「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory controller 5 converts the number of pixels of a photographed image of a OCD 2, and the image is JPEG-compressed, captured into a DRAM 9, and stored on an external storage medium 11.例文帳に追加

CCD２の撮影画像の画素数をメモリコントローラ５により変換し、さらに、JPEG圧縮し、DRAM９に取り込み、外部記憶媒体１１に記録する。 - 特許庁

A built-in self-test circuit 300 and a built-in redundancy analyzing circuit 400 are respectively provided in a plurality of DRAM cores 100.1-100.n.例文帳に追加

ビルトインセルフテスト回路３００およびビルトイン冗長解析回路４００とは、複数のＤＲＡＭコア１００．１〜１００．ｎに共通に設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a DRAM to operate at high speed with less power consumption and a logic circuit are mounted together on a single chip.例文帳に追加

この発明は、高速で低消費電力のＤＲＡＭとロジック回路を１チップで混載できる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A power-saving circuit 100 disables an input data buffer 102 to a command and an address signal 106 while a DRAM is automatically being refreshed.例文帳に追加

省電力回路１００は、ＤＲＡＭの自動リフレッシュの間にコマンドおよびアドレス信号１０６に対する入力バッファ１０２をディセーブルする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a method of manufacturing the same, for reducing a leakage current of a three dimensionally formed transistor or thyristor for DRAM.例文帳に追加

３次元的に形成したＤＲＡＭ用のトランジスタやサイリスタのリーク電流を低減する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device such as a DRAM, having a capacitor capable of obtaining large capacitance in a restricted occupied area.例文帳に追加

限られた占有面積の中で大きな容量値が得られるキャパシタを有するＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM and a refreshing method performing successively normal access and refreshing in one operation cycle of a SRAM.例文帳に追加

本発明は、ＳＲＡＭの１動作サイクル内に、通常のアクセスとリフレッシュを逐次行うＤＲＡＭ及びリフレッシュ方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing resistance of a gate electrode of a logic device regarding a DRAM/ logic consolidated type semiconductor device.例文帳に追加

ＤＲＡＭ・ロジック混載型の半導体装置に関して、ロジックデバイスのゲート電極を低抵抗化し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

There is formed a transistor for memory in a DRAM region AreaD where no silicide film is formed on a source region 7a and a drain region 7b.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域AreaDには、ソース領域７ａ及びドレイン領域７ｂ上にシリサイド膜が形成されていないメモリ用トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The memory system uses a conventional DRAM memory structure having a pair of first-level sense amplifier, a second-level sense amplifier, and control logic for the sense amplifiers.例文帳に追加

メモリシステムは、１対の第１レベルセンスアンプ、１つの第２レベルセンスアンプ、センスアンプ用の制御ロジックを有する従来のＤＲＡＭメモリ構造を用いる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL METAL-INSULATOR-METAL CAPACITOR FOR DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY(DRAM) AND FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY(FERAM)例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）及び強誘電性ランダムアクセスメモリ（ＦＥＲＡＭ）用の３次元的金属—絶縁体—金属コンデンサを製造する方法 - 特許庁

To provide a dynamic RAM (DRAM) device having a vertical transistor and an internal connection strap (ICS) connecting the vertical transistor to a capacitor.例文帳に追加

縦型トランジスタ及びそのトランジスタをキャパシタに接続する内部接続ストラップ（ＩＣＳ）を有するダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM circuit with which operation speed of writing can be increased even when a write-mask is performed and its control method.例文帳に追加

ライト・マスクを伴なう場合であってもライト・オペレーションの高速化を図ることでができるＤＲＡＭ回路およびその制御方法を提供する - 特許庁

Single data rate mode signals CL1, BL1 are activated, and a double data rate synchronous DRAM integrated circuit device is operated with a single data rate mode.例文帳に追加

シングルデータレートモード信号ＣＬ１、ＢＬ１を活性化してダブルデータレート同期式ＤＲＡＭ集積回路装置をシングルデータレートモードで動作させる。 - 特許庁

To reduce current consumption and a peak current at the time of transferring data in a semiconductor integrated circuit integrating a DRAM and a logic circuit in one chip.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジックとを1チップに集積する半導体集積回路でデータを転送する際の消費電流及びピーク電流を低減する。 - 特許庁

This image processor is provided with a DRAM 5 having a plurality of memory blocks 1, 2, 3 and 4, and the backup of those respective memory blocks is carried out by using a power source for backup.例文帳に追加

