「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a DC/DC converter capable of restraining breakage of an element without need of increasing the voltage resistance property of the element as measures against a leap of a boost voltage due to a sudden increase in input voltage or a sudden decrease in output current, even in a two-stage converter.例文帳に追加

２ステージ型コンバータにおいて、入力電圧の急増や出力電流の急減に起因する昇圧電圧の跳ね上がりに対して、素子の耐圧性を上昇させて対応しなくても、素子の破損を抑制することができるＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。 - 特許庁

When starting the preheat mode (S1:YES), a minute constant electric current Icp is not supplied from a gas sensor controller to the detection element but only power application to a heater is started (S2) in order to raise the temperature of the detection element to a temperature less than the splashed water crack occurrence temperature.例文帳に追加

このプレヒートモードを開始させる場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、ガスセンサ制御装置からガス検出素子への微小な定電流Ｉｃｐの供給を行わず、飛水割れ発生温度未満の温度にガス検出素子の温度を上昇させるためのヒータ体への通電のみを開始させる（Ｓ２）。 - 特許庁

To optimize an element structure, to realize mass production, to make capacity, a function and reliability to be high and to prolong a life by a simple and inexpensive manufacturing method in a plane emission-type semiconductor light emitting element forming a current constricting layer by lateral oxidation.例文帳に追加

横方向酸化により電流狭窄層を形成する面発光型半導体発光素子において、素子構造の最適化を図り、簡便かつ低コストな作製方法により量産化、高性能化、高機能化、高信頼性化、長寿命化を図ることを目的とする。 - 特許庁

Thus, since by switching between the different element coils 3a and 3b to be energized, electricity is conducted only to the element coil of a range necessary for driving a different medium, power consumption and heat generating are reduced without supplying any current to an excessive coil part during driving.例文帳に追加

このように、通電する要素コイル３ａ，３ｂを切り替えることにより、異なるメディアの駆動のために必要な範囲の要素コイルのみに通電を行うように設定することができるため、駆動時に余分なコイル部分に電流を流すことなく、消費電力，発熱を少なくすることができる。 - 特許庁

A temperature detector includes a temperature detector part 14B that has an element whose resistance value varies by temperature, detects temperature based on a voltage value obtained when a supply current is supplied from a power source 23 to the element, and outputs an output voltage based on the detected temperature.例文帳に追加

温度によって抵抗値が変化する素子を有し、電源２３から前記素子に供給電流が供給されて得られる電圧値に基づいて温度を検出し、検出された温度に基づいて出力電圧を出力する温度検出部１４Ｂを備える。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

This current detection device is equipped with at least one sensor element 3 provided on a carrier portion 4 for detecting the magnetic field; and a prescribed region which is a prescribed region S of the conductor 1, at which the at least one sensor element 3 is arranged in contact with the conductor.例文帳に追加

本発明に係る電流検出装置は、磁界を検出するために支持体部(4)上に設けられた少なくとも一つのセンサ素子(3)と、導体(1)の所定の領域(S)であって、当該導体に接して少なくとも一つのセンサ素子(3)が設けられている所定の領域とを備えている。 - 特許庁

If gate resistance 3 is made sufficiently low in such a state, the collector current of the switching element 9 decreases very quickly, so that a turn-off loss of the switching element 9 is made very small, and a rate of voltage rise is suppressed to be a certain value by an operation of the snubber circuit.例文帳に追加

そこでゲート抵抗３を十分小さくしておけば、スイッチング素子９のコレクタ電流は非常に急速に減少するので、スイッチング素子９のターンオフ損失は非常に小さくすることが可能になり、スナバ回路の作用によって電圧上昇率はある一定の値に抑えることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element, along with its manufacturing method, capable of eliminating the effect of degradation of crystal that occurs in an epitaxial layer by a simple method, for improved throughput as well as stable characteristics such as threshold value current, slope efficiency, and element life.例文帳に追加

