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cuを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 5425



例文

In the method of plasma film deposition for a copper oxide thin film on a film-deposition substrate, a relative position between this substrate and a target or an evaporating source is selected or varied, thereby depositing a copper oxide thin film having a different composition ratio in the contents of CuO, Cu_2O, and Cu.例文帳に追加

成膜用基板上に酸化銅薄膜をプラズマ成膜する方法において、成膜用基板とターゲットまたは蒸発源との相対位置を選択または変更することにより、CuO、Cu_2O、およびCuの含有組成比の異なる酸化銅薄膜を成膜する。 - 特許庁

To provide a copper alloy which is a Cu-Zn-Sn-based copper alloy for conductive component of electronic and electric apparatus such as a connector and a lead frame, etc., and is superior in stress corrosion cracking resistance and further superior in various properties such as strength and rolling properties, bendability and conductivity.例文帳に追加

コネクタやリードフレームなど、電子・電気機器の導電部品用のCu−Zn—Sn系銅合金として、耐応力腐食割れ性および耐応力緩和特性が優れ、しかも強度や圧延性、曲げ加工性、導電率などの諸特性も優れた銅合金を提供する。 - 特許庁

An alloy stock having a composition including, by mass, 1.0 to 1.5% Mn and 0.05 to 0.2% Cu, Si and Fe as impurities regulated to <0.6% and regulated to <0.7%, respectively, and the balance Al with inevitable impurities is subjected to cold working so as to have final dimensions.例文帳に追加

Mn:1.0〜1.5質量%、Cu:0.05〜0.2質量%を含有し、不純物としてのSiを0.6質量%未満、Feを0.7質量%未満に規制し、残部がAlと不可避的不純物とからなる合金素材に、最終寸法となるまで冷間加工を施す。 - 特許庁

The aluminum alloy material has a composition containing, by weight, 0.5 to 1.5% Co, and, if required, further containing at least one kind selected from 0.002 to 0.08% B, ≤0.5% Fe, ≤0.5% Ni and ≤0.2% Cu, and the balance aluminum with inevitable impurities.例文帳に追加

Co0.5〜1.5wt%を含有し、必要に応じ更にB0.002〜0.08wt%、Fe0.5wt%以下、Ni0.5wt%以下、Cu0.2wt%以下の内から選ばれる少なくとも1種を含有し、残部アルミニウム及び不可避的不純物からなることを特徴とするアルミニウム合金材。 - 特許庁

例文

A mixed gas including the desired amount of CO gas and O_2 gas in addition to the CO_2 gas as the major element is used for baking, in the reducing atmosphere, a laminated body 1 of a dielectric material layer 2 of oxide such as PZT, and an internal electrode layer 3 which is mainly formed of base material such as Cu.例文帳に追加

PZT等の酸化物誘電体層2とCu等の卑金属を主成分とする内部電極層3との積層体1を、還元雰囲気中で焼成する際に、CO_2 ガスを主成分とし、任意量のCOガスおよびO_2 ガスを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁


例文

To provide highly pure pentaalkoxytantalum which has Al, Ca, Cd, Cr, Cu, Fe, K, Mg, Mn, Na, Ni, Pb, Zn, Th and U contents of <50 ppb, respectively, and a chlorine content of <1 ppm which are necessary for semiconductor materials and the like, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

半導体材料等に必要な、Al、Ca、Cd、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Zn、ThおよびUの含有量が各々50ppb未満であり、かつ塩素元素の含有量が1ppm未満である高純度ペンタアルコキシタンタルおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This aluminum slab has ≥99.9% aluminum purity and contains, by mass%, 5-30ppm Si, 5-20ppm Fe, 1-80ppm Cu, 0.5-10ppm Na and in addition, ≤100ppm of the total of minor component and further, ≤0.15cc/100gAl of content of the hydrogen gas.例文帳に追加

アルミ純度が99.9%以上であり、質量ppmで、Si:5〜30ppm、Fe:5〜20ppm、Cu:1〜80ppm、Na:0.5〜10ppmを各々含有し、その他、微量成分の総和が100ppm以下であり、さらに水素ガスの含有量を0.15cc/100gAl以下としている。 - 特許庁

