「diffusion area」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device is connected with a power supply wiring to a ground wiring through a wiring layer and a diffusion layer by covering a blank area on a chip with MOSs irrespective of an area close to the power supply wiring or the ground wiring.例文帳に追加

電源配線あるいはグランド配線に近接した領域であるか否かにかかわらず、チップの空き領域にＭＯＳを敷き詰め、配線層、拡散層を利用して電源配線・グランド配線に接続させるようにしたものである。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

The second semiconductor area (2) works as a semiconductor area in the depthwise direction (diffusion direction) of a semiconductor layer (20), and as a resistance element in the direction parallel with the main surface (20a) of the semiconductor layer (20) that is perpendicular to the depthwise direction.例文帳に追加

第２の半導体領域（２）は、半導体層（２０）の深さ方向（拡散方向）には半導体領域として作用し、深さ方向と直角な半導体層（２０）の主面（２０ａ）と並行な方向には抵抗素子として作用する。 - 特許庁

Then heat treatment is carried out by irradiation with an energy beam 19 to diffuse impurity atoms in the silicon film 13 by using the compound layer 18 as an impurity diffusion source, thereby forming a source area 20 and a drain area 21.例文帳に追加

次に、エネルギービーム１９を照射して熱処理を行うことにより、化合物層１８を不純物拡散源としてシリコン膜１３に不純物原子を拡散させてソース領域２０およびドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed.例文帳に追加

ＤＭＯＳ型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極１４をマスクとしてＰ^+ 型ボディー拡散層１５表面に低濃度Ｎ型不純物を導入してなるＮ^- 型のオフセット領域１７を形成する。 - 特許庁

In the grinding wheel body 2, the concentration of Al used in diffusion bonding is higher at the central area in the direction of thickness than that at the end areas in the direction of thickness, and the concentration of Al is gradually lowered as it goes toward the end area in the direction of thickness.例文帳に追加

砥石本体２を、その厚み方向の中央部では、厚み方向の端部に比べて、拡散接合に用いたＡｌの濃度が高く、厚み方向の端部に向かうにつれてＡｌの濃度が漸次低下している構成とする。 - 特許庁

To provide a p type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of a p type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the p type diffusion layer area-selectively while suppressing internal stress and warpage of each substrate without significantly lowering the life time in a manufacturing process of the solar cells using crystal silicon substrates.例文帳に追加

結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、ライフタイムを大きく低下させずに、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを抑制しつつ、部位選択的にｐ型拡散層を形成することが可能なｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The laser projection apparatus, which is configured to perform two-dimensional scan of modulated laser light by a scanning mechanism and project an image, includes: a diffusion section 150 arranged in a condensing area of the laser light emitted from the laser light source; and a first diaphragm member 160 arranged close to the incident side of the diffusion section so as to block back scatter light 250 generated in the diffusion section.例文帳に追加

変調されたレーザ光を走査機構にて２次元的に走査して画像投影するレーザ投射装置において、レーザ光源からのレーザ光の集光領域に配置される拡散部１５０と、上記拡散部の入射側で近傍位置に配置され拡散部で生じた後方散乱光２５０を遮る第１絞り部材１６０とを備えた。 - 特許庁

Thus, even when forming the diffusion layer region 5 thiny, the shrinkage at both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 is suppressed, and the increase of the contact resistance is suppressed, while securing the connection area of both ends in the longitudinal direction of the diffusion layer region 5 and a contact plug 13 embedded in a contact hole 12.例文帳に追加

これにより、拡散層領域５を細く形成する場合でも、拡散層領域５の長手方向の両端における縮みを抑制することができ、拡散層領域５の長手方向における両端と、コンタクトホール１２に埋め込まれたコンタクトプラグ１３との接続面積を確保しながら、コンタクト抵抗の上昇を抑えることが可能である。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step to dope an area of first conductivity type of a silicon substrate with impurities of second conductivity type opposite to first conductivity type and heat it so as to form a diffusion layer of the second conductivity type; and a step to implant nitride or fluorine ions to the diffusion layer and give a carbon dioxide gas laser to the diffusion layer.例文帳に追加

シリコン基板の第１導電型の領域に、第１導電型と反対の第２導電型の不純物をドーピングし、熱処理を行って、第２の導電型の拡散層を形成する工程と、この拡散層に窒素又はフッ素をイオン注入し、その後、この拡散層に炭酸ガスレーザーを照射する工程を有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A cathode side electrode 4 and an electron diffusion layer 14 are provided in this order from the electrolyte/electrode assembly 12 side toward the separator 6b on one end surface of the electrolyte/electrode assembly 12, and the electrons reached to the electron diffusion layer 14 through the bosses 7b of the separator 6b are diffused throughout the whole area of the electron diffusion layer 14.例文帳に追加

