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dielectric methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4150件
A (Ba, Sr)TiO_3 dielectric material film is formed on (110) alignment LiTaO_3 single crystal substrate with the chemical solution method.例文帳に追加
(110)面LiTaO_3単結晶基板上に(Ba,Sr)TiO_3誘電体膜を化学溶液法により作製する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory device with a dielectric capacitor having sufficient hydrogen barrier capability, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
十分な水素バリア性を有する誘電体キャパシタを備えた不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
ALUMINUM NITRIDE, FIELD EFFECT TRANSISTOR OF ALUMINUM OXIDE/ALUMINUM NITRIDE HETERO-STRUCTURE GATE DIELECTRIC STACK BASE, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加
窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウム/窒化アルミニウム・ヘテロ構造ゲート誘電体スタック・ベースの電界効果トランジスタおよびその形成方法 - 特許庁
To measure a particle by a diffraction lattice method using dielectric migration without allowing an excessive current to flow even in an unknown sample.例文帳に追加
未知試料であっても過大電流を流すことなく、誘電泳動を用いた回折格子法による粒子計測を行う。 - 特許庁
To provide a method for producing a 2-cyanoethyl group-containing organic compound having a high ratio of replacement by cyanoethyl groups and a high dielectric constant.例文帳に追加
シアノエチル化置換率が高く、高い誘電率を示す2−シアノエチル基含有有機化合物の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing silicon carbide film with low dielectric constant and low leaking current and without changing the membrane stress.例文帳に追加
低誘電率及び低リーク電流を有し、その膜応力が変化しないシリコンカーバイド膜を製造する方法を与える。 - 特許庁
The method for imbedding a fired capacitor 200 on a thick-film foil comprises covering a whole dielectric with an enclosed electrode.例文帳に追加
厚膜箔上焼成キャパシタ(200)を埋め込む方法は、封入している電極で誘電体全体を覆うことを含む。 - 特許庁
To provide a merwinite porcelain composition which has excellent dielectric characteristics in high-frequency regions, and its manufacturing method.例文帳に追加
高周波領域において優れた誘電特性を有するメルウィナイト磁器組成物及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
CAPACITOR MATERIAL PROVIDED WITH THIN DIELECTRIC LAYER USED FOR FORMATION OF CAPACITOR LAYER EMBEDDED IN ELECTRONIC COMPONENT, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
電子部品に埋設するキャパシタ層を形成するために用いる薄い誘電層を備えたキャパシタ材料及びその製造方法 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a high dielectric-constant gate insulating film in which a recrystallization is inhibited, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
再結晶化が抑制された高誘電率ゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device having reduced leakage current through an interpoly dielectric film.例文帳に追加
インターポリ絶縁膜を介したリーク電流を低減した不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
METHOD FOR OPTICAL MEASUREMENT OF OPTICAL PHYSICAL PROPERTY CONSTANT OF DIELECTRIC SUBSTANCE, INSTRUMENT THEREFOR, AND MANUFACTURING SYSTEM WITH THE INSTRUMENT ASSEMBLED THEREIN例文帳に追加
誘電体物質の光物性定数の光学的測定方法及びその装置並びにその装置を組み込んだ製造システム - 特許庁
To provide a method for producing a dielectric film by which a film deposition rate and a yield can be improved and film thickness can be more uniformed.例文帳に追加
成膜速度、収率を向上し、膜厚をより均一にすることが可能な誘電体膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for measuring a leakage voltage of a dielectric covering an upper surface of a semiconductor wafer using a single frequency.例文帳に追加
半導体ウエハの上面を覆う誘電体の漏洩電流を単一の周波数を用いて測定する方法の提供。 - 特許庁
To provide a method of forming a low k dielectric material that can improve mechanical property without putting any bad influence on heating costs.例文帳に追加
熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低k誘電体の形成方法の提供。 - 特許庁
The hole 8 has a shape in which a first recess 8a and a second recess 8b are continued, the first recess 8a is formed by etching a part of the dielectric 7 by a wet etching method, and the second recess 8b is formed by etching the film 2, the dielectric 4 and the dielectric 7 by a dry etching method.例文帳に追加
コンタクトホール8は、第1凹部8aと第2凹部8bとが連なった形状を有しており、第1凹部8aは、第2層間絶縁膜7の一部をウエットエッチング法によりエッチングして形成し、第2凹部8bは、ゲート絶縁膜2、第1層間絶縁膜4及び第2層間絶縁膜7をドライエッチング法によりエッチングして形成する。 - 特許庁
To provide a composition for dielectric layer containing glass component and pyrolytic binder uniformly dispersed, with few foreign obstacle mixed therein, a manufacturing method of the same, a green sheet obtained by forming the composition for dielectric layer into film-shape, and a manufacturing method of a substrate for forming the dielectric layer made of the green sheet.例文帳に追加
