れた耐疲労特性及びばね特性を有する。 - 特許庁

Preferably, the permanent magnet contains one kind or two or more kinds among 0.2-0.5% of Co, 0.05-0.5% of Nb, 0.01-0.5% of Al, 0.01-0.3% of Ga, 0.01-0.5% of Cu and 0.005-0.05% of P in wt.%.例文帳に追加

好ましくは質量百分率で０．２〜５．０％のＣｏ、０．０５〜０．５％のＮｂ、０．０１〜０．５％のＡｌ、０．０１〜０．３％のＧａ、０．０１〜０．５％のＣｕ、０．００５〜０．０５％のＰのうちの１種又は２種以上を含有する。 - 特許庁

To suppress and prevent the formation of a projecting part formed on the surface of a substrate caused by the impurities contained in water/and the atmosphere used in a cleaning and a drying stages and containing at least one of C, O, Al, Si, Fe, Cu, Zn and Zr.例文帳に追加

洗浄・乾燥工程で使用する水や雰囲気中に含まれる不純物が原因で基板表面上に形成されるＣ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒのうちの少なくとも一種を含む凸部の形成を抑制し、防止する。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide powder having good crystallinity in which the half width of the peak of a specific surface in the powder X-ray diffractometry using Cu-Kα line is 0.20 degree or less, respectively, and the crystallite diameter is not less than 700 Å.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線を用いた粉末Ｘ線回折法における特定の面のピークの半価幅がそれぞれ０．２０度以下であり、かつ結晶子径が７００Å以上である結晶性が良好な酸化マグネシウム粉末を提供する。 - 特許庁

This method of manufacturing a wiring board 1 includes a conductor layer forming step of forming second conductor layers 29 on the surface of a first resin-made insulating layer 7 which is roughened to desired surface roughness, and on which Pd, etc., is deposited by electroless plating and electroplating Cu.例文帳に追加

配線基板１の製造方法は、所望の表面粗さに粗化されＰｄが付着した第１樹脂絶縁層７に、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキにより第２導体層２９を形成する導体層形成工程を備える。 - 特許庁

The spinel lithium manganate desirably has a Fe content of not more than 200 ppm, a specific surface of 0.5-3 m2/g and an average particle diameter of 1-45 μm, and a part of Mn may be substituted by other elements such as Al, Cu, B.例文帳に追加

スピネル型リチウムマンガン酸化物は、そのＦｅ含有量が２００ｐｐｍ以下で、比表面積が０．５〜３ｍ^2 ／ｇで、平均粒子径が１〜４５μｍであることが好ましく、また、Ｍｎの一部がＡｌ、Ｃｕ、Ｂなどの他元素で置換されていてもよい。 - 特許庁

The metal surface treating agent contains an aminated phenolic polymer, and a metallic compound of at least one kind selected from Ti, Zr, Hf, Mo, W, Se, Ce, Fe, Cu, Zn, V and trivalent Cr, and exhibits a pH within the range of 1.5 to 6.0.例文帳に追加

アミノ化フェノール重合体と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｅ、Ｃｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｖ及び３価Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の金属化合物とを含有し、ｐＨが１．５〜６．０の範囲である金属表面処理薬剤である。 - 特許庁

The current lead uses an oxide superconductor of Bi system containing Sr, Ca, and Cu, and not containing Pb, and the ratio of Bi-2212 composition and Bi-2223 composition is 1-X:X (X=0.4-0.8).例文帳に追加

本発明は、Ｓｒ、Ｃａ、およびＣｕを含み、かつＰｂを含まないＢｉ系の酸化物超電導体を用いた電流リードであって、Ｂｉ−２２１２組成とＢｉ−２２２３組成との比が、１−Ｘ：Ｘ （Ｘ＝０．４〜０．８）であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a multilayer electronic component which can have excellent bonding between an internal electrode and an external electrode when using the internal electrode made principally of Ni, Cu or Al to make a low-resistance connection between the both, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｃｕ、またはＡｌを主成分とする内部電極を用いた場合に、内部電極と外部電極との良好な接合を形成でき、両者の低抵抗接続を実現可能な積層電子部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

The optical member is a film-like or thin-plate-like optical member, and is composed of oxide crystallites including at least Cu and/or P, contains near-infrared absorption particles having a number-average coagulated particle size from 5-200 nm.例文帳に追加

光学部材は、フィルム状または薄板状の光学部材であって、少なくともＣｕおよび／またはＰを含む酸化物の結晶子からなり、数平均凝集粒子径が５〜２００ｎｍである近赤外線吸収粒子を含有する。 - 特許庁

The ultraviolet ray-curing type inkjet composition which is discharged by an inkjet style is characterized by comprising a polymerizable compound and scaly powder comprising Al-Mg-Cu alloy.例文帳に追加

本発明の紫外線硬化型インクジェット用組成物は、インクジェット方式により吐出される紫外線硬化型インクジェット用組成物であって、重合性化合物と、Ａｌ−Ｍｇ−Ｃｕ合金で構成された鱗片状の粉末とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device including the cleaning step of cleaning the embedded copper (Cu) plug after the plug is polished, no treatment using pure water is performed continuously after treatment using pure water is performed in the cleaning step.例文帳に追加

埋め込み形成された銅（Ｃｕ）プラグを研磨した後に洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、洗浄工程で行われる純水を用いた処理の後に、連続して純水を用いた処理を行わない。 - 特許庁

A penetration conductor of a feedthrough capacitor has an iron (Fe) material having a diameter of 0.5 mm at the center part of the penetration conductor 20c, has a double structure where the circumference of the iron core is covered with a copper (Cu) material, and is formed into a rod-like body having an outer diameter of 2 mm.例文帳に追加

貫通コンデンサの貫通導体が、貫通導体２０ｃの中心部に直径０．５ｍｍの鉄（Ｆｅ）材を有し、該鉄芯の外周を銅（Ｃｕ）材により被覆された二重構造で外形が２ｍｍの棒状体に構成されている。 - 特許庁