「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(116ページ目) - Weblio英語例文検索

To utilize a circuit that takes out a work function difference between thermal MOS transistors robust against high-temperature operations and to suppress a high-temperature leak current of the entire semiconductor element.例文帳に追加

この発明は、高温動作に強い温度ＭＯＳトランジスタの仕事関数差を引き出す回路を利用することと、半導体素子全体の高温リーク電流を抑えることを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a power supply control circuit capable of preventing heat generation of a circuit caused by abnormal current due to circuit failure which a circuit having a conventional fuse or overcurrent protective element has no capability of preventing.例文帳に追加

従来のヒューズや過電流保護素子を用いた回路では防げなかった、回路不具合による異常電流での回路の発熱を防ぐことができる電源制御回路を提供することである。 - 特許庁

Besides, a plurality of TFD (thin film diode) elements with nonlinear current-voltage characteristics are arranged on the element substrate, and the respective TFD elements are connected to the corresponding respective pixel electrodes and the respective signal lines.例文帳に追加

そして、素子基板には、電流−電圧特性が非線形な複数のＴＦＤ素子が設けられ、各ＴＦＤ素子は対応する各画素電極及び各信号線に夫々接続されている。 - 特許庁

A comparator 54 compares a voltage drop across a resistor 52 due to a current output from the sense terminal ST of a power switching element S with a threshold voltage Vref to acquire a large/small relation.例文帳に追加

パワースイッチング素子Ｓのセンス端子ＳＴから出力される電流による抵抗体５２での電圧降下量は、コンパレータ５４によって、閾値電圧Ｖｒｅｆと大小関係が比較される。 - 特許庁

A threshold voltage correction circuit detects a threshold voltage of the drive transistor Tr2 before current drive of the electro-optical element EL and holds a potential for cancelling its influence in the holding capacity C1.例文帳に追加

閾電圧補正回路は、電気光学素子ＥＬの電流駆動に先だってドライブトランジスタＴｒ２の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為の電位を保持容量Ｃ１に保持する。 - 特許庁

The charging control circuit 67 turns on a semiconductor switching element 69, whereby the capacitor 37 is charged with electricity from a DC power supply of 42 V through a current amplifier 23 and a track for quick charging 71.例文帳に追加

充電制御回路６７は半導体スイッチング素子６９をオンにし、42Vの直流電源から電流増幅器２３、急速充電用線路７１を通じてコンデンサ３７に充電される。 - 特許庁

In a first leak inspection process S4, a predetermined reverse bias voltage is impressed between a positive electrode and a negative electrode after an element formation process A1 for measuring a first leak current value.例文帳に追加

第１のリーク検査工程Ｓ４は、素子形成工程Ｓ１後に、陽極及び陰極からなる両電極間に所定の第１の逆バイアス電圧を印加し、第１の漏れ電流値を計測する。 - 特許庁

By using the index signal so as to neutralize a stored charge of the detection element 201, the intentionally increased neutralizing current is sent to the drift detector 601 during a limited time interval.例文帳に追加

検出素子（２０１）の蓄積電荷を中和するために、指標信号を使うことにより、意図的に増加させた中和電流をドリフト検出器（６０１）へ、限られた時間間隔の間、おくる。 - 特許庁

If trouble occurs at a certain output 1 and a current above a set value flows to a resistor 32, a control signal to break the supply of output voltage is outputted to a semiconductor switch element 34.例文帳に追加

ある出力１で障害が発生し、抵抗32に設定値以上の電流が流れると、半導体スイッチ素子34に出力電圧の供給を遮断する制御信号が出力される。 - 特許庁

To provide a solar battery module which is high in reliability even when a leak point in the leak current of the solar battery element and a degree of leak at the point are inspected and selected and a hot spot takes place.例文帳に追加

太陽電池素子のリーク電流のリークポイントとそのポイントでのリークの程度を検査して選別してホットスポットが発生したときでも信頼性の高い太陽電池電池モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device for protecting a trench side surface and preventing segregation of boron (B) and leakage current when using a polysilazane (PSZ) oxide film for trench embedding.例文帳に追加

