「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(109ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a laminated piezoelectric actuator element that is superior in response characteristic and suppresses the amount of input current than before when establishing response speed equivalent to the conventional speed and that increases response speed when applying the amount of input current equivalent to the conventional amount.例文帳に追加

応答特性に優れ、従来と同等の応答速度を得るときは、従来よりも入力電流量を抑制することが可能で、一方、従来と同等の入力電流量を印加した場合には、応答速度が速くなる積層型圧電アクチュエータ素子を提供する。 - 特許庁

A movable element of a solenoid valve is displaced by means of application to a solenoid of alternating phases at constant voltage and at zero voltage, so as to give rise to an alternation of phases of charging and discharging of the solenoid, corresponding to increases and decreases of a current around a substantially constant current value.例文帳に追加

ソレノイドバルブの可動要素は、実質的に定電流値を中心に電流の増大と減少とに対応する、ソレノイドの充電相と放電相とを交番させるように、定電圧での相とゼロ電圧での相を交互にするソレノイドへの適用によって移動する。 - 特許庁

The alternating voltage is supplied to the transmission electrode and auxiliary electrode from the buffer circuit via different wires, and only the current flowing through the transmission electrode is detected by a current detecting resistance element, so that the detection precision of the detected object can be improved.例文帳に追加

本発明によれば、異なる配線を介してバッファ回路から送信電極および補助電極に交流電圧を供給し、送信電極を流れる電流のみを電流検出抵抗素子で検出するので、被検出物の検出精度を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element obtained by using a GaInNAs based semiconductor as a quantum well structure and its manufacturing method, especially a semiconductor laser which is low in a threshold current density at room temperatures and is superior in temperature characteristics at the threshold current density particularly in a long wavelength band laser.例文帳に追加

ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を量子井戸構造として用いた半導体素子及びその製造方法に関するもので、特に長波長帯レーザにおいて、室温でのしきい値電流密度が低く、しきい値電流密度の温度特性に優れた半導体レーザを提供する。 - 特許庁

Subsequently, the metal film is grown to form a bump electrode by applying, for a predetermined period, the alternate current having a waveform where only a polarity element rises in a predetermined quantity for the growth of the metal film to form the bump electrode among current waveforms of such alternate currents.例文帳に追加

続いて、その交流電流の電流波形のうち、バンプ電極となる金属膜を成長させる極性成分のみが所定量上昇した波形を有する交流電流を所定時間印加することによって金属膜を成長させ、バンプ電極を形成する。 - 特許庁

While a battery back 2, in which a plurality of battery units consisting of at least one element battery 1 are connected in parallel, is provided, there is provided a current breaker so that a current between conductive wires (for example, a cathode bus bar 34) may be circuit-broken at each of the battery units in an abnormal condition.例文帳に追加

少なくとも１つの素電池１からなる電池ユニットが複数、並列に接続された組電池２を備えるとともに、該各電池ユニット毎に所定の異常状態で導電線（例えば正極バスバー３４）との間の電流を遮断するように電流遮断器を設ける。 - 特許庁

The dye-sensitized photoelectric conversion element 1 is configured such that insulation of the current collecting portion 7 and the counter electrode 4 is surely retained by arranging a film 12 made of heat resistant resin with the thermoplastic resin 6 between the counter electrode 4 and the current collecting portion 7 in the sealing part S.例文帳に追加

本発明は、封止部Ｓにおいて、対極４と集電部７との間に熱可塑性樹脂６とともに耐熱性樹脂からなるフィルム１２を配置することによって、集電部７と対極４との絶縁を確保した増感型光電変換素子１を提供する - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electromagnetic element which can form a fine pattern without increasing a leak current caused by a resist residue, and prevent a leak current from increasing with a reduction in the thickness of an insulating film on an electrode edge.例文帳に追加

レジスト残渣に起因するリーク電流の増大を生じさせることがなく、微細パターンの形成が可能であり、電極のエッジ部分の絶縁膜が薄くなることに起因するリーク電流の増大を抑制することが可能な電磁気素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The connecting members 4 are constituted in such a way that electrical resistance becomes partially higher so that a current flowing through a capacitor element 3a closest to the heat-generating body 8 of the plurality of capacitor elements 3 excluding the capacitor elements 3 is smaller than a current flowing through the other capacitor elements 3.例文帳に追加

