「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a DRAM apparatus which can achieve a voltage generating method by which high SVT can be generated without increasing a circuit scale needlessly.例文帳に追加

回路規模を不要に大きくすることなく高いＳＶＴを発生することのできる電圧発生方法を実現可能なＤＲＡＭ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming a capacitor having sufficient capacity without affecting processes and characteristics when a DRAM is mixedly mounted on an SoC.例文帳に追加

ＳｏＣにＤＲＡＭを混載する場合に、プロセス、特性に影響することなく十分な容量のキャパシタを形成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where a DRAM cell and a logic circuit are enhanced in operation speed without increasing manufacturing processes in number.例文帳に追加

製造工程数の増加を招くことなく、ＤＲＡＭセル及びロジック回路の高速化を可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this electronic camera, correction data to eliminate the noise component due to an image sensor 11 is taken into a DRAM 29 by a picture data controller 25.例文帳に追加

この電子カメラに於いては、イメージセンサ１１に起因するノイズ成分を除去するための補正データが画像データコントローラ２５によってＤＲＡＭ２９に取り込まれる。 - 特許庁

In this operation, an intermittent operation with which the reproducing operation of the mechanical unit part 60 is stopped, when the free capacity of the DRAM part 70 becomes lower than a fixed level.例文帳に追加

この動作において、ＤＲＡＭ部７０の空容量が一定以下になると、メカユニット部６０の再生動作を停止する間欠動作を行う。 - 特許庁

To provide a method for increasing an initial voltage of a storage capacitor in a DRAM of a CMOS and reducing a leakage speed of an electric charge with time.例文帳に追加

ＣＭＯＳのＤＲＡＭの記憶コンデンサの初期電圧を大きくし、また時間が経つにつれて電荷が漏れ出す速度を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a test device which can specify a memory cell in which read-out and write-in cannot properly be performed when a test of a memory cell of a DRAM is performed.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルのテストを行ったときに、読み出しおよび書き込みが適切に行われなかったメモリセルを特定できるテスト装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a data error and a latch malfunction due to a glitch waveform of DQS, by the small number of additional circuits in an input control circuit to be used for DRAM etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に用いられる入力制御回路において、ＤＱＳのグリッジ波形によるデータ誤り、ラッチ不具合を少ない追加回路で防止する。 - 特許庁

A refresh control circuit 10 receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory DRAM 200 and is asserted at a specified timing.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路１０は、所定のタイミングごとにアサートされるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２００のリフレッシュを要求する割込信号ＲＥＦＴＥＮＤを受ける。 - 特許庁

To enhance control capacity of short channel effect in a DRAM cell where a switching MOSFET is arranged on a deep trench capacitor.例文帳に追加

本発明は、ディープトレンチキャパシタ上にスイッチングＭＯＳＦＥＴを配置した構成のＤＲＡＭセルにおいて、短チャネル効果の制御能力を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which increases integration density and capacity like a DRAM and is equipped with a memory cell that does not need refresh operation.例文帳に追加

ＤＲＡＭに近い高集積化・大容量化を実現し、かつ、リフレッシュ動作を必要としないメモリセルを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Further, when a memory having a plurality of banks, such as a DRAM is used as the fail memory, there is an advantage of reducing the number of times for switching banks.例文帳に追加

また、フェイルメモリとしてＤＲＡＭのような複数バンクを有するメモリを用いた場合、バンク切り替えの回数を少なくすることができるという効果もある。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device of high-integration such as a DRAM wherein a space for connection between a local data line and the main data line is provided.例文帳に追加

ローカルデータ線と主データ線の間の接続を行うスペースを設けたＤＲＡＭ等の高度に集積された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A micro-computer reads the bit map data in the DRAM, JPEG-compresses it and forms compressed data, or forms text data by a character recognition.例文帳に追加

マイコン６２は、ＤＲＡＭ７０のビットマップデータを読み出し、ＪＰＥＧ圧縮して圧縮データを生成し、または文字認識によりテキストデータを生成する。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

Then JPEG data reproduced from the external storage medium 11 are stored in the DRAM 9, JPEG-decompressed, and displayed on an LCD 8 through a memory controller 5 and a buffer memory 6.例文帳に追加