トレンチ埋め込みにＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）酸化膜を使用する際、トレンチ側面の保護、ボロン(boron; B)の偏析(segregation)を防止し、漏洩電流(leakagecurrent)を防止するための半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Upon starting a power conversion operation, the connection state of the short circuit means is detected on the basis of an output voltage or an output current in driving the switch element SW1 in a predetermined condition.例文帳に追加

電力変換動作の開始時に、所定の条件でスイッチ素子ＳＷ１を駆動した際の出力電圧又は出力電流により前記短絡手段の接続状態を検知する。 - 特許庁

To provide a driving circuit which appropriately compensates the driving current depending on the characteristic change of a driven element accompanying a temperature change, a driving device including the driving circuit, and an image forming device including the driving device.例文帳に追加

温度変化に伴う被駆動素子の特性変化に応じた駆動電流の補償を適切に行う駆動回路、これを含む駆動装置、及び、この駆動装置を含む画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A control circuit device 100 for a light-emitting element includes a power source V1, a transistor TR1, a light-emitting unit EU1, switches SW1 to SW17, constant electric current source circuits CC1 to CC17, and a control part 110.例文帳に追加

発光素子制御回路装置１００は、電源Ｖ１、トランジスタＴＲ１、発光ユニットＥＵ１、スイッチＳＷ１〜ＳＷ１７、定電流源回路ＣＣ１〜ＣＣ１７および制御部１１０を備える。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup element capable of reducing contact resistance and generating less dark current even when a wiring or a contact hole is miniaturized, and its manufacturing method.例文帳に追加

配線やコンタクトホールの寸法の微細化に際しても、コンタクト抵抗の低減を図ることが可能であり、且つ、暗電流の発生が少ない固体撮像素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with its occupied area reduced by employing a three-dimensional capacitor structure while suppressing an increase in leakage current due to a capacitor structure of a compensation capacitive element.例文帳に追加

補償容量素子のキャパシタ構造に起因したリーク電流の増加を抑制するとともに、立体構造のキャパシタ構造を採用して、占有面積を削減した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To arrange a power supply member and a current control circuit effectively without enlarging a housing portion for housing the power supply member into a direction crossing an optical axis direction of a semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

給電部材を収納するハウジング部を半導体発光素子の光軸方向と直交する方向に大型化することなく、給電部材と電流制御回路とを効率的に配置することができる。 - 特許庁

An H-bridge drive part 50 generates the drive current for driving a drive element 12 which changes the state of the object according to the PWM signal generated by the PWM modulation part 40.例文帳に追加

Ｈブリッジ駆動部５０は、ＰＷＭ変調部４０により生成されたＰＷＭ信号に応じて、対象物の状態を変化させる駆動素子１２を駆動するための駆動電流を生成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid injection head capable of suppressing a leak current equal to or more than 1.0×10^-1 A per cm^2, and a liquid injection device using the same, and a manufacturing method of a piezo-electric element.例文帳に追加

１．０×１０^—１Ａ／ｃｍ^２以上のリーク電流を抑制できる液体噴射ヘッドの製造方法及びこれを用いた液体噴射装置、並びに圧電素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To control switching frequencies in accordance with a state of a discharge lamp while controlling a switching element at a timing where the regenerative current comes near zero without giving rise to cost hike of a discharge lamp lighting device.例文帳に追加

放電灯点灯装置のコストアップを招来することなく、回生電流が略ゼロとなるタイミングでスイッチング素子をオン制御しながら、放電灯の状態に応じてスイッチング周波数を制御する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for well-linearly detecting a magnetic flux and a current regardless of a characteristic of a magnetic flux detection element although the detected magnetic flux is relatively large.例文帳に追加

磁束検出素子の特性に関係なく、検出対象の磁束が比較的大きくても、直線性良く磁束さらには電流を検出することできる方法および装置を提供する。 - 特許庁

A rectifying device D23 is placed between the choke coil L22 and the smoothing capacitor C26 and interrupts a current flowing from the choke coil L22 to the smoothing capacitor C26 when the switching element Q21 is in conduction.例文帳に追加

整流素子Ｄ２３は、チョークコイルＬ２２と平滑コンデンサＣ２６との間に介在し、スイッチング素子Ｑ２１が導通状態のとき、チョークコイルＬ２２から平滑コンデンサＣ２６に流れる電流を遮断する。 - 特許庁

