「dRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, even when a power source is turned off, data stored in the mode register can be kept, and the effect for keeping compatibility with DRAM is provided.例文帳に追加

従って、本発明は電源のオフ時にも、モードレジスタに格納されたデータを維持することができ、ディラムとの互換性を維持することができるようにする効果を提供する。 - 特許庁

To realize a reduction in number of times of refreshing in both a self-refresh mode and a normal operation mode with a small-scale circuit in a DRAM/logic hybrid LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭ／ロジック混載ＬＳＩにおいて、セルフ・リフレッシュ・モード及び通常動作モードの両モードにおけるリフレッシュの回数の低減を小規模な回路で実現できるようにする。 - 特許庁

Therefore, the dielectric film of a DRAM capacitor formed on the storage electrode 7 can be easily set uniform in thickness, and the leakage current of the capacitor can be reduced.例文帳に追加

従って、蓄積電極７上に形成される、ＤＲＡＭキャパシタの誘電体膜の膜厚を均一にし易くなり、キャパシタのリーク電流の低減が可能となる。 - 特許庁

This memory control device 37 imposed between a plurality of masters M1-Mn and a DRAM (Dynamic Random Access Memory) includes a memory sequence control circuit 64, and a latency improvement circuit 67 or the like.例文帳に追加

複数のマスターＭ１〜ＭｎとＤＲＡＭとの間に介在するメモリーコントローラー３７は、メモリーシーケンス制御回路６４とレイテンシー改善回路６７等を備える。 - 特許庁

On the basis of the result of measuring the write speed of a mounted USB memory 411, a storage buffer area 504 in a suitable size is secured within a DRAM 402.例文帳に追加

装着されたＵＳＢメモリ４１１の書き込み速度を計測した結果に基づいて、適切なサイズの蓄積用バッファ領域５０４をＤＲＡＭ４０２中に確保する。 - 特許庁

An information processing device 1 is equipped with: a multi-core CPU 4 having cores 2, 3 with cache memories 7, 8; and a DRAM 6 to which the multi-core CPU 4 is connected.例文帳に追加

情報処理装置１は、キャッシュメモリ７，８を有するコア２，３が内蔵されたマルチコアＣＰＵ４と、マルチコアＣＰＵ４と接続されたＤＲＡＭ６とを備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory in which a DRAM itself has plural ports, plural addresses can be accessed simultaneously, and enlarging of wafer area can be evaded.例文帳に追加

ＤＲＡＭ自身が複数のポートを有し、複数のアドレスに対し同時にアクセスをすることが可能であり、ウェハの面積の拡大を回避できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Character strings and line drawings which are listed on a recording board 20 are read by a scanner 30 by an instruction from an operation part 40, and are stored in a DRAM as bit map data.例文帳に追加

記録ボード２０に記入された文字列や線画は、操作部４０からの指示により、スキャナ３０によって読み取られ、ビットマップデータとしてＤＲＡＭ７０に格納される。 - 特許庁

When the task state is restored, task information is allocated to the memory space of a DRAM according to the backup data after system resources are determined by an OS.例文帳に追加

上記タスク状態を復元するにあたって、ＯＳによるシステムリソースの決定後、バックアップデータに基づいて、ＤＲＡＭのメモリ空間に対するタスク情報の合せ込みを行なう。 - 特許庁

To provide an interface device connected between a CPU and an SDRAM and capable of quickly reading out data from the SDRAM by control similar to that of the DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭと同様な制御により、高速にＳＤＲＡＭからデータを読み出すことのできるＣＰＵとＳＤＲＡＭとの間のインターフェース装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The FeRAM is a memory using a polarization action of a ferroelectric substance, operates in the same manner as a DRAM, and holds a recorded data even when power is turned off.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭは、強誘電体の分極作用を利用したメモリであり、通常は、ＤＲＡＭと同様に動作し、電源がオフになっても記録されたデータは保持される。 - 特許庁

