「cu」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode material for a lithium secondary cell has a cover layer on the current collector, and the cover layer is a layer formed by applying heat treatment to the plating of Sn or Sn-M (M=Cu, Ni, Co, Fe) having a form including a vacant space, containing the Sn-M group intermetallic compound having a form including vacant space.例文帳に追加

集電体に被覆層を有するリチウム二次電池用負極材料であって、該被覆層が空隙のある形態のＳｎまたはＳｎ−Ｍ（Ｍ＝Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ，Ｆｅ）めっきを熱処理して形成した、空隙のある形態のＳｎ−Ｍ系金属間化合物を含有する層であることを特徴とするリチウム二次電池用負極材料。 - 特許庁

Between stainless steel and Cu, included, an amorphous alloy containing P of 10-24% and V of 1-10%, and composed with at least one of residue Fc and Ni and inevitable impurity is intervened, and by making the temperature kept so that the amorphous alloy only is melted, liquid phase diffusion bonding is performed to produce the clad material having sufficient joint strength.例文帳に追加

ステンレス鋼と銅との間に、Ｐ：１０〜２４at％、Ｖ：１〜１０at％を含有し、残部ＦｅとＮｉの少なくとも１種と不可避的不純物からなるアモルファス合金を介在させ、アモルファス合金のみが溶解する温度に保持することにより液相拡散接合させ、十分な接合強度を有するクラッド材を製造する方法。 - 特許庁

Ag, and the balance Cu and inevitable impurities is subjected to cold working for reduction, in the process of this cold working, heat treatment is executed for one or more times, and, after the final heat treatment, cold working is executed to a final wire diameter at ≥90% reduction of area.例文帳に追加

２乃至１４重量％のＡｇを含有し残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ基合金の鋳造ロッドに縮径のための冷間加工を行い、この冷間加工の途中で１回以上の熱処理を施し、最後に熱処理を施した後に９０％以上の減面率で最終線径にまで冷間加工を行う。 - 特許庁

In the method for fabricating a slidable member 100 having a slidable part 14, an iron-based metal bulk material 30 functioning as a main part 13 of the slidable member 100 is solid-state bonded to a Cu-alloy bulk material 31 functioning as the slidable part 14 by applying heat and pressure according to a spark plasma sintering method.例文帳に追加

摺動部１４を有する摺動部材１００の製造方法であって、摺動部材１００の本体部１３として機能する鉄系金属のバルク材３０と摺動部１４として機能するＣｕ合金のバルク材３１とを放電プラズマ焼結法による加熱加圧によって固相接合して摺動部材１００を製造する。 - 特許庁

When a hydrogen radical is discharged from a nozzle 25e at a stage where all via holes are formed at necessary places on a substrate W by a laser drill main body 13, the hydrogen radical reduces the bottoms of the respective via holes, so the top surface of a metal conductive layer of Cu, etc., oxidized by desmearing in drill machining is reduced and purified to form a metal surface.例文帳に追加

レーザドリル本体１３によって基板Ｗ上の必要箇所にすべてのビアホールを形成した段階で、ノズル２５ｅから水素ラジカルを吐出させると、水素ラジカルが各ビアホールの底部を還元するので、ドリル加工中のデスミヤに際して酸化されたＣｕ等の金属導電層の表面を還元・純化して、金属表面とすることができる。 - 特許庁

A sterilization processing apparatus (workpiece processing apparatus) including a plasma generating unit PU to make plasma of a supplied processing gas and apply it as a plume includes a sterilization processing unit SU to apply the sterilization processing to the workpieces to be processed in a chamber 510 by applying the plume P, and a control unit CU to control the action of the sterilization processing unit SU.例文帳に追加

滅菌処理装置Ｓ（ワーク処理装置）は、供給される処理ガスをプラズマ化してプルームＰとして照射するプラズマ発生ユニットＰＵを含み、処理対象であるチャンバー５１０内のワークにプルームＰの照射による滅菌処理を施与する滅菌処理ユニットＳＵと、滅菌処理ユニットＳＵの動作を制御する制御ユニットＣＵとを備えている。 - 特許庁