簡便な方法により、エピタキシャル層に生じる結晶悪化の影響を排除することができるためスループットが向上するとともに、しきい値電流、スロープ効率、および素子寿命等の特性が安定した半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The gate-off voltage generator increases the gate-off voltage applied to the switching element to a voltage, obtained by adding an offset voltage having a specified level to increase the amount of a current flowing between the output terminal and the input terminal of the switching element.例文帳に追加

前記ゲートオフ電圧生成部は、駆動電源が遮断される時、前記スイッチング素子に印加される前記ゲートオフ電圧を所定の大きさのオフセット電圧が加えられた電圧に高くし、スイッチング素子の出力端子と入力端子との間に流れる電流量を増加させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which further reinforces durability against surge due to ESD (electrostatic discharge) or the like by mitigating the concentration of a current (carrier) near the outer periphery of an element region while having the element region formed of a source layer and a drain layer alternately.例文帳に追加

ソース層とドレイン層とが交互に形成された素子領域を有していながら、該素子領域の外周付近での電流（キャリア）の集中を緩和して、ＥＳＤ（静電気放電）等に起因するサージに対する耐性のさらなる強化を図ることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

An impurity diffused layer 141 functions as one of the electrodes of a capacitor C, a data transmission path, and a window W which generates a tunnel current in a TN region in element regions 131 and 132 surrounded by an element isolation region 12 on a substrate 11.例文帳に追加

素子分離領域１２に囲まれた基板１１上の素子領域１３１，１３２において不純物拡散層１４１はキャパシタＣの一方電極、不純物拡散層１４１はデータ伝送経路及び領域ＴＮでトンネル電流を発生させるためのウィンドウＷとして機能する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device maintaining a current-driving capability and preventing the short channel effect by activating the impurities of a gate electrode in a FET for logic element without spoiling the quality of a gate insulator film in a FET for memory element and a method of manufacturing it.例文帳に追加

メモリ素子用ＦＥＴにおけるゲート絶縁膜の膜質を損なうことなく、ロジック素子用ＦＥＴにおけるゲート電極の不純物が活性化されることにより電流駆動能力が維持され、かつ短チャネル効果が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, light beams from a condenser lens system 11 is incident upon the back surface side of the element sample 3 (the side of the transparent substrate), in addition to the application of the electron beams, to obtain the applied voltage-current properties of the organic thin film to be measured when light is applied on the element sample 3.例文帳に追加

また、電子ビームの照射とともに、素子試料３の裏面側（透明基板側）に集光レンズ系１１からの光ビームを入射せしめることにより、素子試料３に光を照射したときの被測定有機薄膜の印加電圧−電流特性を得る。 - 特許庁

To suppress the leak current of a semiconductor element by employing a film composed of a high melting point metal, an alloy of a high melting point metal, a silicide of a high melting point metal, and a nitride of Ti, Ta, W, and a Ti-W alloy in a contact barrier layer or a gate electrode in order to attain a highly reliable semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

The temperature controlling method for the element is provided, where characteristics are changed by the temperatures, the temperature-electric characteristics of the electronic element that functions due to energization is captured as a temperature detection signal, and the amount of current and voltage to be energized to the elements is controlled.例文帳に追加

本発明によれば、温度によって特性が変化し、通電により機能する電子素子の温度−電気特性を温度検出信号としてとらえ、これらの素子に通電する電流・電圧量をコントロールすることを特徴とする素子の温度制御方法が提供される。 - 特許庁

A bidirectional switching element 23 and a drive circuit 24 are parallel-connected to a series circuit formed of a heating coil 21 and a resonance capacitor 22, a choke coil 29 is arranged between the bidirectional switching element 23 and an AC power supply 25, and performing induction heating, without generating loss in being rectified into a DC current.例文帳に追加

加熱コイル２１と共振コンデンサ２２の直列回路に並列接続した双方向スイッチング素子２３、駆動回路２４を備え、チョークコイル２９を双方向スイッチング素子２３と交流電源２５の間に設け、直流に整流する損失を発生させることなく誘導加熱を行う。 - 特許庁