To provide a drilling method for a semiconductor wafer which is applied in the manufacture of chips for various applications such as DRAM and MPU and can form deep holes (through-hole and retaining hole) with high accuracy.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＭＰＵなど各用途のチップを製造する際に適用する半導体ウェハーの穴あけ加工方法において、深い穴（貫通孔、止め穴）を精度よくあける。 - 特許庁

A gate electrode having gate structures 16a, 16b and sidewall spacers 22a on a silicon wafer 10 in a DRAM forming region and a logic forming region.例文帳に追加

ＤＲＡＭ形成領域とロジック形成領域とにおけるシリコン基板１０の上に、ゲート構造１６ａ，１６ｂとサイドウォールスペーサ２２ａ，…を有するゲート電極が形成されている。 - 特許庁

A memory control circuit 100 having a relief determination circuit (including a fuse circuit) 15 for relieving from a defect in a memory chip (DRAM) 20 sets at a logic chip side 10.例文帳に追加

メモリ（ＤＲＡＭ）チップ２０の欠陥救済のための救済判定回路（ヒューズ回路を含む）１５を有するメモリ制御回路１００を、ロジックチップ１０側に設ける。 - 特許庁

To surely form a fine DRAM concerning a production method for a semiconductor device having a contact hole to be formed in the manner of self-matching.例文帳に追加

本発明は自己整合的に形成されるコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法に関し、微細なＤＲＡＭを確実に形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a dielectric film which can secure crystallinity sufficient for obtaining a high dielectric constant even when the dielectric film is thinned up to film thickness allowed to be applied to a capacitor of a DRAM cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルのキャパシタに適用できる膜厚まで薄膜化しても、高い誘電率を得るのに十分な結晶性を確保する誘電体膜を提供する。 - 特許庁

A voltage sampling unit 111 measures a voltage supplied to an image processor connected to the voltage recording device 1 in predetermined cycles and writes a voltage value to a DRAM 102.例文帳に追加

電圧サンプリング部１１１は、電圧記録装置１と接続された画像処理装置に供給される電圧を所定の周期で測定し、ＤＲＡＭ１０２に書き込む。 - 特許庁

To reduce current consumption at a low temperature by changing a self-refresh cycle of DRAM, depending on the temperature dependency of the pause characteristic.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭのセルフリフレッシュ周期をポーズ特性の温度依存性に応じて変化させることで、低温時における消費電流を削減することを特徴とする。 - 特許庁

A switch processor 121 comprises: an SRAM/CAM 122 which stores registration data including routing information for packet transmission; and a DRAM 123 which stores packet data.例文帳に追加

スイッチプロセッサ１２１内には、パケット転送用の経路情報を含む登録データ記憶するＳＲＡＭ／ＣＡＭ１２２と、パケットデータを記憶するＤＲＡＭ１２３とが設けられる。 - 特許庁

Voltage coupling/decoupling devices 134 and 144 are provided within DRAM devices for improving the bias sensing of sense amplifiers and thus the refresh performance.例文帳に追加

電圧の結合／減結合デバイス１３４，１４４が、ＤＲＡＭデバイス内に提供されることにより、センス増幅器のバイアスセンシングを改良し、よって、リフレッシュ性能を改良する。 - 特許庁

To provide a DRAM package having a layout in which a DQ wiring is sandwiched by a VDDQ wiring and a VSSQ wiring, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

ＤＱ配線をＶＤＤＱ配線及びＶＳＳＱ配線で挟んでなるレイアウトを有するＤＲＡＭパッケージ及びそれを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

When the sense amplifier cache function of DRAM macro is used as a secondary cache memory, necessity of conducting nondistructive writing is not required because data control is conducted in terms of a word line unit.例文帳に追加

ＤＲＡＭマクロのセンスアンプキャッシュ機能を２次キャッシュメモリとして用いる場合、データの管理はワード線単位で行われるから、非破壊書き込みを行う必然性はない。 - 特許庁

