「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

When the first request signal is input to the arbitrator 41, if there is no transfer request signal input, refreshing is executed in the DRAM 4.例文帳に追加

アービトレータ４１に第１要求信号が入力さたときに、転送要求信号が入力されていなければ、ＤＲＡＭ４においてリフレッシュが実行される。 - 特許庁

The semiconductor device is constituted of a DRAM (dynamic random access memory) and the SRAM, both of which are provided with a stack type constitution whose bit line 22 is situated below a capacitive element 31 and which are mounted through mixed loading.例文帳に追加

半導体装置は、ビットライン２２が容量素子３１より下方にあるスタック型の構成を有するＤＲＡＭとＳＲＡＭとが混載されてなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device of high-integration such as a DRAM wherein a space for connection between a local data line and the main data line is provided.例文帳に追加

ローカルデータ線と主データ線の間の接続を行うスペースを設けたＤＲＡＭ等の高度に集積された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A micro-computer reads the bit map data in the DRAM, JPEG-compresses it and forms compressed data, or forms text data by a character recognition.例文帳に追加

マイコン６２は、ＤＲＡＭ７０のビットマップデータを読み出し、ＪＰＥＧ圧縮して圧縮データを生成し、または文字認識によりテキストデータを生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of forming a capacitor having sufficient capacity without affecting processes and characteristics when a DRAM is mixedly mounted on an SoC.例文帳に追加

ＳｏＣにＤＲＡＭを混載する場合に、プロセス、特性に影響することなく十分な容量のキャパシタを形成することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a SOI (semiconductor-on-insulator) type transistor, memory, and other DRAM circuits and an array, and a transistor gate array, and a method for forming such structures on a same substrate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型のトランジスタ、メモリ及び他のＤＲＡＭ回路及びアレイ、トランジスタゲートアレイ、及びそのような構造体を同一基板上に形成する。 - 特許庁

Then JPEG data reproduced from the external storage medium 11 are stored in the DRAM 9, JPEG-decompressed, and displayed on an LCD 8 through a memory controller 5 and a buffer memory 6.例文帳に追加

外部記憶媒体１１から再生したJPEGデータをDRAM９に記憶し、次にJPEG伸張し、メモリコントローラ５、バッファメモリ６を介してLCD８により表示する。 - 特許庁

A selection is made whether image data in the DRAM 122 is erased before it is read out therefrom or not based on an input from an input means.例文帳に追加

ここで、ＤＲＡＭ１２２内の画像データの消去をＤＲＡＭ１２２読み出し前に消去するか否かを入力手段からの入力に基づいて選択する。 - 特許庁

To reduce a chip area in a DRAM including a repetitive pattern such as a word line driving circuit.例文帳に追加

本発明は、ワード線駆動回路のような繰り返しパターンを含むＤＲＡＭにおいて、チップ面積を縮小できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

A question whether an access transistor is connected to the stationary potential depends on whether or not an opening of an insulated film forming the capacitor of the DRAM in an internal wall is provided.例文帳に追加

アクセストランジスタを固定電位に結合するか否かは、ＤＲＡＭのキャパシタを内壁に形成する絶縁膜の開口部を設けるか否かで行なう。 - 特許庁

The system controller 11 stores image data being obtained depending on the rotational displacement of the imaging section 20 in a DRAM 10 and controls the camera to execute a specified image processing.例文帳に追加

システムコントローラ１１は、撮像部２０の回転変位に応じて得られる画像データをＤＲＡＭ１０に格納し、所定の画像処理を実行させる。 - 特許庁

To provide a synchronizing type DRAM which can lighten a burden of a system side by bearing one part of control performed normally by the system side (microcomputer side) by a memory side.例文帳に追加

システム側（マイコン側）が通常行っていた制御をメモリ側が一部負担し、システム側の負担を軽減することができる同期型ＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To ensure the contact area of a contact hole between word lines and a through hole formed in the upper portion of the contact hole in a DRAM whose memory cell size is miniaturized.例文帳に追加

メモリセルサイズが微細化されたＤＲＡＭにおいて、ワード線間のコンタクトホールとその上部に形成されるスルーホールとの接触面積を確保する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element fabricating method for improving operating characteristics of DRAM cells by improving characteristics of both contact resistance and transistors.例文帳に追加

接触抵抗の特性及びトランジスタの特性を向上させてＤＲＡＭセルの動作特性を改善するための半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A test interface circuit TICa performs an operation test based on a signal inputted to a test pin terminal group TPG by directly accessing a DRAM core.例文帳に追加

テストインタフェース回路ＴＩＣａは、テストピン端子群ＴＰＧに入力される信号に基づく動作テストを、ＤＲＡＭコアに直接アクセスして実行する。 - 特許庁

From the page exceeding signal, a memory controller connected to the microprocessor judges that the address signal has exceeded the page range of the DRAM.例文帳に追加

