「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

To readily and inexpensively produce a Cu-Ni-Si based alloy that shows optimum tensile strength as a sliding material for a motor and is excellent in 0.2% proof stress, elongation, hardness, thermal conductivity, fatigue strength under alternating stress condition, seizure resistance and bearing performance.例文帳に追加

発動機用摺動材として最適な引張強さ、０．２％耐力、伸び、硬さ、熱伝導率、両振り疲れ強度、耐焼付き性及び軸受け性能に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金を、容易且つ廉価に製造可能とする。 - 特許庁

To improve the reduction efficiency of Fe304 compared with the reduction by coke of slag produced on a period in copper converter operation as the conventional method, further to improve the recovery rate of Cu components, and to reduce the quantity of exhaust gas at the outlet of the furnace.例文帳に追加

従来法である、銅転炉操業の造カン期に生成するスラグのコークスによる還元に比較して、Ｆｅ３Ｏ４の還元効率を向上させると共にＣｕ分の回収率を向上し、炉出口の排ガス量を削減する。 - 特許庁

The copper alloy for electronic devices contains 1.3 atom% or more but less than 2.6 atom% of Mg and 6.7 atom% or more but 20 atom% or less of Al and the balance substantially made of Cu and unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｍｇを１．３原子％以上２．６原子％未満の範囲で含み、かつ、Ａｌを６．７原子％以上２０原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされていることを特徴とする。 - 特許庁

A brazing filler metal having a three-element composition of Ti-Zr-Cu and the Vickers hardness after solidification of ≤350 is fomred in the form of an amorphous foil, gas-atomized method powder, or a rolled foil, and a brazing is executed with a high-frequency induction heating or a resistance heating.例文帳に追加

Ｔｉ−Ｚｒ−Ｃｕの３元組成で、凝固後のビッカース硬さ３５０以下のろう材を、アモルファス箔、ガスアトマイズ法粉末、あるいは圧延箔の形にして高周波誘導加熱または抵抗加熱によりろう付けを行う。 - 特許庁

This manufacturing method comprises hot extruding a Cu-Zn alloy containing 1.0-4.0%例文帳に追加

Ｂｉ：１．０〜４．０％を含有するＣｕ−Ｚｎ合金を、該合金の組織中のα相とβ相の比率が９：１となる温度以上、β相単相となる温度未満の温度域で熱間押出を行い、熱間押出後、強制冷却する。 - 特許庁

The P-type semiconductor 8 which consists of CuO as its base material including La element of 1-10 mol% in relation to Cu element, and an N-type semiconductor 10 which consists of ZnO as its base material, are subjected to a pressure welding process, thereby making up the carbon monoxide gas sensor 2.例文帳に追加

Ｌａ元素をＣｕ元素に対して１〜１０モル％含有するＣｕＯを母材とするＰ型半導体８と、ＺｎＯを母材とするＮ型半導体１０とを圧接させて一酸化炭素ガスセンサ２を構成する。 - 特許庁

To provide an SiC-Cu high thermal conductivity composite material which has a low thermal expansion coefficient (4.5 to 10×10^-6/K) and a high thermal conductivity (≥200 W/mK), and is optimum as a heat sink and a package of electronic equipment at a low cost.例文帳に追加

電子機器のヒートシンクやパッケージに最適な、低熱膨張係数（４．５〜１０×１０^−６／Ｋ）で高熱伝導率（≧２００Ｗ／ｍＫ）を具備したＳｉＣ−Ｃｕ系高熱伝導性複合材料を、低コストで提供する。 - 特許庁

In an Al-Mg-Si alloy or an Al-Mg-Si-Cu alloy, intergranular precipitates are present at the intervals of ≥110 nm, and, furthermore, the dimensions of the precipitates in the intergranular direction are controlled to ≥70 nm.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金あるいはＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金において、粒界析出物が１１０nm以上の間隔で存在するとともに、析出物の粒界方向における寸法を７０nm以上とする。 - 特許庁

The aluminum foil comprises 5 to 100 ppm Fe, 5 to 100 ppm Si, 1 to 100 ppm Cu, 0.1 to 5 ppm Pb, 0.1 to 10 ppm rare earth elements and 0.5 to 5 ppm Sn, and the balance Al of ≥99.9% with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｆｅ：５〜１００ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜１００ｐｐｍ、Ｃｕ：１〜１００ｐｐｍ、Ｐｂ：０．１〜５ｐｐｍ、希土類元素：０．１〜１０ｐｐｍ、Ｓｎ：０．５〜５ｐｐｍを含有し、残部が９９．９％以上のＡｌと不可避不純物からなる。 - 特許庁

