「diffusion area」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Afterward, the board is subjected to heat treatment to activate each source area and drain area (diffusion area) 1A, 1B.例文帳に追加

その後、前記各ソース・ドレイン領域（拡散層）１Ａ，１Ｂを活性化するための加熱処理を施す。 - 特許庁

Moreover, a drift area 80 having lower impurity concentration than that of the diffusion area 100 is formed between the diffusion area 100 and the lower area of the gate electrode 60.例文帳に追加

また拡散領域１００とゲート電極６０の下方領域との間に拡散領域１００より不純物濃度が低いドリフト領域８０が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a channel area 34, and a source diffusion area 39 and a drain diffusion area 40 formed at the both sides of the channel area 34.例文帳に追加

本半導体装置は、チャネル領域３４と、チャネル領域３４の両側に形成されたソース拡散領域３９及びドレイン拡散領域４０とを備えている。 - 特許庁

To make small the area between the source diffusion layer and the digit diffusion layer of a nonvolatile semiconductor memory.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリのソース拡散層とデジット拡散層との間の面積を小さくする - 特許庁

(3) The selected area is coated with the diffusion agent containing a boron nitride having high diffusion ability.例文帳に追加

（３）拡散能の高い窒化ホウ素を含有する前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 特許庁

Then, a P^-type second diffusion area 34 is formed so as to be overlapped with the first diffusion area 32, and to be extended in the terminating area R3.例文帳に追加

第１拡散層３２にオーバーラップすると共に終端領域Ｒ３内に延在するようにＰ^--型の第２拡散層３４が形成される。 - 特許庁

The surface of the P+ buried diffusion area 4 positioned just below the N diffusion area 8 becomes a hollow so that it recedes from the N diffusion area 8, and a narrowed part 64 is formed.例文帳に追加

Ｎ拡散領域８の略直下に位置するＰ＋埋め込み拡散領域４の表面は、Ｎ拡散領域８から遠ざかるように窪んでおり、この部分にくびれ６４が形成されている。 - 特許庁

The N-type diffusion area 53d is connected to a connection node 90, and the N-type diffusion areas 53s are connected to GND.例文帳に追加

N型拡散領域53dが接続ノード90に接続され、N型拡散領域53sがGNDに接続されている。 - 特許庁

The diffusion area is preferably formed with many holes.例文帳に追加

この拡散面積は、多数の孔によって形成することが好ましい。 - 特許庁

Then, since an anti-electric field gets higher in the diffusion area where elements are diffused, the diffusion area does not act with an usual driving electric field.例文帳に追加

すると、元素が拡散した拡散領域は抗電界が高くなるため、通常の駆動電界では動作しない領域となる。 - 特許庁

The area of a first region facing the first diffusion layer 115, of the third diffusion layer 14A is larger than the area of a second region facing the first diffusion layer 115, of the second diffusion layer 114B.例文帳に追加

第３拡散層１４Ａにおいて、第１拡散層１１５に対向する第１領域の面積は、第２拡散層１１４Ｂにおいて第１拡散層１１５に対向する第２領域の面積より大きい。 - 特許庁

NUCLIDE DIFFUSION INHIBITING METHOD AND DEVICE IN RADIOACTIVE WASTE DISPOSAL AREA例文帳に追加

放射性廃棄物処分場の核種拡散抑制方法および装置 - 特許庁

To provide a small, sensitive solid-state imaging device in which the occupied area of a flowing diffusion area in a photo diode area is small in sharing the floating diffusion area among multiple photo diode areas.例文帳に追加

複数のフォトダイオード部がフローティングディフュージョン部を共有する場合に、フローティングディフュージョン部がフォトダイオード部に占める割合が小さく、小型で高感度の固体撮像装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The convex lens 12 structures an area at an oncoming lane side in its front surface 12a as a horizontal diffusion area Z1 and an area of the ongoing side as a slanted diffusion area Z2.例文帳に追加

凸レンズ１２は、その前方側表面１２ａにおける対向車線側の領域を水平方向拡散領域Ｚ１、自車線側の領域を斜め方向拡散領域Ｚ２として構成する。 - 特許庁

The surrounding of the drain area 140 is surrounded by a diffusion area 100 having lower impurity concentration than that of the drain area.例文帳に追加

