「diffusion area」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that the cross section of the projection of the thermal-conductive elastic body have an area larger than the opening of the diffusion sheet.例文帳に追加

熱伝導性弾性体の突出部の横断面は、拡散シートの開口より大きい面積を有することが好ましい。 - 特許庁

The demagnetizing field having such a distribution is applied to the magnet 31, so a diffusion area 32 is formed at a part of the surface 34.例文帳に追加

このような分布の反磁界が磁石３１に加わるから、表面３４の一部に拡散領域３２を形成している。 - 特許庁

To provide a heat sink which increases the surface area of a fin and has high heat diffusion and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、フィンの表面積を増加させ、高い熱放散を有するヒートシンクとその製造法を提供する。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer (a P pocket) 7 is formed under the sensing area 6 in the sensitive film 4 within the silicon substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層（Ｐポケット）７は、シリコン基板２内における感応膜４のセンシング領域６の下方に形成されている。 - 特許庁

To prevent the wire breaking of a diffusion layer in an active layer, and also to reduce the cell area.例文帳に追加

活性領域における拡散層の断線を防止できるようにすると共に、セル面積を低減することができるようにする。 - 特許庁

A heatsink (1) has a thermal diffusion area which is enclosed by a material and surrounds all the edges of a mounting surface (3).例文帳に追加

ヒートシンク（１）は、取り付け面（３）をすべてのエッジにおいて取り囲んでいる素材的に閉じた熱拡散領域を有している。 - 特許庁

The projected light is scattered at the light diffusion parts 10, and the sensor area which the finger is brought near or touches is made to emit light.例文帳に追加

投射光は光拡散部１０で散乱され、手指を接近又は接触させた方のセンサー領域を発光させる。 - 特許庁

By this construction, a common diffusion area can be arranged in a region where the gate electrodes are opposed to each other.例文帳に追加

このような構造にすることで、ゲート電極同士が対向する領域に共通拡散領域を設けることが可能となる。 - 特許庁

The N well diffusion area of the P-channel MOS transistor 109 is electrically independent (floating) from other circuit portions.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０９のＮウェル拡散領域は、他の回路部分から電気的に独立（フローティング）となっている。 - 特許庁

In each memory cell, an N-type first impurity diffusion area 3 is formed in a top layer of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

各メモリセルにおいて、半導体基板２の表層部には、Ｎ型の第１不純物拡散領域３が形成されている。 - 特許庁

The impact relieving section 9 is formed on the portion overlapping the drain pad 17 of the diffusion area 4.例文帳に追加

ここに、衝撃緩和部９は、ｎ^+形ドレイン拡散領域４においてドレインパッド１７に重複する部位上に形成されている。 - 特許庁

A display luminance calculation section 152 calculates display luminance of each area based on the LED data 33 and a luminance diffusion filter 155.例文帳に追加

表示輝度算出部１５２は、ＬＥＤデータ３３と輝度拡散フィルタ１５５とに基づいて、各エリアの表示輝度を算出する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus efficiently performing charge transfer from a photodiode to a floating impurity diffusion area.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

In another embodiment, the at least one metal is nickel, and the high-surface-area electrode is a nickel screen electrode or a carbon diffusion electrode.例文帳に追加

少なくとも一種の金属がニッケルを含み、高表面積電極がニッケルスクリーン電極又は炭素拡散電極である。 - 特許庁

To reduce resistance of a source diffusion layer, without having to increase the pattern area of a memory cell of a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のメモリセルのパターン面積の増大を伴なうことなくソース拡散層の低抵抗化を行う。 - 特許庁

A DC power supply 15 applies a voltage between the N^+ diffusion layer 8 and the P^+ diffusion layer 9 so as to flow a drain current corresponding to the quantity of the to-be-detected object attached to the sensing area 6.例文帳に追加

直流電源１５は、センシング領域６への検出対象の付着量に応じたドレイン電流を流すために、Ｎ^+拡散層８とＰ^+拡散層９との間に電圧を印加する。 - 特許庁

To achieve a dielectric memory device which secures the effective area of the greatest capacitor decided by the size of a diffusion prevention film, and also hardly causes the exfoliation of the diffusion prevention film during heat treatment.例文帳に追加

