1153万例文収録!

「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定


セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

cuを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 5425



例文

This solder consists of 1 to 3 mass % Ag, 0.5 to 1.0 mass % Cu, 10 to 20 mass % Bi, 0.01 to 0.03 mass % Ge or 0.01 to 0.1 mass % Se and the balance Sn.例文帳に追加

上記目的を達成するために、Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Biが10〜20質量%、Geが0.01〜0.03あるいはSeが0.01〜0.1質量%、残部がSnからなるものである。 - 特許庁

After motion of the Cu foil 50 in the width direction is restrained by the air chuck 11, the stopper bolt 122 is loosened in such a state, and a clearance between the clamping 12 and the flange 13 is removed to provide a clearance d2 between the end face 50a and the flange 13.例文帳に追加

Cu箔50は、エアチャック11で幅方向への動きが規制されて後、この状態でストッパボルト122を緩め、クランピング12とフランジ13との隙間がなくして、端面50aとフランジ13との間に隙間d2を設ける。 - 特許庁

The bar-shaped Cu-based metallic glass alloy having a diameter of 20 mm or more can be obtained, and when the composition is Cu_34Ni_2Zr_48Ag_8Al_8, the bar-shaped metallic glass alloy having the diameter up to 30 mm can be produced.例文帳に追加

直径が20mm以上の棒状のCu基金属ガラス合金が得られ、Cu_34Ni_2Zr_48Ag_8Al_8からなる組成において、最大30mmの棒状金属ガラス合金を作製することができる。 - 特許庁

Then, the recess 8a is filled with a sealing resin 9, and the surface of the filled sealing resin 9 is flatly polished for exposing a flange section 8b of the metal case 8 and a terminal surface 4a of Cu wiring 4 of a semiconductor chip 1.例文帳に追加

次に、凹部8a内を封止樹脂9で充填し、充填した封止樹脂9の表面を平らに研磨して、金属ケース8のフランジ部8bと半導体チップ1のCu配線4の端子表面4aを露呈させる。 - 特許庁

例文

Thus, the semiconductor device which has the low-cost rear surface electrode 5 capable of high-speed operating with the lower electric resistance aluminum (Al) layer than the silver (Ag) without using an expensive gold (Au) layer or a copper (Cu) layer can be realized.例文帳に追加

これにより銀(Ag)よりも低電気抵抗のアルミニウム(Al)層を有する高速動作が可能な、且つ高価な金(Au)層や銅(Cu)層を用いない安価な裏面電極5を有する、半導体装置が実現できる。 - 特許庁


例文

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Cu配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the CNT is embedded into an electroless Cu plating film, it is expected that the plating film has electromagnetic wave shielding property at frequencies as high as up to 100 kHz to several GHz with about 2 μm thickness of the plating film.例文帳に追加

また、無電解Cuめっき皮膜中にCNTを取り込ませた場合、2μm程度のめっき皮膜の厚さで、100kHz〜数GHz程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。 - 特許庁

The molding surface constituting member 20 is constituted of a substrate layer comprising one of an Ni-Al alloy and an Ni-Cr alloy and the surface layer 22 present on the substrate layer and comprising one of a Cu alloy and pure iron.例文帳に追加

成形面構成体20は、Ni−Al系合金およびNi−Cr系合金の一方よりなる下地層と、その下地層上に在り、且つCu系合金および純鉄の一方よりなる表面層22とより構成される。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet comprises, by mass, 0.8 to 1.3% Mn, 0.9 to 1.3% Mg, 0.15 to 0.25% Cu, 0.15 to 0.40% Si, 0.25 to 0.50% Fe and ≤0.25% Zn, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

Mn:0.8〜1.3%(質量%、以下同じ)、Mg:0.9〜1.3%、Cu:0.15〜0.25%、Si:0.15〜0.40%、Fe:0.25〜0.50%、Zn:0.25%以下を含有し、残部が不可避的不純物とアルミニウムからなる。 - 特許庁

例文

This skin preparation for external use containing the extract of the lactobacillus enriched with at least 1 kind of mineral component selected from the group consisting of Mg, Fe, Mn, Zn, Cu, Se, Cr, Mo, I and Ca is excellent in the hair growing effect, humectant property, bleaching effect, anti-wrinkle effect, etc.例文帳に追加

