「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

The central conductor 30 is formed with a tongue piece 32 which comes into resilient contact with the inner peripheral electrode 12 at the center of a cylinder 31, contains at least Ni with Cu as a principal component, and also is composed of an alloy at a softening temperature of 300°C or more.例文帳に追加

中心導体３０は、筒体３１の中央部に内周電極１２に弾接する舌片３２が形成されており、Ｃｕを主成分として少なくともＮｉを含み、かつ、軟化温度が３００℃以上の合金からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device for forming an electrically conductive layer whose main component being Cu in a recess in an improved state of the embedding characteristics according to reflow processing even if the reflow processing at a high temperature ≥400°C is not carried out.例文帳に追加

４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Cu_3Sb-containing substance is made into a melted state, and an oxidizing gas such as air is brought into contact with a metal phase composing the melted body, thus Cu is concentrated into the metal phase, and the metal phase is separated from the remainder, so as to be recovered.例文帳に追加

Ｃu_3Ｓb含有物質を溶融状態とし、その融体を構成する金属相に空気などの酸化性ガスを接触させることにより、金属相中にＣuを濃化させ、この金属相を残部から分離して回収する。 - 特許庁

The rolled copper foil has a composition comprising 0.01 to 0.2 mass% Sn so that the total of Sn and Cu is controlled to ≥99.9 mass%, and a recrystallized structure in which the average crystal grain size is ≤5 μm, and the maximum crystal grain size is ≤15 μm.例文帳に追加

Ｓｎを0.01〜0.2 mass％含有しＳｎとＣｕの合計が99.9 mass％以上であり、平均結晶粒径が５μｍ以下、最大結晶粒径が１５μm以下である再結晶組織を有することを特徴とする圧延銅箔。 - 特許庁

To provide a joining member having an excellent adhesion in which a defect harmful to the heat conductivity is eliminated and a practically sufficient joining strength is provided at the joined zone where such different kind of material as W and Cu or Ni whose heat expansion coefficients are largely different are joined.例文帳に追加

ＷとＣｕやＮｉのように、熱膨張係数の差が大きい異種材料において接合部で熱伝導性有害な欠陥のない密着性に優れ、実用十分な接合強度を有する接合体を提供する。 - 特許庁

As the result, the use of Cu or Ni hitherto considered to be almost essential for the strengthening of the iron-based sintered alloy can be suppressed or eliminated and the recyclability of the iron-based sintered alloy can be improved, and further, cost reduction can be attained.例文帳に追加

この結果、これまで鉄基焼結合金の強化にはほぼ必須と考えられていたＣｕやＮｉの使用を抑制、廃止することができ、鉄基焼結合金のリサイクル性を高められ、さらにはそのコスト低減も図れる。 - 特許庁

This oxide superconductor contains an RE-Ba-Cu-O-based compound (RE is a rare earth element or a combination of the elements and contains at least one of Nd, Sm, Eu and Gd) having ≤5% porosity and ≥93K superconducting transition temperature (Tc).例文帳に追加

気孔率５％以下で超電導遷移温度（Ｔｃ）が９３Ｋ以上のＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＲＥは希土類元素またはその組み合わせでＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄのうちの少なくとも一つを含む）系化合物を含有する。 - 特許庁

By compacting the raw material iron powder and sintering the compacted iron powder at a temperature higher than the melting point of Cu, a high-strength sintered component having a tensile strength of ≥580 MPa can be actualized without using expensive alloy elements such as Ni and Mo.例文帳に追加

この原料鉄粉を加圧成形し、Ｃｕの融点以上の温度で焼結すれば、Ｎｉ、Ｍｏなどの高価な合金元素を使用せずに、引張り強度が５８０ＭＰａ以上の高強度の焼結部品を実現できる。 - 特許庁

An opening, smaller than the via contact B on a plan view, is provided to the second titanium film 105 and the second titanium nitride 106, and the via contact B is connected to the first Al-Cu film 104 through the opening.例文帳に追加

第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６には、ヴィアコンタクトＢの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトＢは開口部において第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４と接続している。 - 特許庁

