「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(151ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, water boils if temperature in the inner pot gets to 100°C, the temperature sensed through generated vapor by a cover temperature sensor becomes 100°C a little later and the boiling state is detected, the heating element 15 is stopped to generate heat and the current applied to the electromagnetic induction coil is properly controlled.例文帳に追加

その後、内釜内の温度が１００℃に達すると、水が沸騰し、発生した水蒸気によって蓋部温度センサによる検知温度もやや時間が遅れて１００℃となり、沸騰状態を検知すると、発熱体１５の発熱を停止し、電磁誘導コイルの通電量を適宜、制御する。 - 特許庁

When high frequency power is fed to the feeding part 3b, a high frequency current applied to the feeding part 3b flows along parabolic parts 3c, 3d of the antenna element 3 is turned by the turning parts 3e, 3f and flows back through the connecting parts 5, 6 to the ground 4 while forming the two loops.例文帳に追加

高周波電力が給電部３ｂに給電されると、その給電部３ｂに印加された高周波電流は、アンテナエレメント３の放物線部３ｃ，３ｄに沿って流れ、折返し部３ｅ，３ｆで折返されて接続部５，６を介してグランド４に２つのループを形成して還流する。 - 特許庁

The converter is provided with a reference voltage generating circuit which refers to a reference voltage for determination of the pulse width of a drive signal to be supplied to a switching circuit, and the reference voltage generating circuit comprises a current detecting circuit consisting of the first MOS transistor, the second MOS transistor, a resistive element, and an amplifier.例文帳に追加

スイッチング回路へ供給する駆動信号のパルス幅決定のための参照電圧を生成する参照電圧生成回路を設け、前記参照電圧生成回路が第１ＭＯＳトランジスタ、第２ＭＯＳトランジスタ、抵抗素子及び増幅回路からなる電流検出回路を含んでいる。 - 特許庁

Since a coil 13 is wound on the peripheral side of the magnetostriction element 12, it is stretched in parallel with the coil 13 by the magnetostriction longitudinal effect of a magnetostriction material when a current is passed through the coil 13, and the direction perpendicular to the coil 13 is contracted by a magnetostriction lateral effect, the inner diameter of the hollow part is contracted simultaneously.例文帳に追加

磁歪素子１２の外周側にコイル１３を巻き、このコイル１３に電流を流すと磁歪材料の磁歪縦効果によりコイル１３と並行な方向に伸長し、コイル１３と直交する方向は磁歪横効果により収縮するので、中空部の内径も同時に収縮する。 - 特許庁

The light emission current control circuit 121 of the drive control circuit 12 increases a light emission amount of a light emitting element 1, and the gain changeover circuit A changes over to a value corresponding to an operation test or a non operation test and increases a gain of the operation amplifier for amplifying a light receiving signal.例文帳に追加

駆動制御回路１２の発光電流制御回路１２１は発光素子１の発光量を増大ささせ、ゲイン切り替え回路Ａは受光信号を増幅する演算増幅器のゲインを作動試験又は不作動試験帰に対応した値に切り替えて増大させる。 - 特許庁

Between the second clad layer 7 and the contact layer 8, current breaking layers 10a, 10b and zinc diffusion source layers 17a, 17b are formed in the vicinity of a laser output side end surface 15 and a reflection side end surface 16, respectively, which are both end surfaces of an element in the length direction.例文帳に追加

上部第２クラッド層７とコンタクト層８との間で、素子の長さ方向の両端面であるレーザ出射側端面１５および反射側端面１６の近傍には、電流遮断層１０ａ，１０ｂおよび亜鉛拡散源層１７ａ，１７ｂがそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which enables a low threshold current and having a structure by which an oscillation yield can be improved, on a semi-polar surface of a support base body in which a c-axis of a hexagonal system group III nitride inclines to a direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The magnetic reproducing element has a sensor film 22 which has a magnetization easy axis in a down-track direction, terminals 12a and 12b for feeding a current to the sensor film 22, terminals 11a and 11b for detecting an anomalous hall voltage caused from the sensor film, and a film that applies a bias magnetic field 14 in a sensor film in-plane direction.例文帳に追加