The tape carrier having an Ni plated layer 4 formed as a base layer on a conductor pattern of Cu foil 3 laid on a polyimide resin film 1, and an Au plated layer 6 formed as an upper layer of the Ni base layer, comprises a hard Au-Co alloy plated layer 5 provided between the Ni plated layer 4 and the Au plated layer 6.例文帳に追加

ポリイミド樹脂フィルム１上に施された銅箔３の導体パターン上に下地層としてニッケルめっき層４を形成し、ニッケル下地層の上層として金めっき層６を形成したテープキャリアにおいて、上記ニッケルめっき層４と金めっき層６の２層の中間に硬質である金−コバルト合金めっき層５を設ける。 - 特許庁

In a multilayer module structure of a printed circuit board, a Cu film is formed between pads on a lowermost layer, coupled with solder balls of a topmost layer and on corresponding parts of the lowermost layer to a pattern formed on an upper layer of the lowermost layer, thereby removing signal interference and noise, and matching the impedance.例文帳に追加

プリント回路板の多層モジュール構造において、最上層のソルダボール１１３に連結された最下層のパッド１６１とパッド１６１との間、及びこの最下層の上層に形成されたパターン１５２に対応する前記最下層の該当部分に銅膜１６３を形成して信号干渉及び雑音を除去し、インピーダンスを合わせるように構成した。 - 特許庁

The battery is provided with a positive electrode 2 and a negative electrode 4 as well as an electrolyte, and the positive electrode 2 contains as a positive electrode active material having oxide to contain at least one kind out of a group of cobalt (Co), nickel (Ni), manganese (Mn), iron (Fe), and copper (Cu), and silicon (Si) which is chemically bonded to the surface of this oxide.例文帳に追加

正極２および負極４と共に電解質を備えた電池であって、正極２は、正極活物質としてコバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群のうちの少なくとも１種を含む酸化物と、この酸化物の表面に化学的に結合しているケイ素（Ｓｉ）とを有する物質を含有している。 - 特許庁

A positive electrode plate 1 on which an active material mixture for positive electrode has been coated, and a negative electrode plate 2 are opposed to each other through a separator 3 and immersed in an electrolyte, and predetermined voltage is applied between the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 to forcedly deposit foreign metals such as Fe and Cu in the positive electrode active material mixture on the separator.例文帳に追加

正極活物質合剤を塗布した正極板１と、負極板２と、をセパレータ３を介して対向させて電解液中に浸潤させ、正極板１及び負極板２間に所定電圧を印加して正極活物質合剤中のＦｅ、Ｃｕ等の異種金属をセパレータ３上に強制的に析出させる。 - 特許庁

The thermoelectric semiconductor is formed of a composition to which Cu: 0.001 to 0.1 wt.% and at least one of Te and Se: 0.005 to 1.0 wt.% are externally added as dopants to the thermoelectric semiconductor material whose base material is a material selected from among Bi-Te group, Bi-Se group and Bi-Te-Se group.例文帳に追加

熱電半導体は、Ｂｉ−Ｔｅ系、Ｂｉ−Ｓｅ系、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｓｅ系から選択された材料を基材とする熱電半導体材料に対して、Ｃｕ：０．００１〜０．１重量％、ＴｅまたはＳｅのうちの少なくとも一方：０．００５〜１．０重量％をドーパントとして外付けで添加した組成で形成されている。 - 特許庁

On a surface of deflecting electrode main body 2 constituted of ceramics consisting of electroconductive oxide and sintering additives, a metallized layer composed of an adhering metallized layer 3 constituted by the electroconductive material containing at least one of Ti, Cr, Zr, Ni and a metallized layer 4 for connection constituted by the electroconductive material containing at least one of Cu, Ni, Au, Pt, Ag is installed.例文帳に追加