電解質・電極接合体１２の一端面には、該電解質・電極接合体１２側からセパレータ６ｂに向かってカソード側電極４、電子拡散層１４がこの順序で設けられており、セパレータ６ｂのボス部７ｂを介して電子拡散層１４に到達した電子は、この電子拡散層１４の全域に拡散する。 - 特許庁

To make a circuit a small scale and to perform cost reduction by enabling one circuit to perform dithering and error diffusion processing, to prevent dot generation in a blank part even in the case of correcting the discontinuity of gradation with error diffusion processing and to prevent the occurrence of color slurring in a colored character and a homogeneous image area even in the case of adding error data with error diffusion processing.例文帳に追加

１つの回路でディザと誤差拡散処理とを行えるようにして回路の小規模化と低コスト化を図り、誤差拡散処理で階調の不連続性を補正する場合にも、白地部分でのドットの発生を防ぎ、誤差拡散処理で誤差データを加算する場合にも、色付きの文字および一様な画像領域における色ずれの発生を防ぐ。 - 特許庁

In an internal structure of the treated face of the outer peripheral face of the cylinder liner, a diffusion layer 2 in which nitrogen is diffused, and a compound layer 3 at an interface area between the diffusion layer 2 and a plating layer 4, dispersedly exist, and are firmly adhered and integrated with the base 1.例文帳に追加

製造されるシリンダライナの外周面の処理面における内部構造は、母体(1) に窒素が拡散された拡散層(2) と、その拡散層(2) とメッキ層(4) との界面領域の化合物層(3) が分散して存在し、強固に密着一体化している。 - 特許庁

From an edge part 23f of a bottom contact part 23c in contact with the bottom part 56a on the diffusion layer 23b to at least a part of a projection area 23g when the inclination part 56c is projected onto the diffusion layer 23b, a water-repellent treatment part 8 is formed.例文帳に追加

拡散層２３ｂにおける底部５６aに接する底部接触部２３ｃの縁部２３ｆから、傾斜部５６ｃを拡散層２３ｂに投影したときの投影領域２３ｇの少なくとも一部までの間には、撥水処理部８が形成されている。 - 特許庁

Error diffusion processing is performed by adding the sum of the products of quantization errors of peripheral pixels of a processing target pixel 340 in a band area 310 and error diffusion coefficients individually set to the peripheral pixels to the pixel value of the processing target pixel 340.例文帳に追加

バンド領域３１０内の処理対象画素３４０の周辺の画素の量子化誤差と、当該周辺の画素に対して個別に設定された誤差拡散係数との積の和を、処理対象画素３４０の画素値に加算して誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

Then sequentially stack a reflection sheet 2, an optical waveguide 3, a first diffusion sheet 4, a first lens sheet 5, a second lens sheet 6, a second diffusion sheet 7 and a liquid crystal display panel 8 within a area surrounded by a rim 11, a rim 12 and a nose 13a.例文帳に追加

続いて、枠部１１、枠部１２及び突部１３ａにより囲まれた領域内に、反射シート２、導光板３、第１の拡散シート４、第１のレンズシート５、第２のレンズシート６、第２の拡散シート７及び液晶表示パネル８を順次積み重ねる。 - 特許庁

The generating means 31 generates a first programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the first hard macro transistor and/or unnecessary contacts and a second programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the second hard macro transistor and/or unnecessary contacts when the potentials of the diffusion areas of the first and second hard macro transistors arranged adjacently based on circuit connection information are the same.例文帳に追加

生成手段３１は、回路接続情報に基づいて互いに隣接するように配置された第１及び第２のハードマクロ・トランジスタの拡散領域の電位が等しい場合には、第１のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第１のプログラマブル・トランジスタを生成するとともに、第２のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第２のプログラマブル・トランジスタを生成する。 - 特許庁

A coverage rate representing the area of a region that is the sum of an impurity diffusion layer forming region and a gate electrode forming region per given area is determined to be different between the first region A1 and the second region A2 of the semiconductor substrate.例文帳に追加

ここで、所定面積あたりの不純物拡散層の形成領域とゲート電極の形成領域の和で示される領域の面積である被覆率が、半導体基板の第１の領域と第２の領域間で異なるようにする。 - 特許庁

A low resistant impurity including layer is formed by diffusion in the area to which a laser diode of a silicon substrate is fixed, thereafter the impurity including layer is removed by selective etching, and a difference in level is provided in the area in which the optical waveguide is formed.例文帳に追加

シリコン基板のレーザダイオードを固定する領域に低抵抗の不純物含有層を拡散により形成しておき、選択的エッチングで不純物含有層を除去して、光導波路を形成した領域との間に段差を設ける。 - 特許庁

