「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where a DRAM cell and a logic circuit are enhanced in operation speed without increasing manufacturing processes in number.例文帳に追加

製造工程数の増加を招くことなく、ＤＲＡＭセル及びロジック回路の高速化を可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

In this electronic camera, correction data to eliminate the noise component due to an image sensor 11 is taken into a DRAM 29 by a picture data controller 25.例文帳に追加

この電子カメラに於いては、イメージセンサ１１に起因するノイズ成分を除去するための補正データが画像データコントローラ２５によってＤＲＡＭ２９に取り込まれる。 - 特許庁

In this operation, an intermittent operation with which the reproducing operation of the mechanical unit part 60 is stopped, when the free capacity of the DRAM part 70 becomes lower than a fixed level.例文帳に追加

この動作において、ＤＲＡＭ部７０の空容量が一定以下になると、メカユニット部６０の再生動作を停止する間欠動作を行う。 - 特許庁

To provide a test device which can specify a memory cell in which read-out and write-in cannot properly be performed when a test of a memory cell of a DRAM is performed.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルのテストを行ったときに、読み出しおよび書き込みが適切に行われなかったメモリセルを特定できるテスト装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a data error and a latch malfunction due to a glitch waveform of DQS, by the small number of additional circuits in an input control circuit to be used for DRAM etc.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等に用いられる入力制御回路において、ＤＱＳのグリッジ波形によるデータ誤り、ラッチ不具合を少ない追加回路で防止する。 - 特許庁

A refresh control circuit 10 receives an interrupt signal REFTEND which requests the refresh of a dynamic random access memory DRAM 200 and is asserted at a specified timing.例文帳に追加

リフレッシュ制御回路１０は、所定のタイミングごとにアサートされるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）２００のリフレッシュを要求する割込信号ＲＥＦＴＥＮＤを受ける。 - 特許庁

To enhance control capacity of short channel effect in a DRAM cell where a switching MOSFET is arranged on a deep trench capacitor.例文帳に追加

本発明は、ディープトレンチキャパシタ上にスイッチングＭＯＳＦＥＴを配置した構成のＤＲＡＭセルにおいて、短チャネル効果の制御能力を向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device which increases integration density and capacity like a DRAM and is equipped with a memory cell that does not need refresh operation.例文帳に追加

ＤＲＡＭに近い高集積化・大容量化を実現し、かつ、リフレッシュ動作を必要としないメモリセルを備える半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Further, when a memory having a plurality of banks, such as a DRAM is used as the fail memory, there is an advantage of reducing the number of times for switching banks.例文帳に追加

また、フェイルメモリとしてＤＲＡＭのような複数バンクを有するメモリを用いた場合、バンク切り替えの回数を少なくすることができるという効果もある。 - 特許庁

A DRAM complementary bit line 25 and a PCRAM complementary line 25 are composed of common conductive layers are connected via a common sense amplifier.例文帳に追加

ＤＲＡＭの相補ビット線２５とＰＣＲＡＭの相補ビット線２５とが、共通の導電層から形成され、双方に共通のセンスアンプによって接続されている。 - 特許庁

When supply of the power from a normal power source to a memory controller is cut, power is supplied from a backup power source for memory such as a DRAM.例文帳に追加

通常電源からメモリコントローラへの電力供給が切断されると、まず、ＤＲＡＭなどのメモリバックアップ用の電源から電力を供給を受ける。 - 特許庁

A DRAM 18 is a dynamic read and write memory which temporarily stores the data at the time of the work of a CPU 1, and used at the time of operating plotting edition.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１８は、ＣＰＵ１の作業時にデータを一時的に記憶するダイナミック型の読み取り書き込みメモリであり、描画編集を行う際に使用される。 - 特許庁

Contact holes to an upper surface of the wafer 10 in the DRAM forming region are formed in a first interlayer insulation film 30 deposited on the gate electrode.例文帳に追加

その上に堆積した第１層間絶縁膜３０に、ＤＲＡＭ形成領域のシリコン基板１０の上面に到達するコンタクトホールが形成される。 - 特許庁

Thus, the amount of accumulated charge of the memory cells is increased by the simple constitution, and the operation margin of the DRAM (memory cell array) is improved and also the dummy cell can be made unnecessary.例文帳に追加

これにより、簡単な構成でメモリセルの蓄積電荷量を増加させ、ＤＲＡＭ（メモリセルアレイ）の動作マージンを向上させると共に、ダミーセルを不要にできる。 - 特許庁

In the semiconductor device 100, a DRAM region 104 including a capacitive element, and a logic Nch region 102 are formed on a silicon substrate 101.例文帳に追加

半導体装置１００においては、シリコン基板１０１に、容量素子を含むＤＲＡＭ領域１０４と、ロジックＮｃｈ領域１０２と、が設けられている。 - 特許庁

A controller 15 instructs the DRAM 11 in the transmitter to divide data into N pieces of frames, and to transmit the data in the order of first to N-th frames.例文帳に追加

