「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(159ページ目) - Weblio英語例文検索

When a closed loop is formed by connecting the winding start part to the winding end part of the convolutions, equivalent series resistance of the induction heating coil 6 is increased, an induction current is carried to the induction heating element 17 by magnetic flux generated by the induction heating coil 6 to generate heat, and the cooking utensil 8 to be heated is indirectly heated by heat transfer.例文帳に追加

この渦巻きの巻始め部と巻終わり部とを接続して閉ループを形成すると、誘導加熱コイル６の等価直列抵抗が大きくなると共に、誘導加熱コイル６で発生する磁束により誘導発熱体１７に誘導電流が流れて発熱し、熱伝導により被加熱調理器具８を間接的に加熱する。 - 特許庁

When the sensor voltage Vs is below the offset voltage Voff, it is determined that the temperature of the oxygen sensor 11 is below the activation temperature, and in this case, the electronic control unit 14 enlarges duty of a switching element 13 to increase a current value flowing in the electric heater 12, and activates the oxygen sensor 11.例文帳に追加

また、センサ電圧Ｖｓがオフセット電圧Ｖｏｆｆ未満であるときには、酸素センサ１１の温度が活性温度未満であると判定でき、このときには、電子制御ユニット１４は、スイッチング素子１３のデューティーを大きくして電気ヒータ１２に流す電流値を増加し、酸素センサ１１を活性化させる。 - 特許庁

Moreover, in a picture tube which has an electron gun having the cathode constituted of a cold cathode element and an indexed phosphor, a doming-free operation is realized by controlling the emission current of the cold cathode based on a signal from the indexed phosphor and a geomagnetism-free operation becomes possible and, thus, a high- quality picture tube is provided.例文帳に追加

また、冷陰極素子から構成されたカソードを有する電子銃と、インデックス蛍光体とを有する受像管であって、インデックス蛍光体からの信号に基づいて冷陰極のエミッション電流を制御することにより、ドーミングフリーが実現でき、地磁気フリーが可能となり、高品位な受像管を提供することが可能となる。 - 特許庁

An organic EL element 40 includes an anode 60, a cathode 64 arranged to be opposed to the anode, an organic active layer 62 arranged between the anode 60 and the cathode 64 and a charge injection regulating layer 61 arranged between the anode 60 and the organic active layer 62 and exhibits such varistor characteristics that a conduction current due to an applied voltage changes.例文帳に追加

有機ＥＬ素子４０は、 陽極６０と、 陽極に対向して配置された陰極６４と、 陽極６０と陰極６４との間に配置された有機活性層６２と、 陽極６０と有機活性層６２との間に配置され、印加電圧による導電電流が変化するバリスタ特性を示す電荷注入調整層６１と、 を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The microcomputer controls a duty ratio of a pulse signal through a PWM circuit and includes a data processing unit in which, in accordance with the duty ratio of the pulse signal outputted from the PWM circuit, a switch control signal for causing a current to flow to the switch element is outputted from an output circuit to the control terminal.例文帳に追加

マイクロコンピュータは、ＰＷＭ回路によってパルス信号のデューティ比を制御し、ＰＷＭ回路から出力されるパルス信号のデューティ比に応じてスイッチ素子に電流を流すスイッチ制御信号を出力回路から前記制御端子に出力するデータ処理ユニットを有する。 - 特許庁

A control circuit 6 severs an output to protect the cell stack 10S, in case a detected temperature T of the temperature sensing element 5 is over a stop judgment value Tcut or a temperature rising velocity ΔT is over another stop judgment value ΔTcut different from the stop judgment value Tcut set in accordance with a detected current value.例文帳に追加

制御回路６は、温度検知素子５の検出温度Ｔが停止判定値Ｔｃｕｔ以上であるか、あるいは昇温速度ΔＴが、検出電流値に従って設定する、停止判定値Ｔｃｕｔとは別の停止判定値ΔＴｃｕｔ以上であるとき、出力を切り離してセルスタック１０Ｓを保護停止する。 - 特許庁