ダウントラック方向に磁化容易軸を有するセンサ膜２２、センサ膜２２に電流を流すための端子１２ａ，１２ｂ、センサ膜から発生する異常ホール電圧を検出するための端子１１ａ，１１ｂを具備し、センサ膜面内方向にバイアス磁界１４を印加する膜を備える。 - 特許庁

To provide a display device which is not configured to suppress OFF-current of a switching transistor and to increase capacitance of a capacitance element but is made resistant to an influence by parasitic capacitance or wiring capacitance, and to provide a driving method therefor, especially a driving method by a dot matrix system.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の容量を大きくする構成ではなく、寄生容量又は配線容量の影響を受けにくい表示装置、及びその駆動方法、特に面積階調方式による駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

As the power supply device 5 for the electronic circuit breaker 100, a first capacitor 5b and a second capacitor 5d are provided; immediately after a current has passed through the electric circuit 1, only the first capacitor 5b is charged; and after a lapse of a predetermined time, a switching element 5c is actuated to charge the second capacitor 5d.例文帳に追加

電子式回路遮断器１００の電源装置５として、第1のコンデンサ５ｂと第２のコンデンサ５ｄを配設し、電路１に電流が流れた直後は第1のコンデンサ５ｂのみを充電し、所定の時間後にスイッチング素子５ｃを動作させて第２のコンデンサ５ｄを充電する。 - 特許庁

This indicates that in allocating quotas, which are the core element of IMF governance, the importance of a member’s capacity to make financial contributions is increasing.However, the current quota formula does not satisfactorily take into consideration this capacity to make financial contributions while attaching excessive importance to financial needs, and thus it requires correction. 例文帳に追加

これは、IMFのガバナンスの根幹であるクォータの配分において、資金貢献能力を重視する必要性が高まっていることを示していますが、現在のクォータ計算式は、資金ニーズを過度に重視する一方で資金貢献能力の勘案が不十分であり、その是正が必要です。 - 財務省

In the semiconductor light-receiving element (APD: avalanche photodiode) 11, a low carrier-concentration or undoped InP tunnel-current suppression layer 24 is formed between an n-InGaAsP optical absorption layer 23 and an n-InP multiplication layer 25, and the concentration of carriers near a hetero-interface is suppressed.例文帳に追加

半導体受光素子（ＡＰＤ）１１では、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層２３とｎ−ＩｎＰ増倍層２５との間に、低キャリア濃度又はノンドープのＩｎＰトンネル電流抑制層２４が形成されているため、ヘテロ界面近傍でのキャリア濃度が抑えられる。 - 特許庁

To decrease the irregular brightness and the irregular color of a video caused by the dispersion of the temperature of a polarized light selection element and a liquid crystal panel by controlling air current sent from a cooling fan.例文帳に追加

投写型表示装置の消費電力が多くなったり、サイズが大きくなったりするのを避けながら、冷却効率を上げ、また冷却の適性化を図り、偏光選択素子や液晶パネルの温度ばらつきに起因する、映像の部分的な明るさや色のむらなどが少ない投写型表示装置を得る。 - 特許庁

For the capacitor C1 connected with the inductance element L of the step-up chopper through a diode D1, the capacitor C2 is connected in parallel through diodes D3 and D4 thus reducing the input voltage of the converter, reducing the surge current by bypassing and prolonging the output holding time at the time of power interruption.例文帳に追加

昇圧チョッパ用のインダクタンス素子ＬをダイオードＤ１を介して接続したコンデンサC１に対し、ダイオードＤ３，Ｄ４を介してコンデンサＣ２を並列に接続し、コンバータ入力電圧の低減、突入電流のバイパスによる低減、更に停電時の出力保持時間を長くする。 - 特許庁

