| 意味 | 例文 |
diffusion areaの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 588件
The first and second blocks are formed so as to be adjacent to each other in a first direction so that their selection transistors ST2 can be faced to each other, and their selection transistors ST2 are configured to share a diffusion area 18-2.例文帳に追加
第1及び第2のブロックは、互いの選択トランジスタST2が向き合うように第1の方向に隣接し、互いの選択トランジスタST2は、拡散領域18−2を共有する。 - 特許庁
Impurity diffusion is computed by adding to an interface a virtual film of the same material as that of a neighboring area which was taken into consideration in original computation, but excluded from a computation area because of area limitation for shortening a computation time, an impurity concentration of an original structure is updated from the computation result, and data of the virtual film is discarded in transition to a following process.例文帳に追加
元々の計算では考慮されていたが、計算時間を削減するための領域限定により計算領域から除外された隣接領域と同一材質の仮想膜を界面に付加して不純物拡散の計算を実行し、計算結果から元の構造の不純物濃度を更新し、後続のプロセスに移る際に仮想膜のデータを破棄する。 - 特許庁
The first internal reflection surface 3A includes a total reflection area 32 for performing internal total reflection of a light beam incident at an incident angle satisfying a predetermined total reflection condition and a diffusion area 31 for emitting to the outside at least a part of the light beam incident at the incident angle satisfying the predetermined total reflection condition in the total reflection area 32.例文帳に追加
第1の内部反射面3Aは、所定の全反射条件を満たす入射角で入射した光線を内部全反射させる全反射エリア32と、全反射エリア32における所定の全反射条件を満たす入射角で入射した光線の少なくとも一部を外部に出射させる散乱エリア31とを有する。 - 特許庁
The first internal reflection face 3A has a total reflection area 32 which makes a light beam entering with an incidence angle satisfying prescribed total reflection conditions reflected internally and totally and a diffusion area 31 which makes at least a part of the light beam entering with an incidence angle satisfying prescribed total reflection conditions in the reflection area 32 emitted to the outside.例文帳に追加
第1の内部反射面3Aは、所定の全反射条件を満たす入射角で入射した光線を内部全反射させる全反射エリア32と、全反射エリア32における所定の全反射条件を満たす入射角で入射した光線の少なくとも一部を外部に出射させる散乱エリア31とを有する。 - 特許庁
A relation between each component of the four-terminal matrix and an area thermal diffusion time shown by a physical value of the constituting single layer material is clarified by using the recurrence formulas, and a thermal diffusion rate and an interface thermal resistance of an unknown single layer material inserted into a multilayered material whose thermophysical property value is already known are calculated simultaneously.例文帳に追加
前述の漸化式を用いて、構成単層材料の物性値によって表した四端子行列の成分と面積熱拡散時間との関係を明らかにし、熱物性値が既知である多層材料中に挟んだ未知の単層材料の熱拡散率および界面熱抵抗を同時に算出する。 - 特許庁
The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface.例文帳に追加
半導体装置は、トレンチ2が形成されたシリコン基板(Nウェル8、Pウェル9)と、トレンチ2の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域(N型ウェルコンタクト拡散層領域4、P型ウェルコンタクト拡散層領域6)と、を備える。 - 特許庁
The source area 14, the drain region 15 and the gate region 17 are formed by impurities diffusion from a source drawing layer 21 of polycrystalline silicon containing impurities, a drain drawing layer 23 and a gate drawing layer 18 as diffusion sources through an opening 20a of an insulating film 20.例文帳に追加
ソース領域14、ドレイン領域15およびゲート領域17は、絶縁膜20の開口20aを介して、不純物を含む多結晶シリコンよりなるソース取り出し層21、ドレイン取り出し層23およびゲート取り出し層18を拡散源とする不純物拡散によりそれぞれ形成されたものである。 - 特許庁
Light emitted from a light-emitting area A of the group III nitride compound semiconductor light-emitting element 201, which is a primary light source, is directly discharged upwards through the sealing resin 5c into which a light diffusion material is dispersed and is also diffused by the light diffusion material dispersed into the sealing resin 5c.例文帳に追加
一次光源であるIII族窒化物系化合物半導体発光素子201の発光領域Aから発せられた光は、光拡散材料が分散された封止樹脂5cを透過して直接上方に放出される他、封止樹脂5cに分散された光拡散材料により拡散される。 - 特許庁
