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dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
To provide a method of stably forming a low-dielectric constant amorphous silica-based coating having a small relative dielectric constant of not more than 3.0 and coating strength of Young's elasticity modulus of not less than 3.0 GPa on a substrate.例文帳に追加
比誘電率が3.0以下と小さく、しかもヤング弾性率が3.0 GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。 - 特許庁
To provide a dielectric thin-film capacitor manufacturing method with which a dielectric thin-film capacitor can be manufactured through simple manufacturing steps, without the risk of a protective layer covering a capacitor portion cracking.例文帳に追加
キャパシタ部分を覆う保護層にクラックが生ずるおそれのない誘電体薄膜キャパシタを簡便な製造工程で製造することができる誘電体薄膜キャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁
The method includes depositing a first or base dielectric layer 102 and a second or outer dielectric layer 104 on a conductive surface that forms a portion of a high velocity flow path.例文帳に追加
この方法は、第1の、またはベース絶縁層102および第2の、または外側絶縁層104を、高速流路の一部分を形成する導電性表面上に堆積させることを含む。 - 特許庁
A second dielectric layer 4 of titanium-containing ferroelectric film is formed on the other surface of the base 2 through a hydrothermal synthesis method, and a second electrode layer 6 is formed on the second dielectric layer 4.例文帳に追加
ベース2の他方の面上に水熱合成法によりチタン含有強誘電体膜からなる第2の誘電層4を形成し、第2の誘電層4の上に第2の電極層6を形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a dielectric element which can sufficiently reduce leak current density of a dielectric element by using a material having a low oxidation temperature as an upper electrode.例文帳に追加
酸化温度が低い材料を上部電極として使用し、なおかつ誘電体素子のリーク電流密度を十分に低減することの可能な誘電体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a capacitor, its manufacturing method, a filter using it and a dielectric thin film using it for improving the adhesiveness of a dielectric layer and a lower electrode while increasing an electrostatic capacity.例文帳に追加
静電容量の増大を図りつつ、誘電体層と下部電極との密着性の向上が図られたキャパシタ及びその製法、それを用いたフィルタ、それに用いる誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film capacitor provided with a dielectric layer made of dielectric substance with a high permittivity that is crystallized on a substrate through infrared light annealing, a multilayer mounting board, and its manufacturing method.例文帳に追加
基板上に赤外光アニーリングにより結晶化された、高誘電率の誘電体物質からなる誘電体層を備えた薄膜コンデンサ、多層実装基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a dielectric thin film having high permittivity and low in leakage current, in manufacturing a dielectric thin film having ABO_x type perovskite crystal structure.例文帳に追加
ABO_X型ペロブスカイト結晶構造をもつ誘電体薄膜を製造するにあたって、誘電率が高くかつリーク電流の少ない誘電体薄膜が得られる製造方法を提供すること。 - 特許庁
To uniformalize discharge voltages between electrodes of an AC type plasma display panel, by planarizing a dielectric layer formed in a vapor phase film-forming method and planarizing a protective film formed on the dielectric layer.例文帳に追加
AC型のプラズマディスプレイパネルにおいて、気相成膜法で形成される誘電体層を平坦化し、誘電体層上に形成する保護膜を平坦にして、電極間の放電電圧の均一化を図る。 - 特許庁
In the process (a), a deposition layer 6 to become the dielectric layer is formed on the surface of the substrate 1 by using a powder spray coating method or a vapor deposition method.例文帳に追加
工程(a)では、粉末噴射コーティング法又は蒸着法を用いて、基材1の表面上に、誘電体層となる成膜層6を形成する。 - 特許庁
The smoothing heat treatment method exhibits the smoothing effect on the surface even to a dielectric filler-containing polyimide resin film formed by an electrodeposition coating method.例文帳に追加
この平滑化熱処理方法は、電着塗装法で形成した誘電体フィラーを含有したポリイミド樹脂被膜に対しても、表面の平滑化効果を発揮する。 - 特許庁
To provide a method for forming the nanostructure of a uniform and controlled-size semiconductor material on a dielectric material by using CVD method.例文帳に追加
CVDによって誘電体材料上に均一でかつ制御されたサイズの半導体材料のナノ構造を形成する方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a printed circuit board incorporating a capacitor having a dielectric thin film using a laser lift-off and a capacitor manufactured by this method.例文帳に追加
レーザリフトオフを用いた誘電体薄膜を有するキャパシタが内蔵された印刷回路基板の製造方法及びこれから製造されたキャパシタを提供する。 - 特許庁
STRIP LINE RESONATOR AND ITS FREQUENCY ADJUSTMENT METHOD, AND LAMINATED DIELECTRIC FILTER USING STRIP LINE RESONATOR AND ITS FREQUENCY ADJUSTMENT METHOD例文帳に追加
ストリップライン共振器及びその周波数調整方法、並びにそのストリップライン共振器を用いた積層型誘電体フィルタ及びその周波数調整方法 - 特許庁