複数のメモリブロック１，２，３，４を有するＤＲＡＭ５を備え、個々のメモリブロックに対してバックアップ用電源を用いてバックアップを行う。 - 特許庁

The latter-half 2-data periods are read periods and the output o the DRAM blocks 70-73 and 80-83 is given to an output data conversion section 2.例文帳に追加

後半の２データ期間は読出し期間であって、ＤＲＡＭブロック７０〜７３，８０〜８３の出力を出力データ変換部２に送出する。 - 特許庁

In steps S1 to S3, compressed image data read out from a recording medium are expanded and are stored in the DISPLAY area of a DRAM.例文帳に追加

ステップＳ１乃至Ｓ３において、記録メディアから読み出された圧縮画像データが伸張され、ＤＲＡＭのＤＩＳＰＬＡＹエリアに記憶される。 - 特許庁

To conduct test of DRAM with a less number of input/output pins and simultaneously test a larger number of LSIs.例文帳に追加

より少ない数の入出力ピンでもってＤＲＡＭ部の検査を行い、それによって従来よりも多くの数のＬＳＩを同時に検査すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which meets minimum specifications of an input terminal capacitance corresponding to a reduction in the size of a chip such as a high-speed DRAM.例文帳に追加

高速ＤＲＡＭのようなチップサイズの縮小化に対応した入力端子容量の最小規格を満たす半導体装置を提供する。 - 特許庁

The DRAM 10 is composed of a plurality of memory banks, a memory control part 50 controls reading and writing of image data to each memory.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１０は複数のメモリバンクにより構成されており、メモリ制御部６０は各メモリへの画像データの読み出しと書き込みを制御する。 - 特許庁

An Internet FAX 100 is provided with a CPU 101, a DRAM 104, an image data reading unit 105, an operating unit 109, and a CODEC 110.例文帳に追加

インターネットＦＡＸ１００は、ＣＰＵ１０１と、ＤＲＡＭ１０４と、画像データ読み取り部１０５と、操作部１０９と、ＣＯＤＥＣ１１０とを備える。 - 特許庁

To improve the display quality by preventing flickering in a still image display mode in an active matrix type display device having DRAM as a holding circuit.例文帳に追加

保持回路としてＤＲＡＭを有するアクティブマトリクス型表示装置において、静止画表示モードのフリッカを防止し、表示品質を向上させる。 - 特許庁

A memory device, such as a DRAM cache memory, may be used to cache write data corresponding to particular addresses of a PCM DIMM.例文帳に追加

ＤＲＡＭキャッシュメモリのようなメモリデバイスを用いて、ＰＣＭＤＩＭＭの特定のアドレスに対応する書き込みデータをキャッシュに格納することができる。 - 特許庁

The differential output signals from the sense amplifiers of the DRAM are applied to a unit (5) which converts these output signals to the non-differential current mode signal.例文帳に追加

ＤＲＡＭのセンスアンプからの差出力信号は、これらの出力信号を非差動電流モードの信号に変換するユニット（５）に加えられる。 - 特許庁

To prevent the transistor of a non-selective cell connected to the same word line from turning ON so as to lessen it in power consumption in a DRAM cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭセル内のトランジスタ等において、同一ワード線に接続された非選択セルのトランジスタの導通を防止し、消費電力を低減する。 - 特許庁

To provide a DRAM in which consumption current is reduced in an address comparison circuit for comparing an address signal with a programmed defect address signal.例文帳に追加

アドレス信号とプログラムされた欠陥アドレス信号とを比較するアドレス比較回路における消費電流を低減したＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

A platinum film 79 is formed on a ruthenium film 55 that becomes a lower electrode 51 of the memory cell of a DRAM, and, furthermore, a silicon oxide film 71 is formed.例文帳に追加

ＤＲＡＭのメモリセルの下部電極５１となるルテニウム膜５５上に白金膜７９を形成し、さらにシリコン酸化膜７１を形成する。 - 特許庁

The W amplifier 72A amplifies the data DIAi supplied from the input control part 71 and supplies them to a first DRAM block 80.例文帳に追加

Ｗアンプ７２Ａは、入力制御部７１から供給されたデータＤＩＡｉを増幅して第１のＤＲＡＭブロック８０に供給する。 - 特許庁

To capture write data appropriately into a DRAM device even if a command delay exceeds the domain of a reference clock.例文帳に追加

コマンド遅延が基準クロックのドメインを超えるような場合であっても、ＤＲＡＭデバイス側において適切にライトデータの取り込みを可能とすること。 - 特許庁

One implementation form is a method for dynamically regulating a refresh rate of a dynamic random access memory (DRAM) 102 in a computer system 100.例文帳に追加

