「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, a metal layer 17 containing Cu is formed on the upper layer of the barrier metal layer 16 by electrolytic plating using the barrier metal layer 16 as an electrode, and the barrier metal layer 16 and the metal layer 17 are processed into a wiring pattern.例文帳に追加

次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 - 特許庁

At least either Zn or Sn is alloyed with Cu as a main ingredient, with a content of Zn and/or Sn in the copper alloy powder of 0.02 to 1.2% by mass, and a content of P of 0.005 to 0.05% by mass.例文帳に追加

主成分であるＣｕに、ＺｎとＳｎの少なくともいずれか一方が合金化され、銅合金粉中のＺｎ及び／又はＳｎの含有量が0.02〜1.2質量％で、Ｐの含有量は0.005〜0.05質量％である。 - 特許庁

This magnetic ferrite composition contains at least one kind from Mg, Ni, Cu, Zn, Mn, and Li, and the content of carbon is within a prescribed range, e.g. greater than 9.7 weight ppm and less than 96 weight ppm.例文帳に追加

Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｌｉのうちの少なくとも１種類を含む磁性フェライト組成物であって、炭素の含有量が所定範囲内、たとえば９．７重量ｐｐｍ超９６重量ｐｐｍ未満である磁性フェライト組成物。 - 特許庁

A Cu-Co-Si based alloy strip contains 0.5-3.0 mass% of Co, 0.1-1.0 mass% of Si and the balance comprising copper and inevitable impurities, and has a twin boundary frequency of 40-70%.例文帳に追加

０．５〜３．０質量％のＣｏ、０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が４０〜７０％であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条である。 - 特許庁

The alumina mat has ≤300 ppm total amount of Na and K, ≤200 ppm Fe, ≤2 ppm Cu, ≤2 ppm Ni, ≤50 ppm Ca and ≤10 ppm Mg as impurities contained in the alumina fiber.例文帳に追加

アルミナ繊維の繊維中に含む不純物として、ＮａとＫの合計量が３００ｐｐｍ以下、Ｆｅが２００ｐｐｍ以下、Ｃｕが２ｐｐｍ以下、Ｎｉが２ｐｐｍ以下、Ｃａが５０ｐｐｍ以下、Ｍｇが１０ｐｐｍ以下である。 - 特許庁

Since the Cu plated layer 36 extends, the concentrated stress to a tip on the principal surface 28 can be dispersed and a crack caused in mounting external electrodes 23, 24 can be suppressed.例文帳に追加

このように、Ｃｕめっき層３６を伸ばすことにより、外部電極２３，２４の、主面２８上での先端部分への応力の集中を分散することが可能となり、実装時に生じ得るクラックを抑制することができる。 - 特許庁

To avoid adverse effects of splashes of fuse material caused by a blown-out fuse in a redundancy circuit in a semiconductor device provided with a semiconductor integrated circuit, using Cu wiring and the redundancy circuit.例文帳に追加

Ｃｕ配線を用いた半導体集積回路とリダンダンシー回路とを備えた半導体装置において、リダンダンシー回路のフューズの溶断によって生じるフューズ材料の飛散による悪影響を無くすこと。 - 特許庁

This is a copper alloy contg., by weight, 5 to <10% Zn, 0.1 to 3% Sn, and the balance Cu with inevitable impurities, in which the grain size is controlled to 5 to 35 μm.例文帳に追加

Ｚｎを５ｗｔ％以上、１０ｗｔ％未満、Ｓｎを０．１〜３ｗｔ％含み、残部がＣｕと不可避的不純物からなる銅合金であって、結晶粒度が５〜３５μｍであることを特徴とする。 - 特許庁

The surface of an Al-Mg-Si alloy sheet having a composition containing 0.05 to <0.3% Zn, and in which the content of Cu is limited to <0.05% (inclusive of 0%) is formed with a zincate film of 0.1 to 1.5 g/m2.例文帳に追加

Ｚｎ０．０５％以上０．３％未満を含有し、Ｃｕを０．０５％未満（０％を含む）に制限したＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板の表面に、０．１〜１．５ｇ／ｍ^2 のジンケート皮膜が形成されている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an electric connector of which the processing time is short, in which Cu foils of an FPC board 14 are not exfoliated, and which does not require examinations of a micro strip line in which transmission line characteristics have been taken into consideration.例文帳に追加