The optical sensing element is formed in a region defined by the gate line, data line and read-out line, which contains a first electrode to which a bias voltage is applied that repeats a fixed level, a control electrode, and a second electrode that is electrically connected to the control electrode and outputs optical leakage current generated in response to extraneous light and the bias voltage.例文帳に追加

光感知素子は、ゲートライン、データライン及び読み出しラインによって定義される領域に形成され、一定レベルを反復するバイアス電圧が印加される第１電極と、制御電極と、制御電極に電気的に連結され、外部光とバイアス電圧に応答して生成される光漏洩電流を出力する第２電極を含む。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

The scanner units 4 and 5 perform preparing operations for canceling the threshold voltage of the driving transistor Trd in a time-division manner by using a plurality of horizontal scanning periods allocated to rows precedent to pixels 2 in a current row, and intervals of the time-division operations are set long enough to make the light emitting element EL discharge.例文帳に追加

スキャナ部４，５は、当該行の画素２に先行する行に割り当てられた複数の水平走査期間を利用して、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧をキャンセルするための準備動作を時分割的に行うとともに、時分割する間隔を発光素子ＥＬが放電するのに十分な程度に長く設定する。 - 特許庁

Further, a structure where a bonding junction can be made directly to the current collection electrodes D1, D2 in the section 2 and to a bonding pad P1 formed on a control circuit section 3 is prepared, thereby to decrease the region, by reducing the pad region of element surroundings which is conventionally require, resulting in the reduction of the manufacturing cost.例文帳に追加

さらに、パワー素子部２においては直接集電電極Ｄ１，Ｄ２に、制御回路部３においては制御回路部３上に形成したボンディングパッドＰ１にボンディング接続できる構造とし、従来必要とした素子周辺部のパッド領域を削減して省面積化すると共に、製造経費を低減する。 - 特許庁

This deals with a translucent positive electrode for a compound semiconductor light-emitting element of a gallium nitride series that is composed of a contact metal layer contacting a p-type semiconductor layer, and an electric current diffusion layer provided with a bonding pad and a part of the contact metal layer whose electric conductivity is equal to or larger than that of the contact metal layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 - 特許庁

The metallized film capacitor 1, having a capacitor element 10 made by laminating, or laminating and winding a metallized polypropylene film 2 on or around a metallized polyethylene terephthalate film 6 is connected to a direct current circuit with the metal layer side 4 of the metallized polypropylene film 2 set as a negative electrode and the metal layer side 8 of the metallized polyethylene terephthalate film 6 set as a positive electrode.例文帳に追加

金属化ポリプロピレンフィルム２と金属化ポリエチレンテレフタレートフィルム６とを積層し又は積層して巻回したコンデンサ素子１０を有する金属化フィルムコンデンサ１において、前記金属化ポリプロピレンフィルム２の金属層４側を陰極とするとともに、前記金属化ポリエチレンテレフタレートフィルム６の金属層８側を陽極として直流回路に接続する。 - 特許庁

Accordingly, in the stop mode with reduced load connected to the output line of a second power supply voltage, the current flowing through an internal control element is increased for the voltage applied to the detection voltage input terminal of the shunt regulator 11a by the main control part 2.例文帳に追加

したがって、第２の電源電圧の出力ラインに接続されている負荷が小さくなる停止モードにおいては、シャントレギュレータ１１ａが検出電圧入力端子にメイン制御部２が印加している電圧分だけ、内部の制御素子に流す電流を大きくするので、第２の電源電圧の出力ラインの電圧が低下する。 - 特許庁

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁

A nitride light-emitting element comprises: an active layer constituted of a group III nitride semiconductor, a functional layer provided higher than the active layer and including a current constriction or light distribution control function, and an absorption layer provided higher than the functional layer for absorbing light generated in the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物系発光素子は、III族窒化物半導体からなる活性層と、上記活性層よりも上層に設けられ、電流狭窄もしくは光分布制御の機能を有する機能層と、上記機能層よりも上層に設けられ、上記活性層で発生する光を吸収する吸収層と、を備えている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the plane heating element in which an aluminum foil laminated on the insulating board is etched in a given pattern, carbon paste is printed, current input terminals are coupled in parallel, and the aluminum foil laminated on the insulating board is etched by tempering step by step.例文帳に追加