一実施形態は、コンピュータシステム（１００）においてダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＤＲＡＭ」）（１０２）のリフレッシュレートを動的に調節する方法である。 - 特許庁

The W amplifier 72B amplifies the data DIBi supplied from the input control part 71 and supplies them to a second DRAM block 90.例文帳に追加

また、Ｗアンプ７２Ｂは、入力制御部７１から供給されたデータＤＩＢｉを増幅して第２のＤＲＡＭブロック９０に供給する。 - 特許庁

To provide a DRAM low in power consumption and low in manufacturing cost without needing an SRAM, and to provide a refresh method.例文帳に追加

本発明の目的は、ＳＲＡＭが不要になるように、低消費電力で、かつ低コストのＤＲＡＭおよびリフレッシュ方法を提供することにある。 - 特許庁

To improve area efficiency of a redundant circuit by sharply reducing the number of all spare elements without reducing relives efficiency of a defective memory cells of a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭの不良メモリセルの救済効率を落とすことなく総スペアエレメント数を激減させ、冗長回路の面積効率を向上させる。 - 特許庁

However, if the reliability of the position counter value P stored in the DRAM 53 is determined to be low, the reference operation position update process is inhibited.例文帳に追加

ただし、ＤＲＡＭ５３に記憶された位置カウンタ値Ｐの信頼性が低い旨判定されるときには、基準操作位置更新処理を禁止する。 - 特許庁

To prevent a memory function from being adversely affected without lowering transverse strength of a semiconductor device with the memory function such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭのようなメモリー機能を有する半導体デバイスの抗折強度を低下させず、かつ、メモリー機能に悪影響を及ぼさないようにする。 - 特許庁

A memory controller disclosed here is connected to the nonvolatile memory (e.g., a NAND flash memory) and a volatile memory (e.g., a DRAM or SDRAM).例文帳に追加

ここに開示されるメモリコントローラは不揮発性メモリ(例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ)および揮発性メモリ(例えば、ＤＲＡＭまたはＳＤＲＡＭ)に連結されている。 - 特許庁

Since the hood part 2 is closed by being covered with the cover 4, the bad odor generated upon extracting contents in a reservoir into the dram can C does not emit outside.例文帳に追加

フード部２にはカバー４が被せられ密閉されているので、貯槽の内容物のドラム缶Ｃに引き抜く際に発生する臭気は外部に拡散しない。 - 特許庁

To realize stable operation by lightening a load for a measuring system at the time of a burn-in test or at the time of a stress test, and reducing a peak current, in a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭにおいて、バーンイン試験時又はストレス試験時での測定系の負荷を軽減し、ピーク電流を低減して、安定した動作を実現する。 - 特許庁

To provide an image processor where DRAM can be refreshed without causing performance deterioration, cost increase or device destruction and where power consumption can be reduced.例文帳に追加

性能の低下、コスト増、装置の破壊を招くことなく良好にリフレッシュを行うことができ、また、低消費電力化を図れる画像処理装置を提供する。 - 特許庁

A CPU 11 reads image data of a start-up image out of an NVRAM 24 and stores them in a DRAM 26, before the power source shifts to the standby state.例文帳に追加

電源の状態が待機状態に移行する前に、ＣＰＵ１１は、起動画像の画像データをＮＶＲＡＭ２４から読み出し、ＤＲＡＭ２６に記憶させる。 - 特許庁

The cache system 10 performs look-ahead operation by first-out of a read address to the DRAM 11, and write-back operation wherein data are written later in a lump.例文帳に追加

キャッシュシステム１０は、ＤＲＡＭ１１に対してリードアドレスの先出しによる先読み動作と、データをまとめて後から書き込むライトバック動作を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same, capable of contriving the miniaturization of a contact hole in a logic section and provided with an e-DRAM at high density.例文帳に追加

ロジック部のコンタクホールの微細化が図れ、より高密度化されたｅ−ＤＲＡＭを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When changing to the ROM, an electrode plate which was a storage node of a capacitor of a DRAM is connected in units of memory cell array, and this is connected to a stationary potential.例文帳に追加

ＲＯＭに変更する際には、ＤＲＡＭのキャパシタのストレージノードであった電極プレートをメモリセルアレイ単位で接続し、これを固定電位に結合する。 - 特許庁

To enable a DRAM to be lessened in memory cell size by reducing the width of a bit line to a minimum processing dimension or below determined by a resolution limit of a photolithography technique.例文帳に追加

ビット線の幅をフォトリソグラフィの解像限界で決まる最小加工寸法以下まで微細化することによって、ＤＲＡＭのメモリセルサイズを縮小する。 - 特許庁