本発明の目的は、加工時間が短く、ＦＰＣ基板１４のＣｕ箔が剥離することがなく、伝送路の特性を配慮したマイクロストリップラインの検討が不必要な電気コネクタの製造方法を得るにある。 - 特許庁

M1 is at least one of Ni, Co, Mn, Fe and Cu, M2 is at least one of metal elements except M1 and semimetal elements, and X is at least one of O, S, N and P, wherein 0≤a<3.6, 0≤b<1 and 1≤c≤2.例文帳に追加

Ｍ１はＮｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕの少なくとも１種、Ｍ２はＭ１以外の金属元素および半金属元素の少なくとも１種、ＸはＯ，Ｓ，Ｎ，Ｐの少なくとも１種であり、０≦ａ＜３．６、０≦ｂ＜１、１≦ｃ≦２である。 - 特許庁

Reaction selectivity is given in the initial process of CVD by the surface treatment, thus improving the coherency between Cu wiring and the CVD film, without increase in resistance or leakage between wirings.例文帳に追加

この表面処理によりＣＶＤ初期過程において反応選択性を持たせることにより、抵抗上昇、配線間リークなどを生じさせないでＣｕ配線とＣＶＤ膜間の密着力を向上させる。 - 特許庁

This copper alloy contains, by weight, 1.8 to 2.3% Fe, 0.01 to 0.1% P, 0.05 to 1.0% Zn, 0.05 to 0.3% Sn, 4 to 100 ppm C, and the balance Cu.例文帳に追加

Ｆｅを１．８〜２．３重量％、Ｐを０．０１〜０．１重量％、Ｚｎを０．０５〜１．０重量％、Ｓｎを０．０５〜０．３重量％、およびＣを４〜１００重量ｐｐｍ含有し、残部がＣｕより成る銅合金。 - 特許庁

The composite material comprises one or more first phases essentially consisting of Pt and one or more second phases comprising Cu, and in which the content of Pt is 40 to 75 wt.% in the whole composition.例文帳に追加

Ｐｔを主成分とする１または複数の第１相と、Ｃｕを含む１または複数の第２相と、を有し、Ｐｔの含有量は全組成中の４０重量％以上７５重量％以下である複合材。 - 特許庁

For example, an improved workability solder contains 96-90 wt.% Sn, 3.0-3.5 wt.% Ag, 0.7-1.2 wt.% Cu, ≤3 wt.% Bi, 0.001-0.5 wt.% V.例文帳に追加

１実施例として錫９６〜９０％ｗｔ、Ａｇ３．０〜３．５％ｗｔ、Ｃｕ０．７〜１．２％ｗｔ、Ｂｉ３％ｗｔ以下、バナジウム０．００１％〜０．５％ｗｔよりなる加工性改良はんだがある。 - 特許庁

An FSG film 3 is subjected to moisture proofing, by covering the FSG film 3 formed on a laminated wiring layer 2 consisting of a TiN film 2a, an Al-Cu film 2b, a Ti film 2c and a TiN film 2d with an NSG film 4.例文帳に追加

ＴｉＮ膜２ａ、Ａｌ−Ｃｕ膜２ｂ、Ｔｉ膜２ｃおよびＴｉＮ膜２ｄからなる積層配線層２上に形成されたＦＳＧ膜３を、ＮＳＧ膜４で覆うことにより、ＦＳＧ膜３を防湿する。 - 特許庁

In the CPP type magnetic detecting element, the upper and lower portions of the fixed magnetic layer 23 having an artificial ferristructure are sandwiched by non-magnetic metal magnetostriction enhancement layer 22 and a non-magnetic material layer 24 having a lattice constant that is larger than that of Cu.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子において、人工フェリ構造の固定磁性層２３の上下を非磁性金属製の磁歪増強層２２と、Ｃｕよりも格子定数の大きい非磁性材料層２４で挟む。 - 特許庁

To make an interconnection at a high density by setting the thickness of a dielectric to be less than the total thickness of Cu conductors and Al studs and polishing extruded polymers and studs to expose the stud stops only, thus forming a flat surface.例文帳に追加