導電性酸化物と焼結助剤とからなるセラミックスで構成した偏向電極本体２の表面に、少なくとも、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｉの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される密着メタライズ層３と、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇの内の少なくとも一つを含む導電性材料で構成される接続用メタライズ層４とからなるメタライズ層を設ける。 - 特許庁

Surface of a copper film 3 is changed to cuprous oxide (Cu_2O)5 insoluble to water by polishing the wafer surface by using a cleaning agent having pH adjusted to 7-12 immediately after a barrier metal film polishing process in the Cu-CMP process when copper interconnections are formed, and an antioxidation film 6 is formed by making an oxidation inhibitor adhere to the surface of Cu_2O5.例文帳に追加

銅配線形成時のＣｕ−ＣＭＰ工程におけるバリアメタル膜研磨工程直後に、ｐＨを７〜１２に調整した洗浄剤を用いてウエハ表面を研磨することで、銅膜３表面を水に不溶な酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）５に変化させると共に、Ｃｕ_２Ｏ５表面に酸化防止剤を付着させて酸化防止膜６を形成する。 - 特許庁

This method for synthesizing a polyurethane elastomer comprises selecting, as appropriate, at least one kind of compound as catalyst therefor from the group consisting of respective chlorides, acetylacetonate salts and sulfates of metals selected from Cr, Mn, Co, Ni, Fe, Cu and Al, and isocyanate complexes thereof to control the reaction proceeding mode as appropriate.例文帳に追加

ポリウレタンエラストマーの合成触媒として、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、およびＡｌから選択される金属のそれぞれの塩化物、アセチルアセトネート塩及び硫酸塩、並びにこれらのイソシアネート錯体からなる群から少なくとも一種を適宜選択することにより反応の進み方を適宜調整してポリウレタンエラストマーを合成する。 - 特許庁

The coating composition comprises a copolymer which is obtained by polymerizing a monomer mixture including (a) a silicon-containing polymerizable monomer and (b_1) a metal atom-containing polymerizable monomer having two unsaturated groups and containing metal atoms of Mg, Zn or Cu, and comprises the copolymer as a vehicle.例文帳に追加

シリコン含有重合性単量体（ａ）と、２個の不飽和基を有しかつＭｇ、ＺｎまたはＣｕの金属原子を含有する金属原子含有重合性単量体（ｂ_1）とを含む単量体混合物を重合して得られる共重合体及びその共重合体をビヒクルとして含有することを特徴とする塗料組成物とする。 - 特許庁

The ferrite composition includes 60-90 mol% of Fe_2O_3 and 10-40 mol% of MO (where M is at least one selected from Ni, Mg, Cu and Zn) and has a spinel structure.例文帳に追加

Ｆｅ_２Ｏ_３：６０〜９０モル％およびＭＯ（ただし、Ｍは、Ｎｉ、Ｍｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１つ）：１０〜４０モル％、を含み、スピネル構造を有するフェライト組成物であって、前記スピネル構造中に存在するＦｅ^２＋イオンの存在割合を、ＦｅＯ量として換算した場合に、下記の式を満足することを特徴とするフェライト組成物。 - 特許庁

This oxidative dehydrogenation catalyst contains Mn as the essential component and a crystal phase to be identified by the peaks appeared at 32.9°, 55.2°, 23.1°, 38.2° and 65.8° of the diffraction angles 2θ (±0.3°) on the X-ray diffraction spectrum (target: Cu-Kα).例文帳に追加

この課題は、Ｍｎを必須成分として含有していること、並びに、回折角２θ（±０．３°）が３２．９°、５５．２°、２３．１°、３８．２°および６５．８°であるときにＸ線回折スペクトル（対陰極Ｃｕ−Ｋα）に現われるピークによって同定される結晶相を含有していること、を特徴とする触媒を使用することによって解決することができる。 - 特許庁

This vacuum CVD device is provided with a treating chamber 10 for executing the film formation of copper by a vacuum CVD method, a gaseous starting material feeding part 12 for feeding an organic copper compd. such as Cu (I) hfacTMVS as a gaseous starting material and an evacuating part 14 for evacuating the treating chamber 10.例文帳に追加