PRODUCTION METHOD FOR COMPOSITE OXIDE FILM, COMPOSITE BODY OBTAINED BY THE PRODUCTION METHOD, DIELECTRIC MATERIAL AND PIEZOELECTRIC MATERIAL COMPRISING THE COMPOSITE MATERIAL, CAPACITOR, PIEZOELECTRIC ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加
複合酸化物膜の製造方法、その製造方法で得られる複合体、該複合体を含む誘電材料、圧電材料、コンデンサ、圧電素子並びに電子機器 - 特許庁
By a manufacturing method for a metal-insulator-metal(MIM) capacitor, a copper barrier/copper seed layer 4 is deposited on a base substrate, i.e., an interlayer dielectric layer ILD, a dielectric 8 is formed on this copper barrier/copper seed layer 4, and a metal layer 9 is formed on the dielectric 8.例文帳に追加
金属−絶縁物−金属(MIM)キャパシタの製造方法で、支持基板たとえば層間誘電体層ILD上に銅バリア/銅シード層4を堆積し、この銅バリア/銅シード層4上に誘電体8を形成し、この誘電体8上に金属層9を形成する。 - 特許庁
The method for producing fried food comprises measuring dielectric characteristics of a food material 3 with a dielectric characteristic measuring device 15 to determine the timing to stop heating the food materials 3 with a computer 16 with reference to the dielectric characteristics, in the apparatus for producing fried food 1 where the food material 3 is cooked in oil 17.例文帳に追加
油17中で食材3を加熱する加熱する揚げ物製造装置1で、加熱中に、食材3の誘電特性を誘電特性測定装置15によって測定し、この誘電特性を指標として、コンピュータ16で食材3に対する加熱の停止を決定する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method with high reliability of manufacturing a nonradiative dielectric (NRD) guide with high performance such as a small electromagnetic wave propagation loss by enabling a dielectric line to be placed at a prescribed position with high accuracy and stably and strongly fixing the dielectric line for a long time.例文帳に追加
誘電体線路を所定位置に高精度に配置でき、また誘電体線路を長期にわたって安定的かつ強固に固定できる信頼性の高い製造方法であり、電磁波の伝搬損失が小さい高性能なNRDガイドを作製できる製造方法を提供すること。 - 特許庁
This manufacturing method includes a process of forming a dielectric film 5 including any of titanium, strontium, and barium as a constituent element on a substrate 1, a process of exposing the dielectric film 5 to the plasma of gas for etching including coloring, and a process of processing the plasma-exposed surface of the dielectric film 5 with oxidizing gas.例文帳に追加
基板1上にチタン、ストロンチウム及びバリウムのいずれかを構成元素として含む誘電体膜5を形成する工程、この誘電体膜5を塩素を含むエッチング用ガスのプラズマに曝す工程、誘電体膜5のプラズマ暴露面を酸化性ガスで処理する工程、を備える。 - 特許庁
To provide an insulated ultrafine powder capable of lessening a tangent δ while a dielectric constant of a high dielectric constant resin composite material is kept at a high level, to provide a manufacturing method thereof, and to provide a high dielectric constant resin composite material using the insulated ultrafine powder.例文帳に追加
高誘電率樹脂複合材料の誘電率を高い状態に維持しながらtanδを小さくすることができる絶縁化超微粉末およびその製造方法、並びに当該絶縁化超微粉末を用いた高誘電率樹脂複合材料を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device manufacturing method which causes no high dielectric constant gate insulation film/silicon interface near the high dielectric constant gate insulation film or in the gate edge in a semiconductor device which uses silicide for a gate electrode and the high dielectric constant gate insulation film for a gate insulation film.例文帳に追加
ゲート電極にシリサイドを使用し、ゲート絶縁膜に高誘電率ゲート絶縁膜を使用する半導体装置において、高誘電率ゲート絶縁膜近傍やゲートエッジに高誘電率ゲート絶縁膜/シリコン界面が生じない半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a nonvolatile memory element, which can prevent the dielectric constant of the whole dielectric film from decreasing and charging capacity from decreasing by deterring a lower floating gate from oxidizing although a metal-based oxide film is used as a dielectric film.例文帳に追加
金属系酸化膜を誘電膜として使用しながらも酸素拡散による下部フローティングゲートの酸化を抑制することで、全体誘電体膜の誘電率の減少と充電容量の減少を防止することが可能な不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of forming a dielectric film of an MIM capacitor includes a step for forming a passivation film 41a on a dielectric film 33a of the MIM capacitor, and a step in which the dielectric film 33a of the MIM capacitor is separated from an upper photoresist pattern not to directly contact it.例文帳に追加
MIMキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、MIMキャパシタの誘電膜33a上にパッシベーション膜41aを形成する段階と、MIMキャパシタの誘電膜33aが上部フォトレジストパターンと直接接触しないように分離させる段階と、を含む。 - 特許庁
To provide a dielectric recoding medium which is made of an extremely thin dielectric material suitable for high-density recording and having polarization direction uniformly perpendicular to a recording surface, and is easy to trace, and a method and an apparatus for manufacturing the dielectric recording medium.例文帳に追加
