「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To save power consumption by eliminating the need of ensuring an extra area in a SRAM as a area for saving data stored in a DRAM to the SRAM during shifting to a power saving mode, in a semiconductor device provided with the DRAM and the SRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭおよびＳＲＡＭを備える半導体装置において、省電力モード移行時に、ＤＲＡＭに格納されたデータをＳＲＡＭに退避させる領域として、ＳＲＡＭに余分な領域を確保することなく、消費電力を削減する。 - 特許庁

To provide a mobile terminal which can subdivide and refresh a program area of a DRAM, reduce current consumption in a standby state by performing data loading from a flash memory to a DRAM if needed, and extend an available standby period.例文帳に追加

ＤＲＡＭのプログラム領域を細分化してリフレッシュし、必要に応じてフラッシュメモリからＤＲＡＭへのデータロードを行うことにより、待ち受け状態での消費電流を低減し、待ち受け可能時間を延ばすことができる携帯端末を提供する。 - 特許庁

To re-size a captured image into a predetermined size to store it on an area different from the for the captured images on a DRAM (step 22), before moving to step S23 where a threshold is derived after the captured image is pasted on DRAM at a step S21.例文帳に追加

ステップＳ２１で、キャプチャ画像をＤＲＡＭにはりつけた後で、しきい値を導出するステップＳ２３に移行する前に、キャプチャ画像を決まった一定サイズにリサイズし、ＤＲＡＭ上に、キャプチャ画像の領域と別の領域に格納する（ステップＳ２２）。 - 特許庁

To increase operation speed of a synchronous DRAM, etc., and a system including this and to reduce power consumption by improving an output phase synchronous characteristic of a synchronous DRAM and the like having a double data rate mode and provided with a DLL circuit, and reducing its current consumption.例文帳に追加

ダブルデータレートモードを有しＤＬＬ回路を備えるシンクロナスＤＲＡＭ等の出力位相同期特性を改善し、その消費電流を低減して、シンクロナスＤＲＡＭ等及びこれを含むシステムの高速化及び低消費電力化を図る。 - 特許庁

In the DRAM and logic circuit forming region of a semiconductor device on which a DRAM and logic circuit are mixedly mounted, contact holes 8 for diffusion layers 6 and metallic wiring M1 are formed at prescribed positions by depositing interlayer insulating films 7 on the diffusion layers 6.例文帳に追加

ＤＲＡＭとロジック回路とが混載される半導体装置にあって、ＤＲＡＭ及びロジック回路の形成領域において、拡散層６上に層間絶縁膜７を堆積し、所定位置に拡散層６とメタル配線Ｍ１とのコンタクトホール８を形成する。 - 特許庁

Since etching of the interlayer insulating film in the lateral direction is prevented in a boundary between a DRAM memory and a logic unit, it is no longer necessary to provide a margin which takes into consideration this etching, and the area of the DRAM memory can be reduced.例文帳に追加

エッチストッパ部材により、ＤＲＡＭメモリ部とロジック部との境界における層間絶縁膜の横方向のエッチングが阻止されるので、このエッチングを考慮したマージンを設ける必要がなくなり、ＤＲＡＭメモリ部の面積の縮小が可能になる。 - 特許庁

In the case of testing the DRAM etc., after externally inputted writing data or incorporated pattern data are written, data for one row are read and compared with the writing data or externally inputted reference data to determine whether a device passes or fails.例文帳に追加

DRAM等のテストに際して、外部入力した書き込みデータあるいは内蔵したパターンデータを書き込んだ後、１行分のデータを読み出し、書き込みデータあるいは外部入力した参照データと比較することにより良否(Pass/Fail) 判定を行う。 - 特許庁

To improving the reliability and integration of a semiconductor integrated circuit device that has a three-dimensional capacitor such as a DRAM cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭの様な立体状のキャパシタをもつ半導体集積回路装置の高信頼性を高め、更に集積密度を高める。 - 特許庁

To perform a write-in operation of data at high speed and surely in a synchronous DRAM writing data for each selected column.例文帳に追加

選択されたカラムごとにデータを書き込む同期型ＤＲＡＭにおいて、データの書込動作を高速かつ確実に行うことにある。 - 特許庁

The arbitrating circuit 250 monitors the signal AA and resets the signals ME-DRAM and BG-P1 after the address signals are transferred, thereby sending a bus grant signal BG-P2 to a 2nd bus master 220 having sent a 2nd bus request BR-P2 out.例文帳に追加

スレーブデバイスがデータアクノリッジ信号をアサートしている期間内に、バスマスタとの間でデータが転送される。 - 特許庁

The image data stored in the DRAM is second image data which is generated based on first image data and has added data.例文帳に追加