制御装置１５は、送信装置内ＤＲＡＭ１１に対し、データをＮ個のフレームに分割して１〜Ｎ番目のフレームの順番で送信するように命令する。 - 特許庁

To enable a DRAM to be lessened in memory cell size by reducing the width of a bit line to a minimum processing dimension or below determined by a resolution limit of a photolithography technique.例文帳に追加

ビット線の幅をフォトリソグラフィの解像限界で決まる最小加工寸法以下まで微細化することによって、ＤＲＡＭのメモリセルサイズを縮小する。 - 特許庁

In a step S2, the CPU refers to the FAT of the DRAM for the FAT and detects all vacant cluster groups continuous by a prescribed number or more.例文帳に追加

ステップＳ２において、ＣＰＵは、ＦＡＴ用ＤＲＡＭのＦＡＴを参照して、所定の数以上連続する空きクラスタ群を全て検出する。 - 特許庁

As a result, the delay in transmission of an electric signal from the logic chip 200 to the DRAM 14 is controlled, thus the performance of a semiconductor device is enhanced.例文帳に追加

この結果、論理チップ２００からＤＲＡＭ１４０への情報伝達の遅延を抑制することにより、半導体装置の高性能化が可能になる。 - 特許庁

In registering a spot, a control section 10 of a navigation device 1 stores an address and image data in a DRAM 12 so that the address and the image data are associated with each other.例文帳に追加

ナビゲーション装置１の制御部１０は、登録地点を登録する際に、住所及び画像データを対応付けてＤＲＡＭ１２に記憶させる。 - 特許庁

A CPU interface 11 and I/O interfaces 13 to 15 in a bridge chip 1 are connected to a DRAM interface 12 through an internal bus 10.例文帳に追加

ブリッジチップ１内のＣＰＵインタフェース１１及び入出力インタフェース１３〜１５は、内部バス１０を介してＤＲＡＭインタフェース１２に接続する。 - 特許庁

To provide a DRAM mixed loading semiconductor device capable of holding a large capacity and controlling a leakage current while achieving downscaling.例文帳に追加

微細化を実現しつつリーク電流を抑制することができ、かつ、多くの容量を保持することができるＤＲＡＭ混載半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM apparatus which can achieve a voltage generating method by which high SVT can be generated without increasing a circuit scale needlessly.例文帳に追加

回路規模を不要に大きくすることなく高いＳＶＴを発生することのできる電圧発生方法を実現可能なＤＲＡＭ装置を提供すること。 - 特許庁

When the data written in the step S3 and the data read in the step S4 do not match, it is judged that there is some kind of abnormality in the address pins of the DRAM.例文帳に追加

ステップＳ３で書き込んだデータとステップＳ４で読み込んだデータとが一致していなければ、ＤＲＡＭのアドレスピンに何らかの異常があると判断される。 - 特許庁

An image signal obtained from the image on an imaging device 5 photographed by an photographing lens section 4 is converted into bayer-data and stored in a DRAM 11.例文帳に追加

撮影レンズ部４で撮影され撮像素子５上に結像して得られた画像信号は撮像処理部８でベイヤーデータ化されてＤＲＡＭ１１に格納される。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device where a reading operation from an output disable state is made fast in a DRAM operating in an SRAM type interface.例文帳に追加

ＳＲＡＭ型インターフェイスで動作するＤＲＡＭにおいて出力ディスエーブル状態からの読出し動作を高速にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When a dram washing machine is transported, a bolt 52 for fastening a tank 4 to an outer box 1 is screwed with a fixing plate attached to the tank 4.例文帳に追加

ドラム式洗濯機の輸送時に水槽４を外箱１に固定するためのボルト５２を水槽４に取り付けた板状の固定具と螺合した。 - 特許庁

The capacitor of the DRAM memory cell, which is composed of a charge storage electrode 19, a capacitance insulating film 20 and a cell plate 21, is formed on an interlayer insulating film 17.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜１７の上に、電荷蓄積電極１９，容量絶縁膜２０及びセルプレート２１からなるＤＲＡＭメモリセルのキャパシタを形成する。 - 特許庁

To reduce an area occupied by a direct peripheral circuit (sense amplifier, word shunt, etc.) in a large capacity DRAM having a memory cell with a COB (Capacitor Over Bitline) structure.例文帳に追加

ＣＯＢ(Capacitor Over Bitline)構造のメモリセルを有する大容量ＤＲＡＭにおいて、直接周辺回路（センスアンプ、ワードシャント等）の占有面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing short circuit between a contact plug of a DRAM cell transistor having a trench capacitor and a strap, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

トレンチキャパシタを有するＤＲＡＭのセルトランジスタのコンタクトプラグとストラップとの間の短絡を防止した半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The prefetch logic may transfer two or more cache lines from an open page in the DRAM to the SRAM, at least in a part, based on the prefetch hint.例文帳に追加