In a Sn-plated extra fine copper wire with a diameter of 0.1 mm or less, the objective copper wire 11 is characterized by having a Cu-base plated layer 13 containing Sn of 0.2-0.7 mass% with layer thickness of 0.05 μm or more, around the extra fine copper wire 12 consisting of copper or a copper alloy.例文帳に追加

本発明に係るSnめっき極細銅線11は、線径が0.1mm以下のSnめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線12の外周に、Sn−0.2〜7.0mass%Cu系めっき層13を、0.05μm以上の層厚で形成したものである。 - 特許庁

Its wear resistance or the like can be improved because of the incorporation of 14 to 20% Cu and 8.5 to 15% Zn in this way, and the fluidity of molten metal can be improved, and further, its liquidus temperature can be reduced by the blending of 5 to 8% Si therein.例文帳に追加

このようにCuを14〜20重量%およびZnを8.5〜15重量%含むため耐摩耗性などを向上させることができ、これにSiを5〜8重量%配合することによって溶湯の流動性を向上させるとともに液相線温度を下げることができる。 - 特許庁

例文

A Ti film or a Ta film is formed as the barrier metal film on a substrate by a sputtering method, a nitride film is formed on the barrier metal film by the sputtering method, and the Cu film is formed on the nitride film by a CVD method, and thereafter, annealing is performed at 100-400°C.例文帳に追加

基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてTi膜又はTa膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にCVD法によりCu膜を形成した後、100〜400℃でアニール処理を行う。 - 特許庁

例文

By adding Cu to titanium so as to finely precipitate precipitated phases with Ti_2Cu as the maximum phase, and the content of O is properly regulated, and further, by refining crystal grain sizes, while maintaining press formability equal to that of pure titanium of JIS type 1, its tensile strength can be improved.例文帳に追加

チタンにCuを添加して、Ti_2Cuを最大相とする析出相を微細に析出させ、O量を適正に調整するとともに、結晶粒径を微細化することにより、JIS1種純チタンと同等以上のプレス成形性を有しながら、引張耐力を向上させることができる。 - 特許庁

The high temperature solder material is composed so as to have a composition containing, by mass, 12 to 16% Sb, 0.01 to 2% Ag, 0.1 to 1.5% Cu and trace amounts of Si and B as well, and the balance Sn with inevitable impurities to the whole thereof.例文帳に追加

高温はんだ材料全体に対して、夫々Sbが12〜16質量%、Agが0.01〜2質量%、Cuが0.1〜1.5質量%含まれ、さらに微量のSi及びBが含まれ、残部がSn及び不可避不純物からなるように高温はんだ材料を構成する。 - 特許庁

On a bottom surface of a connection hole 8 formed on the metal cap layer 6 consisting of a Cu wiring portion CL1, a silicide region 6s, and a non-silicide region 6n, a barrier metal layer 13a and the silicide region 6s of the cap metal layer 6 are selectively removed through Ar sputtering processing.例文帳に追加

Cu配線部CL1及びシリサイド領域6s及び非シリサイド領域6nよりなるキャップメタル層6上に形成される接続孔8の底面において、Arスパッタ処理により、バリアメタル層13a及びキャップメタル層6のシリサイド領域6sを選択的に除去する。 - 特許庁

The housing members 511, 512, 514 comprise, by mass, 9 to 17% Si, 3.5 to 6% Cu, 0.2 to 1.2% Mg, 0.2 to 1.5% Fe and 0 to 1% Mn, and, in which the content of Ni is ≤0.5%, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

ハウジング部材511、512、514は、Si:9〜17質量%、Cu:3.5〜6質量%、Mg:0.2〜1.2質量%、Fe:0.2〜1.5質量%及びMn:0〜1質量%を含有し、Ni含有量が0.5質量%以下であり、残部がAl及び不可避的不純物よりなる。 - 特許庁

The copper alloy having excellent stress corrosion cracking resistance and dezincification resistance has a composition containing, by weight, 58 to 66% Cu, 0.1 to 0.8% Sn and 0.01 to 0.5% Si, and the balance Zn with inevitable impurities, and in which the ratio of an α phase is80 vol.%.例文帳に追加