To provide a finishing solution for a planographic printing plate using an aluminum plate which imparts high ink receptivity to the image area while improving the ink stain of the non-image area as the substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

本発明の目的は、非画像部のインキ汚れを改善しつつ、同時に画像部に高いインキ受理性を持たせるアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の仕上げ液を提供することである。 - 特許庁

To extract an abnormal area and a mismatch area of both images in brain perfusion image and diffusion-weighted image, using MRI, of acute phase cerebral infarction, and to visualize a signal change of an affected side to an unaffected side and analyze quantitatively.例文帳に追加

急性期脳梗塞のＭＲＩを用いた脳灌流画像及び拡散強調画像において、異常領域及び両者のミスマッチ領域を簡易に抽出し、健側に対する患側の信号変化を可視化し定量的に解析すること。 - 特許庁

To secure good combustion at light load area in stratified combustion area by controlling diffusion of fuel spray while vaporizing and atomizing fuel well and easing for fuel spray to reach adjacent of a spark plug.例文帳に追加

成層燃焼領域内の低負荷域で、燃料の気化、霧化が良好に行われるようにしつつ、燃料噴霧の拡散を抑制し、かつ、点火プラグ周りへの燃料噴霧の到達を容易にし、良好に燃焼燃焼が行われるようにする。 - 特許庁

The high concentration diffusion area 13 keeps an approximately equal distance from the p-type semiconductor region 14 as if it surrounds the p-type semiconductor region 14, and has a first high concentration diffusion regions 13a to a sixth 13f that are respectively formed by keeping the equal distance.例文帳に追加

高濃度拡散領域１３は、Ｐ型半導体領域１４を囲むようにＰ型半導体領域１４からほぼ均等な距離だけ離間し、且つそれぞれ離間して形成された第１の高濃度拡散領域１３ａ〜第６の高濃度拡散領域１３ｆを備える。 - 特許庁

The n^--type diffusion areas 44S and 44D are formed in source forming areas S and a drain forming area D respectively in the substrate 40 sandwiching the gate electrodes 42 and n^+-type distribution areas 45S and 45D are formed respectively under the n^--type diffusion areas 44S and 44D.例文帳に追加

このゲート電極４２を挟んで基板４０中のソース形成領域Ｓ及びドレイン形成領域Ｄに、ｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄをそれぞれ形成し、そのｎ^−型拡散領域４４Ｓ，４４Ｄの下にｎ^＋型拡散領域４５Ｓ，４５Ｄをそれぞれ形成した。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

At one end of the translucent medium 1, a transmission and diffusion part 4 is formed which diffuses light and in an area where the optical fiber is not arranged at the other end of the translucent medium 1, a reflection part 5 which reflects light (or a reflection and diffusion part which reflects and diffuses light) is formed.例文帳に追加

透光性媒体１の一端には、光を拡散する透過拡散部４が形成されており、透光性媒体１の他端の光ファイバの配置されていない領域には、光を反射する反射部（又は光を反射拡散する反射拡散部）５が形成されている。 - 特許庁

The time to reduce the metallic element content within a metallic element diffusion treatment layer to 3-5 wt.% is predicted in a plane analysis by utilizing a behavior of an increase in the ratio of an area occupied by an island-shaped low metallic element concentration phase distributed within the metallic element diffusion treatment layer.例文帳に追加

面分析により、金属元素の拡散処理層内にて島状に分布する低金属元素濃度相が占める面積率の増加挙動を利用してこの金属元素拡散処理層内の金属元素含有率が３〜５重量％にまで低下する時期を予測する。 - 特許庁

The unevenness of the transparent film 5 is inspected, based on the light and shade of light reflected by a metal film 4 by lighting a light source 38 of a diffusion light source unit 28, irradiating the whole area of the transparent film 5 with diffused light S1 diffused by a translucent white plate 39, a diffusion plate 40 and a color filter 41.例文帳に追加

透明膜５のムラは、拡散光源ユニット２８の光源３８を点灯させ、乳白色板３９、拡散板４０、カラーフィルタ４１により拡散された拡散光Ｓ１を透明膜５の全域に照射し、金属膜４で反射された光の濃淡に基づいて検査する。 - 特許庁

In this case, in a step of growing a second semiconductor layer structure on a substrate in an area where the first layer structure 11 is etched and removed, the diffusion of an excessive material from a first area R1 to a second area R2 is reduced, thus suppressing the growth speed of the layer structure or the change of a crystal composition.例文帳に追加

このとき、第１層構造１１がエッチング除去された領域の基板１０上に第２半導体層構造を成長する工程において、第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２への余分な原料の拡散が低減され、層構造の成長速度の増加や結晶組成の変化の発生が抑制される。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a high withstand voltage MOS transistor where the boundary of a low concentration diffusion area surrounding a drain area can be matched with a field oxidized film formed between a gate and a drain area in terms of self-matching, resulting in high withstand voltage and the less dispersion of a transistor characteristic.例文帳に追加