When the same data are continuously inputted, a writing control part 11 stores the first data of the data in a memory as writing data DAI and outputs a count-up signal CU each time the same data are inputted.例文帳に追加

書込制御部１１は、同一データが連続して入力されるとき、当該データの最初のデータをメモリ１２に書込データＤＡＩとして格納するとともに、同一データが入力される毎にカウントアップ信号ＣＵを出力する。 - 特許庁

In a cell corresponding to two neighboring partition walls 30, a pair of display electrodes 22, 23 (scan electrode 22, sustaining electrode 23), made of metal materials (Ag or Cr/Cu/Cr, etc.), are provided split in three thin line parts 22a-22c, 23a-23c respectively.例文帳に追加

2つの隣接する隔壁30に対応したセル内において、金属材料（AgまたはCｒ/Cｕ/Cｒなど）からなる一対の表示電極22、23（スキャン電極22、サステイン電極23）をそれぞれ3本の細いライン部22a〜22c、23a〜23cに分割して配設する。 - 特許庁

When the plating material 5 is used for a sliding surface of a terminal or the like, the outermost layer 4 is composed of the rigid Cu-Sn intermetallic compound and therefore, even if the contact pressure between the terminals and the like is made smaller, a fretting phenomenon hardly occurs.例文帳に追加

めっき材料５を、端子などの摺動面に用いたとき、最外層４が硬質のＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層からなるため、端子間の接触圧力を小さくしても、フレッティング現象が起き難い。 - 特許庁

The gasket having these properties can be formed out of copper base alloy containing 0.80-1.20 wt.% of Ni, 0.50-1.10 wt.% of Sn, 0.03-0.07 wt.% of P and 97.63-98.67 wt.% of Cu.例文帳に追加

この性状をそなえるガスケットは０．８０〜１．２０質量％のＮｉ、０．５０〜１．１０質量％のＳｎ、０．０３〜０．０７質量％のＰ、９７．６３〜９８．６７質量％のＣｕとしてなる銅基合金から形成され得る。 - 特許庁

The soldering material for die bonding is composed of 11.0-20.0 mass % of Sb, 0.01-0.2 mass % of P, preferably further 0.005-5.0 mass % of at least one of Cu and Ni and Sn and inevitable impurities as the rest.例文帳に追加

Ｓｂを１１．０〜２０．０質量％、Ｐを０．０１〜０．２質量％、好ましくはさらにＣｕ，Ｎｉのうち少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％含み、残部Ｓｎ及び不可避的不純物からなるダイボンディング用半田材料。 - 特許庁

To form an antiferromagnetic layer in a higher-vacuum by suppressing inter-layer bonding caused between a fixed magnetized layer and a variable magnetized layer even when a Cu film forming a nonmagnetic layer is made thin.例文帳に追加

非磁性層となるＣｕ膜を薄膜化した場合でも、磁化固定層と磁化自由層との間に作用する層間結合を抑制することを可能とし、反強磁性層をより高真空の状態で成膜することを可能とする。 - 特許庁

The brazing filler metal is composed by mixing copper powder and quarternary alloy powder which comprises, in a composition ratio, 0.1-27.4 mass% Sn, 0.8-5.1 mass% Ni, 2.2-10.9 mass% P and the balance being Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

０．１〜２７．４質量％のスズ、０．８〜５．１質量％のニッケル、２．２〜１０．９質量％のリン、残部が銅および不可避不純物の組成比率で構成された４元合金粉未と、銅粉末とを混合してろう材を構成する。 - 特許庁

The copper alloy sheet comprises: 0.01 to 0.50 mass% Fe, 0.01 to 0.20 mass% P, and the balance Cu with unavoidable impurities; and has a micro-Vickers hardness of 150 or more, a uniform elongation of 5% or less, and a local elongation of 10% or less.例文帳に追加

Ｆｅ：０．０１〜０．５０質量％、Ｐ：０．０１〜０．２０質量％、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、マイクロビッカース硬さが１５０以上、一様伸びが５％以下、かつ局部伸びが１０％以下の銅合金板。 - 特許庁

