「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

A second diffusion prevention film 21, a second low-k film 22 and a second cap film 23 are formed thereon, and a barrier film 25 and a Cu film 26 are buried in these films to form a second conductivity type layer.例文帳に追加

その上に、第２拡散防止膜２１と第２ｌｏｗ−ｋ膜２２と第２キャップ膜２３が形成され、それらの膜内にバリアメタル膜２５とＣｕ膜２６が埋め込まれることにより第２導電層が形成されている。 - 特許庁

An electrocmagnetic wave shield molding film consists of a metal shield layer of copper, and a protective layer on the metal shield layer wherein the protective layer is composed of an Sn-Cu-Cr alloy and the thickness of the protective layer is in the range of 40-120% that of the metal shield layer.例文帳に追加

銅からなる金属シールド層と、金属シールド層の上の保護層とからなり、保護層は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｃｒ合金からなり、かつ、保護層の厚さは、金属シールド層の厚さの４０％〜１２０％である。 - 特許庁

The second intermediate layer contains at least one element selected from Co and Fe, contains Cu as a principal component is constituted of an alloy whose total rate of Co and Fe is 10 to 30 at.%, and has a film thickness between 5 nm and 100 nm.例文帳に追加

第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 - 特許庁

This system uses a polarization counter(PC), a delay time difference generating means (DDG) to generate a delay time difference between two orthogonal polarization modes, and a control means (CU) of the polarization controller(PC) to correct polarization of a link.例文帳に追加

この装置は、偏波コントローラ（ＰＣ）と、２つの直交偏波モードの間で遅延時間差を発生するための遅延時間差発生手段（ＤＤＧ）と、偏波コントローラ（ＰＣ）の制御手段（ＣＵ）とによりリンクの偏波を補正する。 - 特許庁

To provide an ICP emission spectroscopic analyzer capable of very accurate analysis of nonmetallic elements such as S, P, As, Se and Sb as well as metallic elements such as Fe, Mn, Cu, Ni and Cr contained in a metal.例文帳に追加

金属中に含まれるＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属元素は勿論のこと、Ｓ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂなどの非金属元素についても精度よく分析することができるＩＣＰ発光分光分析装置を提供すること。 - 特許庁

A soft-magnetic layer 23 is formed of a high permeability ferrite having the composition of Fe-O or M-Fe-O (where, the element M is at least one or more of Mn, Co, Ni, Ba, Sr, Y, Gd, Cu and Zn).例文帳に追加

軟磁性層２３を、組成がＦｅ−ＯあるいはＭ−Ｆｅ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｕ、Ｚｎのうち少なくとも１種類以上）で構成される高透磁率フェライトで形成する。 - 特許庁

A strong alloy bond where the primary crystal of Sn is dispersed is formed on a bonded boundary part with a base metal Cu, and a brazed part is free from any carbide or void, and compounds such as CuP and NiP have a tough multi-element eutectic structure.例文帳に追加

母材Ｃｕとの接合境界部は、Ｓｎの初晶が拡散した強固な合金結合ができ、ろう材部は、炭化物やボイドはなく、ＣｕＰ，ＮｉＰ等の化合物も強靱な多元共晶組織を示している。 - 特許庁

The aluminum alloy for a heat exchanger comprises, by mass, 0.1 to 1.0% Si, 0.5 to 1.2% Mn, 0.1 to 0.55% Cu, 0.1 to 0.6% Fe, 0.01 to 0.05% Ti, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｓｉ：０．１〜１．０質量％、Ｍｎ：０．５〜１．２質量％、Ｃｕ：０．１〜０．５５質量％、Ｆｅ：０．１〜０．６質量％、Ｔｉ：０．０１〜０．０５質量％、残部がアルミニウムと不可避的不純物からなることを特徴とする。 - 特許庁

The copper alloy wire for the semiconductor contains 0.05 to 5 wt.% of Mn, has the total amount of one or two or more elements selected from Sb, Zr, Ti, Cr, Ag, Au, Cd, In and As of 10 wt.ppm or more, contains the balance being Cu, and has a self diffusion suppression function.例文帳に追加

Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 - 特許庁

The power module is constituted by stacking an underlay conductive member 28 formed by a melt-spraying process (cold spraying process), a solder layer 14, and a semiconductor chip 11 in order on a metal wiring 23 made of a first material (Cu).例文帳に追加