この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。 - 特許庁

The connection terminals 31 arranged on a substrate 11a to be connected with output terminals 25 on a wiring board 21 via the ACF are formed having transparent conductive film areas 61 with ITO films 31b formed thereon, and laminated areas 60 on which the laminated films of lamination of the ITO film 31b and Cu films 31a are formed.例文帳に追加

配線基板２１上の出力端子２５とＡＣＦを介して接続される基板１１ａ上に設けられた接続端子３１は、ＩＴＯ膜３１ｂが形成された透明導電膜領域６１と、ＩＴＯ膜３１ｂとＣｕ膜３１ａとが積層された積層膜が形成された積層領域６０とを有して形成される。 - 特許庁

The metal bond wheel is composed by bonding diamond abrasive grains and/or CBN abrasive grains by a metal bond, wherein the chemical composition of the metal bond is 40 to 70 wt% of Ni, 19 to 30 wt% of Sn, 1 to 7 wt% of Ag, and at least 5 wt% of Cu as the balance.例文帳に追加

本発明は、ダイヤモンド砥粒及び／又はＣＢＮ砥粒をメタルボンドで結合することにより構成されたメタルボンドホイールであって、前記メタルボンドの化学組成は、Ｎｉを４０〜７０ｗｔ％、Ｓｎを１９〜３０ｗｔ％、Ａｇを１〜７ｗｔ％、及び少なくとも５ｗｔ％を占める残部としてのＣｕからなるメタルボンドホイールに関する。 - 特許庁

Copper alloy materials having major components such as Cu, Zn, Al, Mn, and Si are employed as bearing materials 10 and 11 of the supercharger, and the extending direction of an Mn-Si series compound crystallized in the alloy material is set in the axial direction of a rotational axis for a radial bearing, and also in the perpendicular direction of the rotational axis for a thrust bearing.例文帳に追加

過給機の軸受材１０，１１として、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｓｉを主成分とする銅合金材を採用するとともに、該合金材に晶出されるＭｎ−Ｓｉ系化合物の伸長方向を、ラジアル軸受については回転軸の軸方向に、スラスト軸受については回転軸の軸直角方向に配設して構成する。 - 特許庁

A mixed metal powder comprising 5 to 94.3 wt.% Cu powder, 5 to 94.3 wt.% SUS powder, 0.2 to 10 wt.% Sn powder, and 0.5 to 2.5 wt.% graphite is compacted and then sintered to form a bearing sleeve 8.例文帳に追加

５ｗｔ％以上９４．３ｗｔ％以下のＣｕ粉末と、５ｗｔ％以上９４．３ｗｔ％以下のＳＵＳ粉末と、０．２ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下のＳｎ粉末と、０．５ｗｔ％以上２．５ｗｔ％以下の黒鉛とからなる混合金属粉末を圧縮成形した後、焼結することで軸受スリーブ８を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal are characterized in that in the silicon single crystal water grown by the Czochralski method, in N region out side of OSF ring generated in ring state at the time of heat oxidizing process for all surfaces of the wafer, no defective region is existing which is to be detected by Cu deposition.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

Consequently, the solder bridges, etc., between the adjacent Cu patterns 2 and 4 can be prevented, because, even when excessive solder moves on the patterns 2 and 4 when a pressure is applied to the junction between the wiring boards 1 and 3 by means of a thermocompression bonding tool 9, the gap becomes the relieving space of the excessive solder.例文帳に追加

このため、フレキシブル配線基板１とリジッド配線基板３との接続箇所に熱圧着ツール９によって圧力が加えられたとき、余剰はんだがＣｕパターン２，４上に沿って移動しても、この間隙がその余剰はんだの逃げスペースとなるので、隣接するＣｕパターン間においてはんだブリッジ等が発生することを防止できる。 - 特許庁

