「diffusion area」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板１１上にゲート電極１３を形成するステップと、（Ｂ）ゲート電極１３の三次元形状を検出するステップと、（Ｃ）不純物イオン３１を注入することによって、基板１１中に拡散領域３２を形成するステップとを備える。 - 特許庁

Then, the sloped faces of the resist layers in the low-temperature-held sample and the heated sample are component-analyzed by a micro-area quantitative determination means to determine distributions of an acid component, two obtained component distributions are compared each other to determine the acid diffusion constant of an acid existing in the resist.例文帳に追加

次いで低温保持サンプルと加熱サンプルのレジスト層の傾斜面を、微少領域定量分析手段によって成分分析して酸成分の分布を決定し、得られる２つの成分分布を比較することにより、レジスト中に存在する酸の酸拡散定数を決定する。 - 特許庁

Though the specific surface area of an electrode composed of the transparent electrode 10 and the semiconductor layer 20 can be increased by fining and lengthening the projections, and forming them densely, the space factor and the aspect ratio of the projections are set considering the problem of diffusion in the transfer layer 40, etc.例文帳に追加

透明電極１０及び半導体層２０からなる電極の比表面積を高めるためには、突起を細かくかつ長くし、そして密に形成すればよいが、電荷移動層４０中の拡散の問題等を考慮して、突起の空間占有率及びアスペクト比を設定する。 - 特許庁

To provide an air cleaning device which securely prevents the diffusion of contaminated air, can effectively remove the contaminated air even though there are obstacles, and can remove the contaminated air without directly directing air flow to a user even though there is the user in a contaminated air area.例文帳に追加

汚染空気の拡散を確実に防ぎ、障害物があっても効果的に汚染空気を除去することができ、使用者が汚染空気エリアに存在しても直接気流を当てることなく汚染空気を除去できる空気清浄装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This porous gas diffusion body is formed as an aggregate of fibers of a conductive substance, the surfaces of the individual fibers are coated with a fluororesin (PTFE), and the coating amount thereof is set in the range of 0.06-1.20mg/cm^2 with respect to the total surface area of the fibers.例文帳に追加

多孔質ガス拡散体を、導電性物質の繊維の集合体として構成し、その個々の繊維の表面をフッ素樹脂（ＰＴＦＥ）で被覆してあり、その被覆量が、繊維の全表面積に関して０．０６〜１．２０ｍｇ／ｃｍ^２の範囲にあるようにしたもの。 - 特許庁

Thus, carbon of a concentration required for suppressing a diffusion of boron is added to a film, and further a concentration of carbon is equal to or higher than a concentration of boron in any depth area, so that an offset is not caused in entrapping of carbon and boron into the silicon/germanium mixed crystal film.例文帳に追加

これにより、膜中にボロンの拡散を抑制するのに必要な濃度の炭素を添加させるとともに、任意の深さ領域で炭素の濃度をボロンの濃度と同等若しくは高くして、炭素とボロンとのシリコン−ゲルマニウム混晶膜中への取り込みにずれが生じないようにする。 - 特許庁

A cross-sectional area of a ring-shaped combustion gas passage formed between a top face of a trivet ring 21 and a bottom surface of a cooking container P, is formed in a state of being gradually narrowed according to a distance from a center of the trivet ring 21, to prevent diffusion of high-temperature combustion gas.例文帳に追加

五徳リング２１の上面と調理容器Ｐ底面との間に形成されるリング状の燃焼ガス通路の通路断面積を、五徳リング２１の中心からの距離が遠くなるほど狭くなるように形成することにより、高温の燃焼ガスが拡散しないようにした。 - 特許庁

To provide glossy inkjet recording paper whose a recording surface hardly damaged by conveyance during feeding the recording paper to a printer, and which has successful permeability and diffusion characteristics of ink which can yield satisfactory ink absorption, printing density and an appropriate printing area ratio, and further has superb inkjet recording suitability and high productivity.例文帳に追加