パワーモジュールは、第１の材料（Ｃｕ）からなる金属配線２３の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された下敷き導電部材２８と、半田層１４と、半導体チップ１１とを順次積層して構成されている。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) device which can reduce a Cu dishing quantity while ensuring a high polishing rate, by maintaining a high temperature at an initial stage of CMP processing, and then intentionally lowering a wafer temperature immediately before the completion of polishing.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス初期においては高温を維持し、研磨終了直前にウエハ温度を意図的に下げることで、高い研磨レートを維持したままＣｕのディッシング量を低減することができるＣＭＰ研磨装置を提供する。 - 特許庁

Liquid resist layers 41 and DFR (dry film resist) layers 42 are formed on a Cu substrate 40, and patterns 41a and 42a with the shape of spiral contacts 20 are formed on the liquid resist layers 41 and DFR layers 42 by exposure development.例文帳に追加

Ｃｕ基板４０上に液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２を形成し、前記液体レジスト層４１及びＤＦＲ層４２にスパイラル接触子２０の形状のパターン４１ａ，４２ａを露光現像により形成する。 - 特許庁

To provide an Al-Cu-Mg based alloy thin sheet in which high strength equal to that of a steel sheet for general pressing (SPCC) and good formability (particularly, bendability) are reconciled and to provide its producing method by continuous heat treatment.例文帳に追加

一般プレス用鋼板ＳＰＣＣと同等以上の高強度および良好な成形性（特に曲げ性）を両立させたＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ系合金薄板ならびに連続的熱処理により製造する方法を提供する。 - 特許庁

While the Pachinko machine, by itself, determines that there is no more game ball and makes the game be in a game prohibition state, the Pachinko machine becomes in the game prohibition state according to instruction from the CU when returning a card or opening a glass door or a cell.例文帳に追加

Ｐ台は、遊技玉がなくなったことを自ら判定してＰ台が自動で遊技禁止状態にする一方、カードの返却時やガラス扉またはセルの開放時には、ＣＵからの指令に応じて遊技禁止状態になる。 - 特許庁

The connection terminal 120 is mainly composed of Cu, and has a connection section 23 connected to a battery or the like, a flat base 21 integrated to the connection section 23, sidewalls 21a formed at both sides of the flat base 21 and the like.例文帳に追加

接続端子１２０はＣｕを主体に構成され、バッテリー等に接続される接続部２３、接続部２３に一体化されている板状基部２１、板状基部２１の両側に形成された側壁２１ａ等を備える。 - 特許庁

The transition metal (Ti) which forms a level for acquiring holes when the nitride semiconductor layer 2 is an (n) conductivity type or transition metal (Cu) forming a level for acquiring electrons when a (p) type conductivity type is introduced.例文帳に追加

窒化物半導体層２がｎ型導電型の場合は正孔を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｔｉ）、またｐ型導電型の場合は電子を捕獲する準位を形成する遷移金属（Ｃｕ）を導入する。 - 特許庁

To provide a laminated piezoelectric element that can be reduced in cost by using inexpensive Cu as the material of its internal electrodes and, in addition, is excellent in electricity transfer characteristics and, at the same time, can prevent the strength drops of its internal electrode layers.例文帳に追加

内部電極材料に安価なＣｕを用いてコストダウンを図ることができ、かつ、電気伝達効率に優れると共に内部電極層の強度低下を防止することができる積層型圧電体素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a highly reliable laminated ceramic electronic component which is provided with a terminal electrode made of Cu as a conductive element and is superior in mounting substrate expansion resistance (expansion strength) and mounting substrate bending resistance (bending strength).例文帳に追加

本発明は、Ｃｕを導電成分とする端子電極を備え、耐実装基板伸縮性（伸縮強度）ならびに耐実装基板曲げ性（撓み強度）に優れた、高信頼性の積層セラミック電子部品を提供することにある。 - 特許庁

The quaternary Pb-free solder composition is composed of, by weight, 0.3 to <2.5% silver (Ag), 0.2 to <2.0% copper (Cu), 0.2 to <1.0% indium (In), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

０．３ｗｔ％以上２．５ｗｔ％未満の銀（Ａｇ）と、０．２ｗｔ％以上２．０ｗｔ％未満の銅（Ｃｕ）と、０．２ｗｔ％以上１．０ｗｔ％未満のインジウム（Ｉｎ）と、その他の錫（Ｓｎ）とからなることを特徴とする。 - 特許庁

The high-strength aluminum casting alloy comprises, by mass%, 3.5 to 4.5 Cu, 1.5 to 2.5 Ni, 0.8 to 2.5 Mg, 0.4 to 1.0 Si, 0.05 to 0.20 Ti, while satisfying the expression of Ni≤1.08Cu-2.0, and the balance Al with unavoidable impurities.例文帳に追加

