「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

Programming voltage is applied to a DRAM memory cell consisting of word lines, bit lines, transistors, and capacitive storing devices to fully employ the functions of a non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリの機能を発揮させるために、プログラミング電圧をワード線、ビット線、トランジスタ、および容量記憶デバイスからなるＤＲＡＭメモリ・セルに印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of holding a capacity necessary for a CUB-type DRAM operation even though it is downsized, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

微細化されても、ＣＵＢ型ＤＲＡＭ動作に必要な容量を保持することのできる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the first request signal is input to the arbitrator 41, if there is no transfer request signal input, refreshing is executed in the DRAM 4.例文帳に追加

アービトレータ４１に第１要求信号が入力さたときに、転送要求信号が入力されていなければ、ＤＲＡＭ４においてリフレッシュが実行される。 - 特許庁

To reduce a chip area in a DRAM including a repetitive pattern such as a word line driving circuit.例文帳に追加

本発明は、ワード線駆動回路のような繰り返しパターンを含むＤＲＡＭにおいて、チップ面積を縮小できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

A question whether an access transistor is connected to the stationary potential depends on whether or not an opening of an insulated film forming the capacitor of the DRAM in an internal wall is provided.例文帳に追加

アクセストランジスタを固定電位に結合するか否かは、ＤＲＡＭのキャパシタを内壁に形成する絶縁膜の開口部を設けるか否かで行なう。 - 特許庁

The system controller 11 stores image data being obtained depending on the rotational displacement of the imaging section 20 in a DRAM 10 and controls the camera to execute a specified image processing.例文帳に追加

システムコントローラ１１は、撮像部２０の回転変位に応じて得られる画像データをＤＲＡＭ１０に格納し、所定の画像処理を実行させる。 - 特許庁

A selection is made whether image data in the DRAM 122 is erased before it is read out therefrom or not based on an input from an input means.例文帳に追加

ここで、ＤＲＡＭ１２２内の画像データの消去をＤＲＡＭ１２２読み出し前に消去するか否かを入力手段からの入力に基づいて選択する。 - 特許庁

To realize the high speed of a writing rate without enlarging a chip size with respect to a semiconductor memory circuit (DRAM) which is provided with gate receiving type memory cell parts.例文帳に追加

ゲート受けタイプのメモリセル部を備える半導体メモリ回路（ＤＲＡＭ）において、チップサイズを増大することなく、ライト速度の高速化を実現する。 - 特許庁

As a designing means, for example, transistor 37 for reading, which is provided in the SRAM cell CELL1 to protect data, is also provided in the sense amplifier SA of the DRAM.例文帳に追加

設計手段として、例えば、データを保護するためにＳＲＡＭセルＣＥＬＬ１に設けた読み出し用トランジスタ３７をＤＲＡＭのセンスアンプＳＡにも設ける。 - 特許庁

It is possible to simultaneously establish two system connections using the cross buss switch and to realize high speed data transfer with high parallelism between a CPU core 112, a CODEC 418 and a DRAM 116.例文帳に追加

このクロス・バスイッチにより２系統の接続を同時に確立することができ、ＣＰＵコア１１２，ＣＯＤＥＣ４１８，ＤＲＡＭ１１６間で並列性の高い高速データ転送を実現できる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the DRAM, after forming its trenches in a substrate 500, a vertical type transistor and a trench capacitor 400a (400b) are so provided as to form them respectively in the upper and lower portions of each trench.例文帳に追加

基板５００にトレンチを形成し、このトレンチ部分にトレンチキャパシタ４００ａ，４００ｂと、垂直トランジスタを上下に配置して形成する。 - 特許庁

The minimum gate size of transistors prepared in logic Nch region 102 is smaller than the minimum gate size of a transistor prepared in the DRAM region 104.例文帳に追加

ロジックＮｃｈ領域１０２に設けられたトランジスタの最小ゲート寸法は、ＤＲＡＭ領域１０４に設けられたトランジスタの最小ゲート寸法よりも小さい。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device wherein a storage part has a TCAM composed of a DRAM, the process cost being reducible.例文帳に追加

記憶部がＤＲＡＭによって構成されたＴＣＡＭを備えた半導体記憶装置において、プロセスコストを低減可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then, when selection is made on reproduction, the reading pointer of the DRAM 13 is moved to a pointer at the starting position of data for reading.例文帳に追加

そして再生時に選択が行われると、ＤＲＡＭ１３の読み出しポインタが選択されたデータの先頭の位置のポインタに移動され、読み出しが行われる。 - 特許庁

To provide a refresh controller for flexible embedded DRAM which controls refresh operations of various refresh modes and eliminates or prevents conflict of a memory bank.例文帳に追加

様々なリフレッシュ・モードのリフレッシュ動作を制御し、メモリ・バンクの競合を解消又は回避する、柔軟な組み込みＤＲＡＭ用リフレッシュ・コントローラを提供する。 - 特許庁