To realize excellent magnetic signal read out characteristics by preventing to sustain an injury in processing of facing surface of a medium by making resistance of a conductive layer of a magnetroresistive (MR) effect element small enough to pass a current for detection of a magnetic signal.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に対して磁気的信号検出用の電流を流すための導電層の抵抗を十分小さくしながら、媒体対向面の加工の際に導電層が損傷を受けることを防止して、良好な磁気的信号読み出し特性を実現する。 - 特許庁

The non-reciprocal circuit element (2-port type isolator) includes a flat yoke 10, a permanent magnet 41, a ferrite 32 to which current magnetic field is applied by the permanent magnet 41, a first central electrode and a second central electrode provided in the ferrite 32, and a circuit substrate 20.例文帳に追加

平板状ヨーク１０と、永久磁石４１と、該永久磁石４１により直流磁界が印加されるフェライト３２と、該フェライト３２に配置された第１中心電極及び第２中心電極と、回路基板２０とを備えた非可逆回路素子（２ポート型アイソレータ）。 - 特許庁

To miniaturize a semiconductor device for power constituted of an IGBT and a free wheel diode, to prevent element destruction caused by current constriction, while the free wheel diode incorporated in the IGBT is in operation, to miniaturize the free wheel diode, and to reduce the cost of the free wheel diode.例文帳に追加

ＩＧＢＴおよびフリーホイールダイオードで構成される電力用半導体装置の小型化を実現するとともに、ＩＧＢＴに内蔵されるフリーホイールダイオードの動作時に電流集中による素子破壊を防止した構成を提供するとともに、フリーホイールダイオードの小型化、低コスト化を図る。 - 特許庁

To surely prevent a malfunction in a phase control element due to a phase advance current flowing in a parallel capacitor C1 without increasing a power loss in a power supply with the parallel capacitor C1 connected between AC input terminals applied with a phase-controlled AC voltage.例文帳に追加

位相制御された交流電圧を印加される交流入力端子間に並列コンデンサＣ１を備える電源装置において、電力ロスを殆ど増大させることなく、並列コンデンサＣ１に流れる進相電流による位相制御素子の誤動作を確実に防止する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which can reliably write and erase a memory cell while suppressing the increase of the current consumption when writing or erasing and which is constituted of a variable resistor element the electric resistance of which is changed by the voltage applied to the memory cell and a selection transistor.例文帳に追加

書き込みまたは消去時の消費電流の増大を抑制しつつ、確実にメモリセルの書き込み及び消去を実現できる、メモリセルに電圧印加により電気抵抗の変化する可変抵抗素子と選択トランジスタを備えて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

According to such a constitution, when the wire bonding or the like is carried out on the upper electrode layer employing a wire, damage generated on the connection between the wire and the upper electrode layer will not affect whereby the highly reliable nitride semiconductor laser element can be realized without generating the leak path of current.例文帳に追加

このような構成によると、上部電極層上にワイヤを用いてワイヤボンディングなどを実施した場合、ワイヤと上部電極層との接合部発生するにダメージの影響を受けず、電流のリークパスが発生することのない、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を実現できる。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharging protective element which is formed on an SOI substrate and the holding current of which can be set to a high value while the device maintains high protecting performance by reducing the base resistances of NPN and PNP bipolar transistors contained in an SCR.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成する静電気放電保護素子において、ＳＣＲ中のＮＰＮバイポーラトランジスタ及びＰＮＰバイポーラトランジスタのベース抵抗を低減し、高い保護性能を維持しつつ保持電流を高く設定することができる静電気放電保護素子を提供する。 - 特許庁

To inexpensively provide an electrostatic chuck which enables an electrostatic chucking device to surely attract an 12-inch silicon wafer which becomes the main current at semiconductor element mass-producing sites with respect to the diametric increase of wafers and temperature control and treatment can be made under an extremely high temperature condition of ≥400°C.例文帳に追加