To suppress the highest value of an inrush current as much as possible by a simple configuration and to improve drying efficiency in a clothes dryer using a PTC (Positive Temperature Coefficient) heater element for heating means of drying air generation means.例文帳に追加

乾燥風発生手段の加熱手段にＰＴＣヒータ素子を用いたものにおいて、簡単な構成で突入電流の最高値を極力抑えることができ、乾燥効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a magnetic storage device that achieves high capacity and integration, while reducing malfunction of a magnetic memory element due to an induction field generated by current flowing in wiring.例文帳に追加

配線に流れる電流によって発生した誘導磁界による磁気記憶素子の誤作動を低減しつつ、大容量化および高集積化を図ることができる磁気記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor element capable of securing excellent electrical junction between a source region and a drain region, and a channel layer, and preventing drop of on-current, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域と、チャネル層との間で、良好な電気的接合を確保でき、かつオン電流の低下を防ぐことのできるトランジスタ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To stably mass-produce a surface emitting laser element of ≤0.1 μm in amount of a position shift of the center of gravity of an optical filter from the center of a current passing region while controlling an oscillation lateral mode.例文帳に追加

発振横モードを制御しつつ、電流通過領域の中心に対する光学フィルタの重心の位置ずれ量の大きさが０．１μｍ以下の面発光レーザ素子を安定的に量産する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor epitaxial wafer that has a higher breakdown voltage and reduces or eliminates a current collapse phenomenon, a method of manufacturing the same, and a field effect transistor element.例文帳に追加

高耐圧化とカレントコラプス現象の低減ないしは解消との両立を可能とした窒化物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法ならびに電界効果型トランジスタ素子を提供する。 - 特許庁

To solve the following problem: upon performing a low grayscale display with a minute current supplied to a light-emitting element, variations in threshold voltages become notable since a gate-source voltage of a driving transistor is small.例文帳に追加

発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。 - 特許庁

Then, it is determined whether there is an overcurrent flowing in the power switching element Sw by a comparator 48 based on the amount of voltage drop of a resistor 44 by an output current of a sense terminal St.例文帳に追加

その後、センス端子Ｓｔの出力電流による抵抗体４４の電圧降下量に基づきコンパレータ４８によってパワースイッチング素子Ｓｗに過電流が流れるか否かを判断する。 - 特許庁

To provide a motor controller capable of suppressing the operation delay of each switching element constituting a drive circuit, while mitigating the current change associating with the switching, with a further simple structure.例文帳に追加

より簡素な構成にて、駆動回路を構成する各スイッチング素子の動作遅延を最小限に抑えつつ、そのスイッチング伴う電流変化を穏やかにすることのできるモータ制御装置を提供すること。 - 特許庁

The operational amplifier circuit 122A further includes a variable resistive element 21 connected between at least one of the differential transistor 100 and the differential transistor 101 and the drain of the current source transistor 102.例文帳に追加

演算増幅回路１２２Ａは、さらに、差動トランジスタ１００及び差動トランジスタ１０１の少なくとも一方と、電流源トランジスタ１０２のドレインとの間に接続された可変抵抗素子２１を備える。 - 特許庁

The standby control means carries out a control sequence to shut off at least a direct current component flowing through a serial resister element for dividing voltage included in an analog voltage generator in the process of the inactivation.例文帳に追加

待機制御手段は、不活性化の過程で少なくともアナログ電圧ジェネレータに含まれる電圧分割用の直列抵抗素子に流れる直流成分を遮断する制御シーケンスを実行する。 - 特許庁

To measure a current or electric quantity having a large difference between maximum value and minimum value and varying at a high speed with high precision and resolution by automatically switching the range without using a switching element.例文帳に追加

最大値と最小値の大きさの差が大きく、かつ高速に変化する電流または電気量を、スイッチング素子を用いずに、自動でレンジ切り替えを行なって、高い精度と分解能で測定する。 - 特許庁

Moreover, it can prevent such trouble that slippage occurs in the switching timing of a power element by the rotational angle of the motor 2 being different from the actual rotational angle, which gives rise to disorder in current waveform or torque shocks.例文帳に追加