ページ超過信号によって，マイクロプロセッサに接続されるメモリコントローラは，アドレス信号がＤＲＡＭのページ範囲を越えたと判断することが可能となる。 - 特許庁

To provide a data bus structure capable of eliminating unconformity of local impedance caused by additional capacity possessed by an integrated circuit such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのような集積回路が有する付加容量に起因する局所的なインピダンスの不整合を解消することができるデータバス構造を提供する。 - 特許庁

To surely remove a pad polysilicon remainder generated in the case of forming a pad which is larger than a photoresist limit dimension and to stably form the cell of a DRAM.例文帳に追加

フォトレジスト限界寸法以上にパッドを形成する場合に発生するパッドポリシリコン残りを確実に除去し、ＤＲＡＭのセルを安定的に形成する。 - 特許庁

The integrated circuit also includes a single transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) cell 212 arranged adjacent to and integrated with the bulk IC.例文帳に追加

この集積回路はまた、バルクＩＣに隣接して設けられ且つ一体化された単一トランジスタのダイナミックランダムアクセスメモリ（１Ｔ−ＤＲＡＭ）セル２１２を備えている。 - 特許庁

A plurality of memory cell array regions 3 are arranged on a semiconductor substrate of a DRAM in matrix respectively apart in a line-column direction.例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、複数のメモリセルアレイ領域３は、半導体基板上に、行方向と列方向とにそれぞれ間隔を隔ててマトリックス状に配置される。 - 特許庁

In a data writing method for the synchronous- type flash memory device with the shared system bus, the synchronous-type DRAM device is set firstly from a normal mode into a refresh mode.例文帳に追加

システムバスを共有する同期型フラッシュメモリ装置のデータ書込み方法では、同期型ＤＲＡＭ装置が先ずノーマルモードからリフレッシュモードに設定される。 - 特許庁

To provide a sense amplifier circuit where a minute signal voltage of a micro memory cell is easily discriminated, while being suitable for a high- speed and high capacity DRAM.例文帳に追加

微細化されたメモリセルの微小な信号電圧の判別が容易な、高速・大容量ＤＲＡＭへの使用に適したセンスアンプ回路を提供する - 特許庁

To find defects at an early stage for improved inspection efficiency as a whole, related to the inspection method for a semiconductor device where a DRAM part and other circuits are placed together.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部と他の回路が混載された半導体装置の検査方法において、不良品を早い段階で発見し、全体として検査効率を向上する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a DRAM cell capacitor, capable of preventing an HSG(hemispherical silicon) grains from deviating in a succeeding washing process and preventing a short circuit from being caused.例文帳に追加

ＨＳＧ粒子が後続洗浄工程で離脱することを防止し、短絡の誘発を防止できるＤＲＡＭセルキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the interrupt subroutine start signal IJMP is asserted, a refresh circuit 4 executes the specified interrupt subroutine and supplies the refresh pattern to the DRAM 200.例文帳に追加

リフレッシュ回路４は、割込サブルーチン開始信号ＩＪＭＰがアサートされると、所定の割込サブルーチンを実行し、リフレッシュパターンをＤＲＡＭ２００に供給する。 - 特許庁

To provide a multifilament yarn package for yarn dividing capable of stably unreeling and yarn dividing free from yarn cutting in the yarn dividing of a dram shaped multifilament yarn for yarn dividing using a yarn dividing machine.例文帳に追加

ドラム状分繊用マルチフィラメント糸を分繊機で分繊する際に、断糸せずに安定して解舒、分繊できる分繊用マルチフィラメント糸パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a technology for applying a nitride film spacer SAC structure to a polycide structure, making a memory cell of a DRAM fine and obtaining high integration.例文帳に追加

ポリサイド構造に窒化膜スペーサＳＡＣ構造を適用でき、ＤＲＡＭのメモリセルの微細化を進め、高集積化を実現できる技術を提供する。 - 特許庁

The register read command may read only a single datum, or may utilize the address bus to address a plurality of data not stored in the DRAM array.例文帳に追加

レジスタ読み出しコマンドは、１つのデータのみを読み出すか、またはアドレスバスを利用して、ＤＲＡＭ配列に記憶されていない複数のデータをアドレス指定し得る。 - 特許庁

The access control circuit 3 receives the decoded result of the operating mode from the command decode circuit 2 and controls the clock asynchronous DRAM according to this result.例文帳に追加

アクセス制御回路３は、コマンドデコード回路２より動作モードの解読結果を受け取り、これに従ってクロック非同期型ＤＲＡＭの制御を行う。 - 特許庁

The gate electrode 7 of the memory cell transistor of the DRAM is formed of an n-type polycrystalline silicon film 7n and a W film 8 laminated thereon.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタを構成するゲート電極７は、ｎ型の多結晶シリコン膜７ｎとその上に積層したＷ膜８で構成されている。 - 特許庁

To provide a refreshing method for a DRAM which can reduce a load imposed on the processor of a microcontroller without increasing a substrate area, and the microcontroller.例文帳に追加