To enable adoption of a hierarchical type word line constitution even in a DRAM in which memory blocks being adjacent holding a sense amplifier array between them in a memory array is defined as a bank.例文帳に追加

メモリアレイにおけるセンスアンプ列を挟んで隣接するメモリブロックをバンクと定義するＤＲＡＭにおいても、階層型ワード線構成を採用する。 - 特許庁

In a DRAM, upper addresses are allocated to ways W0 and W1 and lower addresses are allocated to word lines WL belonging to the way W0 and way W1 respectively .例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、各ウェイＷ０，Ｗ１に上位アドレスを割当て、各ウェイＷ０，Ｗ１に属する各ワード線ＷＬに下位アドレスを割当てる。 - 特許庁

The image processor 100 supplies image data stored in a memory such as DRAM 10 or SRAM 20 to an image processing part 30 to perform predetermined image processing.例文帳に追加

画像処理装置１００は、ＤＲＡＭ１０、ＳＲＡＭ２０等のメモリに記憶された画像データを画像処理部３０に供給し、所定の画像処理を行う。 - 特許庁

A delay write-back-mode is enabled, this delay write-back-mode is a mode for restoring bit of information in the DRAM memory cell being addressed afterward.例文帳に追加

遅延ライト・バック・モードがイネーブルされ、この遅延ライト・バック・モードは、アドレッシングされたＤＲＡＭメモリ・セルに後で情報のビットを復元するためのものである。 - 特許庁

A terminal voltage supply means 209 receives a control signal from the DRAM controller 115 and carries out supplying of power source to the data transmission communication line 211.例文帳に追加

終端電圧供給手段２０９はＤＲＡＭコントローラ１１５からの制御信号を受けて、データ伝送通信線２１１に電源の供給を行う。 - 特許庁

When selection is carried out in reproducing, the reading pointer of the DRAM 13 is moved to the pointer in the position at the top of the selected data and reading out is carried out.例文帳に追加

そして再生時に選択が行われると、ＤＲＡＭ１３の読み出しポインタが選択されたデータの先頭の位置のポインタに移動され、読み出しが行われる。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit where a minute signal voltage of a micro memory cell is easily discriminated, while being suitable for a high- speed and high capacity DRAM.例文帳に追加

微細化されたメモリセルの微小な信号電圧の判別が容易な、高速・大容量ＤＲＡＭへの使用に適したセンスアンプ回路を提供する - 特許庁

To find defects at an early stage for improved inspection efficiency as a whole, related to the inspection method for a semiconductor device where a DRAM part and other circuits are placed together.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部と他の回路が混載された半導体装置の検査方法において、不良品を早い段階で発見し、全体として検査効率を向上する。 - 特許庁

To solve the following problem: in the case of storing recording data in a DRAM, page mistakes occur when continuously accessed data are stored in different row addresses, therefore, the access efficiency is lowered.例文帳に追加

記録データをＤＲＡＭに格納する際、連続アクセスするデータが異なるローアドレスに格納されていると、ページミスが発生し、アクセス効率が低下する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a DRAM cell capacitor, capable of preventing an HSG(hemispherical silicon) grains from deviating in a succeeding washing process and preventing a short circuit from being caused.例文帳に追加

ＨＳＧ粒子が後続洗浄工程で離脱することを防止し、短絡の誘発を防止できるＤＲＡＭセルキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the interrupt subroutine start signal IJMP is asserted, a refresh circuit 4 executes the specified interrupt subroutine and supplies the refresh pattern to the DRAM 200.例文帳に追加

リフレッシュ回路４は、割込サブルーチン開始信号ＩＪＭＰがアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンをＤＲＡＭ２００に供給する。 - 特許庁

To provide a multifilament yarn package for yarn dividing capable of stably unreeling and yarn dividing free from yarn cutting in the yarn dividing of a dram shaped multifilament yarn for yarn dividing using a yarn dividing machine.例文帳に追加

ドラム状分繊用マルチフィラメント糸を分繊機で分繊する際に、断糸せずに安定して解舒、分繊できる分繊用マルチフィラメント糸パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a technology for applying a nitride film spacer SAC structure to a polycide structure, making a memory cell of a DRAM fine and obtaining high integration.例文帳に追加

ポリサイド構造に窒化膜スペーサＳＡＣ構造を適用でき、ＤＲＡＭのメモリセルの微細化を進め、高集積化を実現できる技術を提供する。 - 特許庁

The register read command may read only a single datum, or may utilize the address bus to address a plurality of data not stored in the DRAM array.例文帳に追加

レジスタ読み出しコマンドは、１つのデータのみを読み出すか、またはアドレスバスを利用して、ＤＲＡＭ配列に記憶されていない複数のデータをアドレス指定し得る。 - 特許庁

The access control circuit 3 receives the decoded result of the operating mode from the command decode circuit 2 and controls the clock asynchronous DRAM according to this result.例文帳に追加