また、モータ２の回転角度が実際の回転角度とは異なることにより、パワー素子のスイッチングタイミングにズレが生じ、電流波形の乱れやトルクショックを引き起こすことを防止できる。 - 特許庁

To provide a charge pump circuit in which a transistor being a constitutional element is not destroyed by over voltage even at the time of a burn-in test a leakage current never be made to flow in a junction part of a transistor.例文帳に追加

バーンイン試験時においても構成要素であるトランジスタが過電圧によって破壊されることなく、トランジスタの接合部にリーク電流が流れることがないチャージポンプ回路を提供する。 - 特許庁

A motor control circuit 12 has an IGBT 29 which operates as a switching element capable of on-off switching and allowing only the passage in specified direction of a feedback current F at drive of the motor.例文帳に追加

モータ制御回路１２は、オン・オフ切換可能で、かつ、モータ１１の駆動時における還流電流Ｆの所定方向への通過のみを許容するスイッチング素子として動作するＩＧＢＴ２９を有する。 - 特許庁

There are provided a CIS element in which an active pixel sensor comprises a non-flat surface transistor having a perpendicular gate electrode and a channel and effects of post-image and a dark current are minimized, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

アクティブピクセルセンサが垂直ゲート電極及びチャンネルを有する非平面トランジスタで構成され、残像及び暗電流の効果が最小化されたＣＩＳ素子及びその製造方法である。 - 特許庁

When the resistive film 17 is used as the resistor element for removing noises, a current flows in the direction of the thickness of the resistive film 17, so that the resistive film 17 can be reduced in inductive component.例文帳に追加

この抵抗膜１７をノイズ除去のための抵抗素子として用いれば、抵抗膜１７の厚み方向に電流が流れることになるので、インダクタンス成分を低減することができる。 - 特許庁

In a driving period PDR, the potential supply to the drive transistor TDR is stopped, then, the driving current IDR corresponding to the voltage between both ends of the holding capacitor C1 is supplied to the light-emitting element E.例文帳に追加

駆動期間ＰDRにおいては、駆動トランジスタＴDRに対する電位の供給を停止することで、保持容量Ｃ1の両端間の電圧に応じた駆動電流ＩDRを発光素子Ｅに供給する。 - 特許庁

After pasting together with a TFT substrate, the current of a drive power source applied to a power supply line 24 is interrupted from flowing into the other pixel caused by a diode action of the organic EL element 19 at an inspection section.例文帳に追加

ＴＦＴ基板と貼り合わせた後には、電源配線２４に印加される駆動電源からの電流は検査部有機ＥＬ素子１９のダイオード作用で他の画素への流入が阻止される。 - 特許庁

A first radiation element 13 to which a feeder line for feeding a current is connected, and second radiation elements 14a, 14b which are not directly connected to the feeder line, are provided on a substrate 11.例文帳に追加

電流を供給する給電線が接続される第１の放射素子１３と、給電線に直接には接続されない第２の放射素子１４ａ,１４ｂとを基板１１上に備える。 - 特許庁

To provide an optical sensor element which reduces current variance due to shape variance of an edge part of a semiconductor layer and also suppresses characteristic deterioration, and further prevents an influence of disturbance.例文帳に追加

半導体層のエッジ部分の形状バラツキに起因する電流バラツキを低減すると共に特性劣化を抑制し、更に外乱の影響を防止する光センサ素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

The power supply control unit 20 turns on the semiconductor switching element 15, in place of a system main relay SMR1 during a specified period, immediately after a power supply is fed to supply a current from a battery 10 to a load 30.例文帳に追加

電源制御装置２０は、電源投入直後の所定期間では、システムメインリレＳＭＲ１の代わりに半導体スイッチング素子１５をオンさせて、バッテリ１０から負荷３０へ電流を供給する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which STIs are used for element isolation regions, wherein dark current and occurrence of a white blemish are reduced and achieves storage charge amount increase.例文帳に追加

素子分離領域としてＳＴＩを用いた固体撮像装置であって、暗電流及び白キズの発生を低減すると共に、蓄積電荷数の増加を実現する固体撮像装置提供する。 - 特許庁