本発明は、質量％でＣｕ：３．５〜４．５、Ｎｉ：１．５〜２．５、Ｍｇ：０．８〜２．５、Ｓｉ：０．４〜１．０、Ｔｉ：０．０５〜０．２０、Ｎｉ≦１．０８Ｃｕ−２．０であり、残部Ａｌおよび不可避的不純物からなる高強度アルミニウム鋳造合金である。 - 特許庁

Two kinds of compounds expressed in Li_a(Co_1-x-y-zNi_xMn_yM_z)O_2 [wherein, M is at least a kind out of Li, Mg, Al, Si, Fe, Ti, and Cu] with a, x, y, z satisfying specific conditions are contained in the lithium secondary battery as a cathode active material.例文帳に追加

Ｌｉ_a（Ｃｏ_1-x-y-zＮｉ_xＭｎ_yＭ_z）Ｏ_2［ＭはＬｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅ，Ｔｉ及びＣｕのうちの少なくとも一種］で表され、ａ、ｘ、ｙ、及びｚが特定条件を満たす２種類の化合物を、正極活物質として含有するリチウム二次電池とする。 - 特許庁

There is provided a preparation method for an electroluminescence (EL) phosphor of ZnS activated by Cu and Mn, which method comprises a step for baking a composition comprising ZnS, S, an halide of ammonium, a Cu compound and metallic Mn and washing and sieving the products obtained by baking, wherein before the baking of the composition, ZnS is put in a capsule and the ZnS is treated by explosion of an explosive surrounding the circumference of the capsule.例文帳に追加

本発明に係る銅およびマンガンによって活性化された硫化亜鉛のエレクトロルミネセンス（ＥＬ）用蛍光体の調製方法は、硫化亜鉛、硫黄、アンモニウムのハロゲン化物、銅化合物および金属マンガンを含む組成物を焼成し、焼成によって得られた生成物を洗浄し篩い分ける工程を含み、前記組成物の焼成の前に、硫化亜鉛をカプセルに入れ、該カプセルの周囲を取り囲む爆薬の爆発により該硫化亜鉛を処理することを特徴とする。 - 特許庁

The method of growing single crystal and the device for glowing single crystal is characterized in that in the case of growing single crystal by Czochralski method, there is provided a cooling cylinder 11 which is made of Cu or a metal having lager thermal conductivity than the Cu, in the vicinity of crystal growing interface, surrounding the growing single crystal, and cooling the crystal growing interface forcedly by a coolant flowing through the cooling cylinder.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を育成する方法において、少なくとも結晶成長界面近傍に、引上げ中の単結晶を取り囲むように、銅または銅より熱伝導度の大きい金属により形成された冷却筒１１を配置し、該冷却筒に冷却媒体を流通することによって、結晶成長界面近傍を強制的に冷却しながら単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置。 - 特許庁

The inevitable impurities are controlled in ≤0.10% Nb, ≤0.010% P, ≤0.005% S, ≤0.30% Cu, ≤0.30% Cr, ≤0.30% Mo, ≤0.010% Al, ≤0.010% O and ≤0.010% N.例文帳に追加

この不可避的不純物は、Ｎｂ：０．１０％以下、Ｐ：０．０１０％以下、Ｓ：０．００５％以下、Ｃｕ：０．３０％以下、Ｃｒ：０．３０％以下、Ｍｏ：０．３０％以下、Ａｌ：０．０１０％以下、Ｏ：０．０１０％以下及びＮ：０．０１０％以下に規制される。 - 特許庁

Even if the caulked part of the rivet-shaped member is cracked or damaged by caulking, since the rivet-shaped member is formed of a solid material of Ni or Ni-Cu alloy, it is not corroded by a nonaqueous electrolyte, and management for a caulking process is facilitated.例文帳に追加

加締めによってリベット状部材の加締め部に亀裂が生じたり破損したりしても、リベット状部材はＮｉまたは、Ｎｉ−Ｃｕ合金の無垢材であるため非水電解液によって腐食されることが無く、加締め工程管理が容易になる。 - 特許庁

To provide a secondary cooling method in a continuous casting machine capable of preventing billet cracking in a straightening part in the continuous casting machine caused by variation of cooling, when molten steel containing Nb, Ti, V, and/or Cu, Ni, etc is continuously cast.例文帳に追加

Ｎｂ、Ｔｉ、V、あるいはさらに、Ｃｕ、Ｎｉなどを含む溶鋼を連続鋳造する際に、冷却ばらつきに起因する連続鋳造機内の矯正部における鋳片割れを防止するための連続鋳造機内の二次冷却方法を提供する。 - 特許庁