ＤＲＡＭに格納された画像データは、第１の画像データを基に形成され、付加されたデータを有する第２の画像データである。 - 特許庁

To prevent resistance of an embedded strap of a DRAM cell from changing by the overlapping manner of a deep trench and an active region.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルの埋め込みストラップの抵抗が、深いトレンチと、能動領域との重なりかたにより、変動することを解決する。 - 特許庁

A memory device changes a shape of a logic address map of a DRAM core in accordance with a page length specifying signal outputted from a mode register.例文帳に追加

メモリデバイスは、モードレジスタから出力されるページ長指定信号に応じて、ＤＲＡＭコアの論理アドレスマップ形状を変更する。 - 特許庁

A DRAM element includes a plurality of memory blocks composed of memory blocks 200a located at the edge and memory blocks located at the center side.例文帳に追加

複数個のメモリブロックを有し、エッジに位置したメモリブロックに隣接した中央側メモリブロックを含むＤＲＡＭ素子が提供される。 - 特許庁

When the difference is less than the threshold value, the average false black pixel data of the data level of the minimum is used as noise data and is stored in a DRAM 27.例文帳に追加

差が閾値未満の場合、最小値のデータレベルの平均擬似黒色画素データをノイズデータとしてＤＲＡＭ２７に格納する。 - 特許庁

To separate a DRAM part into a texture buffer for storing texture data and a frame buffer for storing pixel data.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭ部を、テクスチャデータを記憶するテクスチャバッファとピクセルデータを記憶するフレームバッファとに分離したことを特徴とする。 - 特許庁

This memory device is provided with at least two DRAM memory modules, at least one external ECC module and a memory controller.例文帳に追加

メモリーデバイスは、少なくとも２つのＤＲＡＭメモリーモジュールと、少なくとも１つの外部ＥＣＣモジュールと、メモリーコントローラとを備えている。 - 特許庁

To achieve a high degree of integration in forming a trenched DRAM memory cell by facilitating the connection between a vertical transistor and a trench capacitor.例文帳に追加

トレンチ型ＤＲＡＭメモリセルの形成において、垂直型トラジスタとトレンチ型キャパシタの接続を容易化し、高集積化する。 - 特許庁

To provide a driving circuit for a nonvolatile DRAM which can be driven by low internal voltage and to provide a driving method therefor.例文帳に追加

低い内部電圧で駆動させることができる不揮発性ＤＲＡＭの駆動回路及びその駆動方法を提供すること。 - 特許庁

The number determination part 7 determines the number of storage object data to be stored in the DRAM 4 based on the holding capability value.例文帳に追加

個数決定部７は、保持能力値に基づいて、記憶対象のデータが、ＤＲＡＭ４に記憶されるべき個数を決定する。 - 特許庁

An A/D converter converts a video signal from a CCD 1 into a digital signal, and a memory controller 4 stores the digital signal to a DRAM 3.例文帳に追加

ＣＣＤ１からの映像信号をＡ／Ｄ変換器２によりデジタル化し、メモリコントローラ４によりＤＲＡＭ３に格納する。 - 特許庁

The navigation system 1 stores link information of the freeway and travel frequency on each freeway in a DRAM 12 in association with each other.例文帳に追加

ナビゲーション装置１は、ＤＲＡＭ１２に、高速道路のリンク情報及び各高速道路の走行回数を対応付けて記憶する。 - 特許庁

To enable a feeder wiring connected to the electrode of a DRAM (dynamic random access memory) data storage capacitor to be improved in connection reliability.例文帳に追加

ＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子の電極に接続される給電用配線の接続信頼性を向上させる。 - 特許庁

To suppress degradation of a capacitance insulating film of a DRAM capacitor by reducing the stress that occurs in an upper electrode.例文帳に追加

ＤＲＡＭキャパシタにおいて、上部電極内に発生する応力を低減することにより、容量絶縁膜の劣化を抑制する。 - 特許庁

To provide a new microcell redundancy system for a wide band width embedded DRAM having a SRAM cache interface.例文帳に追加

ＳＲＡＭキャッシュ・インターフェースを有する高帯域幅埋込みＤＲＡＭの新しいマイクロセル冗長性方式を提供すること。 - 特許庁

To provide a large-capacity DRAM reduced in data holding current and capable of stably supplying an operation power supply voltage.例文帳に追加

データ保持電流が低減された安定に動作電源電圧を供給することのできる大容量ＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

In the DRAM 12, when data of one cluster (corresponds to reproducing time of approximately two seconds) are stored, the data are read out and reproduced.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１２では、１クラスタ分（約２秒の再生時間に対応する）のデータが記憶されたとき、これを読み出し、再生する。 - 特許庁

