「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(158ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, in a picture tube which has an electron gun having the cathode constituted of a cold cathode element and an indexed phosphor, a doming-free operation is realized by controlling the emission current of the cold cathode based on a signal from the indexed phosphor and a geomagnetism-free operation becomes possible and, thus, a high- quality picture tube is provided.例文帳に追加

また、冷陰極素子から構成されたカソードを有する電子銃と、インデックス蛍光体とを有する受像管であって、インデックス蛍光体からの信号に基づいて冷陰極のエミッション電流を制御することにより、ドーミングフリーが実現でき、地磁気フリーが可能となり、高品位な受像管を提供することが可能となる。 - 特許庁

The optical sensing element is formed in a region defined by the gate line, data line and read-out line, which contains a first electrode to which a bias voltage is applied that repeats a fixed level, a control electrode, and a second electrode that is electrically connected to the control electrode and outputs optical leakage current generated in response to extraneous light and the bias voltage.例文帳に追加

光感知素子は、ゲートライン、データライン及び読み出しラインによって定義される領域に形成され、一定レベルを反復するバイアス電圧が印加される第１電極と、制御電極と、制御電極に電気的に連結され、外部光とバイアス電圧に応答して生成される光漏洩電流を出力する第２電極を含む。 - 特許庁

The metallized film capacitor 1, having a capacitor element 10 made by laminating, or laminating and winding a metallized polypropylene film 2 on or around a metallized polyethylene terephthalate film 6 is connected to a direct current circuit with the metal layer side 4 of the metallized polypropylene film 2 set as a negative electrode and the metal layer side 8 of the metallized polyethylene terephthalate film 6 set as a positive electrode.例文帳に追加

金属化ポリプロピレンフィルム２と金属化ポリエチレンテレフタレートフィルム６とを積層し又は積層して巻回したコンデンサ素子１０を有する金属化フィルムコンデンサ１において、前記金属化ポリプロピレンフィルム２の金属層４側を陰極とするとともに、前記金属化ポリエチレンテレフタレートフィルム６の金属層８側を陽極として直流回路に接続する。 - 特許庁

The electron spin utilization element 10 comprises: an electron spin filter part 1 for selectively allowing an up-spin electron or a down-spin electron to flow; an electron spin acting part 9 for allowing a tunnel current to occur by the spin acting; an electron spin detecting part 5 for selectively detecting the up-spin electron or the down-spin electron; and a substrate 6 with the respective parts mounted thereon.例文帳に追加

この電子スピン利用素子１０は、アップスピン電子又はダウンスピン電子の何れかを選択的に流す電子スピンフィルタ部１と、スピン作用によりトンネル電流を生起する電子スピン作用部９と、アップスピン電子又はダウンスピン電子の何れかを選択的に検知する電子スピン検知部５と、これらを搭載する基板６と、を備えて構成される。 - 特許庁

The control circuit 3 includes a drive pulse generation unit 34 which generates a drive pulse having a variable pulse width dependent on the amplitude of a load current, and performs on/off control of the switching element Q1 with the drive pulse in the on period of a PWM signal having a frequency lower than that of the drive pulse and an on duty which changes according to the dimming level.例文帳に追加

制御回路部３は、負荷電流の振幅に応じてパルス幅が変化する駆動パルスを発生する駆動パルス発生部３４を具備し、駆動パルスよりも低周波であって調光レベルに応じてオンデューティが変化するＰＷＭ信号のオン期間において駆動パルスによりスイッチング素子Ｑ１のオン／オフを制御する。 - 特許庁

A flow rate of gas discharged to the outside from a gas exhaust port 23b continuous with the cylinder 24 through a control valve 34 is controlled by changing a current carrying amount to a stacked piezoelectric element 36 in accordance with occupant's weight and acceleration when a collision occurs to control a degree of opening of the control valve 34 so as to control the initial tensile force of the belt optimally.例文帳に追加

乗員の体重や衝突時の加速度に応じて積層圧電素子３６への通電量を変化させて制御弁３４の開度を制御することにより、シリンダ２４に連なるガス排出口２３ｂから前記制御弁３４を経て外部に排出されるガスの流量を制御してベルトの初期張力を最適に制御する。 - 特許庁

When a closed loop is formed by connecting the winding start part to the winding end part of the convolutions, equivalent series resistance of the induction heating coil 6 is increased, an induction current is carried to the induction heating element 17 by magnetic flux generated by the induction heating coil 6 to generate heat, and the cooking utensil 8 to be heated is indirectly heated by heat transfer.例文帳に追加