本発明は、プリンタ通紙時に記録面に搬送傷がつきにくく、なおかつ、インク吸収性、印字濃度、適正な印字面積率を得られる良好なインクの浸透・拡散の特性を有し、インクジェット記録適性が優れ、生産性に優れた光沢インクジェット記録用紙である。 - 特許庁

Relating to an interest pixel 81a of a plurality of pixels which are matrix arranged in a printing area of a paper sheet, an addition part 45 adds a density value of an image data, a density value of a flushing data and an error diffusion value which is diffused in quantization of pixels already quantized, to generate a total density value.例文帳に追加

加算部４５が、用紙の印刷領域にマトリクス配置された複数の画素の注目画素８１ａについて、画像データの濃度値と、フラッシングデータの濃度値と、既に量子化された画素の量子化時に拡散された誤差拡散値とを足し合わせて合計濃度値を生成する。 - 特許庁

To provide an electron absorber which is adaptable to continuous vapor deposition on a film base material of a large area as well by solving a problem that electrons heat other parts than a vapor deposition material by the reflection phenomenon or diffusion phenomenon, and an electron beam heating type vapor deposition apparatus using the same.例文帳に追加

電子が反射現象または拡散現象によって蒸着材料以外の箇所を加熱してしまう問題を解消し、大面積のフィルム基材への連続蒸着にも対応できる電子吸収体およびそれを用いた電子線加熱蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for implementing a chemical reaction enhancing the efficiency of reaction in a flow channel above that of being determined by the width of the flow channel by making diffusion time shorter than that of being determined by the width of the flow channel and obtaining a larger size of a specific boundary area of a fluid boundary.例文帳に追加

流路の幅で決定される以上の拡散時間の短縮と流体境界の比界面積の大きさを得ることによって、流路内における反応の効率を流路の幅で決定される効率以上に向上する化学反応実施方法を提供する。 - 特許庁

A second porous part 30 that is porous, has a diffusion resistance smaller than that of a first porous part 115, and has a BET specific surface area of 1.0 m^2/g or larger is arranged on the opposite to a measuring chamber 107c via the first porous part 115 of the gas sensor element 2.例文帳に追加

ガスセンサ素子２の第１多孔質部１１５を介して測定室１０７ｃとは反対側に、第１多孔質部１１５よりも拡散抵抗が小さい多孔質状をなすとともに、ＢＥＴ比表面積が１．０ｍ^２／ｇ以上である第２多孔質部３０を配置する。 - 特許庁

The second porous part 30 having a porous condition of diffusion resistance lower than the first porous part 115 of the gas sensor element 2, and having 1.0 m^2/g or more of BET specific surface area is arranged in an opposite side of a measuring chamber 107c via the first porous part 115.例文帳に追加

ガスセンサ素子２の第１多孔質部１１５を介して測定室１０７ｃとは反対側に、第１多孔質部１１５よりも拡散抵抗が小さい多孔質状をなすとともに、ＢＥＴ比表面積が１．０ｍ^２／ｇ以上である第２多孔質部３０を配置する。 - 特許庁

To provide an improved optical analysis system, having improved reaction speeds and sensitivity, by an increase in the surface area of a solid phase, decrease in the diffusion distance, and the reinforcement in optical combination to the excitation light source between the solid phases and the combination, between the solid phases and a detection object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

To provide a fuel battery in which an approximately linear gas inflow channel and an approximately linear gas outflow channel are formed on the surface of a cathode-side separator to be almost parallel with each other, and a decline in power generation performance, which results from the formation involving an area involving no oxidizer gas flow in a cathode-side gas diffusion layer, is prevented.例文帳に追加

カソード側のセパレータの表面に、略直線形状のガス流入流路およびガス流出流路が略平行に形成された燃料電池において、カソード側のガス拡散層に酸化剤ガスが流れない領域が生じることによる発電性能の低下を防止する。 - 特許庁