In an electrically-driven pump to discharge the working fluid stored in the reservoir 2 by reciprocating the working fluid through the expansion/contraction of a solid element 7, the current of a coil 8 of a piston drive part 1b to be applied to the solid element 7 is controlled according to the measured value of the pressure sensor 21.例文帳に追加

固体素子７の伸縮動作によってピストンが往復動して前記リザーバ２に貯留された作動流体を吐出する電動式ポンプは、前記固体素子７に印加する、ピストン駆動部１ｂのコイル８電流が前記圧力センサ２１の計測値に応じて制御される。 - 特許庁

To provide a thermoelement of light weight in which installation to a heat source etc. which has unevenness on the surface is easy, processing is easy, neither rare element nor toxic element is necessarily included, practically sufficient voltage and/or practically sufficient current are securable, and which is tough to vibration and thermal stress.例文帳に追加

その表面に凹凸がある熱源等への設置が容易であり、軽量かつ加工が容易で、希少元素や毒性元素を必ずしも含まず、実用上十分な電圧及び／又は電流を確保することができ、振動や熱応力に対して強い熱電素子を提供すること。 - 特許庁

This water cleaning apparatus has a circulating means 16, a flocculation means 17 constituted of an anode 25 and a cathode 24 provided in a circulating channel and a filter means 20 provided on the downstream side of the flocculation means 17 and a current is supplied to a piezoelectric element (electromechanical conversion element) 32 to generate vibration.例文帳に追加

循環手段１６と、循環路に設けられた陽極２５と陰極２４から構成される凝集手段１７と、凝集手段１７の下流に設けられた濾過手段２０とを有し、圧電素子（電気—機械変換素子）３２に通電することにより振動を発生させるものである。 - 特許庁

The detector body 11 attachable to the reflection plate 31 includes: a receiving antenna element 14 for receiving the radiation power of the antenna device 3; and a detecting circuit 16 for converting the radiation power received with the receiving antenna element 14 into detection signals of direct current.例文帳に追加

前記反射板３２に取り付け可能な前記検出器本体１１は、前記アンテナ装置３の放射電力を受信するための受信アンテナ素子１４と、前記受信アンテナ素子１４にて受信した放射電力を直流の検出信号に変換する検波回路１６と、を有している。 - 特許庁

To provide a flux gate sensor element incorporating a ring unit that can certainly prevent reduction of the sensor sensitivity, and a penetration type current sensor that reduces the influence of an introduction position of measured conductor and the influence of an external magnetic field by incorporating the flux gate sensor element and eliminates output of an offset signal.例文帳に追加

センサ感度の低下を確実に阻止することができるリングユニットを組み込んだフラックスゲートセンサ素子と、該フラックスゲートセンサ素子を組み込んで被測定導体の導入位置の影響や外部磁界の影響を少なくし、かつ、オフセット信号の出力をなくした貫通型電流センサとの提供。 - 特許庁

Each of the memory cells (10, 10A-10H) includes at least one magnetoresistive element (J0, J1) storing data, and amplifying members (MP1, MN1, MP7, MP7) used to amplify potential generated by a current through the at least one magnetoresistive element (J0, J1).例文帳に追加

メモリセル（１０、１０Ａ〜１０Ｈ）のそれぞれは、データを記憶する少なくとも一の磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）と、磁気抵抗素子（Ｊ０、Ｊ１）に電流が流されることによって生成される電位を増幅する増幅手段（ＭＰ１、ＭＮ１、ＭＰ７、ＭＰ７）とを備えている。 - 特許庁

Both end electrodes of the capacitor element C1 are used as wiring layers, so when continuity is confirmed, current can be made to flow from the load line L1 to the ground line L2 through both end electrodes of the capacitor element C1 and all terminals of the MOS transistor switches Q1 and Q2.例文帳に追加