The ion isolation area 32 brings a PSG film 13 being an interlayer isolation film into contact with the silicon board 10 through a groove 33 formed on a silicon oxidation film 12, and traverse diffusion to the circuit element area 31 of the alkali ion intruded from a chip edge 21 to the oxidation films 11, 12 is suppressed.例文帳に追加
イオン遮断領域32は、層間絶縁膜であるPSG膜13を、シリコン酸化膜12に形成した溝33を介してシリコン基板10に接触せたもので、チップエッジ21から酸化膜11,12に侵入するアルカリイオンの回路素子領域31への横方向拡散を抑制する。 - 特許庁
The ID card for a human figure or object is provided with an RFID function and a diffusion type infrared ID function, so that the action or stationary state of a human figure or object to enter/leave the area can be surely identified and managed for each moving line regardless of the size of the area at low cost.例文帳に追加
人物や事物に対するIDカードにRFID機能と拡散式赤外線ID機能を具備するようにし、進入退出する人物や事物の挙動や静止状態の動線毎の識別と管理が、コスト的にも易くつき、エリヤの大小に関わらず確実に行える。 - 特許庁
Further, the discharge port 22a is arranged in an area located within the diffusion chamber 35 opposing the middle of the lower surface 35b and in an area space apart by an interval H2 corresponding to the discharge port from the lower surface 35b so as to be upwardly shifted to the upper surface side 35a.例文帳に追加
また、その拡散室35内にあって下面35b中央と相対する位置に排出口22aを配設し、しかもその排出口22aを下面35bから排出口離間量H2だけ離間する位置に配設し、上面35a側に偏倚させるようにした。 - 特許庁
A halftone processing part 625 performs the error diffusion processing by scanning a noticed picture element so that a scanning direction of a pixel in an odd row or column and a scanning direction of a pixel in an even row or column may become reverse in a horizontal or longitudinal direction of the area for very area of the image divided into the plurality of areas.例文帳に追加
ハーフトーン処理部625は、複数の領域に分割された画像の領域ごとに、領域を横または縦方向に、奇数行または列の画素の走査方向と偶数行または列の画素の走査方向が逆になるように注目画素を走査して誤差拡散処理を行う。 - 特許庁
In the lateral direction of the element region 2, the impurity concentration of a specific region 2a occupying the area from a first boundary location 15 to a second boundary location 16 is lower than that of a main region 2b occupying the area from the body diffusion region 3 to the first boundary location 15.例文帳に追加
素子領域2のうち、横方向に関して、ボディ拡散領域3から第1境界位置15までを占める主領域2bの不純物濃度に比して、第1境界位置15から第2境界位置16までを占める特定領域2aの不純物濃度が低い。 - 特許庁
The adjustment of the water retaining performance of the gas diffusion layer 24 is conducted by setting the content of water repellent material per unit area of the channel confronting part 24A so that it is smaller than the content of the water repellent material per unit area of the rib confronting part 24B.例文帳に追加
このガス拡散層24における保水性の調整は、チャネル対向部24Aにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量を、リブ対向部24Bにおける単位面積当たりの撥水性材料の含有量より小さく設定することによって行う。 - 特許庁
On the other hand, in a second area B in the diffusion sheet 83, the direction of light is turned to a direction of a display panel 82 by the reflection prism 83c formed in an inner wall face 83b in the back thereof and the light is radiated (arrow line 201) toward a second area B of the display panel 82.例文帳に追加
一方、拡散シート83のうち第2の領域Bでは、その後方内壁面83bに形成された反射プリズム83cによって光の方向が表示パネル82の方向に変更され、この光が表示パネル82の第2の領域Bに向けて照射(矢線201)される。 - 特許庁
As compared with the case where the opening area of the first flow passage 13 and the opening area of the second flow passage 15 are equal to each other, the supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 is suppressed, so that the liquid fuel is more easily filled in the first flow passage 13.例文帳に追加
この構造によれば、第1の流路13の開口面積と第2の流路15の開口面積とが等しい場合に比べて、第1の流路13から拡散層17への液体燃料の供給が抑制されて第1の流路13において液体燃料が充満し易くなる。 - 特許庁
He ions are directed onto the entire surface of a chip, and a life time killer is introduced from a shallower position d2 than the position d1 of a pn junction surface 31 formed of the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion area 23, to a deeper position d3, thus forming a low life time area 32 on the entire surface of the chip.例文帳に追加
チップ全面にHeイオンを照射して、n^-半導体層22とp^+拡散領域23とからなるPN接合面31の位置d1よりも浅い位置d2から深い位置d3までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域32を形成する。 - 特許庁