The metal layer 30 is constructed of a foundation metal layer 32 containing one or more kinds of metal among Ni, Sn, Cr, Co, Cu, Fe and Zn and a main metal layer 31 containing one or more kinds of metal among Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and Pt.例文帳に追加

前記金属層30は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎのうちの１種以上の金属を含む下地金属層32と、Ａｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔのうち１種以上の金属を含む主金属層31とで構成される。 - 特許庁

An AlN layer or Si3N4 layer is used as the insulation board 24, a hard brazing material containing the active element is used as the first and second joining materials 26, 28, and an SiC composite material and a C/Cu composite material are used as the heat sink material 20.例文帳に追加

そして、絶縁基板２４としてＡｌＮ層又はＳｉ_3Ｎ_4層を用い、第１及び第２の接合材２６及び２８として、活性元素を含む硬ろう材を用い、ヒートシンク材２０として、ＳｉＣ／Ｃｕ複合材やＣ／Ｃｕ複合材を用いる。 - 特許庁

The lead-free solder alloy contains by weight ≥ 0.5% and < 3% Ag, ≥ 1% and ≤ 8% In, ≥ 0.1% and ≤ 0.5% Cu, ≥ 1% and ≤ 5% Zn, and ≥ 1% Bi and ≤ 10% Bi.例文帳に追加

Ａｇは０．５ｗｔ％以上３ｗｔ％未満、Ｉｎは１ｗｔ％以上８ｗｔ％以下、Ｃｕは０．１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下、Ｚｎは１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、Ｂｉは１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含有する。 - 特許庁

Piezoelectric ceramics 21, with a main crystal of a Bi layer compound containing at least Sr, Bi and Ti, contain Mn in 0.05-1 weight % expressed in terms of MnO2 and Cu in 0.05-1 weight % expressed in terms of CuO.例文帳に追加

少なくとも、Ｓｒ、ＢｉおよびＴｉを含むＢｉ層状化合物を主結晶とする圧電磁器２１であって、ＭｎをＭｎＯ_2換算で、全量中０．０５〜１重量％、ＣｕをＣｕＯ換算で全量中０．０５〜１重量％含有する。 - 特許庁

A hydrogen-absorbing alloy powder has a metal surface layer containing more Ni, Co and Cu than a matrix and the surface layer is dissociated from the matrix by ≥50% of the whole circumference length at the cross section of the powder owing to change/discharge for obtaining initial activity.例文帳に追加

母相よりＮｉ，Ｃｏ，Ｃｕリッチの金属表面層を有し、その表面層が初期活性のための充放電によって粉末断面における全周長の５０％以上母相から解離している水素吸蔵合金粉末。 - 特許庁

To provide a low-cost Cu alloy for a heat spreader, which has excellent thermal conductivity and also has excellent reliability in a jointed part during an assembly step or during use because of relatively high semi-softening temperature and can be used for IC package.例文帳に追加

価格が廉価であり、熱伝導性に優れ、且つ半軟化温度が比較的高温であるために組立工程や使用時における接合部分の信頼性に優れた、ＩＣパッケージなどに使用されるヒートスプレッダ用Ｃｕ基合金を提供する。 - 特許庁

The copper alloy includes, provided that the whole is 100 mass%, 9 to 30 mass% each of Sb and Zn, and the balance Cu with inevitable impurities and/or reformed elements, and in which the total of Sb and Zn is ≤39 mass%.例文帳に追加

本発明の銅合金は、全体を１００質量％としたときに、９〜３０質量％のＳｂと、Ｚｎと、残部がＣｕと不可避不純物および／または改質元素とからなり、ＳｂとＺｎとの合計が３９質量％以下である。 - 特許庁

The coating comprises 1.0 to 3.5 mass% Mn and the balance Al with unavoidable impurities among which Cu is regulated to less than 0.1 mass%, Fe to less than 0.35 mass%, and Si to less than 0.5 mass%.例文帳に追加

この皮膜は、Ｍｎを１．０乃至３．５質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなり、不可避的不純物のうちＣｕが０．１質量％未満、Ｆｅが０．３５質量％未満、Ｓｉが０．５質量％未満に規制されている。 - 特許庁

To provide a laminated alloy for resistances and the manufacturing method thereof wherein only by heat treatments, the diffusions generated between its laminated metal materials are controlled, and such its characteristic as a temperature coefficient of resistance (a TCR value) and a relative thermo-electromotive force value to Cu can be adjusted.例文帳に追加