キャパシタ素子Ｃ１の両端電極を配線層として利用するため、導通確認を行う際に、負荷ラインＬ１からキャパシタ素子Ｃ１の両端電極とＭＯＳトランジスタスイッチＱ１，Ｑ２のすべての端子を通って接地ラインＬ２に電流を流すことができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method capable of inexpensively manufacturing a surface-emitting semiconductor laser element capable of forming a current narrowing structure at high controllability, and obtaining high heat radiation and stable laser characteristics, and to provide the surface-emitting semiconductor laser element and an optical transmission system.例文帳に追加

制御性良く電流狭窄構造を形成でき、放熱性に優れ、安定したレーザ特性が得られる面発光半導体レーザ素子を、低コストで作製することの可能な面発光半導体レーザ素子の製造方法および面発光半導体レーザ素子および光伝送システムを提供する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element capable of preventing reduction of a flow of current between a wiring and a common electrode due to variation of interface characteristics between two layers because of a direct contact between a pixel electrode and a common electrode formed on the wring, and further preventing a degradation of reliability of the element.例文帳に追加

本発明は、有機電界発光素子で、配線に形成される画素電極と共通電極の、直接的な接触による、二つの層間の界面特性が変化により、配線と共通電極との間の電流の流れが低下し、且つ素子の信頼性も低下することを防止する。 - 特許庁

To solve the problem in a conventional level shift circuit such as that it reaches the breaking point of an element by an overcurrent when high voltage is applied between the gate and source, in condition that the voltage of several hundred V is applied from the source to the drain since the current sink capacity of the high breakdown strength element depends upon the voltage Vgs applied between the gate and source.例文帳に追加

高耐圧素子の電流シンク能力は、ゲート〜ソース間に印加される電圧Ｖgsに依存するため、数１００Ｖの電圧がドレインからソース間に印加されている状態で、ゲート〜ソース間に、高い電圧が印加されると、過大電流により素子破壊に至る。 - 特許庁

A sensor element 104 of a NOx sensor 101 has a sensor cell 150 for decomposing NOx and residual oxygen introduced into the element and a monitor cell 160 for decomposing only the residual oxygen, and detects the NOx concentration from the current output difference between the sensor cell 150 and the monitor cell 160.例文帳に追加

ＮＯｘセンサ１０１のセンサ素子１０４は、素子内に導入されるＮＯｘおよび残留酸素を分解するセンサセル１５０と、残留酸素のみを分解するモニタセル１６０を有し、センサセル１５０とモニタセル１６０の電流出力差からＮＯｘ濃度を検出する。 - 特許庁

To solve the problem that power loss increases by a switching element Swp on the high potential side (a switching element Swn on the low potential side), which is connected in parallel with a diode Dp on the high potential side (a diode Dn on the low potential side), being switched on, when a forward current is flowing to the diode Dp.例文帳に追加

高電位側ダイオードＤｐ（低電位側ダイオードＤｎ）に順方向電流が流れているときにこれに逆並列に接続された高電位側スイッチング素子Ｓｗｐ（低電位側スイッチング素子Ｓｗｎ）がオン状態とされることで、電力損失が増大すること。 - 特許庁

In a driving period Pdrv, the electrooptical element 1 is driven by supplying the driving current Idr corresponding to the voltage set in the write period Pwrt to the gate G0, and the transistor T1 is turned off to electrically disconnect the gate G0 and capacity element C1 from each other.例文帳に追加

駆動期間Ｐdrvにおいては、ゲートＧ0に書込期間Ｐwrtにて設定された電圧に応じた駆動電流Ｉdrの供給によって電気光学素子１１が駆動されるとともに、トランジスタＴ1がオフ状態とされてゲートＧ0と容量素子Ｃ1とが電気的に切り離される。 - 特許庁

By composing this photoelectric conversion element by using such an electrode substrate 1, the wiring layer 12 is surely shielded from an electrolyte solution or the like to effectively restrain its corrosion and leakage current, so that the photoelectric conversion element having high photoelectric conversion efficiency can be provided.例文帳に追加