All of a DRAM 11, a cache memory 12, a pixel processing unit 13, a comparison unit 14 and a serial access memory 15 are formed on one semiconductor board to form one chip.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１１、キャッシュメモリ１２、画素処理ユニット１３、比較ユニット１４およびシリアルアクセスメモリ１５をすべて１枚の半導体基板上に形成してワンチップ化する。 - 特許庁

The 2nd SDRAM is in a standby state while setting row and column addresses to the 2nd synchronous DRAM before data are transferred and provides an output of a ready signal.例文帳に追加

第２のＳＤＲＡＭは、データが転送されてくる前に当該第２のシンクロナスＤＲＡＭの行アドレスと列アドレスを設定した状態で待機し、レディ信号を出力する。 - 特許庁

To provide a device and method for measuring perimeter of a mold dram capable of improving measuring frequency and precision without elongation of working hours for molding a raw tire.例文帳に追加

生タイヤの成型作業時間の延伸を招くことなく、測定頻度及び測定精度を高めることができる、成型ドラムの周長測定装置および方法を提案する。 - 特許庁

The network apparatus 120 receiving the authentication notice signal rewrites contents of an internal DRAM so that the second authentication information is equal to the first authentication information for the next authentication processing.例文帳に追加

認証通知信号を受信したネットワーク機器１２０は、第２認証情報が次回認証処理の第１認証情報になるように、内部ＤＲＡＭを書き換える。 - 特許庁

A MISFET-QM constituting a DRAM cell together with a trench capacitor C, and a MISFET-QS constituting a logic circuit are formed on the second silicon substrate 2.例文帳に追加

第２のシリコン基板２には、トレンチキャパシタＣと共にＤＲＡＭセルを構成するＭＩＳＦＥＴ−ＱＭと、ロジック回路を構成するＭＩＳＦＥＴ−ＱＳが形成される。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing a DRAM, which is high in resistance to fatigues in a ferroelectric capacitor structure and where a ferroelectric(FE) film is kept free from crackings caused by thermal treatment in a manufacturing process.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ構造における疲労に強く且つ製造時の熱処理に伴う強誘電体（ＦＥ）膜のクラツクのないＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when the DRAM (1)9 is set to a power saving mode, the program information can be accessed, and a time to be spent on the restoration of a normal mode from the power saving mode can be shortened.例文帳に追加

ＤＲＡＭ（１）９を節電モードにしてもプログラム情報にアクセス可能であり、また節電モードから通常モードへの復旧に要する時間が短縮できる。 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random-access memory) of a non- independence bank system in which occurrence probability of operation restriction is reduced, high speed operation can be performed, and system performance is improved.例文帳に追加

動作制約の発生確率を低減して、高速動作を可能にすると共に、システムパフォマンス向上を図った非独立バンク方式のＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the efficiency of memory access deteriorates by a bit width conversion period of data generated when an internal data transfer width is narrower than a data bus width of a DRAM.例文帳に追加

内部のデータ転送バス幅がＤＲＡＭのデータバス幅より小さい場合に生じるデータのビット幅変換期間によるメモリアクセスの効率の低下を解決する。 - 特許庁

An operation display part 48 accepts setting data for emphasizing the part in which the output image and the register mark are overlapped, the part being extracted by the DRAM control IC 56.例文帳に追加

操作表示部４８は、ＤＲＡＭ制御ＩＣ５６によって抽出された出力画像とトンボマークとが重なる部分を強調するための設定データを受け付ける。 - 特許庁

Then, the picture of the first frame stored in the incorporated memory of a DRAM, etc., is read during the time T3 and the picture of the first frame is transmitted through a modem card during a time T4.例文帳に追加

そして、時間Ｔ３でＤＲＡＭなどの内蔵メモリに格納された１コマ目の画像を読出し、時間Ｔ４でモデムカードを介して１コマ目の画像を送信する。 - 特許庁

In each DRAM array, memory cells stored with data to be read out to the data input/output terminals in the same cycle are arranged separately from one another.例文帳に追加