このプリフェッチロジックは、少なくとも部分的にプリフェッチヒントに基づいて、ＤＲＡＭのオープンページからＳＲＡＭに２つ以上のキャッシュラインを転送し得る。 - 特許庁

To provide semiconductor memory devices including DRAM having high integration and improved manufacturing yield, and a manufacture thereof.例文帳に追加

ＤＲＡＭを含む半導体記憶装置におけ高集積化を図るとともに製造歩留りの向上を図った半導体記憶装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve overall performance of a system including a semiconductor memory device such as a DRAM by supplying a front-loaded data read or write command.例文帳に追加

データの読出し指令または書込み指令を前倒しで投入することにより、ＤＲＡＭなどの半導体記憶装置を含むシステム全体の性能を向上させる。 - 特許庁

Thereby, a DRAM which can store ternary data of high voltage data, low voltage data, and intermediate voltage data in one memory cell can be obtained.例文帳に追加

これにより、相補データを利用して、高電圧データ，低電圧データおよび中間電圧データの３値データを１つのメモリセルに保持させうるＤＲＡＭが得られる。 - 特許庁

To provide a method for increasing an initial voltage of a storage capacitor in a DRAM of a CMOS and reducing a leakage speed of an electric charge with time.例文帳に追加

ＣＭＯＳのＤＲＡＭの記憶コンデンサの初期電圧を大きくし、また時間が経つにつれて電荷が漏れ出す速度を小さくする方法を提供する。 - 特許庁

To provide a refresh controller for flexible embedded DRAM which controls refresh operations of various refresh modes and eliminates or prevents conflict of a memory bank.例文帳に追加

様々なリフレッシュ・モードのリフレッシュ動作を制御し、メモリ・バンクの競合を解消又は回避する、柔軟な組み込みＤＲＡＭ用リフレッシュ・コントローラを提供する。 - 特許庁

To enable adoption of a hierarchical type word line constitution even in a DRAM in which memory blocks being adjacent holding a sense amplifier array between them in a memory array is defined as a bank.例文帳に追加

メモリアレイにおけるセンスアンプ列を挟んで隣接するメモリブロックをバンクと定義するＤＲＡＭにおいても、階層型ワード線構成を採用する。 - 特許庁

In a DRAM, upper addresses are allocated to ways W0 and W1 and lower addresses are allocated to word lines WL belonging to the way W0 and way W1 respectively .例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、各ウェイＷ０，Ｗ１に上位アドレスを割当て、各ウェイＷ０，Ｗ１に属する各ワード線ＷＬに下位アドレスを割当てる。 - 特許庁

The image processor 100 supplies image data stored in a memory such as DRAM 10 or SRAM 20 to an image processing part 30 to perform predetermined image processing.例文帳に追加

画像処理装置１００は、ＤＲＡＭ１０、ＳＲＡＭ２０等のメモリに記憶された画像データを画像処理部３０に供給し、所定の画像処理を行う。 - 特許庁

A delay write-back-mode is enabled, this delay write-back-mode is a mode for restoring bit of information in the DRAM memory cell being addressed afterward.例文帳に追加

遅延ライト・バック・モードがイネーブルされ、この遅延ライト・バック・モードは、アドレッシングされたＤＲＡＭメモリ・セルに後で情報のビットを復元するためのものである。 - 特許庁

A terminal voltage supply means 209 receives a control signal from the DRAM controller 115 and carries out supplying of power source to the data transmission communication line 211.例文帳に追加

終端電圧供給手段２０９はＤＲＡＭコントローラ１１５からの制御信号を受けて、データ伝送通信線２１１に電源の供給を行う。 - 特許庁

When selection is carried out in reproducing, the reading pointer of the DRAM 13 is moved to the pointer in the position at the top of the selected data and reading out is carried out.例文帳に追加

そして再生時に選択が行われると、ＤＲＡＭ１３の読み出しポインタが選択されたデータの先頭の位置のポインタに移動され、読み出しが行われる。 - 特許庁

To solve the following problem: in the case of storing recording data in a DRAM, page mistakes occur when continuously accessed data are stored in different row addresses, therefore, the access efficiency is lowered.例文帳に追加

記録データをＤＲＡＭに格納する際、連続アクセスするデータが異なるローアドレスに格納されていると、ページミスが発生し、アクセス効率が低下する。 - 特許庁

This DRAM circuit has a new column switch 14 for connecting a bit-line-pair 12 and a data-line pair 5 through a sense amplifier 13.例文帳に追加

本発明のＤＲＡＭ回路は、センス・アンプ１３を介してビット・ライン・ペア１２とデータ・ライン・ペア１５を接続するための新規なカラム・スイッチ１４を有する。 - 特許庁

To increase the operational speed of an electronic device equipped with a destructive read type memory such as a DRAM and its controller by drastically shortening the cycle time of reading.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等のような破壊読出し型メモリとその制御装置を備える電子装置であって、読出し時のサイクル時間を大幅に削減し、高速化を図る。 - 特許庁