Mg,Fe,Mn,Zn,Cu,Se,Cr,Mo,IおよびCaからなる群から選択された少なくとも1種のミネラル成分を強化した乳酸菌の抽出物を含有してなる皮膚外用剤は、育毛効果、保湿性、美白効果、抗シワ効果等に優れる。 - 特許庁

例文

A common signal CU is imparted successively to a common electrode of a piece each of an upper picture of a liquid crystal panel 1 by a common driver 5U, and a common signal CL is imparted successively to the common electrode of a piece each of a lower picture by the common driver 5L.例文帳に追加

コモンドライバ5Uにより液晶パネル1の上画面の1本ずつのコモン電極に順次コモン信号CUが与えられ、コモンドライバ5Lにより下画面の1本ずつのコモン電極に順次コモン信号CLが与えられる。 - 特許庁

To provide a wafer cleaning method for effectively removing from a wafer surface, organic substances sticking on a semiconductor substrate in a pre-processes, such as CMP process for forming Cu wiring, before moving to a next process, related to a wafer processing process.例文帳に追加

ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にCu配線を形成するCMP処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A laminated electrode 13 comprising an Al electrode 11 and a CU electrode 12 is formed on the main surface of the semiconductor chip 14, and connection pads 19, 22, which are made by exposing the AL electrode 11, are formed on a part of the laminated electrode 13.例文帳に追加

半導体チップ14の主面にAl電極11とCu電極12が積層された積層電極13を形成し、積層電極13の一部にAl電極11が露出した接続パッド19、22を設ける。 - 特許庁

Since the alloy of Cu and Ni, and Ni, have a hardness higher than Au forming the surface layer, the protrusion 23 is not easily deformed even if the elastic contact 20 comes into contact with the external electrode 42 by a great pressing force.例文帳に追加

CuとNiの合金及びNiは、表面層を形成するAuより高い硬度を有するため、弾性接触子20が外部電極42に大きな押圧力で当接しても突出部23が容易に変形することがなくなる。 - 特許庁

A cooling room 8 isolated from a grill heating room 9 is formed in a space beside the grill heating room 9 inside a body, and a cooling unit CU is installed inside the cooling room 8 for cooling IH heating coils 6RC, 6LC.例文帳に追加

本体内部のグリル加熱室9の側方空間に、グリル加熱室9と隔絶された冷却室8を形成し、冷却室8の内部にIH加熱コイル6RC,6LCを冷却する冷却ユニットCUを設置する。 - 特許庁

The copper alloy member has a composition including Zr in a parent phase as a solid solution, a simple substance and/or a compound in an amount of 0.005 to 0.2 mass% (in terms of Zr in the case of compound), and the balance Cu with unavoidable impurities.例文帳に追加

銅合金部材は、Zrを、母相中に、固溶体、単体及び/又は化合物として、0.005乃至0.2質量%(化合物の場合はZr換算値)含有し、残部がCuと不可避的不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

The composition for via hole conductor contains a conductor material containing Cu, or the like, and an inorganic boron compound, wherein the content of inorganic boron compound is set in the range of 0.5-30.0 vol.% with respect to the total conductive material and the inorganic boron compound.例文帳に追加

Cu等を含む導体材料と無機ホウ素化合物とを含み、無機ホウ素化合物の含有量を、導体材料と当該無機ホウ素化合物の合計に対して、0.5〜30.0体積%とした、ビアホール導体用組成物。 - 特許庁

The sputtering target material for the Ag alloy-based reflective film comprises 0.1-0.5 at.%, 0.1-0.5 at.% in total of Au and/or Cu, and the residue of substantially Ag.例文帳に追加

そして、本発明は、Smを0.1〜0.5at%、Auおよび/またはCuを合計で0.1〜0.5at%含み残部実質的にAgからなることを特徴とするAg合金系反射膜形成用スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

The high-temperature flexible cable 1 comprises a terminal part 3 at the both ends of the flexible conductor part 2 formed by a braided wire, and the braided wire is formed of stainless-clad Cu wire that is made by cladding process of stainless steel on the surface of a copper wire.例文帳に追加

高温用フレキシブルケーブル1は、編組線にて形成された可撓性導体部2の両端に端子部3を有し、編組線は、銅線の表面にステンレス鋼のクラッド加工を施したステンレスクラッドCu線で形成される。 - 特許庁

This solder contains 1 to 3 mass % Ag, 0.5 to 1.0 mass % Cu, 0.01 to 0.03 mass % Ge or 0.01 to 0.1 mass % Se and has the balance Sn.例文帳に追加