耐応力腐食割れ性および耐脱亜鉛性に優れた銅合金は、58〜66重量%のCuと、0.1〜0.8重量%のSnと、0.01〜0.5重量%のSiと、残部としてZnおよび不可避不純物とからなり、α相の割合が80体積%以上である。 - 特許庁

In a compound transistor module including a pellet 12 of three or more transistors inside one enclosure 11, the pellet 12 is packaged on a frame 13, and the pellet 12 and an external lead terminal 14 are bonded via a Cu connector 15.例文帳に追加

3個以上のトランジスタのペレット12を1つの外囲器11内に有する複合トランジスタモジュールにおいて、前記ペレット12はフレーム13上に搭載され、前記ペレット12と外部リード端子14とがCu製コネクター15を介して接合されていることを特徴とする複合トランジスタモジュール。 - 特許庁

To obtain a dielectric ceramic composition capable of being fired at a low temperature of ≤1,100°C, capable of being cosintered with an inexpensive metal such as Ag and Cu having a low resistance, and capable of providing a dielectric ceramic having a high dielectric constant and Q-value, and a small rate of change of the dielectric characteristics according to the temperature.例文帳に追加

1100℃以下の低温で焼成でき、AgやCuなどの低抵抗でかつ安価な金属と共焼結することができ、誘電率及びQ値が高く、誘電特性の温度変化率が小さい誘電体磁器を得ることを可能とする、誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

A sputtering target is composed of a high-purity Ge a Ge alloy containing, in the range of 0.1-50 atom.%, at least one element selected from Al, Si, Fe, Cr, Ta, Nb, Cu, Mn, Mo, W, Ni, Ti, Zr, Hf, Co, Ir, Pt, Ru, B and C.例文帳に追加

高純度Ge、もしくはAl、Si、Fe、Cr、Ta、Nb、Cu、Mn、Mo、W、Ni、Ti、Zr、Hf、Co、Ir、Pt、Ru、BおよびCから選ばれる少なくとも1種の元素を0.1〜50原子%の範囲で含むGe合金からなるスパッタリングターゲットである。 - 特許庁

This copper alloy rolled foil has a composition containing, by mass, 0.005 to 0.25% Ag, 0.002 to 0.06% B, ≤0.002% S, one or two kinds of Ca and Mg by 0.0001 to 0.01% in total, <0.003% oxygen, <0.0002% hydrogen, and the balance Cu with inevitable impurities.例文帳に追加

Ag:0.005〜0.25%(質量%、以下同じ)、B:0.002〜0.06%、S:0.002%以下、Ca及びMgのうち1種又は2種を計0.0001〜0.01%、酸素:0.003%未満、水素:0.0002%未満、残部Cu及び不可避不純物からなる銅合金圧延箔。 - 特許庁

This indium compound spintronics material is produced by doping at least one element selected from Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm and Yb into indium oxide, and is composed such that the point symmetry of unit cells has the lattice translation structure of scandium oxide type crystal structure.例文帳に追加

インジウム酸化物に、Sc,Ti,V、Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu、並びにCe,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる1つ以上の元素がドープされて成り、単位胞の点対称性が、酸化スカンジウム型結晶構造の格子並進構造を有するインジウム化合物スピントロニクス材料を構成する。 - 特許庁

The metal-impregnated carbon sliding material is prepared by impregnating 20-65 wt% metal comprising 2-10 wt% Al, 0.5-3 wt% Cu, and the balance being Zn into a carbon base material having a lattice constant Co (obtained by the lattice constant measuring method for graphite by the Gakushin method) of 0.672 nm-0.685 nm.例文帳に追加

学振法による黒鉛の格子定数測定法より求めた格子定数Co=0.672nm〜0.685nmのカーボン基材にAlが2〜10重量%、Cuが0.5〜3重量%、残部がZnの比率の金属を20〜65重量%含浸した金属含浸カーボン摺動材。 - 特許庁

