「diffusion area」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

To provide an n type diffusion layer formation composition, a manufacturing method of an n type diffusion layer, and a manufacturing method of solar cells which form the n type diffusion layer at a specific area without forming unnecessary n type diffusion layers in a manufacturing process of the solar cells using silicon substrates.例文帳に追加

シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なｎ型拡散層を形成させることなく特定の部分にｎ型拡散層を形成するｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。 - 特許庁

The charge-collecting area (29) includes an active region (32) of a second diffusion type and an inactive region (33).例文帳に追加

電荷収集域（２９）は、第二の拡散形式の作用領域（３２）と、非作用領域（３３）とを含んでいる。 - 特許庁

To prevent an increase in size of a semiconductor device by forming a resistance element on a diffusion layer with a good area efficiency.例文帳に追加

半導体素子の拡散層に抵抗素子を面積効率よく形成し、半導体素子の大型化を防ぐ。 - 特許庁

The second layer is a diffusion layer in contact with the surface area on the first surface side of the silicon substrate.例文帳に追加

第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。 - 特許庁

To actualize a deep expansion type diffusion area at low cost without increasing the number of processes as much as possible.例文帳に追加

できるだけ工程数を増やすことなく又安価なコストで、深部膨張形拡散領域を実現する。 - 特許庁

The diffusion between the solutions is facilitated by causing the area having the higher solute concentration to contact the other solution.例文帳に追加

そして溶質濃度の高い領域を他の溶液と接触させることで溶液間の拡散を促進する。 - 特許庁

The second layer is a diffusion layer which is in contact with the surface area at the first surface side of the silicon substrate.例文帳に追加

第２層は拡散層であり、この拡散層は、シリコン基板の第１表面側の表面領域に接する。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING AREA OF PHOTONIC CRYSTAL LAYER AND DIFFUSION MATERIAL, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME例文帳に追加

フォトニック結晶の層および拡散材料の領域を有する発光素子、ならびにこの素子の製造方法 - 特許庁

An electric charge built up in the channel region 7 is drawn out from a contact 10 through the p^+ diffusion area 14.例文帳に追加

チャネル領域７に蓄積した電荷はＰ^+拡散領域１４を介してコンタクト１０から引き抜かれる。 - 特許庁

Tokyo metropolitan area Demonstration driving tests with an eye on future diffusion Fleet driving of fuel cell vehicles by a third party例文帳に追加

首都圏 普及時をにらんだ実証走行試験 第三者による燃料電池自動車フリート走行 - 経済産業省

A gas diffusion layer 42a has a larger surface area than a gas diffusion layer 42b in the electrolyte film/electrode structure 12, and a sealing member 60 is arranged in correspondence with an outer peripheral edge part 45 of the gas diffusion layer 42a.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２では、ガス拡散層４２ａがガス拡散層４２ｂよりも大きな表面積を有しており、シール部材６０が前記ガス拡散層４２ａの外周縁部４５に対応して配置される。 - 特許庁

The error diffusion processing part 630 also stores the quantization error of the noticed picture element in accordance with the position of the noticed picture element in an error buffer 670 for referring to the quantization error in the error diffusion processing of an unprocessed area processed after processing of the current processing area.例文帳に追加

また、現在の処理領域の処理後に処理する未処理領域の誤差拡散処理において量子化誤差を参照するために、注目画素の位置に応じて注目画素の量子化誤差を誤差バッファ670に格納する。 - 特許庁

A light diffusion sheet is arranged on the upper face of the display 1, and has an area whose light diffusion ratio is different from that in the other area so as to make the boundary line of the group of the display element of the same display color unclear.例文帳に追加

表示器１の上面に光拡散シートを配置し、この光拡散シートは同一表示色の表示素子のグループの境界線を不鮮明にするように、光拡散率が他とは異なる領域を有している。 - 特許庁

This fuel cell has a structure that an area of an opening at which a first flow passage 13 opens toward a diffusion layer 17 side of a fuel electrode 1 is smaller than an area of an opening at which a second flow passage 15 opens toward the diffusion layer 17 side.例文帳に追加

この燃料電池は、第１の流路１３が燃料極１の拡散層１７側に開口する開口面積は、第２の流路１５が拡散層１７側に開口する開口面積よりも小さい構造を有する。 - 特許庁

P type buried diffusion layers 2 are formed on an element isolation area of a P type Si substrate 1 and a division part area between a photodiode II and an NPN transistor I respectively, and an N type buried diffusion layer 3 is formed in an area of an NPN transistor I.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１の表層部の素子分離領域およびフォトダイオードＩＩとＮＰＮトランジスタＩとの分割部領域にＰ型埋め込み拡散層２をそれぞれ形成するとともに、ＮＰＮトランジスタＩの領域内にＮ型埋め込み拡散層３を形成する。 - 特許庁

Among them, in the area where the CMOS 20 is mounted, an n-type diffusion layer 15a and a p-type diffusion layer 16a as an element isolation layer are formed on an area just below a field oxide film 12c, 12d in such manner that the impurity concentration of the above area is increased.例文帳に追加