To provide a planographic printing plate applying a silver complex salt diffusion transfer process, excellent in various printing characteristics, excellent particularly in resistance to the stain of the non-image area and scratch stain (the stain of a scratched part of the plate surface) and having enhanced handleability.例文帳に追加

本発明は銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版は印刷諸特性に優れ特に非画像部分の汚れ及びスクラッチ汚れ（版面の引っ掻き傷部分の汚れ）に優れ取り扱い性の向上した平版印刷版を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide an electrode layer of a structure easy in intrusion and diffusion of fuel and an oxidizing agent, by enlarging the substantially surface area participating in catalyst reaction as the electrode layer for a fuel cell, and a method capable of forming this electrode layer by an ultrasonic spray device.例文帳に追加

燃料電池用電極層として触媒反応に関与する実質的な表面積が大きく、燃料、酸化剤の侵入、拡散が容易である構造の電極層を得ることおよびこの電極層を超音波スプレー装置によって形成できる方法を得ることにある。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

To provide a discharge lamp for enhancing luminance in a part opposed to a contraction positive column when a disordered diffusion positive column or the contraction positive column is generated in an internal electrode side area by increasing tube power to obtain high luminance to provide a lighting system using the discharge lamp.例文帳に追加

高い輝度を得るために管電力を増加することで内部電極側の領域に乱れた拡散陽光柱ないし収縮陽光柱が発生する場合に、収縮陽光柱に対向する部分の輝度を高めるようにした放電ランプおよびこれを用いた照明装置を提供する。 - 特許庁

In a same manner, since when the materials of the luminescent layers 17R, 17G, 17B and the material of the electron injecting layer 19 are applied and left as they are, the two liquid materials are diffused and entangled each other, second diffusion areas 18R, 18G, 18B, the inclined composition area, can be formed.例文帳に追加

同様に、発光層１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの材料と電子注入層１９の材料とを塗布し、放置すると、２液の材料が拡散し絡み合うので、傾斜組成領域である第２の拡散領域１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂを形成することができる。 - 特許庁

An orifice equipped with a diffusion type air passage having an equivalent opening area and a nozzle member equipped with a bell mouth type air passage are coaxially arranged in an blowout port of the air conditioning duct, and a moving mechanism for relatively displacing the orifice and the nozzle member in the axial line direction is installed.例文帳に追加

空調ダクトの吹出口に、等価開口面積を有する拡散形空気通路を備えたオリフィスと、ベルマウス形空気通路を備えたノズル部材とを同軸的に配置すると共に、オリフィスとノズル部材とを軸線方向に相対変位させる移動機構を設ける。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method, which can restrict increase in a chip area more than in the case where a diffusion resistance in an activation region is used, without increasing the number of wires, and the number of times (the number of steps) of a mask overlap, and to reduce variations in the resistance value.例文帳に追加

配線数およびマスク重ね合わせ回数（工程数）を増加させることなく、フィールドの活性化領域上の拡散抵抗を用いた場合よりチップ面積の増加を抑制し、また、抵抗値のばらつきを低減できる半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

Many pictures are displayed in the horizontal direction and the vertical direction so that they don't have the same display direction in the horizontal direction, and vertical display angle ranges of all the pictures are widened by a vertical-direction diffusion plate 17 to generate a vertical display angle area common to all the pictures.例文帳に追加

多数の画像を水平方向の表示方向が一致しないように水平方向と垂直方向に表示し、垂直方向拡散板１７によりすべての画像の垂直表示角度範囲を広げて、すべての画像に共通な垂直表示角度域を発生させる。 - 特許庁

A recess, having a trapezoidal plan shape, is provided on a gate 105a for forming an area which is likely to concentrate the electric field on a p-type base region 106a, a cut part of an n+-type source diffused layer 112a, is provided near the recess to suppress the increase of the diffusion resistance at this part.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａに平面形状で台形上の凹部を設けてＰ型ベース領域１０６ａに電界集中の生じ易い個所を形成し、この凹部近傍にＮ^+ 型ソース拡散層１１２ａの分断部を設けてこの部分での拡散抵抗の上昇を抑制する。 - 特許庁