拡散防止膜の大きさによって決まる最大のキャパシタの実効面積を確保し且つ熱処理時における拡散防止膜の剥離が生じにくい誘電体メモリ装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a solar cell manufacturing method which forms an n-type diffusion layer in a specific area without forming unnecessary n-type diffusion layers in a manufacturing process of solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成する太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The identification signal generating device 2 includes a diffusion section 25c for performing diffusion processing using a C/A code of a GPS satellite with which a transmission radio wave does not reach the silent-mode area; and a modulation section 25d for modulating a signal after diffusion processing into a GPS form and outputting the signal.例文帳に追加

識別信号発生装置２は、マナーエリアに送信電波が到達しないＧＰＳ衛星のＣ／Ａコードを用いて拡散処理を行う拡散部２５ｃと、拡散処理後の信号をＧＰＳ形式に変調して出力する変調部２５ｄとを備える。 - 特許庁

When an anode side diffusion layer 122 and a cathode side diffusion layer 132 are pressed by the separators 140 and 150 toward proton exchange membrane 110, respective diffusion layers will have thicknesses different from their original shapes depending on area.例文帳に追加

このセパレータ１４０及び１５０によって、アノード電極側の拡散層１２２及びカソード電極側の拡散層１３２を夫々プロトン交換膜１１０に向って押圧すると、夫々の拡散層は、部位に応じて原形状と異なる厚みを有することとなる。 - 特許庁

A diffusion coefficient selection part 650 sets a diffusion coefficient set for diffusing a quantization error at the time of quantizing a pixel in the vicinity of the noticed picture element over the noticed picture element in accordance with a position of the noticed picture element in a current processing area of the error diffusion processing.例文帳に追加

拡散係数選択部650は、誤差拡散処理の現在の処理領域における注目画素の位置に応じて、注目画素の近傍の画素を量子化した際の量子化誤差を注目画素に拡散するための拡散係数セットを設定する。 - 特許庁

Concerning the compound semiconductor device with which a diffusing area containing a second electro-conductive impurity is cyclically located on the surface area of a first electro-conductive compound semiconductor, a diffusion blocking area containing a second electro-conductive impurity different from the impurity contained in the diffusing area is provided in the lateral periphery and/or on the bottom of the diffusion area.例文帳に追加

第１の電気伝導型の化合物半導体の表面領域に第２の電気伝導型の不純物を含む拡散領域が周期的に配列された化合物半導体素子において、前記拡散領域の、横方向周囲および／または底部に、前記拡散領域に含まれる不純物とは異なる第２の電気伝導型の不純物を含む拡散阻止領域が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a composite sheet for a direct methanol type fuel cell which is superior in methanol diffusion and can supply methanol to an anode at a large area with diffusion and penetration effect, even if a methanol solution feed section from a fuel cartridge has a comparatively small area.例文帳に追加

メタノール拡散性に優れ、燃料カートリッジからのメタノール水溶液送出部が比較的小さな面積であっても、拡散浸透効果によってアノードに大面積でメタノールを供給することが可能なダイレクトメタノール型燃料電池用複合シートを提供する。 - 特許庁

The screen for rear projection display 30 is composed by superposing a plurality of diffusing films 2 to diffuse incident light from a predetermined angle area within the predetermined angle area, and constituted so that the diffusion angle areas 7 of the laminated diffusion films may be superposed.例文帳に追加

特定の角度領域内からの入射光を特定の角度領域内に拡散させる拡散フィルム２を複数枚重ねてなり、積層する拡散フィルムの拡散角度領域７が重複することを特徴とするリアプロジェクションディスプレイ用スクリーン３０である。 - 特許庁

The reflection screen may be a laminate composed of a louver sheet having a plurality of transparent areas (light transmissive area) partitioned by a plurality of louvers (dark color area) and the light diffusion reflection sheet.例文帳に追加

反射スクリーンは、複数のルーバー（暗色域）により隔てられた複数の透明域（透光域）を有するルーバーシートと、前記光拡散反射シートとの積層体であってもよい。 - 特許庁