Preferably, P and S as impurity components are suppressed to, by mass, ≤0.02% and ≤0.01%, respectively, and further, 0.1 to 3.0% of Ni, 0.01 to 3.0% of Cu and 0.001 to 0.1% of Al are added thereto.例文帳に追加

さらに好ましくは、不純物成分としてのＰ及びＳをそれぞれ０．０２質量％以下及び０．０１質量％以下に抑えると共に、Ｎｉ：０．１〜３．０％、Ｃｕ：０．０１〜３．０％、Ａｌ：０．００１〜０．１％を添加する。 - 特許庁

The cleaning method of the substrate for the semiconductor device comprises the step of cleaning the substrate for the semiconductor device after chemical mechanical polishing treatment which is provided with a Cu film and a low dielectric constant insulating film on a surface thereof, by using this cleaning liquid for the substrate for the semiconductor device.例文帳に追加

この半導体デバイス用基板洗浄液を用いて、表面にＣｕ膜と低誘電率絶縁膜とを有し、かつ、ＣＭＰ処理後の半導体デバイス用基板を洗浄する半導体デバイス用基板の洗浄方法。 - 特許庁

The tin-silver based solder alloy has a composition containing, 3 to 4% Ag, 5 to 10% Bi and 50 to 500 ppm P, and, if required, containing ≤5% In and ≤1% Cu, and the balance Sn by weight, respectively.例文帳に追加

Ａｇ３〜４重量％、Ｂｉ５〜１０重量％、Ｐ５０〜５００ｐｐｍ、さらに所望によりＩｎ５重量％以下、Ｃｕ１重量％以下含有し、残部がＳｎからなることを特徴とする錫−銀系ハンダ合金。 - 特許庁

Since inclined surfaces of the sides of a projection 5 and a depression 6 are sputtered by priority and the speed of sputtering of the flat surface is low; sputtering proceeds from the sides of the projection and depression 5 and 6 toward the in-plane part, and the surface of the Cu layer 4 is planarized.例文帳に追加

凹凸部５、６の側面の傾斜した面が優先的にスパッタされ、平坦面のスパッタ速度は遅いので、凹凸ぶ５、６の側面から面内方向にスパッタが進行してＣｕ層４表面は平坦になる。 - 特許庁

An alloy which essentially comprises Cu, contains 0.1 to 7.0 wt% W and comprises 0.1 to 3.0 wt% in total of one or more elements chosen from the group consisting of Al, Au, Ag, Ti, Ni, Co and Si is applied as the metal material.例文帳に追加

Ｃｕを主成分とし、Ｗを0.1〜7.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる合金を金属材料として適用する。 - 特許庁

The colored amorphous silica fine particles have an L value stipulated by JIS Z8722 of ≤94, contain one or more uniformly dispersed coloring elements selected form Fe, Cu, V, Cr, Mn, Co and Ni, and have a degree of crystallization of ≤10%.例文帳に追加

ＪＩＳＺ８７２２で規定されるＬ値が９４以下であり、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される１種以上の着色元素が均一に分散され、結晶化度が１０％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A diffusion protective film 26 comprising nuclear forming Cu film 25 and TaN is sequentially formed on the surface of a stepped film 10 with a wiring pattern 23 and a connecting hole pattern 24 formed therein, when a grooved wiring and a connecting hole plug are formed.例文帳に追加

溝配線および接続孔プラグを形成する際に、配線パターン２３および接続孔パターン２４が設けられた段差膜１０の表面に、核形成Ｃｕ膜２５およびＴａＮからなる拡散防止膜２６を順次成膜する。 - 特許庁

The salt water resistance performance evaluating tool comprises: a base plate (Cu metal plate 10); a first metal film formed on the upper surface of the base plate; and a second metal film (Al metal film 12) formed on the upper surface of the base plate in a state of being insulated from the first metal film.例文帳に追加

基板（Ｃｕ金属板１０）と、基板の上面に設けられた第１の金属膜と、基板の上面に第１の金属膜と絶縁された状態で設けられた第２の金属膜（Ａｌ金属膜１２）とを有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method thereof wherein there are used low-dielectric-constant films and such Cu wirings as to prevent the wiring-connection faultiness of inter-wiring shortings, etc. which is caused by film discrepancy and film peeling between insulating films.例文帳に追加