A distance image pick-up area 120 for reading measuring light emitted to the measured objective body 4, and a usual image pick-up area 130 for reading an image of the measured objective body 4 are formed each other in the respective optimum diffusion layer depths a picture element by a picture element in response to wavelength sensitivity characteristics.例文帳に追加
画素ごとに、測定対象物体4に照射した測定光を取り込む距離画像撮像領域120と、測定対象物体4の画像を取り込む通常画像撮像領域130とを、波長感度特性に応じて、互いに最適な拡散層深さに形成する。 - 特許庁
A work processing part 23 performs a work processing by a diffusion processing in the image area of the extracted differential image dada and changes the state of differential image data into an image state being different from the actual image pickup state.例文帳に追加
加工処理部23は、抽出された差分画像データの画像領域内に拡散処理等を施して加工処理を行い、差分画像データを実際に撮像された状態とは異なる画像状態に変化させる。 - 特許庁
To provide a means for simply applying a liquid with excellent repeating precision on the regulated area of a plane member in the application of the liquid on the plane member on which infiltration and diffusion can be generated.例文帳に追加
浸透及び拡散が発生し得る平面状部材上への液体の塗布に関し、平面状部材上の規定の範囲内に繰り返し精度よく簡便に液体を塗布することができる手段を提供する。 - 特許庁
A joint surface 1a of an upper plate member 1 diffusion-joined to a joint surface 21 of a frame member 2 is formed in projecting shape to reduce a contact area between the joint surface 1a and joint surface 21.例文帳に追加
フレーム部材2の接合面21と拡散接合される、上板部材1の接合面1aが凸形状に形成されることで、接合面1aと接合面21との接触領域を小さくすることができる。 - 特許庁
After being mixed in the mixing reaction part by molecular diffusion in the mixing channel with a micro cross-sectional surface area, the reagents are mixed with the reaction stopping chemical in the reaction stopping part to quickly stop the reaction.例文帳に追加
試薬は混合反応部において微小断面積混合流路における分子拡散によって混合した後、反応停止部において反応停止薬とを撹拌混合して、迅速に反応を停止する。 - 特許庁
The flow containing the contamination component 31 directed outward from a construction sea area 7 has its direction changed to a vertical one at a collision with a rotary plate 11, while having its direction set as a horizontal one until the flow goes beyond a contamination diffusion prevention membrane 9.例文帳に追加
工事海域7から外方へ向かう濁り成分31を含む流れは、汚濁拡散防止膜9を超えるまでは水平方向であるが、回転板11へ衝突すると、鉛直方向に変化させられる。 - 特許庁
Further, a diffusion pattern diffused in a horizontal direction in the low-beam light distribution pattern is formed, by light from the flat-face light-emitting part 25 reflected at a slanted reflection area in the rear face 22b of the transparent member 22.例文帳に追加
また、透光部材22の後面22bにおける斜め反射領域で反射された平面発光部25からの光によって、すれ違い配光パターンにおける水平方向に拡がった拡散パターンが形成される。 - 特許庁
To provide a light diffusion plate for liquid crystal display that can be produced by injection molding technique excelling in production efficiency, being thin and large (of large area), and that excels in dimensional stability, optical characteristics and mechanical strength.例文帳に追加
生産性に優れた射出成形法により生産でき、薄型で且つ大型(広面積)であり、しかも、寸法安定性、光学特性、機械的強度に優れた、液晶ディスプレイ用の光拡散板を提供する。 - 特許庁
To provide an epitaxial silicon wafer that has a high IG (Internet Gattering) ability and at the same time that suppresses a diffusion current flowing into the device area in an epitaxial silicon layer from a base silicon substrate where a high density deposit exists.例文帳に追加
高いIG能力を有し、同時に、高密度析出物が存在する下地シリコン基板からエピタキシャルシリコン層内のデバイス領域に流れ込む拡散電流を低減したエピタキシャルシリコンウェハを提供する。 - 特許庁
Here, D is the observation distance from the diffusion hologram screen to the eyes of the operator when the operator uses the secret image display device holding with hands and Y is the diameter of an observable area.例文帳に追加
0.01<Y/D<2.7 ……(1) ただし、Dは操作者が秘匿性画像表示装置を手で持って使用するときの拡散ホログラムスクリーンから操作者の眼までの観察距離、Yは観察可能領域の直径である。 - 特許庁
Processing liquid (SA) containing hardening initiator, diffusion preventer and oil (organic solvent) is hit to a medium 16 to be recorded to hit the ink containing UV monomer and pigment (color material) to a hitting area of the processing liquid (SA).例文帳に追加