接続部材４は、複数個のコンデンサ素子３のうち、該コンデンサ素子３以外の発熱体８に最も近いコンデンサ素子３ａに流れる電流が、他のコンデンサ素子３に流れる電流よりも小さくなるように、部分的に電気抵抗が高くなるよう構成されている。 - 特許庁

To provide a light emitting element which can suppress or prevent the oxidation of a light emitting layer and a current diffusion layer even if an oxide transparent conductive film is formed on the light emitting layer or the current diffusion layer formed of a compound semiconductor including an Al, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌを含む化合物半導体より構成される発光層部あるいは電流拡散層上に酸化物透明導電膜を形成させる場合にも、これら発光層部や電流拡散層の酸化を抑制ないし防止できる発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The fuse comprises a fuse element 2 which is blown when energized with a current exceeding a rated current, and a case 10 constituted of a laminate structure of a plurality of synthetic resin layers 12 and 13 and an adhesive layer 14 interposed between the synthetic resin layers 12 and 13.例文帳に追加

定格電流を超える通電により溶断するヒューズエレメント２と、ヒューズエレメント２の可溶部を内部に収容し、複数の合成樹脂層１２，１３と合成樹脂層１２，１３の間に配置された接着層１４より積層構造に構成されたケース１０とを備えた。 - 特許庁

The current value indication means 19 non-linearly varies a current fed to the switching element 6 with respect to a reference set value, and indicates it in accordance with the number of rotations, thus obtaining a torque-rotation number property that is increased in axial torque according to the increase of the number of rotations.例文帳に追加

電流値指示手段１９は回転数に応じて、スイッチング素子６に供給する電流を基準設定値に対して非線形変化させて指示する構成により、トルク−回転数特性は回転数が上昇するにしたがって軸トルクが大きくなる特性が得られる。 - 特許庁

The signal limiting the maximum on-duty of the switching element Q1 is changed by an input voltage-dead time voltage converting circuit 8 based on the input voltage and the lamp current detected by a detection section 7, and the flow of the excessive input current at the time of a low input voltage is suppressed.例文帳に追加

その際、入力電圧と検出部７で検出したランプ電流とに基づき、入力電圧−デッドタイム電圧変換回路８によりスイッチング素子Ｑ１の最大オンデューティを制限する信号を可変し、低入力電圧時に過度の入力電流が流れるのを抑制する。 - 特許庁

A value of a dark current is acquired from a light receiving element group by a first acquisition part 601, and light receiving sensitivity corresponding to the value of the dark current from each of the light receiving elements, which is acquired by the first acquisition part 601, is specified by a specification part 602 based on light receiving sensitivity characteristics.例文帳に追加

第１の取得部６０１によって受光素子群から暗電流の値を取得し、特定部６０２によって、受光感度特性に基づいて、第１の取得部６０１で取得された各受光素子からの暗電流の値に対応する受光感度を特定する。 - 特許庁

The width L of the current collecting lugs 1a and 2a of the positive electrode plate 1 and the negative electrode plate 2 in the winding type power generation element 4 is widely formed for the outer peripheral side of winding so that the relationship of L=r×θ is satisfied, when a distance from the winding center of the current collecting lugs 1a and 2a is r.例文帳に追加

巻回型の発電要素４における正極板１と負極板２の集電耳１ａ，２ａの幅Ｌを、その集電耳１ａ，２ａの巻回中心からの距離をｒとした場合に、Ｌ＝ｒ×θの関係となるように、巻回の外周側ほど広く形成する。 - 特許庁

To provide a rush current suppression circuit and an element for surely suppression a rush current without requiring a number of parts even when power is turned on again in a short time after a power supply is broken or when the on/off of the power supply is repeated with a short cycle.例文帳に追加