ガラス成分及び熱分解性バインダーが均一に分散し、異物の混入が少ない誘電体層用組成物、その製造方法、該誘電体層用組成物をフィルム状に成形して得られるグリーンシート、並びにこのグリーンシートから形成された誘電体層を有する誘電体層形成基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a dielectric ceramic thick film using a polymer matrix, more specifically, a method of manufacturing the dielectric ceramic thick film using the polymer matrix, by which a dielectric thick film in which ferroelectric ceramic fine particles are uniformly dispersed in a matrix made from a polymer material can be manufactured without using a sintering process.例文帳に追加
高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法、より詳しくは微粒状態の強誘電体セラミックス粉末を高分子物質で成されたマトリックスに均一に分散させ誘電体厚膜を焼結過程無しに製造することが出来る高分子マトリックスを用いた誘電体セラミックス厚膜製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a semiconductor device that gives consideration to a moisture absorption amount of a low dielectric constant film and a desorption amount of an absorbent material so that uniform processing may be done while reducing a difference from pattern to pattern in low dielectric constant film.例文帳に追加
低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
In a manufacturing method, (a) there is given a dielectric layer that is a silicate gate dielectric layer and has a gate on it, and (b) the exposed part of the layer is etched by a solution containing HF, H_2O_2, and HNO_3.例文帳に追加
(a) 珪酸塩ゲート誘電体層で、その上にゲートを有する誘電体層を与え、(b) 前記層の露出した部分を、HF、H_2O_2、及びHNO_3を含有する溶液でエッチングする、ことを行う製造方法。 - 特許庁
To provide a curable polyvinylbenzyl ether resin composition capable of improving dielectric characteristics such as a high Q value (low dielectric loss tangent) in a high-frequency range when made into a cured material and to provide a method of producing the same.例文帳に追加
硬化物としたときの高周波領域での高Q化(低誘電正接化)のように、誘電特性の改善を図ることができる硬化性ポリビニルベンジルエーテル樹脂組成物と、その製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated ceramic capacitor and a method of manufacturing the same, which enhance adhesion strength between dielectric layers, in case that each dielectric layer is formed of a composite of BT (barium titanate)- type crystal grains and BCT (barium calcium titanate)-type crystal grains.例文帳に追加
誘電体層がBT型結晶粒子とBCT型結晶粒子のコンポジットからなる場合に、誘電体層同士の接合強度を向上できる積層セラミックコンデンサ及びその製法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric which has a dielectric layer made of {100} aligned ABO_3 perovskite type oxide on a substrate and is suitably used for a piezoelectric body etc., for an inkjet head, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
基板上に{100}配向性のABO_3型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The method further includes a step of forming a substantially uniform gate dielectric 316 in the trench 310 and a step of forming a gate electrode 318 in the trench and on the gate dielectric 316.例文帳に追加
この方法は更に、このトレンチ310内に実質的に均一のゲート誘電体316を形成するステップと、このトレンチ内に且つ前記ゲート誘電体316上にゲート電極318を形成するステップとを具える。 - 特許庁
To provide a ceramic electronic component that prevents laminated dielectric layers of different materials from peeling from each other even when the dielectric layers are laminated and formed, and to provide a method of manufacturing the ceramic electronic component.例文帳に追加
異なる材料の誘電体層を積層して形成しても積層された誘電体層同士の間で剥離が生じるのを防ぐことができるセラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thermosetting resin composition which has both an excellent dielectric characteristic and excellent heat resistance, especially a low dielectric constant and a high glass transition temperature, and to provide a method for producing a thermosetting resin using the thermosetting resin composition.例文帳に追加
誘電特性と耐熱性の両方に優れ、特に、低い誘電率と高いガラス転移温度を有する熱硬化性樹脂組成物およびそれに用いる熱硬化性樹脂の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the flash memory device and the method of manufacturing it, a tunnel oxide film, a floating gate, and a dielectric film which comprises a thin film made of a material with high dielectric constant are formed on a cell region of a semiconductor substrate.例文帳に追加
フラッシュメモリ装置及びその製造方法において、半導体基板のセル領域上にはトンネル酸化膜とフローティングゲート及び高誘電率を有する物質からなる薄膜を含む誘電膜が形成されている。 - 特許庁
To provide a dielectric ceramic composition having a desired temperature characteristics and electric characteristics satisfied even when the thickness of a dielectric is made thin and excellent in reliability, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