絶縁基板に積層されたアルミニウムホイルを所定のパターンでエッチングし、カーボンペーストをプリンティングした後、電流入力端子を並列に連結する面状発熱体の製造方法において、絶縁基板に積層されたアルミニウムホイルを段階的にテンパリングしてエッチングすることを特徴とする面状発熱体の製造方法。 - 特許庁

To provide an optical communication system which can reduce power consumption at a low-cost on the whole by using a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as a light emitting source and using a circuit formed of a CMOS for a semiconductor laser drive IC.例文帳に追加

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、半導体レーザ駆動ＩＣがＣＭＯＳからなる回路を用いる事により、システム全体の消費電力の低減及び低コスト化を可能とする光通信システムを提案することにある。 - 特許庁

When an optimal tilt angle cannot be secured due to a current caused to flow to the tilt actuator or a mechanical limit, comatic aberrations occurring by a shift in a tilt direction are corrected by the liquid crystal tilt element disposed in an optical path between an objective lens and a laser diode, thereby securing the optimal tilt angle.例文帳に追加

そして、チルトアクチュエータに流す電流やメカニカル的な制限によってより最適なチルト角を確保できないときには、対物レンズとレーザダイオードの間の光路中に配置された液晶チルト素子により、チルト方向のずれ量により発生するコマ収差を補正することにより、最適なチルト角を確保する。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device for power constituted of an IGBT and a free wheel diode, to prevent element destruction caused by current constriction, while the free wheel diode incorporated in the IGBT is in operation, to miniaturize the free wheel diode, and to reduce the cost of the free wheel diode.例文帳に追加

ＩＧＢＴおよびフリーホイールダイオードで構成される電力用半導体装置の小型化を実現するとともに、ＩＧＢＴに内蔵されるフリーホイールダイオードの動作時に電流集中による素子破壊を防止した構成を提供するとともに、フリーホイールダイオードの小型化、低コスト化を図る。 - 特許庁

When a scanning line driving circuit 20 holds a scanning line Sj at 0V, an organic EL element 10ij emits light by itself with a pulse width corresponding to a gray scale with a precharge voltage that a constant voltage circuit 36 supplies and a PWM data signal Ipwmi supplied from a constant current circuit 34 successively thereto.例文帳に追加

走査線駆動回路２０によって走査線Ｓｊが０Ｖになると、有機ＥＬ素子１０ｉｊは、定電圧回路３６が供給するプリチャージ電圧、およびそれに引き続き供給される定電流回路３４からのＰＷＭデータ信号Ｉｐｗｍｉによって階調に応じたパルス幅で自発光を行う。 - 特許庁

To provide a light-emitting device that has a structure, in which multiple photodetection elements each independently detecting a light beam emitted from one of multiple light-emitting elements are integrated into a package, and that can prevent the reduction in detection accuracy of each photodetection element resulting from leak current between the photodetection elements.例文帳に追加

複数個の発光素子それぞれから放射される光を１対１で各別に検出する複数の光検出素子がパッケージに一体に形成された構成を有し、光検出素子間のリーク電流に起因して各光検出素子の検出精度が低下するのを防止することができる発光装置を提供する。 - 特許庁

The demodulating part has a peak detecting part 420, and the peak detecting part includes a transistor Q1 for receiving the output of the amplifier and performing rectification operation; a hold capacitor Ce connected to an output terminal of the transistor to perform current discharge; and an impedance element Z connected to the hold capacitor in series.例文帳に追加

復調部は、ピーク検出部４２０を有し、ピーク検出部は、アンプの出力を受けて整流動作を行うトランジスタＱ１と、トランジスタの出力端子に接続されて電流放電を行うためのホールドキャパシタＣｅと、ホールドキャパシタと直列に接続されたインピーダンス素子Ｚと、を含む。 - 特許庁

A prescribed number of voltage-driven elements are divided into a plurality of groups each composed of a plurality of parallel-connected voltage-driven elements 1 and 2 including the voltage driven element 1 having an accessory emitter 4 for detecting current so that each group may be protected from overcurrents by means of one overcurrent protective circuit 10.例文帳に追加