外部記憶媒体１１から再生したJPEGデータをDRAM９に記憶し、次にJPEG伸張し、メモリコントローラ５、バッファメモリ６を介してLCD８により表示する。 - 特許庁

A DRAM 18 is a dynamic read and write memory which temporarily stores the data at the time of the work of a CPU 1, and used at the time of operating plotting edition.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１８は、ＣＰＵ１の作業時にデータを一時的に記憶するダイナミック型の読み取り書き込みメモリであり、描画編集を行う際に使用される。 - 特許庁

A DRAM complementary bit line 25 and a PCRAM complementary line 25 are composed of common conductive layers are connected via a common sense amplifier.例文帳に追加

ＤＲＡＭの相補ビット線２５とＰＣＲＡＭの相補ビット線２５とが、共通の導電層から形成され、双方に共通のセンスアンプによって接続されている。 - 特許庁

When supply of the power from a normal power source to a memory controller is cut, power is supplied from a backup power source for memory such as a DRAM.例文帳に追加

通常電源からメモリコントローラへの電力供給が切断されると、まず、ＤＲＡＭなどのメモリバックアップ用の電源から電力を供給を受ける。 - 特許庁

Contact holes to an upper surface of the wafer 10 in the DRAM forming region are formed in a first interlayer insulation film 30 deposited on the gate electrode.例文帳に追加

その上に堆積した第１層間絶縁膜３０に、ＤＲＡＭ形成領域のシリコン基板１０の上面に到達するコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

Thus, the amount of accumulated charge of the memory cells is increased by the simple constitution, and the operation margin of the DRAM (memory cell array) is improved and also the dummy cell can be made unnecessary.例文帳に追加

これにより、簡単な構成でメモリセルの蓄積電荷量を増加させ、ＤＲＡＭ（メモリセルアレイ）の動作マージンを向上させると共に、ダミーセルを不要にできる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a DRAM region 104 including a capacitive element, and a logic Nch region 102 are formed on a silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００においては、シリコン基板１０１に、容量素子を含むＤＲＡＭ領域１０４と、ロジックＮｃｈ領域１０２と、が設けられている。 - 特許庁

A controller 15 instructs the DRAM 11 in the transmitter to divide data into N pieces of frames, and to transmit the data in the order of first to N-th frames.例文帳に追加

制御装置１５は、送信装置内ＤＲＡＭ１１に対し、データをＮ個のフレームに分割して１〜Ｎ番目のフレームの順番で送信するように命令する。 - 特許庁

When the data written in the step S3 and the data read in the step S4 do not match, it is judged that there is some kind of abnormality in the address pins of the DRAM.例文帳に追加

ステップＳ３で書き込んだデータとステップＳ４で読み込んだデータとが一致していなければ、ＤＲＡＭのアドレスピンに何らかの異常があると判断される。 - 特許庁

An image signal obtained from the image on an imaging device 5 photographed by an photographing lens section 4 is converted into bayer-data and stored in a DRAM 11.例文帳に追加

撮影レンズ部４で撮影され撮像素子５上に結像して得られた画像信号は撮像処理部８でベイヤーデータ化されてＤＲＡＭ１１に格納される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device where a reading operation from an output disable state is made fast in a DRAM operating in an SRAM type interface.例文帳に追加

ＳＲＡＭ型インターフェイスで動作するＤＲＡＭにおいて出力ディスエーブル状態からの読出し動作を高速にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a dram washing machine is transported, a bolt 52 for fastening a tank 4 to an outer box 1 is screwed with a fixing plate attached to the tank 4.例文帳に追加

ドラム式洗濯機の輸送時に水槽４を外箱１に固定するためのボルト５２を水槽４に取り付けた板状の固定具と螺合した。 - 特許庁

The capacitor of the DRAM memory cell, which is composed of a charge storage electrode 19, a capacitance insulating film 20 and a cell plate 21, is formed on an interlayer insulating film 17.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１７の上に、電荷蓄積電極１９，容量絶縁膜２０及びセルプレート２１からなるＤＲＡＭメモリセルのキャパシタを形成する。 - 特許庁

To reduce an area occupied by a direct peripheral circuit (sense amplifier, word shunt, etc.) in a large capacity DRAM having a memory cell with a COB (Capacitor Over Bitline) structure.例文帳に追加

