「diffusion capacity」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffusion pump 1 is used in combination with the reservoir 20 having a large capacity and located apart from the pump.例文帳に追加

拡散ポンプ（１）と、ポンプから離れて配置されてなる大容量のリザーバ（２０）との組合わせである。 - 特許庁

On top of the p-type diffusion layer 15, a plate electrode 5b is formed via a capacity insulation film 4b.例文帳に追加

そして、Ｐ型拡散層１５上には、容量絶縁膜４ｂを介してプレート電極５ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing a parasitic capacity between two impurity diffusion regions having opposite conductive types mutually.例文帳に追加

相互に反対導電型を有する２つの不純物拡散領域の間の寄生容量を低減させることが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To decrease a required buffer memory capacity while reducing the influence of a calculation error in error diffusion processing.例文帳に追加

誤差拡散処理の際の演算誤差の影響を低減しつつ、必要となるバッファメモリの容量を削減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which current capacity can be enhanced through an arrangement provided with no buried diffusion layer.例文帳に追加

埋め込み拡散層を設けない構成で電流能力を向上させることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves low power consumption operation and high speed operation by reducing the parasitic capacity of a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層の寄生容量を低減させて、低消費電力動作および高速動作を達成する半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Thus, without using any speaker 2 of large capacity, diffusion of the notification sound can be suppressed to notify the existence of a vehicle to a pedestrian or the like.例文帳に追加

このため、大容量のスピーカ２を用いなくても、報知音の拡散を抑制して歩行者等に車両の存在を報知することができる。 - 特許庁

To perform error diffusion processing for suppressing density saturation without deteriorating original image gradations while saving memory capacity.例文帳に追加

省メモリで画像本来の階調性を損なうことなく、濃度飽和を抑制する誤差拡散処理を行う。 - 特許庁

To provide a vehicle existence notification device 1 suppressing diffusion of notification sound while it does not request any speaker 2 of large capacity.例文帳に追加

大容量のスピーカ２を必要とせず、報知音の拡散を抑制できる車両存在報知装置１を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus in which a FD (Floating Diffusion) capacity value is made variable without increasing the number of elements.例文帳に追加

素子数を増加させることなくＦＤ容量値を可変にすることができる固体撮像装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A multilayer film dopant diffusion barrier efficiently blocks diffusion of dopant but does not contribute to a parasitic p-n junction or parasitic capacity.例文帳に追加

多層膜ドーパント拡散バリヤは、ドーパントの拡散を効率的に阻止するが、寄生ｐｎ接合または寄生容量には貢献しないと開示されている。 - 特許庁

Metal is arranged around a PolySi film and in a diffusion region with PolySi-film added to provide the capacitor made of the PolySi film and for increasing shading at the diffusion region in the capacitor and the capacity of the capacitor.例文帳に追加

PolyＳｉ膜製のキャパシタを有し、このキャパシタの拡散領域部の遮光およびキャパシタの容量を増加させることを目的として、PolyＳｉ膜の周囲および拡散領域にメタルを配置して、PolyＳｉ-メタル容量を付加させる。 - 特許庁

A high voltage is applied to the diffusion layer 80 capacity-coupled to the floating gate 40 and a voltage lower than the high voltage is applied to the diffusion layer 70 to implant electrons into the floating gate 40.例文帳に追加

フローティングゲート４０と容量カップリングした拡散層８０に高電圧を印加し、拡散層７０に高電圧より低い電圧を印加することによりフローティングゲート４０に電子が注入される。 - 特許庁

Reduction in the capacity of a pin diode 1 is realized by mounting the pin diode 1 on a mounting substrate through bump electrodes 8 formed, respectively, on the surface of a p+ type diffusion layer 5 and an n+ type diffusion layer 6.例文帳に追加

ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６それぞれの表面に形成したバンプ電極８をもってｐｉｎダイオード１を実装基板に実装することによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

An element separating region 9 is formed in an oblique direction with respect to the surface of the diffusion layer 14 in this semiconductor device whereby a connecting area between the diffusion layer 14 and a well region 8 is reduced, thereby reducing the parasitic capacity.例文帳に追加

この半導体装置では、素子分離領域９を拡散層１４表面に対して斜め方向に形成しているので、拡散層１４とウエル領域８との間の接合面積を減少させて、寄生容量を減少させる。 - 特許庁

To provide a light diffusion sheet improving damage resistance/screen printing suitability by continuously producing a large amount of the light diffusion sheets by using a large capacity tank.例文帳に追加

本発明の目的は、大容量のタンクを用いて大量の光拡散シートを連続生産することを可能とし、加えて耐傷性・スクリーン印刷適性が向上した光拡散シートを提供することにある。 - 特許庁

Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加

ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor power module, where cooling capacity and heat diffusion capacity with respect to a semiconductor chip, are high and the fatigue destruction of a bonding material is prevented.例文帳に追加