高密度記録に適した極めて薄く、且つ分極方向が記録面に対して一様に垂直方向である誘電体材料からなり、且つトレースが容易な誘電体記録媒体とその誘電体記録媒体の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the dielectric deposition 10 comprises processes of: forming a lower electrode 4 on a substrate; forming the dielectric layer 5 formed of a ferroelectric material or a piezoelectric material on the lower electrode 4; and forming a top electrode 6 on the dielectric layer 5.例文帳に追加
基体上に下部電極4を形成する工程と、下部電極4の上に、強誘電体または圧電体からなる誘電体層5を形成する工程と、誘電体層5の上に上部電極6を形成する工程と、を含む誘電体堆積体10の製造方法である。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a coating liquid for forming a dielectric film, wherein the coating liquid with high preservative characteristics and high stability is suitable for a dielectric layer used for an inorganic EL element, for obtaining the dielectric layer having superior flatness and a fine surface with fewer air gaps.例文帳に追加
保存性の良好な安定性の高い塗布液であって、無機EL素子に用いる誘電体層等に好適な、平坦性に優れ、空隙の少ない緻密な表面を有する誘電体層を得ることができる誘電体膜形成用塗布液の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of measuring a dielectric constant by suppressing deterioration of a non-load Q value in particular, even when thickness is 50 μm or less by measuring the dielectric constant of a dielectric thin layer arranging a conductor on upper and lower faces at high precision and to provide a both-end open type half wavelength resonator.例文帳に追加
上下面に導体が配置された誘電体薄層の誘電定数を高い精度で測定でき、特に厚さが50μm以下となっても無負荷Q値の低下を抑制する誘電定数測定方法および両端開放形半波長共振器を提供することを目的とする。 - 特許庁
The antenna device 1 prepares a plurality of resonance points by arranging a first dielectric layer 3 and a second dielectric layer 4 whose relative dielectric constants are respectively different so as to interpose both sides of the antenna conductor 2, and makes it a wideband and non-directivity antenna device by the method.例文帳に追加
本発明のアンテナ装置1は、アンテナ導体2の両面を挟み込むように、それぞれ比誘電率の異なる第1誘電体層3と第2誘電体層4とを配置することにより、共振点を複数存在させ、これにより広帯域で無指向性のアンテナ装置としたことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a piezoelectric ceramic composition which is lead-free, has high piezoelectric characteristics and high dielectric characteristics, and is excellent, especially, in at least one of piezoelectric d_31 constant, dielectric constant, dielectric loss, and Curie temperature Tc; to provide a method for producing the same; and to provide a piezoelectric element using the piezoelectric ceramic composition.例文帳に追加
鉛を含まず、高い圧電特性及び誘電特性を有し、特に圧電d_31定数、比誘電率、誘電損失、及びキュリー温度Tcのいずれか一つ以上に優れた圧電磁器組成物及びその製造方法、並びに該圧電磁器組成物を利用した圧電素子を提供すること。 - 特許庁
The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加
(1)デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、(2)乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、(3)パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁
To provide a dielectric thin film capacitor material of a high capacity having high insulation in which a dielectric has a uniform film thickness by following a projection and the irregularity of the front surface of an electrode and a leakage current is small, and a method of manufacturing the dielectric thin film capacitor material.例文帳に追加
高い絶縁性を有する高容量の誘電体薄膜キャパシタ材料であって、誘電体が電極表面の突起物や凹凸に追従して均一な膜厚を有し、漏れ電流が小さい誘電体薄膜キャパシタ材料、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
By using a hafnium nitride precursor and an aluminum precursor, the method is suited for depositing a High-k oxidation hafnium/aluminum oxide nanolaminate dielectric, used for a gate dielectric or a capacitor dielectric on a silicon surface which is subjected to hydrogen terminal treatment.例文帳に追加
窒化ハフニウムプリカーサおよびアルミニウムプリカーサを用いることによって、この方法は、水素終端処理されたシリコン表面上に、ゲート誘電体またはキャパシタ誘電体に用いるHigh−k酸化ハフニウム/酸化アルミニウムナノラミネート誘電体を堆積することによく適している。 - 特許庁
The method includes steps of: selectively depositing a phase change resist having high light transmittance onto a dielectric to form a pattern; etching away portions of the dielectric not covered by the resist; and depositing a metal seed layer on the etched portions of the dielectric.例文帳に追加
方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。 - 特許庁
To provide a production method of a dielectric single crystal thin film, by which a highly-functional BST-based dielectric single crystal thin film can be easily and inexpensively produced as well as the composition in a BST-based dielectric single crystal thin film to be produced can be easily controlled.例文帳に追加