The magnetic recording medium has a projecting magnetic pattern formed on a substrate and a non-magnetic body filled in a recessed part between the magnetic patterns and comprising a multi-component amorphous alloy including Ni or Cu and two or more metals selected from the group comprising Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Cr, Mo and Ag.例文帳に追加

基板上に形成された凸状の磁性パターンと、前記磁気パターン間の凹部に充填された、NiまたはCuと、Ta,Nb,Ti,Zr,Hf,Cr,MoおよびAgからなる群より選択される2種以上の金属とを含む多元系アモルファス合金からなる非磁性体とを有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

This electrode material for electric discharge machining comprises at least one of Cu and Ag by 5 to 40 wt.%, and at least one of W and Mo having an average particle diameter of 2μm or less by 60 to 95 wt.%; and has a relative density of 70 to 92%.例文帳に追加

放電加工用電極の5〜40重量%を占めるCu、Agのいずれか1種以上と、平均粒子径が2μm以下で60〜95重量%を占めるW、Moのいずれか1種以上からなる複合材料の相対密度を70〜92%とすることにより、課題を解決できる。 - 特許庁

The plastic-worked article manufactured from an ingot of the Al-Mg-Si-based aluminum alloy which contains 1 wt.% or less Cu and has conductivity controlled so as to be larger than the conductivity at the peak aging point by a value between 0 and 1 IACS%.例文帳に追加

本発明は、Al−Mg−Si系アルミ合金の鋳塊から製造したアルミ合金製塑性加工品において、Cuを1wt%以下含有するとともに、導電率がピーク時効時点での導電率に対して0より大で1IACS%以下の増分を有している、ことを特徴としている。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a conductive support, and the photosensitive layer contains a phthalocyanine pigment having a maximum peak at 27.2±0.2° of Bragg anglebased on X-ray diffraction spectra using a Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541 Å), and polyglutamic acid.例文帳に追加

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体であって、該感光層が、Cu−Kα特性X線(波長1.541Å)を用いたX線回折スペクトルのブラッグ角2θが27.2±0.2°に、最大ピークを有するフタロシアニン顔料およびポリグルタミン酸を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The propane adsorbent used for the pretreatment refining apparatus of an air liquefying separation apparatus is provided, the absorbent being zeolite having MFI structure having at least one straight channel, with an Si/Al ratio of 100 or less, and containing at least one kind of ions selected among H, Na, Ca, Zn, Cu.例文帳に追加

空気液化分離装置の前処理精製装置に使用するためのプロパン吸着剤であって、少なくとも1つのストレートチャンネルを持つMFI構造を有し、Si/Al比が100以下のゼオライトであり、H、Na、Ca、Zn、Cuからなる群から選択される少なくとも1つのイオンを含むプロパン吸着剤を選択する。 - 特許庁

The battery pack structured of a plurality of unit cells is made up by connecting the unit cells with each other by connection terminals each made by forming a plated layer having at least a metal of either Sn or Ni on a surface of a base material made of a Cu alloy.例文帳に追加

複数の単電池から構成される組電池であって、Cu合金からなる基材の表面にSnおよびNiの少なくとも一方の金属を有するメッキ層が形成されてなる接続端子によって、前記単電池同士が接続されてなることを特徴とする組電池により、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide wiring which has high adhesion to a glass substrate, and can suppress diffusion of Cu into a layer containing Si to reduce contact resistance between the wiring and the layer containing Si, and to provide a TFT circuit board using a wiring material, and a target material for the wiring material.例文帳に追加

ガラス基板への密着性が高いと共に、Siを含んだ層へのCuの拡散を抑制し、配線とSiを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。 - 特許庁

In this hydrogen generator, installs a reforming part having a reforming catalyst at least including platinum is installed, and a desulfurizing part installing one or more oxides of metals selected from the group comprising V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu and Zn, is installed on the downstream side in the flow direction of the fuel from the reforming part.例文帳に追加

少なくとも白金を含有する改質触媒を有する改質部を設置し、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Znからなる群より選択される少なくとも1種以上の金属の酸化物を配置した脱硫部を、前記原料の流れ方向に対して前記改質部より下流部に設置する。 - 特許庁