熱処理のみで、積層金属材料間の拡散を制御し、抵抗温度係数（ＴＣＲ値）及び対Ｃｕ熱起電力値等の特性を操作することができる抵抗用積層合金及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, each wiring substrate 10, 20 and 30 is laminated to align each wiring layer so as to be mutually connected through the Cu post 17 and each connection terminal 27, 36, and a resin is filled between each substrate after each substrate is electrically connected.例文帳に追加

次に、各配線基板１０，２０，３０を、Ｃｕポスト１７及び各接続端子２７，３６を介して各配線層が相互に接続されるように位置合わせして積層し、各基板間を電気的に接続した後、各基板間に樹脂を充填する。 - 特許庁

In the wiring board 1, the metal terminal pad 10, 17 comprises a Cu plating layer 52, an Ni plating layer 53 and an Au plating layer 54 formed sequentially from the first major surface CP side wherein the Ni plating layer 53 is an electrolytic Ni plating layer 53.例文帳に追加

配線基板１において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３及びＡｕメッキ層５４がこの順序で積層されるとともに、Ｎｉメッキ層５３が電解Ｎｉメッキ層５３とされる。 - 特許庁

As compared with a conventional structures where the first protective layers are not formed or structures where the first protective layers are formed of Al, Ti, Cu or IrMn, magnetostriction of the free magnetic layer can be reduced effectively, while sustaining high change rate in the resistance.例文帳に追加

これにより、第１保護層が形成されない従来構造、あるいは第１保護層をＡｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、ＩｒＭｎで形成した構造に比べて、高い抵抗変化率を維持しつつ、フリー磁性層の磁歪を効果的に低減できる。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

To provide a method for operating a copper smelting furnace by which the copper grade in a matte supplied into the copper smelting furnace is made high and the productivity of the copper smelting furnace can be improved without raising Cu content in slag.例文帳に追加

本発明は、スラグ中のＣｕ含有率を上げることなく、錬銅炉に供給されるカワの銅品位を高め、錬銅炉の生産能力を向上させることを可能とする、錬銅炉の操業方法を提供することを課題とするものである。 - 特許庁

Further, the thin film wiring is made such that the film having Cu or Ag as the main body is used as an intermediate layer, and upper and lower layers of the intermediate layer are formed with the alloy film containing Mo and V and/or Nb, and these three layers are laminated.例文帳に追加

また、ＣｕまたはＡｇを主成分とする膜を中間層として、該中間層の上層と下層をＭｏを主体としてＶおよび／またはＮｂを含有する合金膜で形成する３層で積層されている薄膜配線である。 - 特許庁

To provide a Cu-Al sintering material improved in sintering processability and good in dimensional precision and, as a result, to provide a sintered sliding member and a composite sintered sliding part having high strength and excellent in wear resistance, seizure resistance and corrosion resistance thereby.例文帳に追加

Ｃｕ−Ａｌ系焼結材料の焼結性を改善して寸法精度の良い焼結材料を提供し、これによって広く高強度、耐摩耗、耐焼付性、耐食性に優れた焼結摺動部材および複合焼結摺動部材を提供する。 - 特許庁

The low melting point glass for coating electrodes contains Cu and has the content thereof ranging from 0.1 to 0.9% in per cent by mass in terms of CuO, and contains Sb ranging from 0.2 to 1.4% in per cent by mass in terms of CuO+Sb_2O_3.例文帳に追加

Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、かつ、Ｓｂを含有し、質量百分率表示で、ＣｕＯ＋Ｓｂ_2Ｏ_3が０．２〜１．４％の範囲にある電極被覆用低融点ガラス。 - 特許庁

In succession, a copper (Cu) as a conductive material is deposited to a thickness of 2 to 2 μm by a sputtering method over the entire surface and is then subjected to a planatarization treatment by polishing the material by CMP(chemical and mechanical polishing) until the surface of the lower shielding layer 3 thereafter is exposed.例文帳に追加

続いて、全面に導電材料として銅（Ｃｕ）をスパッタ法により２〜３μｍの厚さに堆積した後、ＣＭＰ（Chemical andMechanical Polishing : 化学的機械研磨）により下部シールド層３の表面が露出するまで研磨し、平坦化処理を行う。 - 特許庁

The thermally sprayed Cu alloy films 3 are formed with oxygen-containing regions X on the surface side and the ratio (To/Tm) of the depth To of the oxygen-containing regions to a thickness Tm of the films 3 is controlled to a range from 0.05 to 0.4.例文帳に追加

Ｃｕ合金溶射膜３は表面側に酸素含有領域Ｘが形成されており、かつＣｕ合金溶射膜３の厚さＴｍに対する酸素含有領域Ｘの深さＴｏの比（Ｔｏ／Ｔｍ）が０．０５〜０．４の範囲に制御されている。 - 特許庁