このうち、ＣＭＯＳ２０が搭載される領域では、フィールド酸化膜１２ｃ、１２ｄの直下の領域に同領域の不純物濃度が高められるかたちで素子分離層としてのＮ型拡散層１５ａ及びＰ型拡散層１６ａが形成されている。 - 特許庁

A channel separation area 29 composed of an oxygen dope semi-insulating multicrystal silicon film 35a wherein phosphorous is doped, is formed between a left-side p gate diffusion area 23 and a right-side p gate diffusion area 23' on an n-type silicon substrate, and between the CH1 and the CH2.例文帳に追加

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁

A plasma shield 72 which suppresses a diffusion of the plasma P to an area other than the plasma forming area is shaped in cylinder which surrounds the plasma forming area with its surface contacting the plasma P formed of an insulator.例文帳に追加

プラズマ形成領域以外の場所にプラズマＰが拡散するのを規制するプラズマシールド７２は、プラズマ形成領域を取り囲む筒状であってプラズマＰに接する表面は絶縁体である。 - 特許庁

The mixing zone (9) has a high speed area (16) with a constant cross section, and a diffusion area (17) with a flared cross section downstream of the high speed area (16) in the flow direction of hot gas (G).例文帳に追加

混合ゾーン（９）は、断面が一定である高速領域（１６）と、高温ガス（Ｇ）の流れる方向に対して、高速領域（１６）の下流に有る、断面が拡がって行く発散領域（１７）とを有する。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with a first area where a first transistor having a high threshold voltage is formed and a second area where a second transistor having a low threshold voltage is formed, and the interval L1 of the diffusion area of the adjacent transistor in the first area is wider than the interval L2 of the diffusion area of the adjacent transistor in the second area.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、高い閾値電圧を有する第１のトランジスタが形成される第１の領域と、低い閾値電圧を有する第２のトランジスタが形成される第２の領域と、を備え、第１の領域において隣接するトランジスタの拡散領域の間隔Ｌ１は、第２の領域において隣接するトランジスタの拡散領域の間隔Ｌ２のよりも広いことを特徴とするものである。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

The fine bubble diffusion means 18 is located in an area of descending flow in rotating flow formed by the air-lift action of coarse bubbles diffused from the coarse bubble diffusion means 16.例文帳に追加

微細気泡散気手段１８は、粗大気泡散気手段１６から散気された粗大気泡のエアリフト作用によって形成される旋回流の下向流の領域に位置している。 - 特許庁

The solid state imaging device comprises the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 which are formed on the surface layer of a pixel area of a silicon (semiconductor) substrate 1 with an interval and a transfer gate 12 formed on the silicon substrate 1 between the photodiode PD and the floating impurity diffusion area 22 through a gate insulating film 5c and having ruggedness turned to the side of the floating impurity diffusion area 22.例文帳に追加

シリコン（半導体）基板１の画素領域の表層に、互いに間を隔てて形成されたフォトダイオードPD及び浮遊不純物拡散領域２２と、フォトダイオードPDと浮遊不純物拡散領域２２との間のシリコン基板１上に、ゲート絶縁膜５ｃを介して形成され、浮遊不純物拡散領域２２側に向けて凹凸を有する転送ゲート１２とを有する固体撮像装置による。 - 特許庁

Hollowed parts for fastening constituents are formed in the heatsink (1) so as to be positioned outside the thermal diffusion area.例文帳に追加

この熱拡散領域の外側に位置するように構成要素固定用の繰り抜き部がヒートシンク（１）に形成されている。 - 特許庁

To provide a call lamp in which a wide area can be secured for a diffusion panel without expanding the lamp or increasing the number of the lamps.例文帳に追加

大型化したりランプを増やしたりすることなく、拡散板の面積を広く取ることができる呼出ランプを得る。 - 特許庁

In Fig. 2 (c), a high-concentration impurity diffusion area 7 is formed as an upper electrode on a diaphragm section 10.例文帳に追加

次に、図２の（ｃ）でダイアフラム部１０上に上部電極となる高濃度不純物拡散領域７を形成する。 - 特許庁

Water diffused and sprayed from a nozzle 55a at a diffusion angle α reaches an area R1 to a short side SLb.例文帳に追加

ノズル５５ａから拡散角度αで拡散噴射された水は、短辺ＳＬｂまでの領域Ｒ１に水が到達する。 - 特許庁

The first diffusion area 3 is formed at one side of a predetermined direction to the trench 5 and is neighboring to the trench 5.例文帳に追加

第１拡散領域３は、トレンチ５に対して所定方向の一方側に形成され、トレンチ５に隣接している。 - 特許庁

In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38.例文帳に追加

一方、縦型ＰＮＰトランジスタ２１では、Ｎ＋型拡散領域３８でトランジスタ２１形成領域を囲っている。 - 特許庁

Thereafter, the above materials are left as they are for a predetermined time, and the adjacent material liquids are diffused and then dried to form a diffusion area.例文帳に追加