A CU 500 directs a TXU 504 and an RXU 505 to define a plurality of kinds of transaction, classify bits for use in the ports according to the kinds of transaction, changes the destinations of the ports, and varies bit width for use in each of the kinds of transaction.例文帳に追加

CU500は、複数のトランザクション種を定義し、トランザクション種によって前記ポートにおいて使用するビットを分別すると共にポートの宛先を変更し、トランザクション種毎に使用するビット幅を変更するように、TXU504、RXU505に指示を行う。 - 特許庁

Since the Al-Cu alloy is used for the wiring 18, even if it is used in a high-temperature condition, the highly reliable wiring 18 capable of preventing failure due to diffusion of the wiring material in the interlayer insulating film 12 can be formed.例文帳に追加

配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 - 特許庁

To obtain a dielectric porcelain composition having 20-40 relative permittivity and capable of improving a value of Qf to ≥30,000 [GHz] and reducing the baking temperature to a temperature at which the composition can simultaneously be baked together with an inner conductor comprising Ag and Cu.例文帳に追加

比誘電率が２０〜４０で、Ｑｆ値を３００００〔ＧＨｚ〕以上と向上でき、かつ、焼成温度を、Ａｇ、Ｃｕからなる内部導体と同時焼成できる温度まで低下できる誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

To obtain an insulator porcelain composition which can be calcined at a law temperature of ≤1,000°C and can be sintered with Ag or Cu and from which a sintered body having low dielectric constant and high Q value and suitable for high frequency use can be obtained.例文帳に追加

１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体磁器組成物を得る。 - 特許庁

The state of dispersion of the Cu-rich phase can be attained by aging treatment where the value of A defined by A=T(20+logt)×10^-3 (where T is aging temperature (K) and t is aging time (h)) ranges from 13.0 to 21.2, preferably 15.0 to 19.0.例文帳に追加

そのＣｕリッチ相の分散状態はＡ＝Ｔ（２０＋ｌｏｇｔ）×１０^−３（Ｔ：時効温度（Ｋ），ｔ：時効時間（ｈ））で定義されるＡ値が１３．０〜２１．２好ましくは１５．０〜１９．０となる時効処理で実現される。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A connection terminal 20 is mainly composed of Cu, and includes: a connection part 23 connected to a battery and the like; a plate base 21 integrally formed with the connection part 23; and a sidewall 21a formed on both sides of the plate base 21, etc.例文帳に追加

接続端子１２０はＣｕを主体に構成され、バッテリー等に接続される接続部２３、接続部２３に一体化されている板状基部２１、板状基部２１の両側に形成された側壁２１ａ等を備える。 - 特許庁

To provide a conductive member where Sn plating is applied to the outermost surface having a substrate Ni plated layer on the surface of a Cu-based base material, and that has high contact resistance during exposure at a high temperature, and to provide a method for manufacturing the conductive member.例文帳に追加

Ｃｕ系基材の表面に下地Ｎｉめっき層を有する最表面にＳｎめっきが施された、高温での暴露時に優れた接触抵抗性を有する導電性部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, the massive graphite particle group has an apparent density of 0.70 g/cm^3 or more by the tap method, with an ash content of 0.5 mass% or less, and with a total of Fe, Cu, and Zn by the acid extracting ICP analysis of 100 ppm or less.例文帳に追加

なお、塊状黒鉛粒子群は、タップ法による見掛け密度が０．７０ｇ／ｃｍ^3 以上で、灰分が０．５質量％以下、酸抽出ＩＣＰ分析によるＦｅ，Ｃｕ，Ｚｎの総和が１００ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

The surfaces of the SiC films expected to come into contact with the Ta film 28 is placed in an Si rich state and then the Ta film 28 can be controlled into a crystal structure suppressing penetration of Cu.例文帳に追加

Ｔａ膜２８と接触することとなるＳｉＣ膜の表面をあらかじめＳｉリッチな状態にしておくことにより、Ｔａ膜２８をＣｕの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。 - 特許庁