To provide a supported body of composite particles that includes composite particles comprising Ni in an oxidized state and at least one transition element selected from the group consisting of Ni, Pd, Pt, Ru, Au, Ag and Cu, and a support capable of stably supporting the composite particles, and maintains high reactivity as a catalyst for a long period of time.例文帳に追加

酸化状態のNiと、Ni、Pd、Pt、Ru、Au、Ag及びCuからなる群より選択される少なくとも1種の遷移元素とを含有する複合粒子と、その複合粒子を安定に担持する担体と、を含み、触媒として長期間にわたり高い反応性を維持する複合粒子担持物を提供する。 - 特許庁

To provide a reduction-resistant dielectric ceramic composition without containing lead harmful for the environment and the human body, which is capable of improving a specific dielectric constant and reducing the temperature change rate of the specific dielectric constant, in the case of obtaining a reduction-resistant dielectric ceramic composition matching with a base metal electrode such as a Cu electrode.例文帳に追加

Cu電極などの卑金属電極に対応する耐還元性誘電体磁器組成物を得る場合に、組成物中に、環境や人体に有害な鉛を含むことなく比誘電率を向上させ、かつ比誘電率の温度変化率を小さくさせることができる耐還元性誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

In the electronic component package, the ceramic base member 11 and the metallic lid member 12 are airtightly sealed by seam welding for continuously performing spot welding by a pair of welding rollers 14 through a metalized layer 13 of the welding member, a Cu plating layer 21, and an Ag plating layer 22 of laminated plating layers.例文帳に追加

セラミックベース部材11と金属製リッド部材12とが溶接部材であるメタライズ層13と積層めっきのCuめっき層21およびAgめっき層22の介在により一対の溶接ローラ14により連続的にスポット溶接するシーム溶接で気密封着した電子部品用パッケージである。 - 特許庁

The capacitor 10 has a positive electrode 20 containing carbon material, a negative electrode 16 containing lithium transition metal nitride (the transition metal is at least any one of Fe, Co, Ni and Cu), and electrolyte 36 which is interposed between the positive electrode 20 and the negative electrode 16, conducts lithium ion and contains at least propylene carbonate (PC).例文帳に追加

本発明のキャパシタ10は、炭素材料を含む正極20と、リチウム遷移金属窒化物(遷移金属はFe,Co,Ni,Cuのうちいずれか1以上)を含む負極16と、正極20と負極16との間に介在しリチウムイオンを伝導し少なくともプロピレンカーボネート(PC)を含む電解液36と、を備えている。 - 特許庁

Disclosed is the plastically worked product made of an aluminum alloy produced from the ingot of an Al-Mg-Si-based aluminum alloy, and comprises ≤1 wt.% Cu, and whose electric conductivity has an increment of >0 to ≤1 IACS% to the electric conductivity upon the time point of peak aging.例文帳に追加

本発明は、Al−Mg−Si系アルミ合金の鋳塊から製造したアルミ合金製塑性加工品であって、Cuを1wt%以下含有するとともに、導電率がピーク時効時点での導電率に対して0より大で1IACS%以下の増分を有している、ことを特徴としている。 - 特許庁

The method of manufacturing the electronic parts has a process for forming a Ni-B film 2 on a ceramic base or a ceramic base 1 for a dielectric resonator by electroless plating and a process for forming a Cu film 3 or a Ag film 4 on the surface of the Ni-B film 2.例文帳に追加

本発明に係る高周波用電子部品の製造方法は、セラミック素体または誘電体共振器用セラミック素体1の表面上にNi−B膜2を無電解めっきによって形成する工程と、Ni−B膜2の表面上にCu膜3またはAg膜4を形成する工程とを有している。 - 特許庁

The composite material for a lead frame is a composite rolled material contg. copper(Cu) and ≥50 wt.% molybdenum(Mo) and has 40 to 250 μm sheet thickness, 160 to 250 W/m k thermal conductivity, 180 to 280 GPa Young's modulus, ≤11×10-6/K thermal expansion coefficient and ≤10 g/cm3 density.例文帳に追加