絶縁膜−絶縁膜間の膜ずれや膜剥がれにより引き起こされる配線間ショート等の配線接続不良を防止するＣｕ配線及び低誘電率膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The raw material metal used as a raw material of the solder powder comprises 3 to 12% by weight of Zn, 1.0 to 15% by weight of the sum of Cu and Ni, and Sn and inevitable impurities for the rest, to the total amount of the raw material.例文帳に追加

前記はんだ粉末原料として用いる原料金属は、原料総量に対して、Ｚｎが３〜１２重量％、ＣｕとＮｉの合計が１．０〜１５重量％、残部がＳｎおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

The steel preferably has a composition comprising proper amounts of C, Si and Mn, and comprising one or more kinds selected from Cr, V, Mo, Nb, Cu, Ni, B, Al, Ti, Mg, Ca and Zr, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

鋼は、適正量のＣ、Ｓｉ、Ｍｎを含有し、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｒ１種又は２種以上を含有し、残部がＦｅ及び不可避的不純物からなることが好ましい。 - 特許庁

The lead-free solder includes basically four elements and is composed of approximately 99.0 wt.% Sn, 0.3-0.4 wt.% Ag, 0.6-0.7 wt.% Cu, and has a non-eutectic melting temperature of about 217-227°C.例文帳に追加

この鉛フリーはんだは、約９９．０ｗｔのＳｎと、０．３〜０．４ｗｔ％のＡｇと、０．６〜０．７ｗｔ％のＣｕとで基本的に構成された四元の組成物を含み、約２１７〜２２７℃の非共晶溶解温度を有する。 - 特許庁

The quartz glass jig is used for the semiconductor industry and the total average concentration of Li, Na, Mg, K, Ca, Fe, Cr, Ni, and Cu of its surface at least up to the depth of 100 μm is controlled to be ≤1.0 ppm.例文帳に追加

半導体工業用に使用される石英ガラス治具であって、該石英ガラス治具の表面から少なくとも１００μｍの深さまでの、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕの総平均濃度を１．０ｐｐｍ以下とした。 - 特許庁

To provide a Corson-based alloy whose characteristics are remarkably improved, i.e., having high strength and high conductivity by allowing the effect of Cr addition to satisfactorily exhibit in a Cu-Ni-Co-Si-based alloy.例文帳に追加

本発明の課題は、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金においてＣｒ添加の効果をより良く発揮させることで飛躍的に特性の向上即ち、高強度・高導電性のコルソン系合金を提供することである。 - 特許庁

Such a film as above has not only high adhesiveness to a silicon and a glass, etc. but low specific resistance, and the Cu is hardly diffused into a silicon layer, so that the film is suitable for especially an electrode and a metal wiring, etc. formed on the silicon layer and a glass substrate surface, etc.例文帳に追加

このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。 - 特許庁

When its corrosion resistance is considered, by regulating the addition amount of Cu to 1.0 to 1.5%, deterioration in the corrosion resistance can be suppressed, and, further, by adding 0.5 to 1.0% Mn thereto, the corrosion resistance can be improved.例文帳に追加

耐食性を考慮するのであれば、Ｃｕの添加量を1.0〜1.5重量％）に調整すると耐食性の低下を抑えることができ、更に、これにＭｎを0.5重量％〜1.0重量％添加すると耐食性を改善できる。 - 特許庁

The center of light emission is formed by at least one material selected from the element of Ce, Sm, Eu, Tb, Tm, Pr, Nd, Er, Yb, Lu, Pm, Gd, Dy, Ho, Mn, Cu, Pb, and the above luminous layer 4 is constructed of a fluorescent material which dissolves the above material 80-100 mol%.例文帳に追加

発光中心は、Ｃｅ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｐｍ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｐｂの元素から選択される少なくとも１つの材料により形成し、上記発光層４は、該材料を８０〜１００モル％固溶した蛍光材料により構成する。 - 特許庁

A Cu foil on the opposite sides of an insulating substrate 10 is etched to form a surface conductor pattern 12 and a rear surface conductor pattern 14 and then a through hole 16 is formed in the connection land of the conductor patterns (12, 14) by drilling, or the like.例文帳に追加

絶縁基板１０の両面のＣｕ箔をエッチング加工し、おもて面導体パターン１２および裏面導体パターン１４を形成し、ドリル加工等により導体パターン（１２，１４）の接続ランドにスルーホール１６を形成する。 - 特許庁

