「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

From the viewpoint of design, it is desirable to use a DRAM-based alpha particle sensing apparatus as an accelerated on-chip SER test vehicle.例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのアルファ・イオン粒子感知装置の設計は、高速化されたオン・チップＳＥＲテスト装置として使用されることが望ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a DRAM section in which current consumption can be reduced at the time of standby while holding data.例文帳に追加

データを保持したまま、待機時において消費電流を低減させることが可能なＤＲＡＭ部を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

Therefore, the internal circuit of the DRAM will not produce errors, even if the external reference potential VR2 becomes lower than the threshold potential.例文帳に追加

したがって、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下した場合でも、ＤＲＡＭの内部回路が誤動作することがない。 - 特許庁

The dummy image data and the prescribed exposure time are stored as image quality correction data in a DRAM 29 by an image data controller 25.例文帳に追加

このダミー画像データと上記所定露光時間とが、画像データコントローラ２５によって画質補正データとしてＤＲＡＭ２９に記憶される。 - 特許庁

To improve access cycle time of a dynamic random access memory (DRAM) system having a plurality of memory cells constituted of rows and columns.例文帳に追加

ロウおよびカラムに編成された複数のメモリ・セルを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）システムのアクセス・サイクル・タイムを向上させる。 - 特許庁

A surface of a semiconductor substrate 1 is divided into a region D, in which a DRAM is formed and a region P, in which a photodiode is formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面がＤＲＡＭが形成される領域Ｄと、フォトダイオードが形成される領域Ｐとに区画される。 - 特許庁

The image communication apparatus connected to a telephone line is provided with an access stopping means having a DRAM for controlling the DRAM not to be used as a work area of a system when the image communication apparatus is on standby, and a work area switching means for using a storage means other than the DRAM as the work area of the system when the image communication apparatus is on standby.例文帳に追加

電話回線に接続される画像通信装置において、ＤＲＡＭを有し、上記画像通信装置が待機状態であれば、上記ＤＲＡＭを、システムのワークエリアとして使用しないように制御するアクセス停止手段と、上記画像通信装置が待機状態であれば、上記ＤＲＡＭ以外の記憶手段を、上記システムのワークエリアとして使用するワークエリア切り替え手段とを有する画像通信装置である。 - 特許庁

To reduce decline of an accessing performance to an image memory at the time of image plane refreshing by using a single port DRAM as the image memory.例文帳に追加

画像メモリとしてシングルポートＤＲＡＭを使用する事による画面リフレッシュ時の画像メモリへのアクセス性能劣化を低減すること。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus a transmission rate of pixel data from which to a memory such as a DDR-DRAM is enough to be lower than that of prior arts.例文帳に追加

ＤＤＲ−ＤＲＡＭ等のメモリとの間の画素データの伝送レートが従来よりも低くて済む画像処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for a semiconductor integrated circuit device which allows each of the DRAM memory cells to be microfabricated so as to be integrated more highly and operate faster.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルを微細化して高集積化するとともに高速動作可能な半導体集積回路技術を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM and its manufacturing method whereby the layout area of its memory cells is saved to make increasable the integration density of its memory cells.例文帳に追加

メモリセルのレイアウト面積を節約して、集積度を増加させることができるＤＲＡＭおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Frame images are selected from a DRAM in a storing order (S201), and a feature amount of the selected frame images is calculated (S202).例文帳に追加

ＤＲＡＭから記憶された順序でフレーム画像を選択し（Ｓ２０１）、この選択したフレーム画像の特徴量を算出する（Ｓ２０２）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that comprises a contact plug having a sufficient process margin, and a method of manufacturing a DRAM.例文帳に追加

工程上十分な余裕を有するコンタクトプラグを備える半導体素子の製造方法及びＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a twin cell 101# constituted out of two DRAM cells, a cell plate 130# is separated electrically from every other twin cell 101#.例文帳に追加

２つのＤＲＡＭセルによって構成されるツインセル１０１♯において、各ツインセル１０１♯ごとにセルプレート１３０♯を電気的に分離する。 - 特許庁

A DRAM cell transistor 302, a first interlayer film 303, and a first contact plug 304, are formed on a silicon substrate 301.例文帳に追加