電源が遮断されてから短時間の後に再投入される場合や、短時間周期で電源の投入／遮断が繰り返される場合でも、多数の部品を必要とせずに、突入電流を確実に抑制する突入電流抑制回路および素子を提供する。 - 特許庁

A combustion control device is configured to include a control device ECU for causing a switching element Q for controlling energization of a primary coil L1 to operate ON/OFF, and an ion current detecting circuit ION for outputting a detection signal Vo proportional to ion current indicating combustion state of the internal combustion engine.例文帳に追加

一次コイルＬ１の通電を制御するスイッチング素子ＱをＯＮ／ＯＦＦ動作させる制御装置ＥＣＵと、内燃機関の燃焼状態を示すイオン電流に比例した検出信号Ｖｏを出力するイオン電流検出回路ＩＯＮと、を有して構成される。 - 特許庁

The combustion control device has: a control device ECU for causing a switching element Q to be ON and OFF by supplying an ignition signal SG; and an ion current detecting circuit ION for detecting a detection signal Vo which is proportional to an ion current indicating a combustion state of the internal combustion engine.例文帳に追加

スイッチング素子Ｑに点火信号ＳＧを供給してＯＮ／ＯＦＦ動作させる制御装置ＥＣＵと、内燃機関の燃焼状態を示すイオン電流に比例した検出信号Ｖｏを検出するイオン電流検出回路ＩＯＮと、を有して構成される。 - 特許庁

To prevent an upsizing of a unit by simplifying a constitution of a connection part, by using a connection member such as a terminal block 10 capable of making a printed wiring board unit for mounting a circuit element such as a power module 3 on a printed wiring board 2, cope with a larger electric current than a conventional electric current.例文帳に追加

プリント配線基板（2）にパワーモジュール（3）などの回路素子が実装されたプリント配線基板ユニットを従来よりも大電流に対応させることができる端子台（10）などの接続部材を用いて、接続部の構成を簡単にしてユニットの大型化も防止する。 - 特許庁

Voltage or current to be applied to the pump cell 110 and the monitor cell 120 of the composite gas concentration sensor 100 is temporarily switched in a predetermined period, and the element resistances of the cells 120 and 110 are detected from the voltage change and the current change at that time.例文帳に追加

複合型のガス濃度センサ１００のポンプセル１１０とモニタセル１２０とに対して印加する電圧または電流を所定周期で一時的に切換え、そのときの電圧変化及び電流変化からモニタセル１２０及びポンプセル１１０の各素子抵抗が検出される。 - 特許庁

To provide a motor wherein starting current at start of the motor can be suppressed through simple constitution without adding any component, such as control element or sensor, that is capable of suppressing and controlling starting current, and its life can be made longer than conventional.例文帳に追加

本発明の目的は、起動電流を抑制制御可能な制御素子やセンサ等の部品を追加せずに、簡易な構成で、モータ起動時における起動電流を抑制することができ、寿命を従来に比して伸長することが可能なモータを提供することにある。 - 特許庁

The ESD device model (24) has a first ESD device model (25) allowing current to flow from the drain terminal (21) to the source terminal (22) and a second ESD device model (26) having the same constituent element as that of the first ESD device model (25) and allowing current to flow from the source terminal (22) to the drain terminal (21).例文帳に追加

ＥＳＤデバイスモデル（２４）は、ドレイン端子（２１）からソース端子（２２）に電流が流れる第１のＥＳＤデバイスモデル（２５）と、第１のＥＳＤデバイスモデル（２５）と構成要素が同じであり、ソース端子（２２）からドレイン端子（２１）に電流が流れる第２のＥＳＤデバイスモデル（２６）と、を備えている。 - 特許庁

The correction means operates according to the control signal supplied from scanning lines AZ1, AZ2, extracts the output current from the drive transistor Trd and inpours the current into the capacitor Coled possessed by the light-emitting element El and the pixel capacitor Cs to correct the input voltage Vgs.例文帳に追加

この補正手段は走査線ＡＺ１，ＡＺ２から供給される制御信号に応じて動作し、ドライブトランジスタＴｒｄから出力電流を取り出し、これを発光素子ＥＬの有する容量Ｃｏｌｅｄ及び画素容量Ｃｓに流し込む様にして入力電圧Ｖｇｓを補正する。 - 特許庁