ウエハの大口径化、温度制御に関して、半導体素子量産現場で主流になりつつある１２インチシリコンウエハに対する静電チャック装置の確実な吸着性と、極温状態４００℃以上での処理を可能にする静電チャックを安価に提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereby, current increase of a high voltage rectification circuit 8 caused by reduction of oscillation start voltage by a temperature rise of a magnetron 9 is estimated from the pulse width detected by the pulse width detection part 16, and the overheat of the protection target element can be certainly protected when the cooling is abnormal.例文帳に追加

これにより、マグネトロン９が温度上昇することによってその発振開始電圧が低下することに起因する高圧整流回路８の電流増加をパルス幅検出部１６の検出するパルス幅から推定し、冷却異常時には確実に保護対象素子の過熱保護ができる。 - 特許庁

A temperature compensation circuit 25 controls current supply to the diode 22 depending on the ambient temperature such that the gradient of forward voltage drop variation of the diode 22 due to temperature changes matches to the gradient of on drive voltage variation of the overcurrent protection switch element 21 due to the temperature changes.例文帳に追加

温度補正回路２５は、温度変化によるダイオード２２の順方向降下電圧変化の傾きが、温度変化による過電流保護用スイッチ素子２１のオン駆動電圧変化の傾きに合うように、ダイオード２２への供給電流量を周囲温度に応じて制御する。 - 特許庁

A signal processing circuit comprising a constant-current driving circuit 11, an amplifying circuit 12, an A/D converter 13, a microcomputer 14 and a storage device 15 corrects the measurement signal outputted from the Hall element 7 so that the tension value of the lengthy object 1 and the corrected measurement signal show a proportional relation.例文帳に追加

定電流駆動回路１１、増幅回路１２、Ａ／Ｄ変換器１３、マイクロコンピュータ１４及び記憶装置１５からなる信号処理回路は、長尺物１の張力値と補正後の計測信号とが比例関係を示すように、ホール素子７から出力された計測信号を補正する。 - 特許庁

To provide a temperature control device for preventing a rush current caused in a feedback loop constituting a temperature control system controlling a temperature of a device such as a light-emitting module becoming a control object from flowing to a temperature adjustment element side at the time of power supply and at the time of releasing circuit reset.例文帳に追加

電源投入時や回路リセット解除時に、制御対象となる発光モジュール等のデバイスの温度制御を行う温度制御系を構成するフィードバックループで発生する突入電流の温度調整素子側への流入の防止を図った温度制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has high reliability by suppressing current leakages, by avoiding forming a sub-trench in an etching-back process for forming a sidewall insulating film as an inter-electrode insulating film, and then forming the inter-electrode insulating film which is readily made fine and which is high in quality.例文帳に追加

電極間絶縁膜となるサイドウォール絶縁膜を形成するためのエッチバック工程におけるサブトレンチの生成を回避し、電流リークを抑制することで、微細化が容易でかつ高品質の電極間絶縁膜を形成することにより、信頼性の高い固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

At least one of the positive electrode layer 11, the negative electrode layer, and the electrolyte layer 3 is composed of a sintered body, and the sintered body (positive electrode layer 11) and the battery element (positive electrode current collector 12) neighboring the sintered body (positive electrode layer 11) are adhered to a lithium ion conductor 4.例文帳に追加

正極層１１、負極層および電解質層３の少なくとも１つが焼結体からなり、この焼結体（正極層１１）と、焼結体（正極層１１）に隣接する電池要素（正極集電体１２）とが、リチウムイオン伝導体４で接着されている。 - 特許庁

Thus, a particular sine wave from which dark current variable with temperature, spectrum light (extraneous light) other than near infrared light LI/LO to be measured and laser noise of a light-emitting element 12 and photodetector 21 have been removed is obtained, so that the amount of light received is detected by measuring a crest value.例文帳に追加