被記録媒体16に硬化開始剤、拡散防止剤、オイル(有機溶剤)を含有する処理液(SA)を打滴し、処理液(SA)の打滴領域にUVモノマーと顔料(色材)を含有するインクを打滴する。 - 特許庁
To provide a heating medium diffusion member for diffusing a heating medium with a variable rate of flow and supplying the heat to a wide area and provide a heating/cooling system capable of efficiently conducting heating and cooling of a room.例文帳に追加
可変流量で熱媒体を拡散させて広範囲に熱を供給する熱媒体拡散部材と効率よく冷暖房室の冷房及び暖房を行うことができる冷暖房システムを提供すること。 - 特許庁
The optical fiber for multiple-wavelength transmission has a diffusion slope at the wavelength of 1,550 nm being 0.05 ps/nm^2/km or less and an effective core cross section area (Aeff) being 60 μm^2 or more.例文帳に追加
波長1550nmにおける分散スロープが0.05ps/nm^2/km以下でかつ有効コア断面積(Aeff)が60μm^2以上であることを特徴とする波長多重伝送用光ファイバである。 - 特許庁
The heat diffusion body 253 includes a heat movement suppression means which suppresses the heat from moving, from an axial central portion 253b thereof to each end portion 253c located outside the maximum recorded material-passing area.例文帳に追加
熱拡散体253は、その軸方向の中央部253bから、被記録材の最大通過領域よりも外側に位置している各端部253cに、熱が移動することを抑制する熱移動抑制手段を有している。 - 特許庁
The light irradiated from the light source 31 is diffused in the diffusion layer 50, over substantially the entire area and partly passes through the light-shielding layer 40 so that the light is shown on the designed surface S of the front panel 20.例文帳に追加
そして、光源31から照射された光は、拡散層50で略全領域に広がった後、その一部が遮光性の層40を透過することによって、前面パネル20の意匠面Sに映し出される。 - 特許庁
The projector 700 is configured so as to scan the display surface 500a with the address light so that an area of the display surface 500a corresponding to an image displayed on the display surface becomes to be the light diffusion state.例文帳に追加
プロジェクター700は、表示面500aのこの表示面に表示する画像に対応した領域が光拡散状態となるように、アドレス光を表示面500aに走査するよう構成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.例文帳に追加
不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The variation of a PN junction capacity caused by a thermal variation in the semiconductor wafer resulting from heat treatment in the diffusion furnace is corrected by making each area of the semiconductor region wherein the impurity is deposited different.例文帳に追加
上記拡散炉での熱処理による上記半導体ウェハの熱バラツキによるPN接合容量のバラツキは、上記不純物がデポジションされら半導体領域の面積を異なせることにより補正する。 - 特許庁
To provide a membrane structure submerged dike capable of preventing the diffusion of polluted water in the area of the sea by a submerged dike, making sure of wave dissipation and reduction of the velocity of a current and, at the same time, finely prolonging the life of the submerged dike.例文帳に追加
潜堤によって、水域における汚濁水の拡散防止、波の消波、および水流の流速の低減が、より確実にできるようにすると共に、潜堤の寿命が良好に保持できるようにする。 - 特許庁
A light diffusion part 20 is disposed by corresponding to the surrounding part of a display area 15 in the liquid crystal display panel 13 on a light leading film 18 for leading the light from a light source 16 to the surface direction.例文帳に追加
光源16の光を側部から導入して面方向に導く導光フィルム18に、光拡散部20を液晶表示パネル13における表示領域15の周辺部に対応させて設けた。 - 特許庁
The gas diffusion layers 5, 6 have through holes with an average diameter in the range 15-45 μm and the specific surface area in the range 0.25-0.55 m^2/g, and have a bulk density in the range 0.35-0.55 g/cm^3.例文帳に追加
ガス拡散層5,6は、15〜45μmの範囲の平均径と0.25〜0.5m^2/gの範囲の比表面積とを有する貫通孔を備えると共に、0.35〜0.55g/cm^3の範囲の嵩密度を備える。 - 特許庁
To reduce a layout area of a memory cell array without causing an increase in leakage current of a transistor, an increase in a value of resistance of an impurity diffusion region, or the like in a semiconductor integrated circuit incorporating a mask ROM.例文帳に追加
マスクROMを内蔵した半導体集積回路において、トランジスタのリーク電流の増加や不純物拡散領域の抵抗値の増加等を招くことなく、メモリセルアレイのレイアウト面積を削減する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加
高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The inner flange 19c, which decreases the opening area of the burning tube 11, temporarily retains the combustion gas that is injected into the burning tube 11 and flew into the diffusion prevention member 19.例文帳に追加