誘電体層厚みを、薄くした場合においても、所望の温度特性および電気特性を満足するとともに、信頼性に優れた誘電体磁器組成物およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a low dielectric constant insulating film having a high film strength capable of adapting to the existing semiconductor manufacturing process and capable of forming an insulating film having a lower dielectric constant.例文帳に追加
既存の半導体製造プロセスに適合する強い膜強度を有し、かつより低い比誘電率を有する絶縁膜を形成することができる低誘電率絶縁膜の形成方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a capacitor forming method of a semiconductor element capable of lessening damage and forming a capacitor excellent in electric characteristic when a TaON or Ta_2O_5 dielectric film high in a dielectric constant is formed.例文帳に追加
誘電率が高いTaONまたはTa_2O_5誘電体膜を形成する際に、Cl基による損傷が少なく、電気的特性に優れたキャパシタを形成することができる半導体素子のキャパシタの形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric resonator which is miniaturized as a whole and has improved functionability without lowering impact resistance or the like, communications equipment using the same and a production method for the dielectric resonator.例文帳に追加
耐衝撃性等を低下させることなく全体に小型化を図り、且つ機能性を高めた誘電体共振器装置、それを用いた通信装置および誘電体共振器装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing at low cost a vinyl compound of slight residual phenolic hydroxy groups curable on exposure to heat or light and giving a cured product of high heat resistance, low dielectric constant and low dielectric dissipation factor.例文帳に追加
熱および光で硬化でき、硬化物が優れた耐熱性を有し、低誘電率、低誘電正接であるビニル化合物の安価でフェノール性水酸基残りの少ないビニル化合物の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a low dielectric constant polyimide substrate having high heat resistance which maintains the character of a high heat resistant polyimide film, and also in which a low dielectric constant fluororesin film is laminated to a polyimide film substrate with a large peel strength.例文帳に追加
高耐熱性ポリイミドフィルムの特性を維持しつつ低誘電率フッ素樹脂フィルムがポリイミドフィルム基板に大きな剥離強度で積層された高耐熱性の低誘電率ポリイミド基板の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a dielectric resonator and a manufacturing method thereof for solving a problem of ununiformized density at molding of ceramic powder and facilitating setting of a shape for deciding the characteristic of the dielectric resonator.例文帳に追加
セラミック粉末の成型時の密度不均一化の問題を解消し、また誘電体共振器の特性を定める形状の設定を容易にした、誘電体共振器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a capacitor which has high permittivity and high dielectric breakdown voltage and is low in leakage current by preferential orientation a high dielectric thin film, having a perovskite structure of to the (111) plane.例文帳に追加
ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が(111)面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a method for manufacturing a semiconductor device, capable of forming a fine storage node in forming the storage node composed of a noble metal, in a capacitor having a capacitor dielectric film composed of a high dielectric film.例文帳に追加
高誘電体膜から成るキャパシタ誘電体膜を有するキャパシタに関して、貴金属から成るストレージノードを形成するにあたり、微細なストレージノードの形成が可能な半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁
In order to improve the dielectric film quality and to simultaneously achieve a manufacturing method that reduces costs more effectively, a germanium oxynitride layer is provided as a dielectric layer 7 between the germanium substrate 1 and the handle substrate 5.例文帳に追加
誘電体膜の品質を向上し、同時によりコスト削減効果が高い製造工程を達成するために、ゲルマニウム基板1とハンドル基板5の間に誘電体層7として酸窒化ゲルマニウム層を設ける。 - 特許庁
To provide a method for easily manufacturing a laminated body that has a structure where ceramic dielectric layers made of ceramics with high permittivity and dielectric layers made of high polymer materials are compositely laminated on a wiring board, etc.例文帳に追加
配線基板等において、高誘電率セラミックからなるセラミック誘電体層と高分子材料誘電体層とが複合積層された構造を有する積層体を容易に製造できる方法を提供する。 - 特許庁
The dielectric material provides a plurality of domains, having spontaneous polarizations that direct to different directions by applying this method, and piezoelectric effects mutually canceling can suppress changes in the dielectric constant by the piezoelectric effects.例文帳に追加
この方法の適用によって、誘電性物質は異なる方向を向いた自発分極を有する複数の分域を備えるため、圧電効果が打ち消しあい、圧電効果による誘電率の変化を抑えることができる。 - 特許庁
To provide an insulating film which is suitable for using as an interlayer dielectric in a semiconductor element or the like, and can be formed in uniform thickness, and further, is superior in dielectric characteristics and film strength, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