所定の複数個からなる電圧駆動型素子を電流検出用の付属エミッタ４を持つ電圧駆動型素子１を含む複数個の電圧駆動型素子１，２の並列接続で構成される複数のグループに分割し、この各グループをそれぞれ１個の過電流保護回路１０で過電流から保護するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

To prevent increase in driving current flowing to a primary side of a transformer for increasing AC voltage and prevent degradation of component reliability caused by a temperature rise due to a loss at a drive element even when a load fluctuates, when maintaining a constant level of superimposed voltage to be supplied to the load as an image forming voltage.例文帳に追加

画像形成用電圧として負荷に供給する上記重畳後の電圧レベルを一定にする制御時に、負荷が変動しても、交流電圧を昇圧するトランスの一次側に流れる駆動電流を増大させず、駆動素子の損失による温度上昇を要因とした部品の信頼性低下を生じさせない。 - 特許庁

An LED head in a printing apparatus connects a plurality of driving IC DRV supplying a driving electric current to an LED element constituting an LED array chip CHP in a cascade, and transmits printing data to each driving IC DRV based on the differential clock signals HD-CLK-P and HD-CLK-N.例文帳に追加

印刷装置におけるＬＥＤヘッドは、ＬＥＤアレイチップＣＨＰを構成するＬＥＤ素子に駆動電流を供給する複数の駆動ＩＣ ＤＲＶをカスケ−ドに接続し、差動クロック信号ＨＤ−ＣＬＫ−Ｐ，ＨＤ−ＣＬＫ−Ｎに基づいて印刷デ−タを各駆動ＩＣ ＤＲＶにデータ転送する。 - 特許庁

Thereby, electromagnetic noise is not generated, and even if a voltage ripples are produced in the output of the booster circuit by boosting the n/m voltage by switching, the ripples are received by the constant current circuit by adopting a high switching frequency, and the terminal voltage of the LED element can be practically kept constant in accordance with its diode characteristics.例文帳に追加

このことで、電磁ノイズを発生することなく、スイッチングによるｎ／ｍ電圧昇圧によって昇圧回路の出力に電圧リップルが発生しても、スイッチング周波数を高く採ることでリップル分を定電流回路側が受けてＬＥＤ素子の端子電圧をそのダイオード特性に従って実質的に一定に保持することができる。 - 特許庁

In this case, the sleeve antenna can be operated over a wide frequency band by regulating the variable capacitive element to change the frequency band at which a leakage current is to be blocked without increasing the distance between the two sleeve conductors 6, 8 and the outer conductor 2 of the coaxial line 1.例文帳に追加

本スリーブアンテナ装置を用いれば、２つのスリーブ導体６、８と同軸線路１の外導体２との間の距離を大きくすることなく、漏れ電流を阻止する周波数帯域を可変容量素子の調節により変化させることによって、スリーブアンテナを広い周波数帯域にわたって動作させることができる。 - 特許庁

The electric heater having a heating element capable of heating by feeding current, provides a plurality of electrodes to feed power to the heater, and makes electrode terminals connected to the electrodes removable to enable the change of the number of the electrodes from two pieces to n pieces (n: any integer of three or larger).例文帳に追加

本発明の通電発熱ヒータは、通電発熱が可能な発熱体を有するヒータにおいて、該発熱体に給電するための電極が複数個設けられており、該電極に接続される電極端子を着脱可能とすることにより、電極数を２個からｎ個（ｎは３以上の任意の整数）まで変更可能とする。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁

Measurement information S acquired during the forcible application of the periodic disturbance T to the polarized wave plane maintenance fiber 5 by the disturbance application mechanism 40 is averaged, a magnetic field intensity near a Faraday element 2 or a current is obtained on the basis of an average value Sa of the measurement information S.例文帳に追加