アクセス制御回路３は、コマンドデコード回路２より動作モードの解読結果を受け取り、これに従ってクロック非同期型ＤＲＡＭの制御を行う。 - 特許庁

The gate electrode 7 of the memory cell transistor of the DRAM is formed of an n-type polycrystalline silicon film 7n and a W film 8 laminated thereon.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタを構成するゲート電極７は、ｎ型の多結晶シリコン膜７ｎとその上に積層したＷ膜８で構成されている。 - 特許庁

To provide a refreshing method for a DRAM which can reduce a load imposed on the processor of a microcontroller without increasing a substrate area, and the microcontroller.例文帳に追加

基板面積を大きくすることなく，マイクロコントローラのプロセッサに与える負荷を低減することが可能なＤＲＡＭのリフレッシュ方法及びマイクロコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a driving circuit easily performing control of a nonvolatile DRAM using a nonconductor which can trap electrons or holes, and its driving method.例文帳に追加

本発明は、電子及びホールをトラップ可能な不導体を用いた不揮発性ＤＲＡＭの制御を容易に行う駆動回路及び駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The printer device has a refresh access control means to set refresh access for each bank for a DRAM and a refresh mode selection means to select a refresh access mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭに対してリフレッシュアクセスをバンク毎に設定するリフレッシュアクセス制御手段と、リフレッシュアクセスのモードを選択するリフレッシュモード選択手段とを備える。 - 特許庁

The buffer synchronization controller 800 works to permit/reject access from sub processing units 208 to the shared data in a DRAM 214.例文帳に追加

バッファ同期化コントローラ８００は、ＤＲＡＭ２１４における共有データに対する、サブ処理ユニット２０８のアクセスを許可または拒否するように動作する。 - 特許庁

To provide an information processing device capable of reading data from a synchronous DRAM with high frequency drive clock signals irrespective of variation in operating environment.例文帳に追加

動作環境の変動に係らず、高周波数の駆動クロック信号によって同期式ＤＲＡＭからデータを読み出すことができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The DRAM controller 2 performs the self-refresh operation after the operation temperature setting value of the SDRAM 1 is changed according to the control instruction of the CPU 3.例文帳に追加

ＤＲＡＭコントローラ２は、ＣＰＵ３の制御の指示に従ってＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。 - 特許庁

To form a high-quality non-SOI region on an SOI substrate, and to effectively integrate a logic circuit and a DRAM on the same semiconductor chip.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に高品質の非ＳＯＩ領域を形成することができ、ロジック回路とＤＲＡＭを同一半導体チップに効果的に集積する。 - 特許庁

A structure wherein a gate electrode 9 of a memory cell selecting MIS-FETQs of a DRAM is buried in grooves 7a and 7b cut in a semiconductor substrate 1 is provided.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳ・ＦＥＴＱｓのゲート電極９を半導体基板１に掘られた溝７ａ，７ｂ内に埋め込む構造とした。 - 特許庁

A partially non-volatile dynamic random access memory PNDRAM uses a DRAM array formed by plural single transistors 1T cells or two transistors 2T cells.例文帳に追加

部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）が、複数の単一トランジスタ（１Ｔ）・セルまたは２トランジスタ（２Ｔ）・セルにより形成されるＤＲＡＭアレイを使用する。 - 特許庁

To provide a DRAM cell capacitor and a manufacturing method thereof, wherein a storage electrode forming process is simplified, and a storage electrode is enlarged in surface area.例文帳に追加

本発明は、ストレージ電極形成工程を単純化させ、ストレージ電極の表面積を増加させるＤＲＡＭセルキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each active region 40 is formed with two DRAM cells consisting of capacitors formed at both ends thereof and two transistors having a gate electrode 12.例文帳に追加

各活性領域４０には、その両端に形成されたキャパシタと、ゲート電極１２を有する２つのトランジスタとから成る２つのＤＲＡＭセルが形成される。 - 特許庁

An encoder/decoder decodes a reproduced signal supplied through a RF amplifier, and supplies reproduced data to a DRAM 12 through a memory controller.例文帳に追加

エンコーダ／デコーダ１３は、ＲＦアンプ１６を介して供給された再生信号をデコードし、メモリコントローラ１１を介して再生データをＤＲＡＭ１２に供給する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device concerning this invention is equipped with; a DRAM 2 which contains a first storage area 2A and a second storage area 2B; and a control circuit 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路装置は、第１記憶領域２Ａと第２記憶領域２Ｂを含むＤＲＡＭ２と、制御回路１とを備える。 - 特許庁

A gate oxide film is formed in the DRAM area 101 of a semiconductor substrate 1, and a first gate electrode 31 is formed on the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板１のＤＲＡＭ領域１０１に、ゲート酸化膜を形成し、このゲート絶縁膜の上に第１のゲート電極３１を形成する。 - 特許庁