半導体素子などにおける層間絶縁膜として使用するのに適し、均一な厚さに形成可能で、しかも誘電率特性、膜強度に優れた絶縁膜、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor apparatus manufacturing method comprises processes of patterning a bottom electrode 11 on a base film 8; applying the dielectric substance onto the bottom electrode 11 using an ink jet-type application mechanism, forming the dielectric film 12 on the bottom electrode 11 by heating the applied dielectric substance, and forming a top electrode on the dielectric film 12.例文帳に追加
下地膜8上に、パターニングされた下部電極11を形成する工程と、インクジェット方式の塗布機構を用いて、下部電極11上に誘電体物質を塗布する工程と、塗布された誘電体物質を加熱することにより、下部電極11上に誘電体膜12を形成する工程と、誘電体膜12上に上部電極を形成する工程とを具備する。 - 特許庁
In the method for measuring the temperature dependence of the dielectric characteristics employs the means for arranging a gap between a detection electrode and the surface of the sample, adjusting the dielectric liquid put in the gap to a desired temperature, and measuring the dielectric characteristics of the surface of the sample being in contact with the dielectric liquid having the adjusted temperature.例文帳に追加
上記課題を解決するために、誘電特性の温度依存性測定方法は、 検出用電極と試料表面との間に間隙を配し、その間隙に充填される誘電性液体を所望の温度に調整し、当該調整温度の前記誘電性液体の接する試料表面の誘電特性を測定することを特徴とする手段を採用した。 - 特許庁
The method of forming the dielectric film includes a step for dipping a base material having arithmetic average surface roughness Ra ≥1/2 and ≤2 times of average particle diameter of dielectric particles and a counter electrode into a solvent containing the dielectric particles and a step for depositing the dielectric particles on the surface of the base material by applying voltage between the base material and the counter electrode.例文帳に追加
誘電体粒子を含む溶媒中に、誘電体粒子の平均粒子径の1/2倍以上2倍以下の算術平均粗さRaの表面を有する基材と、対電極と、を浸漬する工程と、基材と対電極との間に電圧を印加して基材の表面に誘電体粒子を堆積する工程と、を含む、誘電体膜の形成方法である。 - 特許庁
To provide an inexpensive manufacturing method which does not require explosionproof facilities by using a water solvent and is a method of manufacturing dielectric ceramic raw material powder which is dispersed uniformly with additive elements in a dielectric ceramic basic raw material powder by suppressing the intrusion of impurities.例文帳に追加
水溶媒を用いて防爆設備を必要としない安価な製造方法であって、不純物の混入を抑えた、添加元素が誘電体セラミック基本組成物粉体中に均一に分散した誘電体セラミック原料粉体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To resolve the problem of foreign matters getting mixed in an applied liquid film and its existence in the form of the foreign or a bubble in a dielectric layer after baking, when forming various protruding parts, such as an electrode or black stripes by a screen printing method or a die coating method and then forming the dielectric layer thereon.例文帳に追加
スクリーン印刷法或いはダイコート法により電極、ブラックストライプ等の各種凸部を形成した後、その上に誘電体層を形成する時に、塗布液膜中に異物が混入し、焼成後の誘電体層には異物、または気泡の形で残存する。 - 特許庁
To obtain a filler of high dielectric permittivity having good dispersibility, to provide a method for producing the same, to obtain a resin composition compounded with the filler of high dielectric permittivity having the good dispersibility, to obtain a resin varnish compounded with the filler, to provide an electronic part obtained by using the same, and to provide a method for producing the electronic part.例文帳に追加
分散性が良好な高誘電率充填剤とその製造法、分散性が良好な高誘電率充填剤が配合された樹脂組成物と樹脂ワニス、およびこれを用いて得られる電子部品とその製法を提供すること。 - 特許庁
To provide a film-forming method, capable of preventing the corrosion of wiring and increase in leakage current, suppressing variations in a dielectric constant caused by the absorption of moisture, and reducing the dielectric constant as the whole interlayer insulating film, and to provide a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加
配線の腐食やリーク電流の増大を防止しつつ、層間絶縁膜全体として吸湿による誘電率の変動を抑制し、かつ誘電率を低くすることができる成膜方法、半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
By applying a voltage (for example, -10%, -20%, -30%) acquired by subtracting a prescribed number from results of dielectric breakdown by a short time method and determining breakdown time or the number of times, it is possible to relatively easily and quantitatively evaluate the progress of dielectric breakdown in the method.例文帳に追加
ショートタイム法による絶縁破壊結果から一定数を減じた電圧(例:−10%,−20%,−30%)を連続的あるいは繰り返し印加して破壊時間または回数を求めることにより、比較的容易に且つ定量的に得られる絶縁破壊進行性評価試験方法。 - 特許庁
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