Alternatively, a melt of a Cu base alloy for casting containing 3 to 8.5% Ag, 0.5 to 1.5% Cr and 0.05 to 0.5% Zr is solidified by casting, the solidified part or hot worked part is molded into a prescribed shape by jointly using thermomechanical treatment by forging or rolling and precipitation aging treatment to precipitation-strengthen the same.例文帳に追加

または３〜８．５％のＡｇと、０．５〜１．５％のＣｒと、０．０５〜０．５％のＺｒとを含む鍛造用Ｃｕ基合金の溶融物を鋳造により凝固させ、凝固物またはその熱間加工物に鍛造または圧延による加工熱処理と析出時効処理とを併用して所定の形状に成形すると共に析出強化させる。 - 特許庁

This positive electrode active material for a lithium ion battery is expressed by general formula Li_xA_yPO_4, wherein A is at least one kind selected from Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu; 0<x<2; and 0<y≤1, has an olivine structure, and is characterized by being formed of lithium composite metal phosphate having a crystallite diameter below 35 nm.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン電池用正極活物質は、一般式：Ｌｉ_ｘＡ_ｙＰＯ_４（但し、ＡはＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕから選択された少なくとも１種であり、０＜ｘ＜２、０＜ｙ≦１）で表され、オリビン構造を有し、かつ結晶子径が３５ｎｍ以下のリチウム複合金属リン酸塩からなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a lithium secondary battery that restrains an inhibition of cell reaction and that improves self-discharge property and cycle property by suppressing the corrosion of copper foil which is a negative electrode current collector and the invasion of eluted Cu into SEI on the negative electrode surface, so that copper SEI layer will be restrained to be generated on the surface of negative electrode active material.例文帳に追加

負極集電体である銅箔の腐食、及び溶出したＣｕを負極表面上のＳＥＩに進入することを抑制することで、負極活物質表面上に銅ＳＥＩ層が生成することを抑制することにより、電池反応の阻害を抑制し、自己放電特性とサイクル特性を改善したリチウム二次電池を提供する。 - 特許庁

On the surface of electrolyte with oxygen ion conductivity, a fuel electrode is made of a mixture layer of an oxide sintered body equipped with a kind of particle selected from among Ni, Co, Fe, and Cu on the surface part with the surface as a whole, or a part of the surface covered with a film of mixed conductivity and a sintered body with ionic conductivity.例文帳に追加

酸素イオン導電性を有する電解質の表面に、表面部にＮｉ、Ｃｏ、ＦｅおよびＣｕより選ばれる少なくとも１種の粒子を有し、かつ表面全体もしくは一部を混合導電性の膜で覆われた酸化物焼結体と、イオン導電性を有する焼結体との混合相により燃料極を作製する。 - 特許庁

The joined body of the metal-ceramic compound material formed by joining the metal-ceramic compound material composed of an Al alloy containing 1 to 10 mass% one or two kinds of Cu or Zn as a matrix a and material similar to or different therefrom by the brazing material of the Al alloy containing 5 to 50 mass% Sn is provided.例文帳に追加

ＣｕまたはＺｎの１種または２種を１〜１０質量％含むＡｌ合金をマトリックスとする金属−セラミックス複合材料と、それと同種または異種の材料を、Ｓｎを５〜５０質量％含むＡｌ合金のロウ材により接合してなることを特徴とする金属−セラミックス複合材料の接合体を提供する。 - 特許庁

In an insulative heat sink of semiconductor device and a method of manufacturing the same, the heat sink is formed of a carbon fiber composite Al or carbon fiber composite Al alloy, an insulating plate is formed of Cu layer or AlN joined with the Al layer and the insulating plate and heat sink are joined with the Sn-Pb based alloy or conductive resin.例文帳に追加