By controlling the composition of the contact material to the same range, both of large current breaking performance by the arc diffusing action of TiC or VC and large current conducting performance by Cu can be exhibited without being damaged.例文帳に追加

接点材料の組成がこの範囲内であることにより、ＴｉＣ或いはＶＣのアーク拡散作用による大電流遮断性能と、Ｃｕによる大電流通電性能の両者を損なうことなく発揮させることができる。 - 特許庁

Moreover, heat can be promptly radiated through the Cu substrate 3 in heat accompanying generation of the LED element 2, and it can respond to the output increase and of the light emitting device 1 and a calorific value increase accompanying the quantity-of-light increase with a margin.例文帳に追加

また、ＬＥＤ素子２の発熱に伴う熱をＣｕ基板３を介して速やかに放熱することができ、発光装置１の高出力化、大光量化に伴う発熱量増大に余裕をもって対応することができる。 - 特許庁

The contact material is formed of an alloy containing 30-80 wt.% TiC as an arc-resistant composition zone, and at least one kind of 70-20 wt.% Cu and Ag as a conductive composition zone.例文帳に追加

接点材料を、耐弧成分領域としての３０〜８０重量％のＴｉＣと、導電成分領域としての７０〜２０重量％のＣｕ、Ａｇのうちの少なくとも1種とを含有した合金から成るものとする。 - 特許庁

Soldering connection is effected employing a solder ball, molten at a temperature lower than the lead-free solder alloy containing Sn and Zn, and a Cu ball as well as an Ni-Fe alloy ball, jointed to the lead-free solder without being molten.例文帳に追加

ＳｎとＺｎを含む鉛フリーはんだ合金よりも低い温度で溶融するはんだボールおよび溶融されることなく鉛フリーはんだ合金と接合するＣｕボール、Ｎｉ−Ｆｅ合金ボールを用いてはんだ付け接合する。 - 特許庁

The contents of Cr, Fe, Mn, Ti, Si, Cu, N, Al, C, Mg, Mo, B, Zr, Nb+Ta in the Ni-based alloy weld metal are appropriately defined to restrict the amounts of Co, P and S in unavoidable impurities.例文帳に追加

Ｎｉ基合金溶接金属中のＣｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｎ、Ａｌ、Ｃ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｎｂ＋Ｔａの含有量を適正に規定し、不可避的不純物中のＣｏ、Ｐ及びＳ量を規制する。 - 特許庁

A wafer W with an Ru film formed on its surface, for example, is heated to preferentially orient a (001) face or (002) face with orientation of small lattice mismatching with Cu on a surface of the Ru film (step 3).例文帳に追加

例えば、表面にＲｕ膜が形成されたウエハＷを加熱処理して、Ｒｕ膜の表面に、Ｃｕとの格子不整合が小さい配向性を有する（００１）面または（００２）面を優先配向させる（ＳＴＥＰ３）。 - 特許庁

In the apparatus, at least one IDT mainly composed of Cu is formed on a LiTaO_3 substrate of a 23°-46° rotation Y board, and the SiO_2 film is formed on the LiTaO_3 substrate in a manner to cover the IDT.例文帳に追加

２３°〜４６°回転Ｙ板のＬｉＴａＯ_3基板上に、Ｃｕを主体とする少なくとも１つのＩＤＴが形成されており、該ＩＤＴを覆うように、ＬｉＴａＯ_3基板上にＳｉＯ_2膜が形成されている、弾性表面波装置。 - 特許庁

As the mechanical strength is increased by infiltration of Cu on a contact part of the roller 2 and the blade 3, the fracture caused by the concentration of stress on the contact part of the roller 2 and the blade 3 in starting the switch compressor 1 and the like, can be prevented.例文帳に追加

さらに、ローラ２とブレード３との接続部分にＣｕを溶浸して機械強度を上げているので、スイング圧縮機１の起動時等におけるローラ２とブレード３との接続部分の応力集中による破損を回避できる。 - 特許庁

The Ti-Cu-Zr-Pd metal glass alloy has a composition expressed by formula: Ti_100-a-b-cCu_aZr_bPd_c[wherein, a, b and c are atomic%, and, a denotes 30 to 50%, b denotes 0.5 to 20% and c denotes 0.5 to 20%].例文帳に追加