内フランジ部19cは、燃焼筒11の開口面積を縮小するものであり、燃焼筒11内に噴霧され、拡散防止部材19内に流入した燃焼ガス等を一時的に滞留させるものである。 - 特許庁
After forming a separated insulating area 24 in the trench, As and P are diffused into the semiconductor substrate 11 by heat treatment and the storage node electrode is connected to the diffusion layer of the transfer gate transistor.例文帳に追加
次に、トレンチに分離絶縁領域24を形成した後、熱処理によりAsとPを半導体基板11内に拡散させて、前記ストレージノード電極と前記トランスファーゲートトランジスタの拡散層とを接続する。 - 特許庁
To provide a fluid-processing device which utilizes a large specific interface area between the fluids to be mixed for effective diffusion without causing stagnation of the fluids and formed product in the micro-flow channel and can cope with mass production.例文帳に追加
混合される流体間の比表面積が大きく、効率の良い拡散が行なわれ、流体および生成物のマイクロ流路内での滞留がなく、大量製造にも対応できる流体処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and a device for joining dissimilar materials in which the pressure condition suitable for diffusion of the materials is realized at a joining interface of two kinds of different materials, the area of the adequate conditional range is increased, and the joint strength is increased.例文帳に追加
異なる2種類の材料の接合界面において材料の拡散に適した圧力条件とすることができ、適切な条件範囲の面積を広げて、継手強度の向上を実現する。 - 特許庁
To provide a large area optical element that incorporates various optical functions (such as, antireflection function, polarized light separation function, phase conversion function, light diffusion function) and is manufacturable at low cost, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
複数の光学機能(例えば、反射防止機能、偏光分離機能、位相変換機能、光拡散機能など)を併せ持った、廉価に製造可能な広い面積の光学素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
The inexpensive heat sink having an excellent mechanical strength and an excellent heat dissipating effect is composed by combining a graphite-metal complex with a good thermal diffusion factor and an aluminum heat sink having a large heat dissipating area.例文帳に追加
熱拡散率の良好な、黒鉛一金属複合体と放熱面積が大きいアルミニウムヒートシンクとの組合せにより、安価で、機械的強度にも優れ、尚かつ放熱効果の優れた放熱体を構成する。 - 特許庁
The intermediate metal layer 3 and the brazing material layer 4 are welded by pressure and diffusion-bonded with each other, and the brazing material layer 4 has a bulging part observed in its outer surface in an area percentage of 0.5% or less.例文帳に追加
前記中間金属層3とろう材層4とは互いに圧接かつ拡散接合されており、前記ろう材層4はその外表面において観察される膨れ部の面積割合が0.5%以下である。 - 特許庁
A pipe 2 of a chemicals blow-diffusion apparatus 1 is continuously placed around the objective treating area A and air containing chemicals is blasted from nearly the whole length of the pipe 2 to diffuse the chemicals-containing air to the objective treating area and achieve sufficient effect of chemicals even on a wide treating area A.例文帳に追加
効力目的範囲Aの周囲に、送風式薬剤放散装置1の管体2を連続して配設し、この管体2の長手方向ほぼ全長から薬剤を含む空気を放出することで、前記効力目的範囲Aの範囲から薬剤を含む空気を放散するようにして、効力目的範囲Aが広くとも充分な薬剤効果が得られるようにした薬剤の送風放散方法とする。 - 特許庁
The memory element 1 is provided with a gate electrode 104 formed through a gate insulating film 103 on a semiconductor layer 102, a channel area arranged below the gate electrode 104, the diffusion areas 107ab of conductive types reverse to that of the channel area on both sides of the channel area, and a memory function body 109 having the function of holding charges on both sides of the gate electrode 104.例文帳に追加
メモリ素子1は、半導体層102上にゲート絶縁膜103を介して形成されたゲート電極104と、ゲート電極104下に配置されたチャネル領域と、チャネル領域の両側で、チャネル領域と逆導電型の拡散領域107abと、ゲート電極104の両側で、電荷を保持する機能を有するメモリ機能体109とを備える。 - 特許庁
An area of a penetration guidance part 25 is disposed with a cover layer 51, thereby gas positioned outside the sensor element 10 can arrive into the sensor element 10 only through a prescribed diffusion distance, and the diffusion distance extends partially parallel to the outside 24 of a solid electrolyte layer 21.例文帳に追加
貫通案内部(25)の領域に、カバー層(51)が配置されており、これにより、センサエレメント(10)の外部に位置するガスが、センサエレメント(10)の内部へ、所定の拡散距離を介してのみ到達することができるようになっており、該拡散距離が、前記固体電解質層(21)の外側(24)に対して部分的に平行に延びているようにした。 - 特許庁
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