シリコン基板３０１の上にＤＲＡＭセルトランジスタ３０２、第１の層間膜３０３及び第１のコンタクトプラグ３０４が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high-integration DRAM adaptable to further microfabrication, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

更なる微細化に対応した高集積度のＤＲＡＭを得ることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To surely prevent a semiconductor integrated circuit device equipped with a DRAM and a logic circuit from malfunctionings due to high-frequency noises.例文帳に追加

ＤＲＡＭと論理回路とを備えた半導体集積回路装置において、高周波ノイズによる回路の誤動作を確実に防止する。 - 特許庁

In such a constitution, access for the SDRAM is performed at high speed and processing speed for the DRAM is improved.例文帳に追加

このように構成することによって、ＳＤＲＡＭに対するアクセスを高速に行い、ＤＲＡＭに対する処理速度を向上するものである。 - 特許庁

This device has such constitution that a series of operation can be finished by two clocks of row address strobe operation and column address strobe operation of DRAM operation.例文帳に追加

ＤＲＡＭ動作のロウアドレスストローブ動作とカラムアドレスストローブ動作の２つのクロックで一連の動作を終了できる構成とする。 - 特許庁

To planarize simply an interlayer film on the upper electrode of a capacitor related with the miniaturization of DRAM having a stacked capacitor.例文帳に追加

スタック型キャパシタを有するＤＲＡＭの微細化に関して、キャパシタの上部電極の上の層間膜を簡易に平坦化できるようにする。 - 特許庁

To easily reserve the operation margin during write operation in a DRAM and the like for which a high-frequency operation is required.例文帳に追加

本発明は、高周波動作が要求されるＤＲＡＭなどにおいて、書き込み動作時の動作マージンを容易に確保できるようにする。 - 特許庁

To provide a method, apparatus and program for speedily, precisely and easily executing a circuit simulation of a large scale memory cell array such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等、大規模メモリセルアレイの回路シミュレーションを高速、高精度で容易に実行可能とする方法、装置、プログラムの提供。 - 特許庁

At the same time, the player writes data posterior to the introductory part data of the music of the second MD in the DRAM 50 by performing the disk change to the second MD.例文帳に追加

同時に、２枚目のＭＤにディスクチェンジして、２枚目のＭＤの曲の導入部データ後のデータをＤＲＡＭ５０に書き込む。 - 特許庁

To further reduce a junction leakage in a MOSFET having a gate electrode of a polymetal structure, in particular, in a memory cell transistor of a DRAM.例文帳に追加

ポリメタル構造のゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴ、特に、ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタの接合リークをよりいっそう低減する。 - 特許庁

To enhance the characteristics of a semiconductor integrated circuit device by reducing the leak current of a capacitor element employed in a DRAM memory cell, or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリセル等に用いられる容量素子のリーク電流を低減し、半導体集積回路装置の特性の向上を図る。 - 特許庁

To achieve a longer information holding time in a finer DRAM by amplifying the stored charges to a detectable level.例文帳に追加

蓄積した電荷を検出可能なレベルまで増幅することで、より微細化したＤＲＡＭにおける情報の保持時間をより長くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory such as a DRAM and the like in which a stable operation can be performed by suppressing the reduction of internal power source voltage IVCC.例文帳に追加

内部電源電圧ＩＶＣＣの低下を抑制して安定した動作が可能なＤＲＡＭ等の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a covering structure of a fastener prevented from damage caused on the dram of a washing machine and/or breakage caused on the slider of the fastener.例文帳に追加

洗濯する際にファスナのスライダを開いておいても、洗濯機のドラムが傷つくおそれやスライダが破損するおそれを回避する。 - 特許庁

To provide a new process for designing a semiconductor memory component, especially a DRAM component, and a new process for manufacturing the component.例文帳に追加

半導体メモリ部品、特にＤＲＡＭ部品の設計のための新しいプロセスと、当該部品の製造のための新しいプロセスとを提供する。 - 特許庁

Consequently the output fixing circuit 20 provides a control signal outputted from a DRAM control circuit 15 to the SDRAM 40 as it is.例文帳に追加

これにより、出力固定回路２０は、ＤＲＡＭ制御回路１５から出力される制御信号をそのままＳＤＲＡＭ４０へ与える。 - 特許庁

That is, the images stored in the DRAM are updated and stored by using 6.4 sec for one period until the shutter is fully depressed (photographed).例文帳に追加