このような電極基板１を用いて光電変換素子を構成することにより、金属配線層１２が電解質溶液などから確実に遮蔽され、その腐食や漏れ電流を効果的に抑制し、光電変換効率の高い光電変換素子を得ることができる。 - 特許庁

At this point, the length (t) of a part of the capacitor element 11 overlapping with the STI region 3 is so set as not to cause the semiconductor memory device to malfunction due to a leakage current which occurs in the STI region 3 due to stress near the capacitor element 11.例文帳に追加

ここで、容量素子１１近傍で発生するストレスに起因するＳＴＩ領域３のリーク電流によって半導体記憶装置が誤動作を起こさない範囲となるように、容量素子１１とＳＴＩ領域３とのオーバーラップ部の長さｔが設定されている。 - 特許庁

When the switching element 36 is turned on or made conductive, a DC current Ic flows through the output terminal 34a of the positive pole side of the rectifier circuit 34, the switching element 36, the inductance coil 38, and the circuit 43 of the output terminal 34b on the negative side of the rectifier circuit 34.例文帳に追加

スイッチング素子３６がオンまたは導通すると、整流回路３４の正極側の出力端子３４ａ→スイッチング素子３６→インダクタンスコイル３８→整流回路３４の負極側の出力端子３４ｂの回路４３で直流電流Ｉcが流れるようになっている。 - 特許庁

The switching power supply includes: the synchronous rectifying element SR1 turned on/off complementarily with a main oscillation device TR1 connected in series with an input power supply E; and the parasitic diode DSR1 connected across the synchronous rectifying element SR1 in such a direction that it can supply current to a smoothing circuit 16.例文帳に追加

入力電源Ｅに直列接続された主発振素子ＴＲ１と相補的にオン・オフする同期整流素子ＳＲ１と、同期整流素子ＳＲ１の両端に接続され、平滑回路１６に向けて電流供給可能な向きに接続された寄生ダイオードＤＳＲ１を有する。 - 特許庁

To provide a driver circuit for a semiconductor device which surely reduces switching noise that is caused accompanied with high-speed current cutoff of a switching element capable of high-speed turning-off, and is capable of stably operating the driver circuit system of the switching element.例文帳に追加

本発明は、高速ターンオフが可能なスイッチング素子の高速な電流遮断に伴い発生するスイッチングノイズを確実に低減するとともに、スイッチング素子の駆動回路系を安定に動作させることができる半導体素子の駆動回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

During actual operation, a control section 3 outputs a switching element control signal for controlling conduction of the switching elements in the upper and lower arm switches to an inverter circuit, and detects current flowing through the shunt resistors 19-21 by the switching element control signal.例文帳に追加

実運転時には、制御部３は、上アームスイッチ部および下アームスイッチ部のスイッチング素子の導通を制御するためのスイッチング素子制御信号をインバータ回路に出力するとともに、スイッチング素子制御信号によってシャント抵抗１９〜２１に流れた電流を検出する。 - 特許庁

There are provided an operational amplifier OP with a pyroelectric element 1 connected to the inversion input terminal thereof, and a current- voltage conversion circuit 2 with a feedback capacitor Cf and a resistance circuit element Z1 connected in parallel between the output terminal and the inversion input terminal of the operational amplifier OP.例文帳に追加

反転入力端子に焦電素子１が接続された演算増幅器ＯＰと、演算増幅器ＯＰの出力端子と反転入力端子との間に帰還用のコンデンサＣｆ及び抵抗回路素子Ｚ１が並列接続された電流電圧変換回路２が構成される。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element for improving resistance change amount (ΔR) and resistance change rate (ΔR/R), by improving a material and a film structure of a fixing magnetic layer and/or a free magnetic layer in a CPP (current perpendicular to the plane) magnetic detection element.例文帳に追加

ＣＰＰ型磁気検出素子において、固定磁性層及び／またはフリー磁性層の材質および膜構造を改良することで、抵抗変化量（ΔＲ）及び抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