好適な絶縁性誘電体により分離された多層の導体並びに層間を相互接続するバイアを有するチップキャリヤ基板の製造方法、及び該方法により形成されるチップキャリヤ基板を提供する。 - 特許庁

Further, one or more kinds of metals selected from Cu, Cr, Ti, W, Mo, Sb, Al, Nb and Ta by 0.01 to 8% in total are incorporated into the Ni-containing iron based alloy material.例文帳に追加

上記、Ｎｉ含有鉄基合金材料に、さらに、質量％で、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｔａの１種または２種以上を合計で０．０１〜８％を含有する耐候性に優れた鋼材。 - 特許庁

An average thickness of the Ni layer 2 is ≥0.1 μm and ≤1.0 μm, an average thickness of a Cu-Sn alloy layer is >0.55 μm and ≤1.0 μm, and an average thickness of the Sn layer 5 is ≥0.2 μm and ≤1.0 μm.例文帳に追加

Ｎｉ層２の平均厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５５μｍを超え１．０μｍ以下、Ｓｎ層５の平均厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sintered body having a structure of NaxA_2Oy (where A represents Co, Fe, Ni, Cu and Mn, and 1≤x≤2 and 2≤y≤4) whose C axis is oriented in one direction and which is preferable for a thermoelectric conversion material.例文帳に追加

熱電変換材料用に好適な、ＮａｘＡ_２Ｏｙ（Ａ：Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、１≦ｘ≦２、２≦ｙ≦４）型構造を有し、Ｃ軸が一方向に配向した焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lead-less brass material has an alloy composition comprising, by weight, 61.0 to 63.0% Cu, 0.5 to 2.5% Bi, 1.5 to 2.5% Sn, 0.04 to 0.15% P and 0.02 to 0.10% Sb, and the balance Zn with inevitable impurities.例文帳に追加

Ｃｕ：６１．０〜６３．０ｗｔ％、Ｂｉ：０．５〜２．５ｗｔ％、Ｓｎ：１．５〜２．５ｗｔ％、Ｐ：０．０４〜０．１５ｗｔ％、Ｓｂ：０．０２〜０．１０ｗｔ％と、残部がＺｎと不可避的不純物からなる合金組成とした。 - 特許庁

This white light emitting device is provided with an LED 1, and a phosphor 3 ZnS_xSe_1-x(0<x<1) containing at least one kind of activator Cu, Ag and Au to be excited by rays of light outgoing from the LED to emit rays of light.例文帳に追加

ＬＥＤ１と、付活剤Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕのうちの少なくとも１種を含み、ＬＥＤから出射される光によって励起されて、光を発する蛍光体ＺｎＳ_xＳｅ_1-x（０<ｘ<１）３とを備える。 - 特許庁

Mg, 0.3-2.5% Si and further, according to the necessary, one or more kinds among Cu, Mn, Cr, Zr, V and the balance, substantially Al.例文帳に追加

Ｍｇ０．３〜２．０％、Ｓｉ０．３〜２．５％を含有し、さらに必要に応じてＣｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｖの１種以上を含有し、残部が実質的にＡｌからなる合金の板材で集合組織を適切に制御する。 - 特許庁

The alloy contains 91.0-95.0 wt.% Zn, 3.0-5.0 wt.% Al, 1.5-3.5 wt.% Cu, 0.001-0.02 wt.% Mg, and 0.0001-0.02 wt.% Si, and is used as the end face electrode raw material for the metallized plastic film capacitor.例文帳に追加

Ｚｎ91.0〜95.0重量％、Ａｌ3.0〜5.0重量％、Ｃｕ1.5〜3.5重量％、Ｍｇ0.001〜0.02重量％、Ｓｉ0.0001〜0.02重量％からなる合金であり、金属化プラスチックフィルムコンデンサの端面電極用素材として使用される。 - 特許庁

The steel comprises proper amounts of C, Si and Mn, comprises one or two kinds selected from V and Mo, also satisfies the relation of V+Mo/2>0.4%, and further comprises one or more kinds selected from Cr, Nb, Cu, Ni and B.例文帳に追加

鋼材は、適正量のＣ、Ｓｉ、Ｍｎを含有し、Ｖ、Ｍｏの１種又は２種を含有し、かつＶ＋Ｍｏ／２＞０．４％の関係を満たし、更にＣｒ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｂ、の１種又は２種以上を含有する。 - 特許庁