本発明は、上記目的を達成するために、Agが1〜3質量%、Cuが0.5〜1.0質量%、Geを0.01〜0.03質量%あるいはSeを0.01〜0.1質量%含有し、残部がSnを有するものである。 - 特許庁

Material of the lip ring 14 is constituted of graphitized carbon fiber CF of petroleum pitch, and a powder material composed of copper Cu or copper alloy, molybdenum disulfide MoS_2, and polytetrafluoro-ethylene PTFE.例文帳に追加

そして、このリップリング14の材料を、石油ピッチ系の黒鉛化処理した炭素繊維(CF)と、銅(Cu)または銅合金からなる粉末物質と、二硫化モリブデン(MoS_2 )と、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)とを含有して構成する。 - 特許庁

The aluminum foil for the electrolytic capacitor comprises Si, Fe, Cu, Pb, 0.1 to 100 ppm Ge and 99.9 mass% or more Al.例文帳に追加

Si、Fe、Cu、Pbが含有されるとともに、0.1ppmないし100ppmの範囲のGeと、99.9質量%以上のAlとが含有されてなることを特徴とする本発明の電解コンデンサ用アルミニウム箔を採用する。 - 特許庁

As the catalyst, the catalyst containing (A) a Ti-Si composite oxide and/or a Ti-Zr composite oxide; and (B) an oxide of at least one kind of element selected from Mn, Cu, Cr, Fe and Ni is used.例文帳に追加

触媒として、(A)Ti−Si複合酸化物および/またはTi−Zr複合酸化物、および(B)Mn、Cu、Cr、FeおよびNiから選ばれる少なくとも1種の元素の酸化物を含む触媒を用いる。 - 特許庁

This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with a colored oxide layer containing60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method.例文帳に追加

ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたFe、Co、Cuの金属のうちの少なくとも1種の金属よりなる金属酸化物を60重量%以上含有する着色酸化物層が被覆されてなること。 - 特許庁

The titanium-copper having excellent plating adhesion can be obtained by adding, by mass, 25 to 500 ppm Al to a copper alloy having a composition comprising 1.0 to 4.5% Ti, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

1.0〜4.5質量%のTiを含有し残部がCuおよび不可避的不純物から構成される銅合金に25〜500質量ppmのAlを添加することにより、めっき密着性に優れたチタン銅が得られる。 - 特許庁

Further, the connector terminal has at least one foundation layer formed between the conductive base and the ruthenium layer made of at least one kind of metal selected from a group consisting of Ni, Cu, Au and Ag.例文帳に追加

また、本発明のコネクタ端子は、導電性基体とルテニウム層との間に、Ni、Cu、Au、Agからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属からなる下地層が少なくとも一層形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

A lead-containing copper alloy is brought into contact with a chemical conversion treatment solution containing metallic ions of one or more kinds selected from Zn, Fe, Mn, Ca, Ni, Cu, Co, Zr, Sn, Mg and Al, phosphoric ions and nitrate ions.例文帳に追加

鉛含有銅合金を、Zn、Fe、Mn、Ca、Ni、Cu、Co、Zr、Sn、Mg、Alから選ばれる1種又は2種以上の金属イオンと、りん酸イオンおよび硝酸イオンを含有する化成処理液と接触させる。 - 特許庁

The control unit CU selects a first operation mode or a second operation mode based on the states of the workieces, and controls the temperature and the irradiation time of the gas in the plume P applied to the workpieces from the plasma generating unit.例文帳に追加

そして、制御ユニットCUは、前記ワークの状態に基づいて、第1運転モードまたは第2運転モードを選択し、プラズマ発生ユニットPUからそのワークに照射するプルームPのガスの温度及び照射時間を制御する。 - 特許庁

Further, a cap film 18 as a silicon carbide film is formed thereon, boron ions are implanted from its upper surface by an ion implanting method to increase bonding strength between the Cu-buried wiring 22 and the insulating film.例文帳に追加

さらに、この膜面にシリコン炭化膜からなるキャップ膜18を形成して、その上面からホウ素をイオン注入法により注入し、Cuの埋め込み配線22とその周囲の絶縁膜との密着強度を強化する。 - 特許庁

A pad structure is formed by inserting a Cr film which has excellent adhesive strength with a Ti film formed on silicon or a silicone oxide film or a Ti compound film and an Ni film (or Cu film) where solder is connected.例文帳に追加