この偏波面保持ファイバー５に対して、測定光ＳＬの位相差に変化を与え得る外乱Ｔを周期的に与える外乱付与機構４０によって周期的な外乱Ｔが偏波面保持ファイバー５に強制的に与えられている間に求められた測定情報Ｓを平均し、その測定情報Ｓの平均値Ｓａに基づきファラデー素子２周辺の磁界強度や電流値を得る。 - 特許庁

To prevent a current in a circuit for detecting a misfire from being cut off, a resistance element 47 is installed parallel with the diode 46.例文帳に追加

コンデンサ４１の充電が完了した時点でサイリスタ４５をオン状態にしてサイリスタ４５による電圧降下を防止し、またオン状態のサイリスタ４５によって生ずるコンデンサ４１の放電を防止するために、コンデンサ４１とサイリスタ４５の間にダイオード４６を設け、さらに、このダイオード４６により、失火検出のための回路の電流が遮断されることを防止するために、そのダイオード４６と並行に抵抗素子４７を設ける。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor device which suppresses heat stress applied to the semiconductor device as much as possible and has small energy loss, by reducing the Joule heat generated by a main electrode and a metal pattern as the current path of a semiconductor element during electric drive by replacing those components with components having small high-frequency inductance.例文帳に追加

本発明は、半導体素子の電流路である主電極および金属パターンを、高周波インダクタンスのより小さい構成部品と置換することにより、これらの構成部品から生じる通電駆動時のジュール熱を低減して、半導体装置に加わる熱ストレスを極力抑えた、エネルギーロスの少ない高信頼性の半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

The protection element includes a soluble conductor 13 at a predetermined fault current arranged on an insulating base board 11 and connected with a power supply passage to an appliance to be protected, a flux 19 applied on a surface of the soluble conductor 13, and an insulating cover 14 fixed on the base board 11 covering the soluble conductor 13.例文帳に追加

絶縁性のベース基板１１上に配置され、保護対象機器の電力供給経路に接続されて所定の異常電力により溶断する可溶導体１３と、可溶導体１３表面に塗布されたフラックス１９と、可溶導体１３を覆ってベース基板１１に取り付けられた絶縁カバー１４とを有する。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ１は、受光面１２ａへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード１２、受光面１２ａ上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ１１とを具備する。 - 特許庁

This piezoelectric element having a high piezoelectric distortion constant and improved with its sensitivity is obtained by adding a flat-formed or scale-formed filler to a thermoplastic resin having an excellent heat resistance, form-processing to a film or sheet, stretch-treating the film or sheet as necessary and then impressing a high voltage direct current for charge-treatment to make its processing easy.例文帳に追加

耐熱性の優れた熱可塑性樹脂に扁平状或いは鱗片状充填剤を添加し、フィルム或いはシートに成形加工した後に、場合によりフィルム或いはシートを延伸処理を行った後に、直流高電圧を印加することで帯電処理を行い、加工を容易にし、圧電歪定数の大きな、感度が向上した圧電素子材料が得られた。 - 特許庁

To suppress a leakage current via an ESD protecting element, while protecting against ESD a semiconductor integrated circuit to which the output signal of another semiconductor integrated circuit operating, with a relatively high power-supply voltage and a semiconductor integrated circuit whose sleep state is controlled with an external control signal, in an environment where a plurality of semiconductor integrated circuits operate at a plurality of power-supply voltages.例文帳に追加

複数の電源電圧で動作する複数の半導体集積回路が混在し、相対的に高い電源電圧で動作する他の半導体集積回路の出力信号が入力される半導体集積回路や、スリープ状態を外部制御信号によって制御される半導体集積回路において、その半導体集積回路をＥＳＤから保護しつつ、そのＥＳＤ保護素子を介したリーク電流を抑える。 - 特許庁

Furthermore, the display device (10) has a voltage-compensating means (26) for applying a specified voltage to a terminal opposite to a terminal coupled to the liquid crystal display element in a maintaining period when the storage capacitor holds image data, so as to compensate a leakage current to a source line (12) via the driving control switch.例文帳に追加