ドレイン領域を取り囲む低濃度拡散領域の境界を、ゲートとドレイン領域との間に形成されるフィールド酸化膜の境界に自己整合的に合わせることができるようにし、それにより高耐圧及びトランジスタ特性のバラツキの少ない高耐圧ＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

Especially, it is preferable to use the absorbed sweat-diffusing knit fabric having ≥3 diffusion area ratio or the fabric consisting of at least two layers of hydrophobic reverse layer and hydrophilic surface layer.例文帳に追加

そして特に、拡散面積比が３以上の吸汗拡散性編地や、疎水性の裏層と親水性の表層との少なくとも二層からなる吸汗拡散性編地を用いることである。 - 特許庁

In the diffusion area 32, a heavy rare-earth element such as Dy and Tb is diffused inwardly from the surface 34 and coercive force decreases inwardly from the surface.例文帳に追加

拡散領域３２では、ＤｙやＴｂ等の重希土類元素が表面３４から内部に向けて拡散し、表面から内部に向かうに従って保磁力が減少している。 - 特許庁

To prevent the lowering of the ink receptivity of an image area in printing repeated many times in the case of a planographic printing plate using an aluminum plate as the substrate and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材版において、多数枚の印刷時に発生する画像部のインキ着肉性の低下を防止する。 - 特許庁

The light diffusion layer 12 has a pattern consisting of mesh points, and a gradation is formed so that the area of the pattern reduces with the photo-quantity penetrating the photo- guide plate 10.例文帳に追加

光拡散層は、網点からなるパターンを有し、そのパターンの面積が導光板を透過する光の光量が少なるに従って小さくなるように、グラデーションが形成されている。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

As the feature of this semiconductor storage device, the storage device is provided with an insulating film which separates the second word line from a first diffusion area and has a prescribed thickness under the second word line.例文帳に追加

この半導体記憶装置の特徴として、第２のワード線下部に位置して、第２のワード線とトランジスタの第１の拡散領域とを隔てる所定の厚さの絶縁膜を備える。 - 特許庁

To improve power generation performance of a fuel cell in which gas is supplied through a closed passage, by uniformizing an area in which the gas flows from the closed passage into a diffusion layer.例文帳に追加

閉塞流路によってガスを供給する燃料電池において、閉塞流路から拡散層にガスが流れ込む領域を均一化し、燃料電池の発電性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus in which nuclear species of short diffusion length related to photodegradation of an amorphous silicon thin film can be removed furthermore, and a large area film can be produced.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

At a place that is included in the back surface 121 and is isolated from the entrance surface 132, a light-extraction pattern area 4 where multiple dot-shaped light diffusion parts 125 are arranged is formed.例文帳に追加

後背面１２１のうち入射面１３２から離隔した位置には、複数のドット状の光拡散部１２５が配列された光取出しパターン領域４が形成されている。 - 特許庁

A light diffusion member 11 having a shape capable of covering the whole of an effective light emission area of the light guide plate 4 is arranged on the side of an emission surface 10 of the light guide plate 4.例文帳に追加

導光板４の出射面１０側に、導光板４の有効発光領域の全域を覆うことが可能を形状を有する光拡散部材１１を配置してある。 - 特許庁

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

A photodiode device 22 composing one pixel includes, in an area of the photodiode device: a reading gate electrode 23 of a reading transistor; and a floating diffusion part 24 surrounded by the reading gate electrode 23.例文帳に追加

１画素を構成するフォトダイオード２２の領域内に、読み出しトランジスタの読み出しゲート電極２３と、読み出しゲート電極２３に囲まれたフローティングディフージョン部２４とを有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a microlens array sheet for preventing macro unevenness that becomes a problem in a large-area lens sheet from becoming conspicuous, attaining superior mass production and light diffusion properties, and reducing the manufacturing cost.例文帳に追加

大面積レンズシートにおいて問題となるマクロなムラが目立ちにくく、量産性に優れ、製造コストの安い、光拡散性に優れたマイクロレンズアレイシートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a solid state imaging device capable of efficiently transferring charge from a photodiode to a floating impurity diffusion area, and to provide its manufacturing method and a solid state imaging unit.例文帳に追加

フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置とその製造方法、及び固体撮像装置ユニットを提供すること。 - 特許庁

To provide a small-sized gas sensor of high versatility with a diffusion controlled path having a precise cross-sectional area formed in a junction portion or in the vicinity thereof.例文帳に追加

本発明は、高精度な断面積を有する拡散律速路を接合体部分又はその近傍に形成し、小型で汎用性の高いガスセンサーを提供することを目的としている。 - 特許庁