シリコン、シリコン酸化膜上に形成されるTi膜またはTi化合物膜と、はんだが接続されるNi膜(またはCu膜)との間に、両者との密着性が良好なCr膜を挿入したパッド構造とする。 - 特許庁

To provide a highly-reliable ceramic electronic component having a foundation electrode layer formed on a ceramic base body and an external electrode including a Cu plating film formed on the foundation electrode layer.例文帳に追加

セラミック素体の上に形成された下地電極層と、下地電極層の上に形成されたCuめっき膜とを有する外部電極を備えるセラミック電子部品であって、高い信頼性を有するセラミック電子部品を提供する。 - 特許庁

The crown type retainer 5 is formed by pouring heated and liquidized nylon 66, which is mixed with a stress-sensitive luminescent material doping Cu into ZnS, into a mold and by cooling and solidifying the molded nylon 66.例文帳に追加

冠形保持器5を、加熱流動化したナイロン66に、ZnSにCuをドーパントした応力発光材を混ぜ込んで、この応力発光材が混入されたナイロン66を、金型に注入して、冷却固化されて形成する。 - 特許庁

The first conductive member is a metal film formed by copper (Cu) or the like and overlapped with at least one wiring line in plane and formed on the other face of the film substrate along one wiring line.例文帳に追加

第1の導電部材は、銅(Cu)などで形成された金属膜であり、複数の配線のうち、すくなくとも1本の配線に平面的に重なり、且つ1本の配線に沿って、フィルム基板の他方の面に形成されている。 - 特許庁

The high-resistance layer is formed out of the oxide film of Gd (gadolinium), and the ion-source layer contains such metal elements as Cu (copper), Zr (zirconium), Al (aluminum), and so forth together with such chalcogenide elements as S (sulfur), Se (selenium), Te (tellurium), and so forth.例文帳に追加

高抵抗層はGd(ガドリニウム)の酸化膜により形成され、イオン源層は、S(硫黄),Se(セレン)およびTe(テルル)などのカルコゲナイド元素と共に、Cu(銅),Zr(ジルコニウム),Al(アルミニウム)などの金属元素を含有する。 - 特許庁

The toner contains metal particles containing Au, Ag, Cu or Pt or their alloy of ≥1 to300 nm in volume mean particle diameter or10 to200 nm in mean maximum length, and a binder resin.例文帳に追加

体積平均粒子径が1nm以上300nm以下又は平均最大長が10nm以上200nm以下のAu、Ag、Cu若しくはPt又はこれらの合金を含む金属粒子と、結着樹脂と、を含有するトナー。 - 特許庁

This particulate metal oxide contains a component originated in Cu, Ag and Mn in a particle comprising an oxide using at least one kind selected from a group comprising Zn, Ti and Ce as a metal element.例文帳に追加

本発明にかかる微粒子状金属酸化物は、Zn、TiおよびCeからなる群より選ばれる少なくとも1種を金属元素とする酸化物からなる粒子内にCu、Ag、Mnに由来する成分が含有されてなる。 - 特許庁

In the fuel cell (a test cell) 8 arranging the fuel electrode 3 and an oxidant electrode 4 on both sides of an electrolyte 1, all solid solution type alloy comprising at least nickel (Ni) and copper (Cu) is used as a fuel electrode material.例文帳に追加

電解質1の両面に燃料極3と酸化剤極4を配置した燃料電池(試験セル)8において、燃料極材料として少なくともニッケル(Ni)と銅(Cu)からなる全率固溶型合金を用いる。 - 特許庁

At least solder particles including Sn/Zn, metal grains 7 made of Cu and the lead free solder paste mixed in flux are used in a solder joining of a copper bump 5 of a electronic parts with a copper terminal 2.例文帳に追加

電子部品の銅バンプ5を銅端子2に半田により接合する半田接合において、少なくともSn/Znを含む半田粒子とCuをベースとする金属粒子7とフラックスに混合した鉛フリー半田ペーストを用いる。 - 特許庁

The electrophotographic cyan toner contains a tetradentate coordination type phthalocyanine compound having Si or Ge as a central metal and a bidentate coordination type phthalocyanine compound having Mg, Ca, Mn, Fe, Co, Ni, Cu or Zn as a central metal.例文帳に追加

Si又はGeの中心金属を有する四座配位型のフタロシアニン化合物及びMg,Ca,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,又はZnの中心金属を有する二座配位型のフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする電子写真用シアントナー。 - 特許庁