高機能であるBST系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるBST系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for extremely enhancing an intrinsic permittivity of a dielectric crystal and to provide a method for controlling the permittivity of the dielectric crystal to a desired permittivity, a variable capacity having a small size and high reliability utilizing the controlling method, an ultraviolet sensor and a magnetic sensor.例文帳に追加
誘電体結晶の固有の誘電率を極めて高くする方法、誘電体結晶の誘電率を所望の誘電率に制御する方法、及びこの方法を利用した小型で信頼性の高い可変容量コンデンサ、紫外線センサ及び磁気センサを提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a semiconductor device, capable of ensuring a sufficient working margin, even when an interlayer insulating film is made of an inorganic base low dielectric material, in the manufacturing method of a semiconductor device for forming a wiring layer embedded in a low dielectric film using a dual-damascene method.例文帳に追加
低誘電率膜に埋め込まれた配線層をデュアルダマシン法により形成する半導体装置の製造方法に関し、層間絶縁膜を無機系低誘電率材料により構成する場合にも十分な加工マージンを確保しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a dielectric film which can be homogeneously crystallized, a method of manufacturing a piezoelectric element, and a method of manufacturing a liquid jetting head.例文帳に追加
誘電体膜の結晶化を均一に行うことができる誘電体膜の製造方法及び圧電素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SOLAR CELL CONTAINING LAYERED STRUCTURE WITH SILICON RICH DIELECTRIC LAYER CONTAINING SILICON NANO DOT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
シリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体及びその製造方法、並びにそのシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体含む太陽電池、不揮発メモリ素子、感光素子とその製造方法 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of recovering dielectric constant increase caused by damage of dry etching, and of preventing increase of a dielectric constant due to storage in the atmosphere, in relation to a manufacturing method of a semiconductor device using a silica-based insulating layer.例文帳に追加
シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide: a method of forming, at low temperature, a low-dielectric-constant insulating material layer used to form an organic electronic element by a coating method or printing method; a layer or pattern formed by the method; and the organic electronic element.例文帳に追加
塗布法又は印刷法により有機電子素子を形成するために用いる低誘電率絶縁材料層を低温で形成する方法、該方法で形成された層又はパターン及び有機電子素子を提供する。 - 特許庁
To provide a panel structure in which a dielectric layer can be formed without an air gap therein by a vapor deposition method.例文帳に追加
内部に空隙の無い誘電体層を気相堆積法によって形成することのできるパネル構造の提供を目的とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a capacitor by which damage caused by a dielectric layer is reduced and a leakage current is small.例文帳に追加
誘電体層のドライエッチングによる損傷が低減され、漏れ電流の少ないキャパシタの製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a dielectric filter capable of being miniaturized and holding a high Q value and a method for attaching this filter to a casing.例文帳に追加
小型化と高いQ値の保持を可能にした誘電体フィルタ及びこのフィルタの筐体への取付け方法を提供する。 - 特許庁
In the method for depositing dielectric film on end face of optical fiber, the heat of an optical fiber 70 under depositing is insulated.例文帳に追加
本発明の光ファイバ端面への誘電体膜成膜方法は、成膜中の光ファイバ70を断熱するものである。 - 特許庁
To provide a method of forming a film on a substrate which reliably forms recesses between wirings into hollow holes of a low dielectric constant.例文帳に追加
配線と配線の間の凹みを確実に低誘電率の空孔とすることができる基板成膜方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a thin film high dielectric capacitor which is stable, and has a high yield and high performance.例文帳に追加
安定で歩留まり良く、且つ高性能な薄膜高誘電体キャパシタを形成することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dicing method capable of appropriately cutting substrates with low-dielectric materials deposited thereon.例文帳に追加
低誘電体絶縁材料を積層した基板であっても好適に切断することの可能なダイシング方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a plasma display panel effectively solving a problem of a withstand voltage property of a dielectric glass layer.例文帳に追加
誘電体ガラス層の耐電圧性の課題を克服するのに有効なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁
A through hole is formed in a dielectric substrate and a first conductive film is formed on a side wall of the through hole by a vapor deposition method etc.例文帳に追加
誘電体基板にスルーホールを形成し、このスルーホールの側壁に蒸着法等により第1の導電膜を形成する。 - 特許庁
To provide an evaluation method of a semiconductor device for more accurately estimating dielectric breakdown time under an operating voltage.例文帳に追加
動作電圧における絶縁破壊時間を、より正確に予測することが可能な半導体装置の評価方法を提供する。 - 特許庁
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