この発明に係わる半導体装置の絶縁性放熱板およびその製造方法は、放熱板を炭素繊維複合Ａｌまたは炭素繊維複合Ａｌ合金とし、絶縁板はＣｕ層またはＡｌ層が接合されたＡｌＮとし、絶縁板と放熱板の接合材はＳｎ−Ｐｂ系合金または導電性樹脂とするものである。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises steps of: forming a silicon carbide film 31 on the back of a semiconductor substrate 1 and forming a transistor on the surface thereof; forming an interlayer insulating film 12 on the semiconductor substrate 1 and the transistor; and burying a Cu interconnection 13 in the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１の裏面に炭化シリコン膜３１を形成し、かつ半導体基板１の表面にトランジスタを形成する工程と、半導体基板１上及びトランジスタ上に層間絶縁膜１２を形成する工程と、層間絶縁膜１２にＣｕ配線１３を埋め込む工程とを具備する。 - 特許庁

The deoxidization time is remarkably decreased by mixing at least one kind of salt selected from a group composed of Cu, Fe, Co, Ni, Cr and Mn and at least one kind of salt selected from a group composed of Ca, Pb and Zn with an aliphatic hydrocarbon having an unsaturated group and/or an unsaturated fatty acid compound.例文帳に追加

本発明は、不飽和基を有した脂肪族炭化水素および／または不飽和脂肪酸化合物に、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩と、Ｃａ、Ｐｂ、Ｚｎからなる群から選ばれる少なくとも１種の塩を混合することにより、脱酸素時間の大幅な短縮を実現する。 - 特許庁

A bilaminar structured electromagnetic shielding film comprising a first layer and a second layer is obtained by forming the first layer with a Cu-Ni gradient alloy with a current for evaporating a monel alloy varied from a low current value to a high current value in a vacuum evaporation method, and after that, by forming the monel alloy with the second layer by evaporating the monel alloy in the alloy composition.例文帳に追加

真空蒸着法を用いて、モネル合金を蒸発させるための電流を低電流値より高電流値として第１層をＣｕ−Ｎｉ傾斜合金で形成し、その後、モネル合金をその合金組成で蒸発させて第２層をモネル合金で形成することで、第１層と第２層からなる二層構造である電磁波シールド膜を得る。 - 特許庁

The copper bonding wire is formed in such a way that a copper ultra-thin wire of oxygen-free copper consisting of ≤1 ppm of Cl, 10 to 200 ppm of P, Cu as the rest and inevitable impurities as the rest is used as a core, the Pd coating is provided on a surface of the core and a thermosetting copolymerization type polyimide resin coating is formed on a surface of the Pd coating.例文帳に追加

Ｃｌを１ｐｐｍ以下、Ｐを１０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下含み、残部Ｃｕと残部不可避不純物とからなる無酸素銅の銅極細線を芯材とし、前記芯材の表面にＰｄ被膜を設け、前記Ｐｄ被膜の表面に熱硬化性共重合型ポリイミド樹脂被膜が形成されていることを特徴とする銅ボンディングワイヤ。 - 特許庁

In an external electrode 8 provided on a semiconductor device 1 of P-VQFN as one of non-lead surface mounting, a metal plating layer 8b composed of a metal such as copper (Cu) and a solder plating layer 8c composed of a solder are respectively formed on the upper surface and lower surface of an electrode part 8a (on the mount face side and opposite side of a package 7).例文帳に追加

ノンリード表面実装の１つであるＰ−ＶＱＦＮの半導体装置１に設けられた外部電極８には、電極部８ａの上面と下面（パッケージ７の実装面側とその反対面側）に銅（Ｃｕ）などの金属による金属めっき層８ｂ、およびはんだによるはんだめっき層８ｃがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A ceramic substrate 1 comprising metal elements, in which Ti occupies not less than 20 mol% thereof, comprises a wiring conductive layer having a consecutive lamination of a contact metal layer 2 consisting of Cr or Ta2N, a diffusion preventing layer 3 consisting of one selected from Cr, Pd, Pt, Ni, Ni-Cr, Ti and Ti-W, and a main conductive layer 4 consisting of Au or Cu.例文帳に追加