この渦巻きの巻始め部と巻終わり部とを接続して閉ループを形成すると、誘導加熱コイル６の等価直列抵抗が大きくなると共に、誘導加熱コイル６で発生する磁束により誘導発熱体１７に誘導電流が流れて発熱し、熱伝導により被加熱調理器具８を間接的に加熱する。 - 特許庁

Thereby, electromagnetic noise is not generated, and even if a voltage ripples are produced in the output of the booster circuit by boosting the n/m voltage by switching, the ripples are received by the constant current circuit by adopting a high switching frequency, and the terminal voltage of the LED element can be practically kept constant in accordance with its diode characteristics.例文帳に追加

このことで、電磁ノイズを発生することなく、スイッチングによるｎ／ｍ電圧昇圧によって昇圧回路の出力に電圧リップルが発生しても、スイッチング周波数を高く採ることでリップル分を定電流回路側が受けてＬＥＤ素子の端子電圧をそのダイオード特性に従って実質的に一定に保持することができる。 - 特許庁

A prescribed number of voltage-driven elements are divided into a plurality of groups each composed of a plurality of parallel-connected voltage-driven elements 1 and 2 including the voltage driven element 1 having an accessory emitter 4 for detecting current so that each group may be protected from overcurrents by means of one overcurrent protective circuit 10.例文帳に追加

所定の複数個からなる電圧駆動型素子を電流検出用の付属エミッタ４を持つ電圧駆動型素子１を含む複数個の電圧駆動型素子１，２の並列接続で構成される複数のグループに分割し、この各グループをそれぞれ１個の過電流保護回路１０で過電流から保護するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁

In the internal series connection type current-limiting element, electrodes are formed by evaporating pure metal to both ends and an intermediate part of a superconductive thin film with an alloy shunt protective film; metal base material superconducting tapes are connected the electrodes through solder; and superconductive connection is carried out on the electrodes at both the ends, and also on the intermediate electrode.例文帳に追加

内部直列接続型の直列限流素子は、合金分流保護膜付超電導薄膜の両端および中間部に純金属を蒸着して電極部を形成し、それらの電極部にハンダを介して金属基材超電導テープを接続し、両端の電極のみならず中間の電極においても超電導接続を行う。 - 特許庁

In an internal connection part 42 where a plurality of semiconductor circuit boards 14a, 14, 14c each having a semiconductor element mounted thereon are electrically connected to one another, this power semiconductor device has a slit 7 as a current path length uniformizing means, and a bent part 6 with an end bent upward in an L-shaped form as a heat radiation means.例文帳に追加

半導体素子を載置した複数の半導体回路基板１４ａ、１４ｂ、１４ｃが電気的に接続される内部接続部４２において、電流経路長均一化手段としてスリット７を有するとともに、放熱手段として端部をＬ字状に上方に折り曲げた折曲部６を有することを特徴とする電力半導体装置である。 - 特許庁

An ECU 20 for an occupant crash protection device comprises a casing 30 with at least a part thereof consisting of a resin, a control unit 40 which is stored in the casing to control the operation of the occupant crash protection device 15, and a sheet-like power supply element 50 to supply the current to the occupant crash protection device and electromagnetically shield a control unit.例文帳に追加

乗員保護装置制御用ＥＣＵ２０は、少なくとも一部が樹脂から成る筐体３０と、筐体内に収容され乗員保護装置１５の作動を制御する制御部４０と、乗員保護装置に電流を供給するとともに制御部を電磁気的にシールドするシート状の電源素子５０と、を備えている。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element capable of reducing the area of cells, while preventing an increase in the channel length of the nonvolatile memory cell due to the formation of a selector gate on both walls of a floating gate, and preventing a reduction in cell current, and to provide its manufacturing method and a manufacturing method of semiconductor elements using the same.例文帳に追加

選択ゲートがフローティングゲートの両方の壁に形成されて不揮発性メモリセルのチャネル長が増加するのを防止して、セル電流が減少することを防止しながら、セルの面積を減少させることのできる不揮発性メモリ素子、その製造方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

If the switching element 10 is short-circuited for some reason, almost all of a short-circuiting current is made to flow to a diode 13 to blow a fuse 1 as quickly as possible, and if a breaker is caused to trip, the circuit components mounted around the resistor 11 for the load state detection is prevented from being destroyed or burnt.例文帳に追加