By using the dark image data captured by the dark data capturing processing and conducting correction arithmetic processing, the photographed image data can be corrected with respect to image quality deterioration such as a dark current noise generated from an image pickup element and a pixel defect due to a flaw specific to the image pickup element.例文帳に追加

このダーク取り込み処理で取り込んだダーク画像データを用いて補正演算処理を行うことにより、撮像素子の発生する暗電流ノイズや撮像素子固有のキズによる画素欠損等の画質劣化に関して、撮影した画像データを補正することができる。 - 特許庁

In the rectifying circuit 22, a series circuit comprising a switching element Q1 and diodes D1 and D3 and a series circuit comprising a switching element Q2 and diodes D2 and D4 are connected in parallel, and the cathodes of the diodes D1, D2, D3 and D4 are positioned downstream of the flow of a secondary current.例文帳に追加

整流回路２２はスイッチング素子Ｑ１とダイオードＤ１，Ｄ３の直列回路、スイッチング素子Ｑ２とダイオードＤ２，Ｄ４の直列回路が並列に接続されるとともに、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４のカソードが二次電流の流れの下流側となっている。 - 特許庁

The host PC computing element 411 adds or subtracts the current value of the host PC 403 and the value of high-order 29 bits of the PC relative value or the number of carry from the slave PC computing element 405 as the case may be and sends the operated result to the host PC 403 as an update value.例文帳に追加

上位ＰＣ演算器４１１は、現在の上位ＰＣ４０３の値と、ＰＣ相対値の上位２９ビットの値と、場合により下位ＰＣ演算器４０５からの桁上り数とを加算叉は減算し、その演算結果を更新値として上位ＰＣ４０３に送る。 - 特許庁

For the gastight battery in which the elements to generate current are sealed in the battery package, a local bulge element inflating on the rise of the pressure is equipped, and a piercing means is equipped to pierce a through-hole at the part of the battery package, when the element is inflated.例文帳に追加

電池パッケージ内部に発電要素が密閉された密閉型電池において、電池内圧上昇によって膨張する局部的な膨れ代を備え、かつ前記膨れ代が膨張したときにこの部分の電池パッケージに貫通孔を穿つための穿孔手段を備える。 - 特許庁

Thus, video signal potential by a signal line SIG is established (tm0-tm1) at the time of power application, next, a circuit state is made to the one that current supply to the organic EL element is stopped (to tm2), next, anode potential of the organic EL element is gradually raised from a cathode potential (tm3-tm4).例文帳に追加

このため電源投入時に、信号線ＳＩＧによる映像信号電位を確定させ（ｔｍ０〜ｔｍ１）、次に有機ＥＬ素子への電流供給が停止される回路状態とし（〜ｔｍ２）、次に有機ＥＬ素子のアノード電位をカソード電位から徐々に上昇させる（ｔｍ３〜ｔｍ４）。 - 特許庁

Thus, a dual band antenna apparatus operates as a dipole antenna, in which antenna current does not flows to a feeder, at the first frequency and operates as a monopole antenna, in which a radiation element constituting the dipole antenna and the feeder which is to serve as a radiation element, in the second frequency that is lower than the first frequency.例文帳に追加

これによって、第１の周波数では給電線にアンテナ電流が流れないダイポールアンテナとして動作し、第１の周波数よりも低い第２の周波数では、ダイポールアンテナを構成する放射エレメントと給電線とが放射エレメントとなるモノポールアンテナとして動作する。 - 特許庁

To provide constitution in which a ring is precluded from directly contacting a housing, while covering a ceramic heating element having lead wires for current flow by the housing and facilitating positioning when the ring connected to lead parts thereof is attached to the ceramic heater element.例文帳に追加

通電用のリード線を有するセラミック発熱体をハウジングで被覆してなるセラミックヒータにおいて、該リード部に接続するためのリングをセラミック発熱体へ取り付ける際の位置決めを容易としつつ、該リングとハウジングとを直接接触させることのない構成を実現する。 - 特許庁