The PAM control part (15) includes a phase difference detection part (15d) which detects the displacement of a phase of a PAM waveform on the basis of a PAM current flowing to the switching element (S), and a phase correction part (15e) which corrects a phase of the PAM waveform so that an input current approximates a sine wave.例文帳に追加

ＰＡＭ制御部（15）は、上記スイッチング素子（S）を流れるＰＡＭ電流に基づいてＰＡＭ波形の位相のずれを検出する位相差検出部（15d）と、入力電流を正弦波に近づけるようにＰＡＭ波形の位相を補正する位相補正部（15e）と、を備えている。 - 特許庁

A VI conversion circuit 40n receives a voltage signal outputted from a hold circuit 30n, converts the received voltage signal into a current signal on the basis of the resistance of a resistor element R_40 and provides the output of the current signal from a source terminal of a MOS transistor(TR) T_40.例文帳に追加

ＶＩ変換回路４０_nは、ホールド回路３０_nより出力された電圧信号を入力して、この入力した電圧信号を抵抗素子Ｒ_40の抵抗値に基づいて電流信号に変換して、この電流信号をＭＯＳトランジスタＴ_40のソース端子より出力する。 - 特許庁

The high-energy electron emitted from the projection 2 is converted into many paired electron-positive hole of low energy nearly equal to band gap energy of a semiconductor in the pn junction element 4, so the high-voltage and small-current electric energy is converted into the low-voltage and large-current electric energy.例文帳に追加

突起物２から放射された高エネルギーの電子は、ｐｎ接合素子４内で、半導体のバンドギャップエネルギー程度の低エネルギーの多数の電子正孔対に変換されるので、高電圧、小電流の電気エネルギーが、低電圧、大電流の電気エネルギーに変換される。 - 特許庁

In an inspection apparatus 2, a pixel current based on electric charge electrically charged to a parasitic capacitance in an operation transistor of each pixel on an active matrix substrate having a thin film of the organic EL element formed on each pixel is measured and the measured pixel current value is stored in a correction data storage device 10.例文帳に追加

検査装置２は、すでに各画素に有機ＥＬ素子の薄膜が形成されたアクティブマトリックス基板の各画素の動作トランジスタにある寄生容量に充電された電荷による画素電流を測定し、測定した画素電流値を補正データ記憶装置１０に記憶する。 - 特許庁

The impedance matching circuit 103 includes: a power turn-on detection section 123 for generating a power turn-on detection signal; and a differential resistance measuring section 124 for generating a bias current to supply to the light emitting element 105 and measuring the differential resistance value by the bias current.例文帳に追加

インピーダンス整合回路１０３は、電源投入検出信号を発生する電源投入検出部１２３と、発光素子１０５へ供給するバイアス電流を発生し、バイアス電流により前記微分抵抗値を計測する微分抵抗計測部１２４を有する。 - 特許庁

Each of the bias circuits 110 generates bias voltage meeting a current inputted from an input terminal T 1 or a reference current flowing to a resistance element 102 connected to an external resistance connecting terminal T3 based on a chip select signal inputted from a chip select terminal T2.例文帳に追加

各バイアス回路１１０は、チップセレクト端子Ｔ２から入力されるチップセレクト信号に基づいて、入力端子Ｔ１から入力する電流、又は、外部抵抗接続端子Ｔ３に接続された抵抗素子１０２に流れる基準電流に応じたバイアス電圧を発生する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for electrochemical element, in which an electrode active material layer can be formed simply, uniformly, and with good adhesion on a current collector, in particular, on a porous current collector having a through-hole front and rear such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An upper limit voltage VHlim is set with a trend of decrease with decreasing element temperature Tcon as a temperature of a transistor T32 of a step-up converter 30 and with a trend of decrease with increasing reactor current IL as a current flowing through a reactor L of the step-up converter 30.例文帳に追加