スイッチング素子１０が何等かの要因により短絡状態におかれた場合に、短絡電流を殆どダイオード１３に流すようにしつつ、可及的速やかにヒューズ１が溶断、またはブレーカがトリップされる場合は、負荷状態検出用低抵抗１１の周辺に実装されている回路部品の破壊・焼損は回避され得るものである。 - 特許庁

To reduce the unevenness of current flowing to each semiconductor element and to stabilize the potential of a negative side conductor when the positive side conductor and the negative side conductor of a main circuit conductor are insulated, laminated, a plurality of the semiconductor elements are electrically connected to the main circuit conductor, and a plurality of semiconductor power modules for constituting a bridge circuit are connected in parallel.例文帳に追加

主回路導体の正側導体と負側導体が絶縁して積層され、複数の半導体素子が前記主回路導体に電気的に接続されブリッジ回路を構成している複数の半導体パワーモジュールを並列接続する場合、各半導体素子に流れる電流のばらつきを低減し、かつ負側導体の電位を安定化することにある。 - 特許庁

Moreover, the solenoid drive device comprises a PWM duty drive unit which generates a PWM duty signal corresponding to an input of the on-duty value and turns on/off the switching element by the PWM duty signal, and a reverse voltage applying circuit capable of impressing to the solenoid corresponding to the input of the off-duty value by using the voltage of the current as a reverse voltage.例文帳に追加

ソレノイド駆動装置は更に、オンデューティ値の入力に応じてＰＷＭデューティ信号を生成し、このＰＷＭデューティ信号によりスイッチング素子をオンオフするＰＷＭデューティ駆動ユニットと、スイッチング素子がオフのとき、オフデューティ値の入力に応じて電源の電圧を逆電圧としてソレノイドに印加可能な逆電圧印加回路を含んでいる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element capable of solving such problems as an increase in an operating current of an infrared laser, the occurrence of defects in an AlGaAs active layer by an n-type clad layer, and furthermore the diffusion of In from the clad layer to the active layer at forming a window region by solid-phase diffusion of Zn, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

赤外レーザの動作電流の増大、ｎ型クラッド層によるＡｌＧａＡｓ活性層の欠陥の発生、さらに、Ｚｎの固相拡散による窓領域形成時のクラッド層から活性層へのＩｎ拡散などの問題を解消することができる半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

Thereby, since the glitch of the disconnection detecting function is suppressed not by applying electric current to a dummy element like a conventional direction indicator for a vehicle but by adding the minute potential difference to the winker control unit 4, the glitch of the disconnection detecting function can be suppressed while heat generation is suppressed without wastefully consuming electric power.例文帳に追加

これにより、従来の車両用方向指示装置のようにダミー素子に電流を流すのではなく、ウィンカー制御ユニット４に微小電位差を加算することにより、断線検出機能の誤作動を抑制するので、電力を無駄に消費することなく、且つ、発熱を抑制しつつ、断線検出機能の誤作動を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step.例文帳に追加

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。 - 特許庁

Although a prescribed high frequency power is supplied to the feeding conductor plate 6 at the time of feeding to resonate the first radiation conductor plate 3, since an induction current flows to the short circuit conductor plate 7 with electromagnetic coupling to the feeding conductor plate 6, the second radiation conductor plate 4 can act like a radiation element of a parasitic antenna.例文帳に追加

給電時には給電導体板６に所定の高周波電力が供給されて第１の放射導体板３が共振するが、このとき短絡導体板７には給電導体板６との電磁結合によって誘導電流が流れるため、第２の放射導体板４を無給電アンテナの放射素子として動作させることができる。 - 特許庁

In the output power coupler Out_PC, an impedance between the first input terminal and output terminal and an impedance between the second input terminal and output terminal are almost equally set, and a resistor R61 between the first input terminal and the second input terminal is replaced with a reactance element L63 such as an inductor generating e.g. an eddy current.例文帳に追加

出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 - 特許庁

Dehumidified (or humidified) air is continuously blown off from a first blow-off opening 11 and humidified (or dehumidified) air is continuously blown off from a second blow-off opening 12 by reversing the current flowing in the Peltier element 30 and switching the flow path by the first flow path switching device 4a and the second flow path switching device 4b.例文帳に追加