すなわち、シャッターが全押し（撮影）されるまでは６．４秒を１周期としてＤＲＡＭに記憶された画像が更新・記憶される。 - 特許庁

Program's sound data are transferred from an MPEG decoder 6 to the DRAM 21 and are sent to a FIFO buffer 25, after being decoded with an AAC decoder 24.例文帳に追加

番組音声データは、ＭＰＥＧデコーダ６からＤＲＡＭ２１に転送し、ＡＡＣデコーダ２４で復号した後、ＦＩＦＯバッファ２５に送る。 - 特許庁

The category storage controller 26 temporarily stores, in a DRAM 6, a category used for searching for a spot by a spot search part 22.例文帳に追加

カテゴリ記憶制御部２６は、地点検索部２２により地点を検索した時に用いたカテゴリを、ＤＲＡＭ６に一時的に保存する。 - 特許庁

Based on the signal, a selector circuit ST outputs the signals output from the selector circuits S1 to S12 of the DRAM macro 2.例文帳に追加

セレクタ回路ＳＴは、その信号に基づいて、ＤＲＡＭマクロ２のセレクタ回路Ｓ１〜Ｓ１２から出力される信号を出力する。 - 特許庁

In a second mode that the operation of the PLL circuit 120 stops, the second refresh controller 150 makes the refresh request by bypassing the DRAM controller 160.例文帳に追加

ＰＬＬ回路の動作が停止する第２のモードでは、第２のリフレッシュコントローラがＤＲＡＭコントローラをバイパスしてリフレッシュ要求を行う。 - 特許庁

The dielectric material is especially useful for usage by a silicon chip integrated circuit device having capacitors of a dynamic random access memory (DRAM) device.例文帳に追加

本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in which a plurality of logic circuits can share a DRAM block without lowering a data processing performance.例文帳に追加

データ処理性能を下げることなく、複数の論理回路がＤＲＡＭブロックを共用できる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To form a silicide film on only a gate electrode in a DRAM cell area by forming a salicide structure in a logic circuit area.例文帳に追加

ＬＯＧＩＣ回路領域ではサリサイド構造を形成し、ＤＲＡＭセル領域ではゲート電極上のみにシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

To provide a display device capable of appropriately performing access control with respect to a DRAM in accordance with internal temperature of the device.例文帳に追加

装置内部の温度に応じてＤＲＡＭに対するアクセス制御を適切に実行することが可能な表示装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The DRAM 1 is configured so as to simultaneously start writing of the reference potential to the reference cell 20 and the reference cell 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１においては、リファレンスセル２０およびリファレンスセル３０への参照電位の書込みが同時に開始されるように構成されている。 - 特許庁

The CLK synchronization SRAMIF 21 makes the PDPRAM 20 composed of the DRAM cell array operate as the pseudo-SRAM.例文帳に追加

ＣＬＫ同期ＳＲＡＭＩＦ２１は、ＤＲＡＭセルアレイで構成されているＰＤＰＲＡＭ２０を疑似的にＳＲＡＭとして動作させる。 - 特許庁

A digital camera has separately a CPU bus 1 connected with a ROM 4 and an image bus 2 connected with a DRAM 6.例文帳に追加

デジタルカメラにおいては、ＲＯＭ４を接続するＣＰＵバス１と、ＤＲＡＭ６を接続する画像バス２がそれぞれ個別に設けられている。 - 特許庁

To efficiently transfer data while suppressing a frequency of precharge, when transferring and storing a plurality of types of data in a memory such as DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭなどのメモリに複数種類のデータを転送して格納する際、プリチャージの回数を抑えてデータを効率よく転送する。 - 特許庁

In this low power RAMBUS DRAM, an upper series/parallel shift section is connected between an upper memory bank section and an input/ output block section.例文帳に追加

本発明の低電力型ラムバスＤＲＡＭは上部直／並列シフト部は上部メモリーバンク部と入／出力ブロック部の間に接続される。 - 特許庁

Memory cells MC can store two independent data such as DRAM data (volatile data) and FeRAM data (nonvolatile data).例文帳に追加

メモリセルＭＣは、ＤＲＡＭデータ（揮発性データ）およびＦｅＲＡＭデータ（不揮発性データ）という２つの独立したデータを記憶することができる。 - 特許庁