A film 4 for preventing the diffusion of H_2O is formed at least between the multilayer wiring of the logic area and an element forming layer 1 of the logic area.例文帳に追加

少なくともロジック領域の多層配線層と、ロジック領域の素子形成層１との間に、ロジック領域内へのＨ_２Ｏの拡散を防止する拡散防止膜４が形成されている。 - 特許庁

An operation of one pixel is fundamentally a signal charge accumulation in a photodiode area 17, a transferring the signal charge accumulated in the photodiode 17 to the charge holding area 21, a holding the signal charge in the charge holding area 21, and a transferring the signal charge from the charge holding area 21 to the floating diffusion area 18.例文帳に追加

ひとつの画素の動作は、フォトダイオード領域１７での信号電荷蓄積→フォトダイオード領域１７に蓄積された信号電荷を電荷保持領域２１に転送→電荷保持領域２１における信号電荷の保持→電荷保持領域２１からフローティングディフュージョン領域１８への信号電荷転送、を基本としている。 - 特許庁

In the channel area between the impurity diffusion layers 20 and 21, charge densities of an area 51 which can be controlled by the selection gate 18 and an area 52 which can be controlled by the memory gate 17 are different from each other.例文帳に追加

不純物拡散層２０，２１の間に位置するチャネル領域のうち、選択ゲート１８により制御され得る領域５１とメモリゲート１７により制御され得る領域５２とにおける不純物の電荷密度が異なる。 - 特許庁

To obtain a riser pipe which can efficiently prevent the diffusion of polluted soil by discharging groundwater in a polluted soil area from the polluted soil area, when the polluted soil exists in the area with a formed groundwater discharge hole.例文帳に追加

本発明は地下水排出穴が形成された部位に汚染された土壌がある場合に、該汚染された土壌部位の地下水を該部より排水して、汚染された土壌の拡散を効率よく防止することができるライザーパイプを得るにある。 - 特許庁

The light-diffusion particulates 21 are to be agglomerates 210, with a ratio of a plane area occupied by the agglomerates 210 on a coated area of the light guide plate base material 1 to a coated area of the coating liquid 2 to be 0.1% or more and 70% or less.例文帳に追加

光拡散微粒子２１は凝集体２１０とされ、導光板基材１の塗工面における凝集体２１０が占める平面積と塗布液２の塗布面積との比率は０．１％以上７０％以下である。 - 特許庁

The signal charge storage part 7 stores the signal charge by a coupling capacitor CFD between the stray diffusion area 22 and the substrate 20.例文帳に追加

信号電荷蓄積部７は、浮遊拡散領域２２と基板２０との間の接合容量Ｃ_ＦＤによって信号電荷を蓄積する。 - 特許庁

A N^+ diffusion layer 8 forms a P/N junction having a junction plane 50 facing the sensing area 6 between it and the P pocket 7.例文帳に追加

Ｎ^+拡散層８は、センシング領域６と対向する接合面５０を有するＰ／Ｎ接合を、Ｐポケット７との間で形成する。 - 特許庁

The P-channel MOS transistor 109 is formed in an N well diffusion area formed on a substrate of a P conductivity type.例文帳に追加

このＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０９は、Ｐ導電型の基板上に形成されたＮウェル拡散領域内に形成されている。 - 特許庁

A ring-like n^+ diffusion region 1 is formed in the peripheral area of the surface region of a semiconductor substrate to surround a transistor cell.例文帳に追加

半導体基板の表面領域の外周領域にトランジスタセルを取り囲むようにリング状のｎ^+拡散領域１が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device comprises two trench capacitors 2a and 2b formed inside a semiconductor substrate 1, a first diffusion area 12 formed on those two trench capacitors 2a and 2b, a gate electrode 13 formed on a portion of the first diffusion area 12 and a second diffusion area 16 formed in the periphery of a gate electrode 13 on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１内部に形成された２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂと、この２つのトレンチキャパシタ２ａ，２ｂ上に形成された第１の拡散領域１２と、この第１の拡散領域１２上の一部に形成されたゲート電極１３と、半導体基板１表面であってゲート電極１３の周縁に形成された第２の拡散領域１６とを備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