The green color light-emitting phosphor for the displaying device consists mainly of a cubic system zinc sulfide phosphor using Cu and Al as activating agents, and has layers containing each of Si and K on their surfaces.例文帳に追加

また、本発明の表示装置用緑色発光蛍光体は、ＣｕおよびＡｌを付活剤とする立方晶系の硫化亜鉛蛍光体を主体とし、表面にＳｉとＫをそれぞれ含有する層を有する。 - 特許庁

An Ni-P film and an Au film are successively formed on a Cu electrode formed on the surface of a ceramic element assembly through a pretreatment stage 11, an autocatalytic Ni plating stage 12 and a substitution Au plating stage 13.例文帳に追加

前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、置換Ａｕめっき工程１３を経て、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。 - 特許庁

Since a portion positioned at the edge part of the outer peripheral part of a chip region in the annular groove 30 is filled with a part of the photoresist pattern Fr2, Cu, etc., spattering from the bottom surface of the annular groove 30 is reduced.例文帳に追加

このとき、環状溝３０のうちチップ領域外周部の辺部に位置する部分はフォトレジストパターンＦr2の一部によって埋められているので、環状溝３０の底面から飛散するＣｕ等が低減される。 - 特許庁

An image control unit CU of a display module 1 of a mobile object comprises; an image processing circuit 110; a temperature detecting circuit 300; an analog to digital converter 310; a controller 320; and a luminance adjusting circuit 330.例文帳に追加

移動体の表示モジュール１の画像制御ユニットＣＵは、画像処理回路１１０と、温度検出回路３００と、アナログ／デジタル変換器３１０と、コントローラ３２０と、輝度調整回路３３０とを備える。 - 特許庁

The crystal of (2R,4R)-monatin potassium salt shows an X-ray powder diffraction pattern having characteristic peaks at diffraction angles 2θ of 5.5°, 7.2°, 8.1°, 8.9° and 16.3°, by powder X-ray diffraction (Cu-Kα ray).例文帳に追加

Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折で得られるＸ線回折パターンにおいて、５．５°、７．２°、８．１°、８．９°および１６．３°に回折角２θの特徴的ピークを有する、（２Ｒ，４Ｒ）−モナティンのカリウム塩結晶。 - 特許庁

The base metal 2 for the grinding tool is formed of a W group alloy containing 20% by weight of at least one type of metal selected from Ni, Cu, Fe and Co and W in the rest.例文帳に追加

Ｎｉ，Ｃｕ，ＦｅおよびＣｏから選択される少なくとも一種の金属を２０重量％以下含有し、残部Ｗから成るＷ基合金で形成されたことを特徴とする研削工具用台金２である。 - 特許庁

The resin mold product 1 for the optical pickup is insert-molded by using a Cu alloy containing 0.10 to 0.45 wt.% Ni as a material of an insert metal 5 which constitutes a suspension part 3 supporting a moving part 2.例文帳に追加

可動部２を支持するサスペンション部３を構成するインサート金具５の材料として、Ｎｉを０．１０〜０．４５ｗｔ％含有するＣｕ合金を用いて光ピックアップ用樹脂成形品１をインサート成形する。 - 特許庁

When a main control unit 323 is abnormal, it is detected by a CU communication control unit 80, a Pachinko machine 2 opposite to the main control unit 323 is notified about it, and the abnormal notification control is performed by the Pachinko machine 2.例文帳に追加

メイン制御部３２３に異常が存在する場合にそれをＣＵ通信制御部８０が検知して、その旨をメイン制御部３２３とは逆のパチンコ機２へ通知し、パチンコ機２で異常報知制御を行なう。 - 特許庁

A structure connected by a dummy Cu pattern 43B and a dummy via plug 47D of the lower wiring layer is added to a region of a tip relative to the extension 47B in order to prevent a poor connection by stress migration at the connection thereof.例文帳に追加

この接続部でのストレスマイグレーションによる接続不良を防止するため延出部４７Ｂより先端部の領域に下層配線層のダミーＣｕパターン４３Ｂとダミービアプラグ４７Ｄで接続する構造を追加する。 - 特許庁