昇圧コンバータ３０のトランジスタＴ３２の温度である素子温度Ｔｃｏｎが低いほど低くなる傾向で、且つ、昇圧コンバータ３０のリアクトルＬに流れる電流であるリアクトル電流ＩＬが大きいほど低くなる傾向に上限電圧ＶＨｌｉｍを設定する。 - 特許庁

The image heating device has: the energized heating elements 302a and 302b for heating a developed image formed on a recording medium P; a current detection means 507 for detecting the current applied to the energized heating elements; and a control means 501 for controlling the energizing of the energized heating element.例文帳に追加

記録媒体Ｐ上に形成された現像像を加熱するための通電発熱体３０２ａ，３０２ｂと、通電発熱体に通電される電流を検出する電流検出手段５０７と、通電発熱体の通電を制御する制御手段５０１と、を有する。 - 特許庁

In a direct-current booster circuit 3 that a discharge lamp lighting device 1 includes, a switch element 15 and a primary winding 14a of a booster transformer 14 are connected in series to a direct-current power source 2 and a smoothing capacitor 18 is connected between the output terminals of a secondary winding 14b.例文帳に追加

放電灯点灯装置１が備える直流昇圧回路３は、直流電源２に直列にスイッチ素子１５と昇圧トランス１４の１次巻き線１４ａが接続され、２次巻き線１４ｂの出力端子間に平滑用コンデンサ１８が接続されてなる。 - 特許庁

At the write operation, a writing current Iw is made to flow into the element for write-in consisting of a metal wiring, and a magnetic field generated by the writing current Iw is impressed on a target cell (cell of address desired to write in) TC-w which is positioned at one end of the magnetic wiring 10.例文帳に追加

書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Ｉｗを流し、この書き込み電流Ｉｗにより発生する磁場を磁性配線１０の一端部に位置するターゲットセル（書き込みたいアドレスのセル）ＴＣ−ｗに印加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode for an electro-chemical element in which a high thickness electrode active material layer can be formed easily and simply, uniformly and with superb adhesiveness on a current collector, especially a perforated current collector having front-to-rear through-holes such as a punching metal and an expanded metal.例文帳に追加

集電体、特にパンチングメタルやエキスパンドメタルなどの表裏貫通孔を有する孔開き集電体上に簡便に、しかも均一かつ密着性良く高厚みの電極活物質層を形成することができる電気化学素子用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁

The current data reduction circuit is an electronic circuit including a driving element equipped with a plurality of transistors, includes a means for making the plurality of transistors take a serial connected state and a parallel connected state, and is characterized by reducing and outputting an inputted current.例文帳に追加

本発明の電流データ縮減回路は、複数のトランジスタを備えた駆動用素子を有する電子回路であって、該複数のトランジスタに直列接続状態と並列接続状態とをとらせる手段を有し、入力された電流を縮減して出力することを特徴とする。 - 特許庁

To lower element resistance by broadening the current path width specified by the width of an active mesa stripe top, including an active layer of an optical semiconductor device having a current restricting structure, thereby improving the operating speed, the operating efficiency, the high-temperature operation characteristics, the high power operation characteristics, the modulation band, etc.例文帳に追加

電流狹窄構造を有する光半導体装置において、活性層を含む活性メサストライプ頂上の幅によって規定される電流経路幅を広くして素子抵抗を低減し、動作速度、動作効率、高温動作特性、高出力動作特性、変調帯域等を向上する。 - 特許庁

To prevent a resistor for current detecting circuit from emitting smoke and enable miniaturizing a battery pack by mounting on a device for breaking circuit, one of the protection circuits for the battery pack, a resistor for current detecting circuit, whose abnormal heating can also fuse and break a fuse element of the device.例文帳に追加

電池パックの保護回路の一回路部品である遮断回路用デバイスに、電流検出回路用抵抗を搭載し、この抵抗の異常発熱でもデバイスのヒュ−ズ素子を溶断させることによって、電流検出回路用抵抗の発煙の防止と電池パックの小型化とを可能にする。 - 特許庁

The rare-earth magnet is formed by making an electric current flow to part of magnetic power containing nitrogen, at least one kind of rare- earth element, and iron or cobalt or the mixture of the magnetic powder and nonmagnetic powder, and coupling parts of interfaces of the powders heated by heat generated when the electric current is made to flow.例文帳に追加