式：Ｔｉ_１００−ａ−ｂ−ｃＣｕ_ａＺｒ_ｂＰｄ_ｃ［式中のａ、ｂ、ｃは原子％で、ａは３０乃至５０原子％、ｂは０．５乃至２０原子％、ｃは０．５乃至２０原子％である］で示される組成を有する。 - 特許庁

A material expressed by a compositional formula M_XFe_3-_XO_4 (where M is at least one type of metal selected from a group including Mg, Mn, Ca, Ti, Cu, Zn, Sr, and Ni; 0≤X<3) serves as a main ingredient, and 0.25-1 mol% of ZrO_2 is included therein.例文帳に追加

組成式Ｍ_ＸＦｅ_３−ＸＯ_４（但し、ＭはＭｇ，Ｍｎ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｎｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属、０≦Ｘ＜３）で表される材料を主成分とし、ＺｒＯ_２を０．２５ｍｏｌ％〜１ｍｏｌ％含有させる。 - 特許庁

In addition, the carbide is present by surrounding the circumference of Cr, whereby current-carrying performance of the matrix containing either of Cu and Ag as a main constituent can be secured and a low surge property improving action can be exerted.例文帳に追加

さらにこの炭化物は、おもにＣｒの周辺を囲んで存在することにより、ＣｕまたはＡｇのいずれか一方を主成分としたマトリックスの通電性能を確保し、前述の低サージ性向上作用を発揮できる。 - 特許庁

The corrective PWM signal Cu is 1 (the switching element on an upper arm side is on) during the period of Tu in which pre-correction times Tu1 and Tu2 are added together, but is 0 (the switching element on a lower arm side is on) during the remaining period (2×Tc-Tu).例文帳に追加

補正ＰＷＭ信号Ｃｕは、補正前の時間Ｔｕ１とＴｕ２とを合わせたＴｕの期間で１（上アーム側のスイッチング素子がオン）となり、残る（２・Ｔｃ−Ｔｕ）の期間で０（下アーム側のスイッチング素子がオン）となる。 - 特許庁

After the adhesive film is stuck to an Ni/Au-plated Cu printed circuit board, a chip faces opposite to the adhesive film and connected to the circuit board, by pressing the chip against the circuit board, while the chip and circuit board are heated by aligning the bumps of the chip with the circuit board.例文帳に追加

接着フィルムをＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼り付け、接着フィルム側にチップを対向し、チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板の位置合わせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。 - 特許庁

The ferrite particle includes a material expressed by a compositional formula: (MxFe_3-x)O_4 (wherein, M is at least one metal element selected from a group consisting of Fe, Mg, Mn, Ti, Cu, Zn, Sr and Ni; 0≤X<1) as a main component, and Ca element and P element are incorporated.例文帳に追加

組成式（Ｍ_ＸＦｅ_３−Ｘ）Ｏ_４（ただし、ＭはＦｅ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｎｉからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素、０≦Ｘ＜１）で表される材料を主成分とし、Ｃａ元素とＰ元素とを含有させる。 - 特許庁

When the wt.% of Cu externally added as the dopant is defined as M1, the wt.% of Te and/or Se externally added as the dopant is defined as M2 and M2/M1 is defined as M, it is preferable to be M=3 to 100.例文帳に追加

ドーパントとして外付けで添加されたＣｕの重量％をＭ１とし、ドーパントとして外付けで添加されたＴｅ及び／またはＳｅの重量％をＭ２とし、Ｍ２／Ｍ１をＭとすると、Ｍ=３〜１００とすることが好ましい。 - 特許庁

An Ni-P coated film and an Au coated film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic body through a pre-treatment step 11, an autocatalytic Ni plating step 12 and a displacement Au plating step 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、及び置換Ａｕめっき工程１３により、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises outer leads 10a formed from a Cu base metal plate, a die pad 10b apart from the outer leads 10a, and radiation terminals 10c connected together to the die pad 10b.例文帳に追加

Ｃｕ製のベースメタル板から形成されたアウターリード１０ａ、これらのアウターリード１０ａとは分離されているダイパッド部１０ｂ、及びこのダイパッド部１０ｂに一体的に接続している放熱端子部１０ｃが設けられている。 - 特許庁

The X-ray transmissive film constituting the X-ray transmitting portion has a layer composed of at least one kind of metal selected from Al, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu or of their metal compounds.例文帳に追加

このＸ線透過部を構成するＸ線透過膜は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉもしくはＣｕのうち少なくとも１つの金属、または、その金属化合物により構成される層を有することを特徴とする。 - 特許庁