リードフレーム用複合材は,銅(Cu)と50重量%以上のモリブデン(Mo)を含む複合圧延材であって、板厚40〜250μm、熱伝導率160〜250W/m・K、ヤング率180〜280GPa、熱膨張係数11×10^-6/K以下および密度10g/cm^3 以下の複合材からなる。 - 特許庁

To provide: an electrode contact member of a vacuum circuit breaker, which is obtained by forming a thick Cr fine dispersion layer on a surface of a Cu-Cr alloy base metal and which brings about improved dielectric strength and interrupting performance; and a method for easily producing the electrode contact member of the vacuum circuit breaker through easy formation of the Cr fine dispersion layer.例文帳に追加

Cu−Cr合金母材の表面に厚いCr微細分散層を形成して耐電圧や遮断性能を向上できる真空遮断器の電極接点部材、及びCr微細分散層を容易に形成できて、製造が簡単な真空遮断器の電極接点部材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The Cu alloy structuring the base material of the connection terminal, is preferred to contain at least one element selected from a group of Ni, Sn and Zn, a thickness of the plated layer is preferred to be 1 to 5 μm, and a total thickness of the connection terminal is preferred to be 0.1 to 0.3 mm.例文帳に追加

接続端子の基材を構成するCu合金は、Ni、SnおよびZnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を含有していることが好ましく、メッキ層の厚みは1〜5μmであることが好ましく、接続端子の総厚みは0.1〜0.3mmであることが好ましい。 - 特許庁

The electrode 2 for welding is formed of an electrode material in which at least one kind of hard grains selected from SiO_2 hard grains, Mo_2C hard grains and TiC hard grains are dispersed by 0.1 to 2 wt.% in total, and the balance Cu.例文帳に追加

本発明に係る溶接用電極2は、SiO_2硬質粒子、Mo_2C硬質粒子及びTiC硬質粒子のうち少なくとも1種の硬質粒子を合計で0.1重量%〜2重量%分散させ、残部がCuからなる電極材料によって形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To connect a mounting electrode 2a, composed of Al and Al compounds for TFT array board with the IC electrode 6 composed of Al-Si-Cu, the conductive binder 8 comprising the conductive particle 8a composed of either particles of Ti or Ta, or particles of resin plate with Ti or Ta.例文帳に追加

TFTアレイ基板のAlやAl化合物からなる実装電極2aとAl−Si−CuからなるIC電極6とを接続するために、TiやTaの粒子またはTiやTaをメッキした樹脂粒子からなる導電性粒子8aを含有した導電性接着材8を用いる。 - 特許庁

To provide a method for producing a sputtering target in which oxygen present therein is uniformly dispersed, as a Cu alloy target containing oxygen for forming a wiring film having excellent adhesion with a glass substrate and an Si based under layer film and excellent barrier properties, and to provide a sputtering target produced by the production method.例文帳に追加

ガラス基板やSi系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したCu合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

To make conduction with high productivity and high reliability between wirings on both sides of a double-sided flexible wiring board, ensure high adhesion between an insulation layer (esp., polyimide layer) and conductive layers (esp., Cu layers) on both sides thereof, form wiring patterns by the finable additive method and avoid curling.例文帳に追加

両面フレキシブル配線板の両面の配線間を高い生産性且つ高い信頼性で導通させ、また、絶縁層(特にポリイミド層)とその両側の導電層(特に銅層)との間に高い密着性を確保し、しかも配線パターンをファイン化可能なアディティブ法により形成できるようにし、更にカールを生じないようにする。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery capable of restraining a dissolution reaction of Cu from a positive electrode, and of improving charge-discharge efficiency.例文帳に追加

Cu及び/またはCu化合物を活物質として含む正極と、非水電解質と、リチウムを吸蔵・放出する材料を含む負極とを備え、LiFが、正極、非水電解質、及び負極の少なくともいずれかに含まれている非水電解質二次電池において、正極からのCuの溶解反応を抑制し、充放電効率を向上させる。 - 特許庁

The method for producing dimethyl ether (DME) at a high yield in one step from a gas containing a synthesis gas as a main component is carried by using a catalyst obtained by forming a ZSM-5 coating by hydrothermal synthesis using aluminum-free silica as a main raw material on the surface of granular solid containing aluminum, Cu, and Zn.例文帳に追加