そして、ペルチェ素子（３０）に流れる電流を逆転させ、第１の流路切替装置（４ａ）及び第２の流路切替装置（４ｂ）により流路を切り替えることにより、除湿（又は加湿）された空気を第１の吹出口（１１）から連続的に吹き出し、加湿（又は除湿）された空気を第２の吹出口（１２）から連続的に吹き出す。 - 特許庁

A current flowing to an excitation coil 5 of a generator 2 is detected as an analog voltage signal by an FET 9 and a resistor element 11, and a power supply voltage VB that is changed accompanied by energization to the excitation coil 5 and a temperature of a regulator 1 are detected as analog signals by resistor elements 14, 15, and a temperature sensor 22, respectively.例文帳に追加

発電機２の励磁コイル５に流れる電流を、ＦＥＴ９及び抵抗素子１１によりアナログ電圧信号として検出し、励磁コイル５に通電を行なうことに伴って変化する電源電圧ＶＢ並びにレギュレータ１の温度を、抵抗素子１４及び１５，温度センサ２２により夫々アナログ電圧信号として検出する。 - 特許庁

In this magnetoresistive element, wherein a pair of ferromagnetic layers face each other with an intermediate layer in between them and a variation in magnetoresistance is achieved by carrying an electric current in the direction vertical to the layer surfaces, at least one of the two ferromagnetic layers has a crystalline ferromagnetic layer containing FeCoB or FeCoNiB.例文帳に追加

対の強磁性層が中間層を介して対向されてなり、膜面に対して垂直に電流を流すことによって磁気抵抗変化を得る構成の磁気抵抗効果素子であって、その強磁性層のうちの少なくとも一方が、ＦｅＣｏＢあるいはＦｅＣｏＮｉＢを含有する結晶質の強磁性層を有する構成とする。 - 特許庁

To solve such a problem that if an oxide semiconductor layer is formed on the surfaces of a source electrode layer and a drain electrode layer with a film of oxide or contaminant generated on the surfaces, an interface with high electrical resistance is formed on the contact surface between the source electrode layer or the drain electrode layer and the oxide semiconductor film and the ON current of a semiconductor element is suppressed.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層表面に酸化物や汚染物の皮膜が生じたまま、その上に酸化物半導体層を形成すると、ソース電極層またはドレイン電極層と酸化物半導体膜との接触面に電気的に高抵抗な界面が形成され、半導体素子のオン電流が抑制されてしまう。 - 特許庁

A voltage signal, wherein voltage drops as the ambient temperature rises, is applied between one end of a current-detecting resistor and one input terminal of a comparator, for allowing a voltage-restricting element to restrict the voltage signal from becoming more than the constant value, and a constant voltage is applied between the other end of the resistor and the other input terminal of the comparator.例文帳に追加

電流を検出する抵抗の一端とコンパレータの一方の入力端子間に、周囲温度が高くなると電圧が低下する電圧信号を印加し、この電圧信号が一定値以上にならないように電圧制限素子で制限すると共に、前記抵抗の他端と前記コンパレータの他方の入力端子間に一定電圧を印加するようにした。 - 特許庁

When manufacturing a photoelectric conversion element having a structure in which an electrolyte layer 10 provided between a porous electrode 5 provided on a transparent conductive layer 2 of a transparent substrate 1 and a counter electrode 8, current collector wiring 3 is formed by a conductive paste containing silver particles and low-melting-point glass frits on the transparent conductive layer 2.例文帳に追加

透明基板１の透明導電層２上に設けられた多孔質電極５と対極８との間に電解質層１０が設けられた構造を有する光電変換素子を製造する場合に、透明導電層２上に銀粒子と低融点ガラスフリットとを含む導電性ペーストにより集電配線３を形成する。 - 特許庁

An A/F signal output part 31 for outputting an A/F detection signal and an impedance signal output part 32 for outputting an impedance detection signal are provided on the middle point between the current measuring resistance 26 and the sensor element 10, and each middle point voltage is taken respectively into each signal output part 31, 32.例文帳に追加

また、電流計測抵抗２６とセンサ素子１０との間の中間点には、Ａ／Ｆ検出信号を出力するためのＡ／Ｆ信号出力部３１と、インピーダンス検出信号を出力するためのインピーダンス信号出力部３２とが設けられており、それら各信号出力部３１，３２には前記中間点電圧が各々個別取り込まれる。 - 特許庁