To form a silicide layer in a logic circuit region, without causing mass residue containing a metal in a DRAM circuit region.例文帳に追加

金属を含む塊状残渣をＤＲＡＭ回路領域に残存させることなく、ロジック回路領域においてシリサイド層を形成する。 - 特許庁

To provide a method for improving write time for a dynamic random access memory(DRAM) having destructive read architecture.例文帳に追加

破壊読取りアーキテクチャを有するダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のための書込み時間を改善する方法を提供すること。 - 特許庁

A DRAM and an EPROM integrated into a PNDRAM can be always and easily reconstituted during manufacturing or in a market.例文帳に追加

ＰＮＤＲＡＭに統合されるＤＲＡＭ及びＥＰＲＯＭは、製造中または市場において、いつでも容易に再構成され得る。 - 特許庁

The dual port DRAM cell array 23 is shared and can be simultaneously accessed by the CPU 14 and the DSP 16.例文帳に追加

Ｄｕａｌ−Ｐｏｒｔ・ＤＲＡＭセルアレイ２３は、ＣＰＵ１４及びＤＳＰ１６に共有されて同時にアクセス可能である。 - 特許庁

When the memory test of a DRAM macro 2 is performed, a macro selection signal MSL is input into a decode circuit DC2 for decoding.例文帳に追加

ＤＲＡＭマクロ２に対してメモリテストを行う場合、マクロ選択信号ＭＳＬをデコード回路ＤＣ２に入力してデコードする。 - 特許庁

A plurality of the gate electrodes 3 are formed on a semiconductor board 1 having a DRAM area 101 and a logic area 102.例文帳に追加

ＤＲＡＭ領域１０１およびロジック領域１０２を有する半導体基板１上に複数のゲート電極３を形成する。 - 特許庁

The region averaging circuit 31 averages all the pseudo black pixel data and all the black pixel data stored in the DRAM 27.例文帳に追加

領域平均化回路３１はＤＲＡＭ２７に格納された全擬似黒色画素データと全黒色画素データを平均化する。 - 特許庁

To provide a DRAM in which power consumption of refreshing is reduced to degree of a data retention mode of a low/medium speed SRAM.例文帳に追加

本発明は、リフレッシュの低消費電力化を、中低速SRAMのデーターリテンションモード並に下げたＤＲＡＭを提供することにある。 - 特許庁

To provide a trench capacitor, in which junction leakage is reduced to improve data holding characteristics of a DRAM, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

接合リークを低減してＤＲＡＭのデータ保持特性を改善するトレンチキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The flash memory 143 is read, data are decoded and written in the DRAM 141, and an imaging signal is displayed (first reproducing mode).例文帳に追加

フラッシュメモリ１４３を読出し、復号してＤＲＡＭ１４１に書込むと共に、撮像信号を表示する（第１の再生モード）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which suppresses cell leakage in a DRAM cell and is also suitable for microminiaturization.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルのセルリークを抑制し、微細化にも好適な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device in which a plurality of DRAM blocks is provided without increasing an areal overhead.例文帳に追加

複数のＤＲＡＭブロックが、面積オーバーヘッドの増加を招くことなく、設けられた半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

This method is a method for prepairing dynamic random access memory(DRAM) cells for write operation having a condition previously set.例文帳に追加

事前設定された状態を有する書込み動作のためにダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セルを準備する方法が開示される。 - 特許庁

In the tag mode, the data memory of an SRAM 2 as a secondary cache memory is used as the tag memory of a DRAM 4 as large capacity memory.例文帳に追加

タグ・モードでは、二次キャッシュメモリとしてのＳＲＡＭ２のデータメモリを大容量メモリであるＤＲＡＭ４のタグメモリとして利用する。 - 特許庁

To provide a detection amplifier for DRAM connected in series between two terminals in which power source voltage is applied.例文帳に追加

本発明は電源電圧を印加する２つの端子間に直列に接続されたＤＲＡＭ用の検出増幅器を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM of an SRAM type interface from which a timing rule to addresses is removed.例文帳に追加

本発明は、アドレスに対するタイミング規定を取り払ったＳＲＡＭ型インターフェースのＤＲＡＭを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, equipped with a DRAM transistor whose junction leak is low and whose drive force is high.例文帳に追加

接合リークの小さい，かつ駆動力の高いＤＲＡＭのメモリセルトランジスタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, having a small area which functions as an e-DRAM which does not have void regions, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ボイド領域のないｅ−ＤＲＡＭとして機能する小面積の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