ドレイン領域１４０の周りは、ドレイン領域より不純物濃度が低い拡散領域１００により取り囲まれている。 - 特許庁

An n-type cathode area 6 and a p-type short area 8 adjacent to the n-type cathode area 6 are formed on the surface layer of the n-type diffusion area 4.例文帳に追加

ｎ形拡散領域４の表面層にｎ形カソード領域６とこのｎ形カソード領域６と隣接してｐ形ショート領域８を形成する。 - 特許庁

A p-type anode area 7 and an n-type short area 9 adjacent to the p-type anode area 7 are formed on the surface layer of the p-type diffusion area 5.例文帳に追加

ｐ形拡散領域５の表面層にｐ形アノード領域７とこのｐ形アノード領域７と隣接してｎ形ショート領域９を形成する。 - 特許庁

When a movement machine moves in the area or travels into/out of the area, the base station reallocates a channel/time slot (diffusion code).例文帳に追加

その地域で移動機の移動、出入があると、チャネル／タイム・スロット（拡散符号）を再割り当てする。 - 特許庁

The diffusion area 31 and the total reflection area 32 can be provided on the second internal reflection face 3B.例文帳に追加

散乱エリア３１と全反射エリア３２とを、第２の内部反射面３Ｂに設けるようにしても良い。 - 特許庁

The diffusion area 31 and the total reflection area 32 may be provided on the second inner reflection surface 3B.例文帳に追加

散乱エリア３１と全反射エリア３２とを、第２の内部反射面３Ｂに設けるようにしても良い。 - 特許庁

The impurity concentration of the impurity diffusion area 41 is higher than the impurity concentration of the drain area 35.例文帳に追加

不純物拡散領域４１の不純物濃度は、ドレイン領域３５の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

A second diffusion area 6 is formed at a side opposite to the first diffusion area 3 with respect to the trench 5 in the predetermined direction and is neighboring to the trench 5.例文帳に追加

第２拡散領域６は、所定方向においてトレンチ５に対して第１拡散領域３と反対側に形成され、トレンチ５に隣接している。 - 特許庁

The concentration of an N-type intrinsic base diffusion area 23 adjoining to the emitter diffusion area 23 of an L-PNP transistor is made higher than that of a base buried layer 3B adjoining to the collector diffusion area 16B of an L-PNP bipolar transistor.例文帳に追加

Ｌ−ＰＮＰトランジスタのエミッタ拡散領域２３に隣接するＮ型真性ベース拡散領域２２の濃度を、Ｌ−ＰＮＰバイポーラトランジスタのコレクタ拡散領域１６Ｂに隣接するベース埋め込み層３Ｂの濃度より高くする。 - 特許庁

An N+ buried diffusion area 3 is formed between a P- silicon substrate 1 and an N- epitaxial layer 2 and a P+ buried diffusion area 4 is formed between the N+ buried diffusion area 3 and the N- epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｐ−シリコン基板１とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｎ＋埋め込み拡散領域３が形成され、Ｎ＋埋め込み拡散領域３とＮ−エピタキシャル層２との間には、Ｐ＋埋め込み拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

A diffusion lens step area 13 comprising diffusion lens steps 16, 16 is provided on a portion neighboring to the light source bulb 6 of the lens.例文帳に追加

レンズの光源バルブの近傍部分には、拡散レンズステップ１６、１６、・・・から成る拡散レンズステップ領域１３を設けた。 - 特許庁

DESIGN OF GAS DIFFUSION SHOWER HEAD FOR LARGE-AREA PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

大面積プラズマ増強化学気相堆積のためのガス拡散シャワーヘッド設計 - 特許庁

An area of the heat diffusion region 5 is made larger than that of the element regions 13.例文帳に追加

熱拡散部５の面積を素子配設部１３の面積よりも大きくする。 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING DIFFUSION ALUMINIDE COATING ON SELECTIVE AREA OF TURBINE ENGINE COMPONENT例文帳に追加

タービンエンジン部品の選択的領域に拡散アルミナイド皮膜を施工する方法 - 特許庁

Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.例文帳に追加

また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

It consists of a 80μm diameter first circular diffusion area 16, and a ring-like second diffusion area 18 (120 μm inside diameter, 200 μm outside diameter) spaced apart by 20 μm from the first diffusion area with a part of 40 μm width being cut off.例文帳に追加