The sputtering target is composed of at least either of high- purity Ta and high-purity TaN and contains high-purity Ta and N in amounts of ≤2 atomic %, and Cu content in the target-constituting material is regulated to ≤50 ppm.例文帳に追加

高純度Ｔａ、窒素を2at%以下の範囲で含有する高純度Ｔａ、および高純度ＴａＮから選ばれる少なくとも1種からなるスパッタリングターゲットであって、このターゲット構成材料中のＣｕ含有量を50ppm以下とする。 - 特許庁

Then, a laminated conductive film 116 made of TaN, Ta or the like is deposited, the laminated conductive film 116 at the bottom of the hole 115 is removed, and further etching to dig a Cu film 109 constituting lower layer wiring is performed.例文帳に追加

次にＴａＮ、Ｔａなどからなる積層導電性膜１１６を堆積し、ホール１１５の底部の積層導電性膜１１６を除去し、さらに下層配線を構成するＣｕ膜１０９を掘り込むエッチングを行う。 - 特許庁

This catalyst for a fuel cell contains tungsten carbide for which a half-value width of the maximum diffraction peak in a region having a diffraction angle 2θ(±0.3°) of 40°-60° by an X-ray diffraction method (Cu-K_α ray) is not less than 0.80°.例文帳に追加

Ｘ線回折法（Ｃｕ−Ｋ_α線）による回折角２θ（±０．３゜）が４０゜以上６０゜以下の領域における最大回折ピークの半値幅が、０．８０゜以上である炭化タングステンを含有する燃料電池用触媒。 - 特許庁

The seed layer is composed of a copper alloy having a composition containing Ag:0.05-2 mass%, total 0.03-0.3 mass% of one or more than one kind of V, Nb and Ta, and the remainder of Cu and inevitable impurities.例文帳に追加

Ａｇ：０．０５〜２質量％を含み、さらにＶ，ＮｂおよびＴａの内の１種または２種以上を合計で０．０３〜０．３質量％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 - 特許庁

This wear resistant copper or copper base alloy is the one in which an oxidized film layer of 10 to 1000 nm thickness is formed on the topmost surface, and an intermetallic compd. layer essentically consisting of Cu-Sn of 0.1 to 10 μm thickness is formed on the inside.例文帳に追加

最表面に厚さ１０〜１０００ｎｍの酸化皮膜層とその内側に厚さ０．１〜１０μｍのＣｕ−Ｓｎを主体とする金属間化合物層を形成させる耐摩耗性銅または銅基合金とする。 - 特許庁

The recessed part of this alumina substrate 22 is formed by the cutting process using a grind stone and the electrode terminals D1 to D8 are constituted by depositing a film of electrode material such as NiCr (nickel-chrome), and Cu (copper) or the like on this recessed part.例文帳に追加

このアルミナ基板２２の凹部は、砥石による切削加工により形成され、電極端子Ｄ１〜Ｄ８は、この凹部上に、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）、Ｃｕ（銅）等の電極材料を着膜することにより構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu wiring containing a basic crystal structure which is not affected by variation in wiring width and capable of reducing a surface defect to a level lower than a practicable level, and to provide its inspecting technique.例文帳に追加

配線幅の変遷に影響されない、表面欠陥を実用可能なレベルよりさらに低いレベルまで低減できる基本的な結晶構造を具備したＣｕ配線を有する半導体装置及びその検査技術を提供する。 - 特許庁

The etching liquid contains an alkaline solution being used at the time of wet etching a silicon substrate, especially a silicon substrate having an (100) face, and at least one kind of metal selected from Ca, Cu, Mg, Ni, Zn and Sn.例文帳に追加

シリコン基板、特に表面が（１００）面であるシリコン基板をウェットエッチングする際に用いられるアルカリ性溶液を含有すると共に、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種の金属を含有したエッチング液とする。 - 特許庁

And a breakage can be avoided at a stress concentration of the joint with a roller 2 and a blade 3 on starting of the swing compressor 1 because the joint with the roller 2 and the blade 3 is mechanically heightened with liquid metal infiltration of Cu.例文帳に追加