その後、所定時間放置し隣接する材料液を拡散した後乾燥し、拡散領域を形成する。 - 特許庁

The upper surface 11 has a diffusion area exceeding 1.5 dm2, preferably 2.5 dm2 for air for the central ventilation.例文帳に追加

この上面（１１）は、１.５ｄｍ^2 、好ましくは２.５ｄｍ^2を越える中央換気用空気のための拡散面積を有する。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、エピタキシャル層１２と、高濃度拡散領域１３と、Ｐ型半導体領域１４を備える。 - 特許庁

An n-side electrode 8 is formed on the buffer layer 4, and a p-side electrode 9 is formed on the diffusion area 7.例文帳に追加

バッファ層４の上にはｎ側電極８、拡散領域７の上にはｐ側電極９が形成されている。 - 特許庁

In an RESURF MOSFET, an n-type upper diffusion area 115 that has higher n-type impurity concentration than that in other parts of a drift area 102 is provided between a drain area 109 and a drift embedded area 114 on the surface of an n-type drift area 102.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎ型ドリフト領域１０２の表面部におけるドレイン領域１０９とドリフト埋め込み領域１１４との間に、ドリフト領域１０２の他の部分と比べてより高いＮ型不純物濃度を有するＮ型上部拡散領域１１５が設けられている。 - 特許庁

On a lower surface of a light guide body, a reflection part is formed in a first area close to a light source and a first diffusion surface is formed in a second area away from the light source.例文帳に追加

導光体の下面には、光源に近い第１領域に反射部が形成され光源から離れた第２領域に第１拡散面が形成されている。 - 特許庁

The sample formed with an insulation film 105 on a surface where upper faces of the diffusion area 103, a well area 102 and a silicon substrate 101 are exposed is prepared by working a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置を加工して拡散領域103 およびウエル領域102 およびシリコン基板101 の上面を露呈させた表面に絶縁膜105 を形成した試料を作成する。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

A fuel injection control device employs split injections wherein a main fuel injection for diffusion combustion is made, divided into a plurality of times, at least in a low-speed area in an engine high load area.例文帳に追加

エンジン高負荷域の少なくとも低速域において、拡散燃焼用の主燃料噴射が複数回に分割して行われる分割噴射とされる。 - 特許庁

Film formation is mainly carried out in an area with a small mole ratio, while hydrogen that enters the film desorbs by outward diffusion in an area with a large mole ratio.例文帳に追加

成膜は主として供給モル比が小さな領域で行い、供給モル比が大きい領域では膜中に混入した水素が外方拡散により脱離する。 - 特許庁

A drain electrode 51 is formed on the surface of the n^--type diffusion area 44D with a distance from the side walls 43 of the gate electrodes 42 by the width of a silicide block area 52.例文帳に追加

ｎ^−型拡散領域４４Ｄの表面に、ゲート電極４２のサイドウォール４３からシリサイドブロック領域５２分だけ離間してドレイン電極５１を形成した。 - 特許庁

An n-type channel diffusion layer 24, a p-type high density diffusion layer 26 for a source, an n-type high density diffusion layer 28, a gate oxide film 30, and a gate electrode 32 which constitute a p-channel DMOS transistor are formed in an area different from the CMOS formation area of the p-type low density epitaxial growth layer 4.例文帳に追加

Ｐ型低濃度エピタキシャル成長層４のＣＭＯＳ形成領域とは異なる領域に、ＰｃｈＤＭＯＳトランジスタを構成する、Ｎ型チャネル拡散層２４、ソース用のＰ型高濃度拡散層２６、Ｎ型高濃度拡散層２８、ゲート酸化膜３０及びゲート電極３２が形成されている。 - 特許庁

A plurality of high concentration diffusion layers 3 in linear configurations whose dopant concentration is set so as to be higher than that of the surrounding area are formed on the first main surface of the semiconductor solar battery substrate 1, and the surrounding area of the high concentration diffusion layer 3 is formed as a low concentration diffusion layer 2 whose dopant concentration is low.例文帳に追加

半導体太陽電池基板１の第一主表面には、ドーパントの濃度が周囲の領域よりも高く設定された線状形態の高濃度拡散層３が複数形成され、該高濃度拡散層３の周囲領域が、それよりもドーパントの濃度が低い低濃度拡散層２とされてなる。 - 特許庁

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it.例文帳に追加

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。 - 特許庁

This structure can reduce the resistance of the bit-line diffusion layer without increasing the area of the bit-line diffusion layer on a primary surface of a semiconductor substrate, thereby obtaining a semiconductor memory device having stable electrical characteristics without increasing the cell area.例文帳に追加

これにより、ビットライン拡散層の半導体基板主面上での面積を大きくせずにビットライン拡散層の抵抗を低くすることができ、セル面積を増大させることなく安定した電気的特性の半導体記憶装置が得られる。 - 特許庁