ここで、各ＤＲＡＭアレイ内で、同一サイクル内でデータ入出力用外部端子に読み出されるデータを格納するメモリセルは互いに離間するように配置される。 - 特許庁

The FAT information written to the SRAM 7 is then forwarded to a DRAM 6, and a data reading part 123 reads necessary information according to the FAT information.例文帳に追加

ＳＲＡＭ７に書き込まれたＦＡＴ情報は、その後ＤＲＡＭ６に転送され、データ読込部１２３がこのＦＡＴ情報に従って必要とするデータを読み込む。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of expecting a long life by using a DRAM whose cycling capability is not limited, and protecting data even when a power source is disconnected.例文帳に追加

書き換え回数に制限のないＤＲＡＭを用いることにより長寿命を期待でき、電源断時でもデータの保護が可能な半導体記憶装置の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of DRAM mixed loading which can improve the performance of a transistor for a memory by preventing the resistance of a diffused resistor from being raised, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

拡散抵抗の高抵抗化を防止し、メモリ用トランジスタの性能向上が図れるＤＲＡＭ混載の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a DRAM cell which eliminates critical photolithorgraphic fabrication steps by merging stacked capacitor construction with electrical contacts, and to provide a method of fabrication thereof.例文帳に追加

スタック型キャパシタ構成と電気コンタクトを合体させることによって、クリティカルなフォトリソグラフィ製作ステップが不要になったＤＲＡＭセルおよび製作方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an information processor, capable of reading data out of an asynchronous DRAM corresponding to the drive clock signal of a high frequency in spite of fluctuations in the operating environment.例文帳に追加

動作環境の変動に係らず、高周波数の駆動クロック信号によって同期式ＤＲＡＭからデータを読み出すことができる情報処理装置を提供する。 - 特許庁

In a DRAM 1, a selector 34 selects data of one bit out of data of four bits read out from a memory section 33, and the data DO is given to a data output buffer 41.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１において、セレクタ３４は、メモリ部３３から読出された４ビットのデータのうちの１ビットのデータを選択し、そのデータＤＯをデータ出力バッファ４１に与える。 - 特許庁

Therefore, single chip design characteristic of both of a dynamic random access memory DRAM and an electrically programmable read only memory EPROM can be obtained.例文帳に追加

これにより、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）、及び電気的にプログラマブルな読出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）の両方を特徴とする単一チップ設計がもたらされる。 - 特許庁

A silicide is formed at least at a DRAM part, the entire surface of a source/drain region 10 of the transistor of a logic part, and the surface of gate 6 simultaneously, in the same process.例文帳に追加

少なくともＤＲＡＭ部及びロジック部のトランジスタのソース・ドレイン領域（１０）の全面及びゲート（６）表面に同一工程で同時にシリサイドを形成する。 - 特許庁

To improve the capacity of a network processor for moving data to a dynamic random access memory(DRAM) chip to be used for a computer system or moving data from the chip.例文帳に追加

コンピュータ・システムで使用されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）チップへデータへ移動し、また該チップからデータを移動するためのネットワーク・プロセッサの能力をいくつかの点で高める。 - 特許庁

To provide a DRAM which is provided with an auto-pre-charge function simulating a SRAM and which can read out data with a page mode or a burst mode.例文帳に追加

本発明は、ＳＲＡＭを模擬するオートプリチャージ機能を備え、ページモード及びバーストモードでデータを読み出すことが可能なＤＲＡＭを提供することを目的とする。 - 特許庁

The FeRAM is a memory which utilizes the polarizing operation of ferrodielectric and operates similarly to a DRAM and even hen a power source is turned off, recorded data are held.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭは、強誘電体の分極作用を利用したメモリであり、通常は、ＤＲＡＭと同様に動作し、電源がオフになっても記録されたデータは保持される。 - 特許庁