ディスプレイ装置（１０）は、更に、記憶用コンデンサが画像データを保持する保持期間の間、駆動制御スイッチを介するソースライン（１２）への漏れ電流を補償するよう、記憶用コンデンサの液晶表示素子に接続される端子とは逆の端子に所定の電圧を印加する電圧補償手段（２６）を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing the excess growth of the metal silicide of the peripheral part of an element isolating film to a bump-like state when the metal silicide is formed by a salicide technology, and reducing a leakage current in a connecting interface of a diffused layer generated by the excess metal silicide and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド技術により金属シリサイドを形成する際に素子分離膜の周辺部分の金属シリサイドが瘤状に過剰成長するのを抑制することができ、過剰な金属シリサイドにより発生する拡散層の接合界面におけるリーク電流を低減することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a pixel circuit which can realize a high gradation by reducing the crosstalk generated by a change in a gate voltage of a driving transistor by a leakage current of an off region of a pixel switching element to an unrecognizable extent to offset and compensate the threshold voltage of the driving transistor.例文帳に追加

画素スイッチング素子のオフ領域の漏洩電流によって駆動トランジスタのゲート電圧が変化して発生するクロストークを認識不可能な程度に減少させ、駆動トランジスタの閾値電圧を相殺して補償することによって、高階調を実現できる画素回路及びそれを用いた有機発光表示装置を提供する。 - 特許庁

An N-channel FET connected in series to a plus side line of a DC power source can also be available as a rush current limiter not only by utilizing its drain/source as a switching element but also by applying voltage to the gate of the FET with desired inclination to realize operation like class-A amplification.例文帳に追加

直流電源のプラス側のラインに直列接続されたＮチャンネル型のＦＥＴは、そのドレイン・ソースをスイッチング素子とするばかりか、ＦＥＴのゲートに所望の傾きで電圧を印加させＡ級増幅のような動作を実現させることでラッシュ電流制限素子としても利用することができる。 - 特許庁

Information is stored by setting the leakage-current level of the semiconductor memory cell (300) by causing breakdown (a soft or hard breakdown) by stressing the ultrathin-film dielectric (312) by using the semiconductor memory cell (300) including a data storage element (115) configured around the ultrathin-film dielectric (312).例文帳に追加

超薄膜誘電体（３１２）の周りに構成されるデータ記憶素子（１１５）を有する半導体メモリセル（３００）を使用し、超薄膜誘電体（３１２）にストレスを与えてブレークダウン（ソフトまたはハードブレークダウン）させてメモリセル（３００）のリーク電流レベルを設定することにより情報を記憶する。 - 特許庁

In the cabinet for containing an electronic apparatus and implementing a cooling function by an electronic cooler for cooling the interior of the cabinet by means of a Peltier element, the electronic cooler disposed in the cabinet consists of a cooling unit 11 for cooling the cabinet and a power supply unit 12 for supplying a current to the cooling unit 11.例文帳に追加

内部に電子機器が収納され、ペルチェ素子でキャビネット内部を冷却する電子式クーラを備えた冷却機能付キャビネットにおいて、電子式クーラを、キャビネットを冷却する冷却ユニット１１と、冷却ユニット１１に電流を供給する電源ユニット１２に分離してキャビネットに配設する。 - 特許庁

The storage element further comprises a second strap portion extending opposite to a first strap portion and laterally connecting the one end of the magnetic tunnel junction to a second selection transistor, and the first and second strap portions are adapted for passing a current via first and second selection transistors.例文帳に追加

この記憶素子には、第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分が更に設けられており、これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている。 - 特許庁

The control means 1 is provided between the interlocking switch 3 and the electric motor 2, and formed of a TRIAC 11, through which the current is flowed under the predetermined condition, a trigger means 12 for applying the predetermined pulse voltage to a gate of the TRIAC 11, and a PTC element 13 connected in series to the electric motor 2 and the TRIAC 11.例文帳に追加

制御手段１は、連動スイッチ３と電動モータ２との間に設けられるものであって、所定の条件下において電流の流れるトライアック１１と、トライアック１１のゲートのところに所定のパルス電圧を加電するトリガー手段１２と、電動モータ２及びトライアック１１に対して直列に接続されるＰＴＣ素子１３と、からなる。 - 特許庁