The raw material, diffusion-mixed with the additive for denitration, is directly charged from the raw-material supplying unit 20 into the kiln and reaches the suitable temperature area, positioned near the middle of the length direction of the rotary kiln 10 and high in NO_x reduction effect, so that the amount of NO_x produced is reduced.例文帳に追加

脱硝用添加剤が拡散混合された原料は、原料供給装置２０から窯内へ直接投入され、ロータリキルン１０の長さ方向の中間近傍位置にあるＮＯｘ低減効果の高い適性温度域まで到達しＮＯｘの発生量を低減する。 - 特許庁

To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area.例文帳に追加

別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してｎｍ大きさの微細チャネルと浅いソース及びドレインを形成すること、また同じ面積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。 - 特許庁

To provide an improved optical analysis system for enhancing the response speed and sensitivity by increasing a surface area of a solid phase, reducing the diffusion length and reinforcing optical coupling to an excitation light source between the solid phases and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

To provide an improved optical analytical system of enhanced reaction rate and sensitivity, by increasing a surface area of a solid phase, by reducing a diffusion distance, and by making firm optical coupling to an excitation light source between the solid phases, and coupling between the solid phase and a detected object.例文帳に追加

固相の表面積の増加、拡散距離の低下、および固相間の励起光源に対する光学的結合ならびに固相と検出物との結合の強化により反応速度および感度が向上した改善された光学的分析システムを提供するものである。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いｐ形層内に電流狭窄領域を設けながら、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a diffusion transfer process planographic printing plate with an aluminum substrate as the base having both good printing resistance and stain suppressing performance, capable of preventing the whitening of the non-image area and capable of also suppressing the occurrence of undissolved matter, that is, sludge in a developing solution and in a solution used for removing the emulsion layer.例文帳に追加

耐刷性能と汚れ抑止性能の両性能が共に良好で、かつ非画像部の白色化の防止、現像液や乳剤層除去液中の不溶解物すなわちヘドロの発生も抑制できるアルミニウム基板を支持体とした拡散転写法平版印刷版を提供すること。 - 特許庁

The image processor combines the gradation conversion by the multi-valued error diffusion system with the gradation conversion by the area gradation conversion system and excludes intense black and white pixels or a minimum value and a maximum value in consecutive gradation from an object of averaging in the case of averaging processing for the resolution conversion.例文帳に追加

この画像処理装置は、多値誤差拡散による階調変換と面積階調変換による階調変換とを組み合わせ、さらに解像度変換のための平均化処理時に真黒、真白画素、又は連続階調における最小値、最大値を、平均化の対象から除外するものである。 - 特許庁

A horizontally arranged punching metal 7 is provided in the light diffusion chamber 3; a light reflector 9, which laterally reflects the light guided in from the optical duct is provided in an area directly below a portion connected to the optical duct on the punching metal 7; and a translucent plate 10 is arranged below the punching metal 7.例文帳に追加

また、光拡散室３においては、水平に配置されたパンチングメタル７を設け、パンチングメタル７上における光ダクトとの結合部の直下域には、光ダクトから導入された光を側方に向けて反射する光反射体９を設け、パンチングメタル７の下方には、半透明板１０を配置する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided that has a primary diffusion area (501) where multiple source regions (S), channel regions, and drain regions (D) are formed into a ring shape; and multiple primary gate electrodes (502), which are each formed on the multiple channel regions via a gate insulating film, and that in a radial shape.例文帳に追加

それぞれ複数のソース領域（Ｓ）、チャネル領域及びドレイン領域（Ｄ）がリング状に形成される第１の拡散領域（５０１）と、それぞれが複数のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成され、かつ放射状に形成される複数の第１のゲート電極（５０２）とを有する半導体装置が提供される。 - 特許庁