Then, a formula section "Simp2" for one division at the head side from an input data termination where a cursor Cu(cursor pointer Cp) is positioned is moved from the inside to the outside of the 2D function, and corrected into "(14/16) Simp2".例文帳に追加

すると、カーソルＣｕ（カーソルポインタＣｐ）が位置する入力データ終端から先頭側に１区切り分の数式部分「Simp２」が、前記２Ｄ関数の内部から外側へ移動されて「（１４／１６）Simp２」と修正される。 - 特許庁

Propylene is formed by bringing an ethylene-containing reaction gas into contact with a catalyst having as an active component a zeolite containing at least one metallic element selected from the group consisting of Cu, Fe, Co, Cr, and Pt.例文帳に追加

Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔよりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を含有するゼオライトを活性成分に有する触媒に、エチレンを含む反応ガスを接触させてプロピレンを生成させる。 - 特許庁

Moreover, the aluminum-barium alloy preferably contains an element selected from a group consisting of Cu, Mg, Mn, Si and Cr at a content of 0.01 wt.% or more and 10 wt.% or less.例文帳に追加

また、前記アルミニウム−バリウム合金は、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｉ，Ｃｒ及びＺｎよりなる群から選択される元素を、０．０１重量％以上１０重量％以下の含有量で含むことが好ましい。 - 特許庁

A laminate structure 20 formed on lower-layer Cu wiring 3 includes a cap insulation film 4 containing silicon and carbon, and a SiOCH film as a wiring insulation film 5 formed on the cap insulation film 4.例文帳に追加

下層Ｃｕ配線３上に形成されている積層構造２０は、シリコンと炭素を含有するキャップ絶縁膜４と、キャップ絶縁膜４上に形成されている配線絶縁膜５としてのＳｉＯＣＨ膜を有する。 - 特許庁

To allow a solder alloy having excellent connection reliability under high temperature and having high content of Cu, to be applied in a soldering method by the reduction processing using reducing gas with low environmental load.例文帳に追加

高温下での接続信頼性に優れたＣｕ含有量の多いはんだ合金を環境負荷の低い還元性ガスを用いた還元処理によるはんだ接合方法に適用することを可能にすることを目的とする。 - 特許庁

To recover a damaged layer for a substrate with a decarbonized damaged layer and an oxide formed on respective exposed surfaces of a SiCOH film as a low dielectric constant film and Cu wiring and to reduce the oxide.例文帳に追加

低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜とＣｕ配線との夫々の露出面に炭素の脱落したダメージ層及び酸化物が夫々形成された基板に対してダメージ層を回復させ且つ酸化物を還元すること。 - 特許庁

In the tin plated copper or the copper alloy material, a Cu-Sn alloy layer Y and an Sn layer X which are formed according to reflow processing are formed in this order on the surface of a base material A made of copper or copper alloy strip.例文帳に追加

銅又は銅合金板条からなる母材Ａの表面に、リフロー処理により形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層ＹとＳｎ層Ｘがこの順に形成されたＳｎめっき付き銅又は銅合金材料。 - 特許庁

To provide a Cu-Fe-P-based copper alloy thin plate having good resin adhesion and suited to be used as a heat dissipation board in chip-on-board of an LED chip or the like capable of efficiently dissipating heat.例文帳に追加

樹脂密着性が良好であり、ＬＥＤチップ等の発熱を効率的に放散することが可能なチップオンボードでの放熱基板としての使用に適するＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金薄板を提供する。 - 特許庁

The copper-based alloy has a composition consisting of 61.0-61.8 wt.% Cu and 0.8-2.4 wt.% Sn; and has improved dezincification resistance, erosion resistance, corrosion resistance and cast crack resistance.例文帳に追加

Ｃｕの含有量を６１．０〜６１．８重量％、Ｓｎの含有量を０．８〜２．４重量％とする組成を有し、耐脱亜鉛性、耐エロージョン・コロージョン性、並びに耐鋳造割れ性を改善した銅基合金である。 - 特許庁

A CDV-Cu film is deposited onto monovalent copper amidinate as a film deposition raw material at a low temperature and also at a practical film deposition rate, using carboxylic acid having high reduction capacity to monovalent copper amidinate as a reducing agent.例文帳に追加

成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。 - 特許庁