含有された金属元素のうち２０ｍｏｌ％以上がＴｉであるセラミック基板１上に、ＣｒまたはＴａ_2Ｎからなる密着金属層２、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔｉ−Ｗのうちのいずれか１種からなる拡散防止層３、ＡｕまたはＣｕからなる主導体層４が順次積層されて成る配線導体層が形成されている。 - 特許庁

The manufacturing method comprises heating the steel material in a heating furnace having an atmosphere of a low oxygen concentration to form a scale layer formed of only a wustite layer, and to evaporate/dissipate molten Cu existing in the interface between the scale/matrix; or alternatively heating the steel material, extracting it from the heating furnace, and carrying out descaling treatment on it twice or more times during the first hot rolling process.例文帳に追加

また、その製造方法は、加熱炉での加熱を低酸素濃度雰囲気条件で行ってウスタイト層のみからなるスケール層とすることでスケール／地鉄界面の溶融Ｃｕを蒸発・飛散させるか、または、鋼材を加熱し加熱炉から抽出した後、最初の熱間圧延の間に２回以上のスケール除去処理を施すことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にＣｕデポジション欠陥が検出されないＮ領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Ｆのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

In X-ray diffraction using Cu as a target, the half-value width of a (300) face is not more than 0.5° and the half-value width of a (0012) face is not more than 0.45°.例文帳に追加

リチウムイオン伝導体を、組成式Ｌｉ_1+aＸ_aＺ_2-a（ＰＯ_4）_3［ＸはＡｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種、ＺはＴｉ、Ｈｆ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種；０≦ａ＜０．７］で表され、ＣｕをターゲットとしたＸ線回折において（３００）面の半値幅が０．５°以下であり、かつ（００１２）面の半値幅が０．４５°以下となるように構成する。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

A pair of heat radiating members 2 and 3 are located so as to sandwich planar located Si chips 1a and 1b, and the main electrodes of the Si chips 1a and 1b and the respective heat radiating members 2 and 3 mainly composed of metals of Cu or Al are connected through a bonding member 4 so as to electrically and thermally connect them.例文帳に追加

平面的に配置されたＳｉチップ１ａ、１ｂを挟む様にして、一対の放熱部材２、３が配置されており、Ｓｉチップ１ａ、１ｂの主電極と、ＣｕまたはＡｌを主成分とする金属からなる各々の放熱部材２、３とが電気的に、かつ熱的に接続されるように接合部材４を介して接続されている。 - 特許庁

When the contents data are used, guide information Cp, Cu; Cs which are related to the contents data such as a data name or the like are obtained about incorporated contents such as Mp, Mu recorded in the ROM3 and the user memory 4 and the provided contents data from the external device and major items are continuously displayed in a prescribed order on the basis of the guide information.例文帳に追加

コンテンツデータ利用の際には、ＲＯＭ３及びユーザメモリ４に記録された内蔵コンテンツデータＭｐ，Ｍｕや外部装置ＳＶからの提供コンテンツデータについて、データ名などの当該コンテンツデータに関連する案内情報Ｃｐ，Ｃｕ；Ｃｓを取得し、案内情報に基づいて、その主要項目を連続して所定順序で表示する。 - 特許庁

The metallic optical element 1 has a maximum shape error PV of the optical surface 2 of ≤5μm, has a surface roughness Ra of ≤20 nm, contains either one of Al, Cu, Ni, Ag, Zn, Sn, Fe and Ti by 97 mol% or more and has impurities and inevitable impurities besides the same in which the maximum particle size of the impurities is adjusted to 500μm or less.例文帳に追加

本発明による金属製光学素子１は、光学面２の最大形状誤差ＰＶが５μm以下、表面あらさＲaが２０nm以下であって、アルミニウム，銅，ニッケル，銀，亜鉛，錫，鉄，チタンの何れか１つを９７モル％以上含み、それ以外の不純物および不可避不純物の最大粒径が５００μm以下に調整されている。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するＣＩＧＳ薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し、ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