Above the first non-movable electrode 7a, the second non-movable electrode 9a made from impurity diffusion polysilicon is provided through the first non-movable electrode 7a and an auxiliary insulated separation film 8 so that a facing area against the movable electrodes 6d changes according to the displacement of the beam structure 4.例文帳に追加

この第１の固定電極７ａの上方には、梁構造体４の変位に応じて可動電極６ｄとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第２の固定電極９ａが第１の固定電極７ａと補助絶縁分離膜８を介した状態で支持される。 - 特許庁

In this controlled potential elecrolytic gas sensor using an electrolyte comprising a sulfuric acid solution, is provided with a gas diffusion electrode formed with a gold sintered body layer obtained by sintering gold grains of 4-16 m^2/g in specific surface area, on one face of a gas permeable membrane.例文帳に追加

定電位電解式ガスセンサは、硫酸水溶液よりなる電解液を用いる定電位電解式ガスセンサにおいて、ガス透過膜の一面に、比表面積が４〜１６ｍ^^2 ／ｇの金粒子を焼結して得られる金焼結体層が形成されてなるガス拡散電極を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The projection optical system which forms images of a first face (M) on a second face (W) comprises a diffusion face which is disposed at a given location in an optical path between the first face and the second face, and has a required diffusing power distribution for setting a distribution of flare lights reaching the effective image formation area on the second face to a given distribution.例文帳に追加

第１面（Ｍ）の像を第２面（Ｗ）上に形成する本発明の投影光学系は、第１面と第２面との間の光路中の所定位置に配置されて第２面上の有効結像領域に達するフレア光の分布を所定分布にするための所要の拡散度分布を有する拡散面を備えている。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.例文帳に追加

オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁

The inspection system is specifically intended and designed for a second optical wafer inspection for such defects as metalization defects, such as scratches, voids, corrosion and bridging, as well as diffusion defects, passivation layer defects, scribing defects, glassivation defects, chips and cracks from sawing, solder bump defects, and bond pad area defects.例文帳に追加

この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.例文帳に追加

超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A gage diffusion resistance 3 and a circuit element 4 are formed on a first silicon substrate 11, a recess part is formed on a second silicon substrate 12 for forming the diaphragm 1, and an exposure part 15 where the second silicon substrate 12 is exposed is formed by grinding at the outer periphery part of an element and diaphragm forming area on the SOI substrate 10.例文帳に追加

第１のシリコン基板１１にゲージ拡散抵抗３、回路素子４を形成し、第２のシリコン基板１２に凹部を形成してダイヤフラム１を形成し、ＳＯＩ基板１０における素子及びダイヤフラム形成領域の外周部に、研削することにより第２のシリコン基板１２が露出した露出部１５を形成する。 - 特許庁

Here, a diffusion area which leads to a certain photoelectric conversion part and forms the reset transistor, the source follower transistor, and a switch transistor is formed in the vicinity of a photoelectric conversion part adjacent to the photoelectric conversion part, and in addition, the transfer transistor, the reset transistor, the source follower transistor and the selection transistor are arranged in parallel with one another.例文帳に追加

ここで、ある１つの光電変換部につながり、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及びスイッチトランジスタを形成する拡散領域が、その光電変換部に隣接した光電変換部の近傍に形成され、また、上記の転送トランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロアトランジスタ及び選択トランジスタが互いに並行に配置される。 - 特許庁

Hence, when the upper surface side of the liquid crystal display panel 13 is illuminated by leading the light from the light source 16 to the surface direction by the light leading film 18, the site corresponding to the surrounding part of the display area 15 in the liquid crystal panel 13 is brightly illuminated by the light diffusion part 20 of the light leading film 18.例文帳に追加

従って、光源１６からの光を導光フィルム１８で面方向に導いて液晶表示パネル１３の上面側を照明する際、導光フィルム１８の光拡散部２０によって液晶表示パネル１３における表示領域１５の周辺部に対応する箇所を明るく照明することができる。 - 特許庁