窒素及び少なくとも１種類の希土類元素及び鉄あるいはコバルトを含む磁粉あるいは該磁紛と非磁性粉との混合体の一部に電流を流し、電流を流したことによる発熱によって加熱された粉の界面の一部を結合させて成形する。 - 特許庁

With this configuration, the rise of a part of a welding portion which occurs due to welding the current collecting plates 2a, 2b and the element 1 can be blocked inside the recess 6, and a gap generated in bonding the current collecting plate 2a and the terminal plate 3 can be reduced.例文帳に追加

これにより、集電板２ａ、２ｂと素子１を溶接などによって接合する際に生じる溶接部の一部の隆起を凹部６の内部で食い止めることが可能となり、集電板２ａと端子板３などを接合させる際に生じる隙間を低減することができる。 - 特許庁

The control unit 8 estimates an AC current value I_ac by substituting a DC current value I_dc outputted from the converter part 1 and the duty ratio D_on of the drive signal of the switching element of the converter part 1 into an equation which is obtained by I_ac=A×I_dc/(1-C×D_on)+B.例文帳に追加

制御部８は、コンバータ部１から出力された直流電流値Ｉ_ｄｃと、コンバータ部１のスイッチング素子の駆動信号のデューティ比Ｄ_ｏｎを、Ｉ_ａｃ＝Ａ×Ｉ_ｄｃ／（１−Ｃ×Ｄ_ｏｎ）＋Ｂで求められる式に代入して、交流電流値Ｉ_ａｃを推定する。 - 特許庁

The current control and drive circuit according to the present invention includes: an equivalent impedance 1100; a main load 1101; an inductive voltage-dividing resistance element 1102; a DC electronic control unit 1103; a voltage measuring instrument 1104; a current measuring instrument 1105; a flywheel diode 1106; and an isolation diode 1107.例文帳に追加

本発明による電流制御および駆動回路は、等価インピーダンス１１００、主負荷１１０１、誘導性分圧抵抗素子１１０２、直流電子制御ユニット１１０３、電圧測定装置１１０４、電流測定装置１１０５、フライホイールダイオード１１０６、および隔離ダイオード１１０７を備える。 - 特許庁

An operational amplifier circuit AMP3 compares the detected value of a voltage and a reference voltage Vr3; and when the voltage of the Vbus is large, the operation amplitude circuit turns on the charging current control element M4 by outputting an H-level signal, and makes the charging current flow to the secondary battery BAT from the Vbus.例文帳に追加

演算増幅回路ＡＭＰ３は、電圧の検出値と規準電圧Ｖｒ３とを比較して、Ｖｂｕｓの電圧が大きいときは、Ｈレベル信号を出力して充電電流制御素子Ｍ４をオンにし、Ｖｂｕｓから二次電池ＢＡＴへ充電電流を流す。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser that can obtain a stable lateral mode in which the flow of current in a ridge is fixed and the current density in a light emitting region is made uniform, and in addition, the luminous intensity distribution little varies; can be mounted without rattling, and is reduced in element resistance.例文帳に追加

本発明は、リッジ内での電流の流れが一定で、発光領域での電流密度が均一で、発光強度分布にバラツキの少ない安定な横モードを得ることができ、実装時のがたつきがなく、さらに素子抵抗が低減されている半導体レーザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The ESD protection element includes: a bipolar transistor having a collector diffusion layer 7 connected with a first terminal (Pad), and an emitter terminal; and current control resistors 11 provided on a plurality of current paths from a second terminal (GND) to the collector diffusion layer 7 through an emitter diffusion layer 4, respectively.例文帳に追加

バイポーラトランジスタは、第１端子（Ｐａｄ）に接続されるコレクタ拡散層７とエミッタ端子とを備えるバイポーラトランジスタと、第２端子（ＧＮＤ）からエミッタ拡散層４を介してコレクタ拡散層７に至る複数の電流経路上のそれぞれに設けられた電流制御抵抗１１とを具備する。 - 特許庁