これは、直径８０μｍの円形の第１の拡散領域１６と、その周りに２０μｍの間隔を空けて幅４０μｍの一部が欠けたリング状（内径１２０μｍ，外径２００μｍ）の第２の拡散領域１８とからなる。 - 特許庁

(1) At least two kinds of diffusion agent having different boron nitride concentration are used as the diffusion agent, and the selected area is coated with the diffusion agent having a higher boron nitride concentration.例文帳に追加

（１）前記拡散剤として、窒化ホウ素の濃度が異なる少なくとも二種の拡散剤を用い、窒化ホウ素の濃度の高い前記拡散剤を前記選択領域に塗布する。 - 特許庁

By the diffusion action of the diffusion lens 24, the whole of the light source can be made to emit light substantially uniformly over a wide area.例文帳に追加

また、拡散レンズ２４の拡散作用により、光源全体を広い発光面積で略均一に光って見えるようにする。 - 特許庁

While, the fuel is burned by diffusion combustion by setting the fuel injection timing in the vicinity of the compression top dead center in the diffusion combustion area.例文帳に追加

他方、拡散燃焼領域では、燃料噴射時期を圧縮上死点付近として燃料を拡散燃焼させる。 - 特許庁

To provide an electrolytic cell having a gas diffusion electrode which is arranged with a number of gas diffusion electrodes and has a large electrode area.例文帳に追加

多数のガス拡散電極を配置した電極面積が大きなガス拡散電極を有する電解槽を提供する。 - 特許庁

To provide method for manufacturing an avalanche photodiode capable of easily forming a diffusion area and minimizing the occurrence of an error when forming the diffusion area.例文帳に追加

拡散領域の形成が容易で、拡散領域を形成する際に誤差の発生を最小化することができるアバランシェフォトダイオードの製造方法を提供する。 - 特許庁

A PMOS transistor Q2 provided to short-circuit between a base and an emitter of an N type IGPT when turned off comprises a P diffusion area 5, P diffusion area 6 and a conductive film 10 and a second gate electrode 15 which are provided on a surface of an N-epitaxial layer 2 between the P diffusion area 5 and the P diffusion area 6 through a gate oxide film 21.例文帳に追加

ターンオフ時にＮ型のＩＧＢＴのベース・エミッタ間を短絡するために設けるＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｐ拡散領域５、Ｐ拡散領域６、及びＰ拡散領域５、Ｐ拡散領域６間のＮ^−エピタキシャル層２の表面上にゲート酸化膜２１を介して設けられた導電膜１０及び第２ゲート電極１５により構成される。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

Since a heating area is not spread by the thermal diffusion, a recorded area can be narrowed and high recording density can be achieved.例文帳に追加

加熱部が熱拡散により広がらないため、記録部分を狭めることができ、高記録密度化が可能となる。 - 特許庁

A P--type body diffusion layer 15 is largely extended to an area under the electrode 14.例文帳に追加

Ｐ^- 型ボディー拡散層１５は、ゲート電極１４下方領域にまで大きく延びている。 - 特許庁

To reduce an area of a floating diffusion part so as to improve the conversion efficiency of output circuit.例文帳に追加

フローティングディフュージョン部の面積を小さくして、出力回路の変換効率を高める。 - 特許庁

The rear surface has a first area near to the light incident surface, a second area touching the counter surface and a third area connecting the first area to the second area, and a light diffusion pattern is formed in the third area at density higher than that of the first area and the second area.例文帳に追加

裏面は、入光面付近の第１領域、対向面に接する第２領域、及び第１領域と第２領域を接続する第３領域を有し、第３領域には第１領域及び第２領域より高い密度で光拡散パターンが形成される。 - 特許庁

To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.例文帳に追加

拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁

The n-type diffusion area 12 and the p-type diffusion area 17 correspond to body contact areas for setting the back gate potential levels of the PMOS transistor and the NMOS transistor.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域１２及びＰ型拡散領域１７はＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタのバックゲート電位設定用に設けられたボディコンタクト領域に相当する。 - 特許庁

The aluminum pigment has a water surface diffusion area of 5.0 m^2/g or higher, a ratio of water surface diffusion area to average particle size of 1.0 or higher, and a leafing value of 80% or higher.例文帳に追加

水面拡散面積が５．０ｍ^2／ｇ以上であり、平均粒子径に対する水面拡散面積の比が１．０以上であり、リーフィング値が８０％以上である、アルミニウム顔料。 - 特許庁