ＣＯＢ(Capacitor Over Bitline)構造のメモリセルを有する大容量ＤＲＡＭにおいて、直接周辺回路（センスアンプ、ワードシャント等）の占有面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing short circuit between a contact plug of a DRAM cell transistor having a trench capacitor and a strap, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

トレンチキャパシタを有するＤＲＡＭのセルトランジスタのコンタクトプラグとストラップとの間の短絡を防止した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The prefetch logic may transfer two or more cache lines from an open page in the DRAM to the SRAM, at least in a part, based on the prefetch hint.例文帳に追加

このプリフェッチロジックは、少なくとも部分的にプリフェッチヒントに基づいて、ＤＲＡＭのオープンページからＳＲＡＭに２つ以上のキャッシュラインを転送し得る。 - 特許庁

To provide semiconductor memory devices including DRAM having high integration and improved manufacturing yield, and a manufacture thereof.例文帳に追加

ＤＲＡＭを含む半導体記憶装置におけ高集積化を図るとともに製造歩留りの向上を図った半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve overall performance of a system including a semiconductor memory device such as a DRAM by supplying a front-loaded data read or write command.例文帳に追加

データの読出し指令または書込み指令を前倒しで投入することにより、ＤＲＡＭなどの半導体記憶装置を含むシステム全体の性能を向上させる。 - 特許庁

Thereby, a DRAM which can store ternary data of high voltage data, low voltage data, and intermediate voltage data in one memory cell can be obtained.例文帳に追加

これにより、相補データを利用して、高電圧データ，低電圧データおよび中間電圧データの３値データを１つのメモリセルに保持させうるＤＲＡＭが得られる。 - 特許庁

To provide a synchronizing type DRAM which can lighten a burden of a system side by bearing one part of control performed normally by the system side (microcomputer side) by a memory side.例文帳に追加

システム側（マイコン側）が通常行っていた制御をメモリ側が一部負担し、システム側の負担を軽減することができる同期型ＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To ensure the contact area of a contact hole between word lines and a through hole formed in the upper portion of the contact hole in a DRAM whose memory cell size is miniaturized.例文帳に追加

メモリセルサイズが微細化されたＤＲＡＭにおいて、ワード線間のコンタクトホールとその上部に形成されるスルーホールとの接触面積を確保する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element fabricating method for improving operating characteristics of DRAM cells by improving characteristics of both contact resistance and transistors.例文帳に追加

接触抵抗の特性及びトランジスタの特性を向上させてＤＲＡＭセルの動作特性を改善するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A test interface circuit TICa performs an operation test based on a signal inputted to a test pin terminal group TPG by directly accessing a DRAM core.例文帳に追加

テストインタフェース回路ＴＩＣａは、テストピン端子群ＴＰＧに入力される信号に基づく動作テストを、ＤＲＡＭコアに直接アクセスして実行する。 - 特許庁

From the page exceeding signal, a memory controller connected to the microprocessor judges that the address signal has exceeded the page range of the DRAM.例文帳に追加

ページ超過信号によって，マイクロプロセッサに接続されるメモリコントローラは，アドレス信号がＤＲＡＭのページ範囲を越えたと判断することが可能となる。 - 特許庁

To provide a data bus structure capable of eliminating unconformity of local impedance caused by additional capacity possessed by an integrated circuit such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのような集積回路が有する付加容量に起因する局所的なインピダンスの不整合を解消することができるデータバス構造を提供する。 - 特許庁

To surely remove a pad polysilicon remainder generated in the case of forming a pad which is larger than a photoresist limit dimension and to stably form the cell of a DRAM.例文帳に追加

フォトレジスト限界寸法以上にパッドを形成する場合に発生するパッドポリシリコン残りを確実に除去し、ＤＲＡＭのセルを安定的に形成する。 - 特許庁

The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.例文帳に追加

この集積回路はまた、バルクＩＣに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ（１Ｔ−ＤＲＡＭ）セル２１２を備えている。 - 特許庁

A plurality of memory cell array regions 3 are arranged on a semiconductor substrate of a DRAM in matrix respectively apart in a line-column direction.例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、複数のメモリセルアレイ領域３は、半導体基板上に、行方向と列方向とにそれぞれ間隔を隔ててマトリックス状に配置される。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