アルミニウム、CuおよびZnを含む粒子状固体の表面にアルミニウムを含まないシリカを主原料とした水熱合成により形成されたZSM−5膜でコーティングしてなる触媒を用いることで、合成ガスを主成分とするガスからジメチルエーテル(DME)を1段反応で収率良く製造することが出来る。 - 特許庁

To provide a display device using a Cu alloy film having a lower electrical resistivity than that of Al alloys for connection with a transparent electrode film (pixel electrode), capable of direct connection at a lower electrical resistivity for the transparent electrode without forming a barrier metal and capable of ensuring high display quality when being applied, for example, to liquid crystal panels.例文帳に追加

透明電極膜(画素電極)との接続にAl合金よりも電気抵抗の低いCu合金膜を使用し、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明電極との間で低抵抗の直接接続を実現し、液晶パネルなどに適用した場合に高い表示品質を与える表示デバイスを提供すること。 - 特許庁

A cold-worked Cu-Zn alloy containing at least 10% Zn is subjected to at least one treatment selected among shot peening, shot blasting, sand blasting, and steel ball shot blasting; thus, the tensile residual stress on the surface of the alloy is reduced or brought into the state of compressive residual stress.例文帳に追加

冷間加工を施した、少なくともZnを10%より多く含むCu−Zn系系合金に対して、ショットピーニング、ショットブラスト、サンドブラスト及び鋼球ショットブラストから選ばれる少なくとも1種該合金表面の引張残留応力を低減するかまたは圧縮残留応力の状態とする。 - 特許庁

This quartz glass container has arbitrary thickness (t) and <0.1 ppb concentration of Na, Mg, Al, K, Ca, Cr, Fe, Ni, Cu and Zn, respectively in the thickness range of 20 μm from the surface and in the thickness range of 1/2t±10 μm.例文帳に追加

任意の厚さ:tを有する石英ガラス容器であって、表面から20μmの厚さ領域および1/2tの±10μmの厚さ領域いずれにおいても、Na、Mg、Al、K、Ca、Cr、Fe、Ni、CuおよびZn濃度がいずれも0.1ppb未満であることを特徴とする石英ガラス製容器。 - 特許庁

This aluminum bronze alloy for bottol making has a composition consisting of, by weight, 5 to 15% Al, 1 to 8% Fe, 0.3 to 8% Ni, one or more kinds selected from Cr and Ti and the balance Cu with impurities, is excellent in high temperature strength and high temperature oxidation resistance and is used for the metallic mold material for glass bottol making.例文帳に追加

重量%で、Al:5〜15%、Fe:1〜8%、Ni:0.3〜8%、Cr,Tiのうちから選ばれる1種以上を0.1〜3%、残部がCu及び不純物からなり、ガラス製壜用金型材に使用される高温強度及び耐高温酸化性に優れた製壜用アルミ青銅合金である。 - 特許庁

A rolled web R comprises an adhesive sheet S in which the inside of each of a plurality of closed loop-shaped notches Cu is formed as the label L and a belt-shaped release sheet RL to one side of which the adhesive sheet S is bonded temporarily, and an adhesive sheet S region located outside each label L is made an unnecessary sheet E.例文帳に追加

原反Rは、複数の閉ループ状の切り込みCuの内側をラベルLとしてそれぞれ形成する接着シートSと、この接着シートSが一方の面に仮着された帯状の剥離シートRLとからなり、各ラベルLの外側に位置する接着シートS領域が不要シートEとされる。 - 特許庁

例文

To provide an Au-plated or Au-alloy plated stainless steel-made member in which stainless steel is plated with an Au or Au-alloy plating layer without needing any base plating layer such as Ni or Cu, and which is excellent in the adhesiveness of the Au or Au-alloy plating layer to the stainless steel, and is high in corrosion resistance, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ステンレス鋼上に、NiまたはCuなどの下地めっき層を介さずに、AuまたはAu合金めっき層で被覆した部材であり、ステンレス鋼とAuまたはAu合金めっき層の密着性に優れ、耐食性の高いAuまたはAu合金めっきステンレス部材とその製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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