A 2nd impurity diffusion area of the cell Tr is connected to an accumulation electrode of the capacitor and a gate electrode of the 1st search Tr.例文帳に追加

セルＴｒの第２の不純物拡散領域がキャパシタの蓄積電極及び第１サーチＴｒのゲート電極に接続される。 - 特許庁

The emitter diffusion area 23 is formed by self alignment by forming a side wall 14' together with the NPN transistor.例文帳に追加

ＮＰＮトランジスタと同時にサイドウォール１４’を形成することにより、セルフアラインでエミッタ拡散領域２３を形成するようなプロセスとする。 - 特許庁

To secure enough illuminance required of a diffusion area, with the use of light irradiated from an LED light source upward aslant.例文帳に追加

ＬＥＤ光源から斜め上方へ出射する光を用いて拡散領域に要求される照度を十分に確保することができる。 - 特許庁

When the conductivity type of the diffusion layer of a dummy cell region 22 is made opposite to that of the diffusion layers of adjacent memory cells, the diffusion layer formed in the dummy cell region 22 can also the used as a well potential supplying diffusion layer and the increase of the chip area caused by the increase of the split number of a memory cell array section can be suppressed.例文帳に追加

ダミーセル領域２２の拡散層の導電型をそれと隣接するメモリセルのセルの拡散層と逆にすれば、ダミーセル領域２２に形成される拡散層をウェル電位供給用拡散層として兼用することができ、メモリセルアレイ部の分割数が増大することによるチップ面積の増大を抑制することができる。 - 特許庁

A error diffusion processing part 630 quantizes the noticed picture element to which the quantization error is added in accordance with the diffusion coefficient set, and stores the quantization error of the noticed picture element in a quantization error memory 640 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of the current processing area.例文帳に追加

誤差拡散処理部630は、拡散係数セットに応じて量子化誤差を加算した注目画素を量子化し、現在の処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために注目画素の量子化誤差を量子化誤差メモリ640に格納する。 - 特許庁

A substrate contact diffusion area 13a is formed in a varactor active area by doping an n-well region 12 with comparatively high-concentration N-type impurities, but an extension area (or LDD area), such as the varactor of a usual semiconductor device is not formed.例文帳に追加

バラクタ用の活性領域には、Ｎウェル領域１２に比較的高濃度のＮ型不純物をドープしてなる基板コンタクト用拡散領域１３ａが形成されているが、従来の半導体装置のバラクタのようなエクステンション領域（又はＬＤＤ領域）は形成されていない。 - 特許庁

The pigment, having the above-described water surface diffusion area, ratio of water surface diffusion area to average particle size, and leafing value, is prepared by controlling the shape of an aluminum powder before grinding or milling, the conditions of grinding or milling, and the like.例文帳に追加

なお、水面拡散面積と、平均粒子径に対する水面拡散面積の比と、リーフィング値と、がそれぞれ上記の範囲にある、アルミニウム顔料は、粉砕、磨砕前のアルミニウム粉末の形状、粉砕条件または磨砕条件などを制御することにより得ることができる。 - 特許庁

To allow indirect observation under the condition where a desired voltage is impressed to a diffusion area of a sample surface part observed actually, without affected by sample structure, when a state of a local depletion layer in the diffusion area of a semiconductor sample is observed by an SCM.例文帳に追加

半導体試料の拡散領域の局所的な空乏層の状態をSCM により観察する際、試料構造の影響を受けることなく、実際に観察している試料表面部の拡散領域に所望の電圧を印加した状態で間接的に観察することを可能にする。 - 特許庁

The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加

Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁

Then, the sum of diffusion coefficients by which quantization errors to be diffused to a direction opposite to the scanning direction of the band area 310 are to be multiplied is made smaller than the sum of diffusion coefficients by which quantization errors to be diffused to the same direction as the scanning direction of the band area 310 are to be multiplied.例文帳に追加

そして、バンド領域３１０の走査方向とは逆方向へ伝搬させる量子化誤差に乗ぜられる拡散係数の和を、バンド領域３１０の走査方向と同じ方向へ伝搬する量子化誤差に乗ぜられる拡散係数の和よりも小さくする。 - 特許庁