これにより、温度によって変化する暗電流、および測定すべき近赤外光ＬＩ／ＬＯ以外のスペクトル光（外来光）や、発光素子１２、光検出素子２１のレーザノイズを除去した、特定の正弦波が得られるので、この波高値を測定して、受光量を検出する。 - 特許庁

From an actual value of tension when the winder where the long material 1 has a travel speed of zero is activated via a torque command value, a second new take-up diameter computing element calculates a new take-up diameter, to which the current take-up diameter is updated.例文帳に追加

長尺材１の走行速度が零の状態で巻取り機へ別途のトルク指令値を与えて運転させたときに得られる張力実際値から第２新規巻取り径演算器４０が新規の巻取り径を演算し、それまでの巻取り径をこの新規巻取り径演算値に書き換える。 - 特許庁

The photodetecting TFT 18 flows current from the power source to one end of storage capacitor 12 according to emitted light intensity of an EL element 16, changes an amount of charges to be accumulated in the storage capacitor 12 and performs correction control of gate potential of the drive transistor 14 from potential according to a data signal.例文帳に追加

受光ＴＦＴ１８は、ＥＬ素子１６の発光光強度に応じて電源から保持容量１２の一端に電流を流し、保持容量１２に蓄積する電荷量を変化させ、駆動トランジスタ１４のゲート電位をデータ信号に応じた電位から補正制御する。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

To solve the problem of a conventional system that a period, while the operation state of an inverter is a zero vector, becomes shorter than well-known triangular wave PWM processing, when controlling a difference between a current, which flows actually in a rotating machine, and its command into a tolerance by operating a switching element for an inverter IV.例文帳に追加

インバータＩＶのスイッチング素子を操作することで回転機を実際に流れる電流とその指令値との差を許容領域内に制御するに際し、インバータの操作状態をゼロベクトルとする期間が周知の三角波ＰＷＭ処理と比較して短くなること。 - 特許庁

In a power feed control part 23 with a voltage limit function, when a voltage Vo1 exceeds a fixed value, a current amount flowing to a switching element Q11 inserted into a line of the voltage Vo1 in series is limited, according to the rising amount of the voltage, and controls the voltage Vo1 so as to be stabilized within a constant range.例文帳に追加

電圧制限機能付電源供給コントロール部２３において、電圧Ｖo1が一定値を越えると、その上昇分に応じて、電圧Vo1のラインに直列に挿入したスイッチ用素子Ｑ11に流れる電流量を制限し、電圧Vo1が一定以内となるようにして安定化制御する。 - 特許庁

An image signal, i.e., DATA, is subjected to pixel modulation at a modulating section 78 and a logic element 70 turns a switch 79 on/off by ORing the output signal from the modulating section 78 and a full lighting signal FULL from a sequence controller 77 thus controlling the pulse current of a laser 73A.例文帳に追加

画像信号であるＤＡＴＡは、変調部７８において画素変調され、その出力信号とシーケンスコントローラ７７からのフル点灯信号ＦＵＬＬのＯＲを出力する論理素子７０によりＯＮ／ＯＦＦするスイッチ７９によって、レーザ７３Ａのパルス電流は制御される。 - 特許庁

In the DC-DC converter of the current control method, a resistance element, as an output voltage setting means in which an output voltage is divided and fed back to an IN terminal of a control circuit IC, is externally attached to the control circuit IC to set a desired output voltage.例文帳に追加

本発明を適用した電流制御方式のＤＣ／ＤＣコンバータは、出力電圧を分圧して制御回路ＩＣのＩＮ端子にフィードバックする出力電圧設定手段としての抵抗素子を制御回路ＩＣに外付けすることによって、所望の出力電圧に設定する。 - 特許庁

The CPP (Current Perpendicular to Plane) magnetoresistive element has a structure wherein a magnetic intermediate layer 30 and an oxide insulation layer 31 are provided between a fixed magnetization layer 28 and a free magnetization layer 33 via a lower side non-magnetic intermediate layer 29 and an upper side non-magnetic intermediate layer 32.例文帳に追加

ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）磁気抵抗効果素子において、固定磁化層２８と自由磁化層３３との間に、下側非磁性中間層２９及び上側非磁性中間層３２を介して、磁性中間層３０及び酸化絶縁層３１を設けた構造とする。 - 特許庁

The commutation sequence selection part includes a commutation means for transiting a switching state at a timing of switching between on/off states in a serial-connected switching element, so that current commutates when voltage switches from/to a range between 0 and -E to/from a range between 0 and +E in output voltage level.例文帳に追加

転流シーケンス選択部は、直列接続されたスイッチング素子のオン・オフ状態変化時にスイッチング状態を遷移させる転流手段を備え、出力電圧レベルが０と−Ｅ相互間及び０と＋Ｅ相互間での電圧切り替わり時に転流するようにしたものである。 - 特許庁

Accordingly, as for the PTC element, it is electrically coupled to the bare cell in a state installed on the protection circuit board, and by susceptibly responding to temperature changes of the bare cell, an electric current flow is intercepted, and characteristics of a safety device to prevent explosion or ignition of the battery are improved.例文帳に追加

従って、前記ＰＴＣ素子は保護回路基板に設置された状態で前記ベアセルと電気的に連結されてベアセルの温度変化に敏感に反応することで電流の流れを遮断して電池の爆発、発火を防止する安全装置の性能が向上する。 - 特許庁

An electric explosive detonating system is provided with an electric explosive detonator 1 composed of an insulating supporting section 14, and a resistive heating element 3 and two separate conductive metallic areas are electrically connected to a current source by two electrodes 9 and 10.例文帳に追加

電気式火薬用起爆システムが、絶縁性支持部１４から構成される電気式火薬用起爆装置１を具備し、抵抗性加熱素子３と二つの別個の導電性金属領域１５、１６とが二つの電極９、１０によって電流源２に電気的に接続されている。 - 特許庁

By this, the voltage drop of the resistor element 10, that is, a signal voltage can change to positive and negative sides from the constant intermediate potential output by the intermediate potential generator 13 and so the magnetic balance type current sensor can be functioned by the single power source 12.例文帳に追加

これにより、抵抗素子１０の電圧降下すなわち信号電圧は、中間電位発生部１３が出力する一定の中間電位を基準としてその正負両側に変化することができるため、単電源１２により磁気平衡式電流センサを作動させることができる。 - 特許庁

Since the resistor having the high positive temperature coefficient of resistance can control a change in a bias terminal voltage of the semiconductor amplifier element when an ambient temperature is subject to change and reduce a change in an idle current of the amplifier, a distortion change at a high frequency can be reduced.例文帳に追加

正の高い抵抗温度係数を有する抵抗により、周囲温度変化時における半導体増幅素子のバイアス端子電圧の変化を制御することができ、増幅器のアイドル電流変化を低減させることができるので、高周波での歪変化を低減させることができる。 - 特許庁

There is provided a fault current limiter formed by a superconducting tape 11 coated with a high temperature superconductor and having at least one fitting element 12.例文帳に追加

小型の回路エレメントを形成するためには該テープは適切に配置及び実装されなければならなく、超伝導故障電流限流器（ＳＦＣＬ）の動作に関する困難さを減少させることができる被覆導型超伝導故障電流限流器（ＣＣ−ＳＦＣＬ）を提供する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in transistor characteristic, by a method wherein the element isolation film of the semiconductor device is lessened in crystal defect and interface level so as to restrain a leakage current from occurring in it, and a rapid thermal annealing is carried out so as not to affect an impurity profile.例文帳に追加

半導体装置における素子分離絶縁膜での結晶欠陥及び界面準位を改善して素子分離絶縁膜におけるリーク電流を抑制するとともに、不純物プロファイルへの影響を無くしてトランジスタ特性を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