さらに、ローラ２とブレード３との接続部分にＣｕを溶浸して機械強度を上げているので、スイング圧縮機１の起動時等におけるローラ２とブレード３との接続部分の応力集中による破損を回避できる。 - 特許庁

The manufacturing method for a semiconductor device is comprised of forming a lower wiring 210 containing a Cu layer enclosed by an insulating layer 110, and forming a cap layer 300 for protection, by covering the lower wiring 210 on the insulating layer 110.例文帳に追加

絶縁層１１０によって取り囲まれたＣｕ層を含む下部配線２１０を形成し、絶縁層１１０上に下部配線２１０を覆って保護するキャップ層３００を形成する半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

This heat radiating body is composed of a compact 1 consisting of a mixture of Cu powder and cuprous oxide powder and incorporated with a heat pipe 3 in which a working solution to be evaporated and condensed at prescribed temperature is stored.例文帳に追加

Ｃｕの粉末と酸化第１銅の粉末の混合物より構成され、内部に、所定の温度で蒸発し、凝縮する作動液を収容したヒートパイプ３を内蔵させた成型体１によって放熱体を構成する。 - 特許庁

This copper alloy powder for conductive paste is composed of, by weight, 80 to 99.9% Cu and one or two or more elements selected from the group consisting of Ag, Cr and Zr and has the average particle size of 0.1 to 1 μm.例文帳に追加

Ｃｕ：８０〜９９．９重量％及びＡｇ，Ｃｒ，Ｚｒから成る群から選ばれた１又は２以上の元素０．１〜２０重量％から成り、平均粒径が０．１〜１μｍである導電ペースト用銅合金粉である。 - 特許庁

The sintered metal bearing is provided by compressing and molding material powder including at least Cu powder, SUS powder and pure Fe powder, and then by sintering the compression molding body at a predetermined temperature.例文帳に追加

本発明に係る焼結金属軸受は、Ｃｕ粉末とＳＵＳ粉末、および純Ｆｅ粉末とを少なくとも含む原料粉末を圧縮成形し、然る後、この圧縮成形体を所定の温度で焼結することにより得られる。 - 特許庁

In addition, an Au metal film 44 low in resistance is laminated by the nonelectrolytic plating on the Ni metal film 43, and a Cu metal film 45 low in resistance is laminated on the Au film 44 at a low cost.例文帳に追加

さらに、そのＮiからなる金属膜４３上に、無電解メッキにより低抵抗なＡuからなる金属膜４４を積層し、Ａu膜４４上に電気メッキにより低抵抗で低コストなＣuからなる金属膜４５を積層する。 - 特許庁

The reflecting film having high reflectivity of light and superior corrosion resistance, is manufactured by using a sputtering target which is made from an Ag-Cu (0.3-10 wt.%) alloy and has an average crystal grain size of 0.001-1 mm.例文帳に追加

Ａｇ−Ｃｕ（０．３〜１０ｗｔ％）合金において、その平均結晶粒径が０．００１〜１ｍｍであるスパッタリングターゲットを用いることによって、光の反射率が高く、耐食性に優れた反射膜を製造できる。 - 特許庁

In the Cu-Zn based alloy tin-plated strip using a copper based alloy comprising, by mass, 15 to 40% Zn as a base metal, the concentration of C in the boundary face between a plated layer and the base metal is controlled to ≤0.10%.例文帳に追加

１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｚｎ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。 - 特許庁

A composite bar material 4 of a Cu bar 2 and Ni bars 3a, 3b is formed, and both faces of the composite bar material 4 is partially coated with insulating materials 7, 7 so that a Ni exposed part 5 is formed on the composite bar material 4.例文帳に追加

Ｃｕ条２と、Ｎｉ条３ａ，３ｂとの複合条材４を形成し、その複合条材４にＮｉ露出部５が形成されるように、複合条材４の両面を絶縁体７，７で部分的に被覆したものである。 - 特許庁

To provide a multilayer interconnection structure excellent in a Cu diffusion, a heat resistance, an electrical performance, especially, a dielectric constant, and an adhesion; and to provide a semiconductor device having the structure and excellent in the electrical performance.例文帳に追加

Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。 - 特許庁