基板面積を大きくすることなく，マイクロコントローラのプロセッサに与える負荷を低減することが可能なＤＲＡＭのリフレッシュ方法及びマイクロコントローラを提供する。 - 特許庁

To provide a driving circuit easily performing control of a nonvolatile DRAM using a nonconductor which can trap electrons or holes, and its driving method.例文帳に追加

本発明は、電子及びホールをトラップ可能な不導体を用いた不揮発性ＤＲＡＭの制御を容易に行う駆動回路及び駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The printer device has a refresh access control means to set refresh access for each bank for a DRAM and a refresh mode selection means to select a refresh access mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭに対してリフレッシュアクセスをバンク毎に設定するリフレッシュアクセス制御手段と、リフレッシュアクセスのモードを選択するリフレッシュモード選択手段とを備える。 - 特許庁

The buffer synchronization controller 800 works to permit/reject access from sub processing units 208 to the shared data in a DRAM 214.例文帳に追加

バッファ同期化コントローラ８００は、ＤＲＡＭ２１４における共有データに対する、サブ処理ユニット２０８のアクセスを許可または拒否するように動作する。 - 特許庁

To provide an information processing device capable of reading data from a synchronous DRAM with high frequency drive clock signals irrespective of variation in operating environment.例文帳に追加

動作環境の変動に係らず、高周波数の駆動クロック信号によって同期式ＤＲＡＭからデータを読み出すことができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

The DRAM controller 2 performs the self-refresh operation after the operation temperature setting value of the SDRAM 1 is changed according to the control instruction of the CPU 3.例文帳に追加

ＤＲＡＭコントローラ２は、ＣＰＵ３の制御の指示に従ってＳＤＲＡＭ１の動作温度の設定値を変更してからセルフリフレッシュの動作を行わせる。 - 特許庁

To form a high-quality non-SOI region on an SOI substrate, and to effectively integrate a logic circuit and a DRAM on the same semiconductor chip.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に高品質の非ＳＯＩ領域を形成することができ、ロジック回路とＤＲＡＭを同一半導体チップに効果的に集積する。 - 特許庁

A structure wherein a gate electrode 9 of a memory cell selecting MIS-FETQs of a DRAM is buried in grooves 7a and 7b cut in a semiconductor substrate 1 is provided.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセル選択用ＭＩＳ・ＦＥＴＱｓのゲート電極９を半導体基板１に掘られた溝７ａ，７ｂ内に埋め込む構造とした。 - 特許庁

A partially non-volatile dynamic random access memory PNDRAM uses a DRAM array formed by plural single transistors 1T cells or two transistors 2T cells.例文帳に追加

部分的に不揮発性のダイナミック・アクセス・メモリ（ＰＮＤＲＡＭ）が、複数の単一トランジスタ（１Ｔ）・セルまたは２トランジスタ（２Ｔ）・セルにより形成されるＤＲＡＭアレイを使用する。 - 特許庁

To provide a DRAM cell capacitor and a manufacturing method thereof, wherein a storage electrode forming process is simplified, and a storage electrode is enlarged in surface area.例文帳に追加

本発明は、ストレージ電極形成工程を単純化させ、ストレージ電極の表面積を増加させるＤＲＡＭセルキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Each active region 40 is formed with two DRAM cells consisting of capacitors formed at both ends thereof and two transistors having a gate electrode 12.例文帳に追加

各活性領域４０には、その両端に形成されたキャパシタと、ゲート電極１２を有する２つのトランジスタとから成る２つのＤＲＡＭセルが形成される。 - 特許庁

An encoder/decoder decodes a reproduced signal supplied through a RF amplifier, and supplies reproduced data to a DRAM 12 through a memory controller.例文帳に追加

エンコーダ／デコーダ１３は、ＲＦアンプ１６を介して供給された再生信号をデコードし、メモリコントローラ１１を介して再生データをＤＲＡＭ１２に供給する。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device concerning this invention is equipped with; a DRAM 2 which contains a first storage area 2A and a second storage area 2B; and a control circuit 1.例文帳に追加

本発明に係る半導体集積回路装置は、第１記憶領域２Ａと第２記憶領域２Ｂを含むＤＲＡＭ２と、制御回路１とを備える。 - 特許庁

A gate oxide film is formed in the DRAM area 101 of a semiconductor substrate 1, and a first gate electrode 31 is formed on the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板１のＤＲＡＭ領域１０１に、ゲート酸化膜を形成し、このゲート絶縁膜の上に第１のゲート電極３１を形成する。 - 特許庁

To obtain a printer having a plurality of laser light sources in which performance is enhanced by accessing the DRAM of a video output circuit at a high rate.例文帳に追加

複数のレーザー光源を持つ印刷装置において、ビデオ出力回路のＤＲＡＭアクセスを高速化し、パフォーマンスを向上させることを目的とする。 - 特許庁