During stable operation, the control circuit CN is fed with a control power supply circuit 42, using the voltage across the terminals of a control power supply coil n4 of the transformer T1 and is fed from the DC power supply via the current limit resistor R2 and switch element SWx, when the voltage across the control power supply coil n4 is lower than the specified voltage.例文帳に追加

制御回路ＣＮは安定動作時にはトランスＴ１の制御電源巻線ｎ４の両端電圧を用いて制御電源回路４２から給電され、制御電源巻線ｎ４の両端電圧が規定電圧以下のときには直流電源から限流抵抗Ｒ２およびスイッチ要素ＳＷｘを介して給電される。 - 特許庁

The active matrix type light emitting display device is equipped with: a transistor T2 for drive for selectively applying a light emitting drive current to the light emitting element OEL; a transistor T1 for control controlling the gate potential of the transistor for drive; and a capacitor for holding charge CS holding the gate potential of the transistor for drive controlled by the transistor for control for every display pixel.例文帳に追加

発光素子ＯＥＬに選択的に発光駆動電流を加えるための駆動用トランジスタＴ２と、前記駆動用トランジスタのゲート電位を制御する制御用トランジスタＴ１と、前記制御用トランジスタにより制御される駆動用トランジスタのゲート電位を保持する電荷保持用キャパシタＣＳが表示画素ごとに備えられる。 - 特許庁

Since a light shielding member is applied to the surfaces of pixels of an imaging element and the shielding of incident light to a photoelectrical conversion part is controlling by moving the light shielding member, the imaging apparatus capable of controlling exposure even when the illumination part for emitting a flash such as flash light is used, reducing noise caused by a dark current and obtaining file images can be provided.例文帳に追加

撮像素子の画素上に遮光部材を設け、該遮光部材を移動させることで光電変換部への入射光の遮光を制御することで、フラッシュ光のような閃光を発する照明部を用いる場合でも露出制御が可能であり、暗電流によるノイズが少なく良好な画像が得られる撮像装置を提供することができる。 - 特許庁

A voltage is applied to a piezoelectric element 48 installed on the wall surface of a pressure chamber 46 of the fluid ejecting module 12 including a feeding way 44, the pressure chamber 46 and an ejecting nozzle 40, and then a voltage-current phase difference is measured, and a frequency-phase difference characteristic is obtained from the frequency of the applied voltage and measured phase difference (300).例文帳に追加

供給路４４、圧力室４６、及び吐出ノズル４０の各部分からなる流体吐出モジュール１２の圧力室４６の壁面に設けられた圧電素子４８に電圧を印加して、電圧−電流位相差を測定し、印加電圧の周波数と測定した位相差とから周波数−位相差特性を得る（３００）。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power converter which reduces an increase in the number of components to a minimum, operates with no frequency modulation required, simplifies control, controls a pulsating current in each phase which flows through an LC series circuit provided at an output even if it is formed into three-phase, and suppresses an increase in the conduction loss of a switch element.例文帳に追加

部品点数の増加を最低限に抑え、周波数変調を行なわないで動作するとともに制御を簡単化し、３相化した場合でも、出力に設けたＬＣ直列回路に流れる脈動電流を相毎に制御し、スイッチ素子の導通損失の増加を抑制することができる電力変換装置装置を提供する。 - 特許庁

An electric field control element (6) is held to at least one varistor column (3) and includes a composite material formed of a matrix of a polymer and a filler embedded into the matrix, and the composite material has a dielectric constant between 5 and 45 and/or non-linear current-voltage characteristics when an alternating electric field up to 100 Hz is loaded.例文帳に追加

電界制御要素（６）は、少なくとも１つのバリスター・カラム（３）に保持されており、かつ、ポリマーのマトリクスおよびこのマトリクスに埋め込まれたフィラーによって形成された複合材料を含み、この複合材料は、１００Ｈｚまでの交流電場による負荷の際に、５から４５の間の誘電率および／または非線形の電流−電圧特性を有する。 - 特許庁

An A/F sensor includes a sensor element 10 having a solid electrolyte layer and a pair of electrodes sandwiching it, wherein one of the pair of electrodes is used as a gas detection electrode and the other is used as a reference electrode, and generates a sensor output by a current flowing between the pair of electrodes corresponding to the gas concentration of a specific component in a gas under measurement.例文帳に追加