The sulfide compound semiconductor is obtained by producing a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S in the presence of Na, and by washing the sulfide compound semiconductor, using a polar solvent.例文帳に追加

Na共存下において、Cu、Zn、Sn及びSを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。 - 特許庁

This catalyst for producing the hydrogen-based gas by using the alcohol other than methanol as the raw material contains Cu, Pd or Ag and Mo, W or Ru and Zn or ZnO if necessary.例文帳に追加

Cu、PdまたはAgと、Mo、WまたはRuと、必要によりZnまたはZnOを含むことを特徴とするメタノール以外のアルコールを原料として水素を主成分とするガスを生成するためのアルコール改質用触媒。 - 特許庁

Preferably, one or more kinds among salts of inorganic oxides, salts of organic oxides, and hydroxides, which contain one or more kinds of metal elements among Mg, Ca, Fe, and Cu, are contained in the formed body.例文帳に追加

より好適には前記成形体中に、Mg、Ca、FeおよびCuからなる群から選ばれる1種以上の金属元素を含む、無機酸塩、有機酸塩および水酸化物からなる群から選ばれる1種以上を含有する。 - 特許庁

The medicine comprises as an effective ingredient a crystal composed of the 1-methylcarbapenem compound represented by formula (I) having a specific main peak in the powder X-ray diffraction obtained by irradiation with the Cu K_α-line.例文帳に追加

銅のK_α線の照射で得られる粉末X線回折において、特定の主ピークを示すことを特徴とする式(I)で表される1−メチルカルバペネム化合物からなる結晶を有効成分として含有する医薬。 - 特許庁

To provide soldering paste and an electronic circuit which improves the reliability of soldering by suppressing the oxidization of soldering powder with uniformly forming a stable Cu-Zn-Ni compound phase on an Ni electrode.例文帳に追加

Ni電極上に安定したCu−Zn−Ni化合物相を均一に形成することができると共に、はんだ粉末の酸化を抑制してはんだ付けの信頼性を向上させるはんだペーストおよび電子回路を提供する。 - 特許庁

It is allowable that an organometallic film is formed by mixing the liquid organometallic compound with a liquid organometallic compound containing metal elements, such as gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), rhodium (Rh).例文帳に追加

上記液体状有機金属化合物に、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)およびロジウム(Rh)などの金属元素を含む液体状有機金属化合物を混合し、これにより有機金属膜を形成するようにしてもよい。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Cu拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

The dimethyl ether reforming catalyst is obtained by supporting one or more noble metals selected from among Pt, Ru, Pd, Rh and Ir on a powder consisting of two or more elements including at least Cu and Zn.例文帳に追加

少なくともCuとZnとを含む2種類以上の元素からなる粉末に、Pt、Ru、Pd、Rh、Irから選択される少なくとも一種以上の貴金属を担持させてなるジメチルエーテル改質触媒を提供する。 - 特許庁

In an Al-Mg-Si alloy or an Al-Mg-Si-Cu alloy, grain boundary precipitates are allowed to exist at intervals of110 nm and also the size of the precipitates in the direction of grain boundaries is regulated to70 nm.例文帳に追加

Al−Mg−Si系合金あるいはAl−Mg−Si−Cu系合金において、粒界析出物が110nm以上の間隔で存在するとともに、析出物の粒界方向における寸法を70nm以上とする。 - 特許庁

An SiO_2 film and a photoresist film are then formed sequentially on the seed layer (S3, S4), an opening is formed by patterning the photoresist film and the SiO_2 film (S5, S6), and a Cu film and a mask Al film are laminated in the opening (S7, S8).例文帳に追加

シード層の上にSiO_2膜及びフォトレジスト膜を順次形成し(S3、S4)、フォトレジスト膜、SiO_2膜をパターニングして開口を形成し(S5,S6)、開口内にCu膜及びマスクAl膜を積層する(S7、S8)。 - 特許庁

例文

The white gold alloy with excellent workability and casting property can be obtained by providing an alloy which has a composition containing, by mass, ≥75% Au, 0.3 to 4% Mn, 7 to 13% Pd and 0.5 to 17.7% of at least either of Cu and Ag.例文帳に追加

75mass%以上のAuにMnを0.3〜4mass%、Pdを7〜13mass%、CuまたはAgの少なくとも一種を0.5〜17.7mass%の範囲の合金とすることにより、加工性、鋳造性に優れた白色金合金になる。 - 特許庁




  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2026 GRAS Group, Inc.RSS