Ａ／Ｆセンサは、固体電解質層及びそれを挟む一対の電極を有し、一対の電極のうち一方をガス検出電極、他方を基準電極とするセンサ素子１０を備え、被検出ガス中の特定成分のガス濃度に応じて一対の電極間に流れる電流によりセンサ出力を生じさせる。 - 特許庁

The thermoelectric cooler comprises the thermoelectric module that is composed by a thermoelectric element for absorbing or generating heat at a junction section along the directionality of a current flowing to the junction section of two different metals, a blowing fan for feeding cooled air at the heat absorption side to a desired location, and a motor for giving rotation force to the blowing fan.例文帳に追加

熱電冷房機が、互いに異なる二つの金属の接合部に流れる電流の方向性に沿って、接合部で熱を吸収または発熱する熱電素子から構成された熱電モジュールと、前記吸熱側の冷却した空気を所望の所へ送らせる送風ファンと、前記送風ファンに回転力を与えるモータとを備えてなる。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ１は、受光面１２ａへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード１２、受光面１２ａ上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ１１とを具備する。 - 特許庁

This piezoelectric element having a high piezoelectric distortion constant and improved with its sensitivity is obtained by adding a flat-formed or scale-formed filler to a thermoplastic resin having an excellent heat resistance, form-processing to a film or sheet, stretch-treating the film or sheet as necessary and then impressing a high voltage direct current for charge-treatment to make its processing easy.例文帳に追加

耐熱性の優れた熱可塑性樹脂に扁平状或いは鱗片状充填剤を添加し、フィルム或いはシートに成形加工した後に、場合によりフィルム或いはシートを延伸処理を行った後に、直流高電圧を印加することで帯電処理を行い、加工を容易にし、圧電歪定数の大きな、感度が向上した圧電素子材料が得られた。 - 特許庁

The storage element further comprises a second strap portion extending opposite to a first strap portion and laterally connecting the one end of the magnetic tunnel junction to a second selection transistor, and the first and second strap portions are adapted for passing a current via first and second selection transistors.例文帳に追加

この記憶素子には、第一のストラップ部分と逆側に延びるとともに、磁気トンネル接合部の前記の一方の端を第二の選択用トランジスタと横方向に接続する第二のストラップ部分が更に設けられており、これらの第一と第二のストラップ部分は、第一と第二の選択用トランジスタを介して電流が流れるように構成されている。 - 特許庁

The control means 1 is provided between the interlocking switch 3 and the electric motor 2, and formed of a TRIAC 11, through which the current is flowed under the predetermined condition, a trigger means 12 for applying the predetermined pulse voltage to a gate of the TRIAC 11, and a PTC element 13 connected in series to the electric motor 2 and the TRIAC 11.例文帳に追加

制御手段１は、連動スイッチ３と電動モータ２との間に設けられるものであって、所定の条件下において電流の流れるトライアック１１と、トライアック１１のゲートのところに所定のパルス電圧を加電するトリガー手段１２と、電動モータ２及びトライアック１１に対して直列に接続されるＰＴＣ素子１３と、からなる。 - 特許庁

The temperature correction and control pert 30 selects the optimum wavelength stabilizing temperatures T on the basis of the absolute value of the differences between the monitor temperature T_0 and a plurality of the wavelength stabilizing temperatures T and controls the energizing current value to the Peltier element 12 so that the oscillation temperatures of the semiconductor laser 11 becomes the selected wavelength stabilizing temperatures T.例文帳に追加

温度補正制御部３０は、モニタ温度Ｔ_0 と複数の波長安定化温度Ｔそれぞれとの差分の絶対値に基づいて最適な波長安定化温度Ｔを選択し、半導体レーザ１１の発振温度を当該選択された波長安定化温度Ｔになるように、ペルチェ素子１２に対する通電電流値を制御する。 - 特許庁

Each function module 2 includes: a sub filter circuit 23 connected to the information lines Li and provided with a DC passing part 23a through which a DC current bidirectionally passes; a capacitor 21 connected to the information lines Li via the DC passing part 23a and feeding power to an internal circuit 20; and a switch element 24 inserted between the capacitor 21 and the internal circuit 20.例文帳に追加

機能モジュール２は、情報線Ｌｉに接続され直流電流が双方向に通過する直流通過部２３ａを備える副フィルタ回路２３と、情報線Ｌｉに直流通過部２３ａを介して接続され内部回路２０に給電するコンデンサ２１と、コンデンサ２１と内部回路２０との間に挿入されたスイッチ要素２４とを備える。 - 特許庁