半導体チップに対する冷却能力や熱の拡散能力が高く、したがって接合材等の疲労破壊を防止する半導体パワーモジュールを提供する。 - 特許庁

Since the resistor may be a diffusion region between p^- regions of the two variable capacity diodes, or may be polysilicon arranged on a chip, the resistor can be incorporated in the variable capacity diode while keeping the chip size of the diode as it is.例文帳に追加

抵抗は可変容量ダイオードのｐ−領域間に拡散領域にて形成するか、ポリシリコンでチップ上に配置できるので、可変容量ダイオードのチップサイズを維持したまま抵抗を内蔵させることができる。 - 特許庁

The configuration having the macropore leads to significant improvement of the gas diffusion property so as to improve NOx occluding capacity and quickly restore the NOx occluding capacity of a sulfur-poisoned NOx occluding material.例文帳に追加

マクロ孔をもつ構成としたことで、ガス拡散性が大きく向上し、NO_x 吸蔵能が向上するとともに硫黄被毒したNO_x 吸蔵材のNO_x 吸蔵能が速やかに回復する。 - 特許庁

A capacity value of the floating diffusion region 30 is equal to or larger than a sum of a first capacity value necessary for accepting the maximum signal charge accumulation amount and a second capacity value necessary for accepting signal charges generated from a photodiode 10 in the first period.例文帳に追加

そして、フローティングディフュージョン領域３０の容量値は、最大信号電荷蓄積量を受入れるために必要な第１の容量値と、上記第１の期間においてフォトダイオード１０が発生する信号電荷を受入れるために必要な第２の容量値との和以上である。 - 特許庁

To obtain a high performance variable capacitor having a maximum capacity variation ratio against an intended absolute capacity by effectively utilizing a capacity component in the horizontal direction of the variable capacitor to regulate a structure of each diffusion layer composing the variable capacitor, and minimizing an increase in the area of the variable capacitor.例文帳に追加

バリキャップの水平方向の容量成分を効果的に活用し、バリキャップを構成する各拡散層の構造を規定化することにより、所望の絶対容量に対して最大の容量変化比を有し、なおかつ、バリキャップの面積の増大を最小限に抑えた高性能なバリキャップを得る。 - 特許庁

To provide a filler for ion chromatography eliminating the diffusion of ions to be treated into the packing material substantially and reducing the lowering of separation capacity caused by the diffusion of ions to be treated into the packing material and the migration between ion exchange groups of ions to be treated to realize high resolution ion chromatography.例文帳に追加

被処理イオンの充填剤内部への拡散を実質的に無くし、被処理イオンの充填剤内部への拡散とイオン交換基間の泳動に起因する分離性能低下を低減させ、高分解能イオンクロマトグラフィーを実現するイオンクロマトグラフィー用充填剤を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A basic cell includes a capacity element which is made up of: a first well diffusion layer into which a first conductive impurity is diffused in a region from a surface of a substrate to a prescribed depth; an insulation film which is provided on the first well diffusion layer; and a first dummy pattern which is provided on the insulation film.例文帳に追加

基板の表面から所定の深さまでの領域に第１の導電性不純物が拡散された第１のウェル拡散層と、第１のウェル拡散層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた第１のダミーパターンとからなる容量素子を有する。 - 特許庁

To provide an image output apparatus and an image processing method capable of reducing a time required for error diffusion processing, enhancing the image quality after the error diffusion processing, and carrying out the processing at a high speed with a small capacity of the memory.例文帳に追加

誤差拡散処理にかかる時間を短縮することができ、また、誤差拡散処理後の画像品質を向上させると共にこの処理をより少ないメモリで高速に行なうことができる画像出力装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The delay time calculating device is provided with a resistance capacity specification part 25 which specifies source resistance and diffusion capacity before process fluctuation at the gate as an object of delay time calculation and specifies the wiring resistance and wiring capacity of wiring connected with the gate after the process fluctuation and calculates the delay time of the gate on the basis of the specification contents by the resistance capacity specification part 25.例文帳に追加

遅延時間計算対象のゲートにおけるプロセス変動前のソース抵抗と拡散容量を特定するとともに、そのゲートに接続されている配線のプロセス変動後の配線抵抗と配線容量を特定する抵抗容量特定部２５を設け、その抵抗容量特定部２５による特定内容に基づいて当該ゲートの遅延時間を計算する。 - 特許庁

Since the split capacity electrodes 24 and 25 are connected with adjacent diffusion layers 14 and 15 through a first interconnection layer directly above the capacity electrodes, charges generated in the fabrication process subsequent to the process for forming the first interconnection layer can be discharged to the diffusion layer and a capacitive oxidation layer can also be protected against breakdown.例文帳に追加

また、２分割された容量電極２４、２５を隣接する拡散層１４、１５に、容量電極すぐ上の第１配線層で接続する構成とするので、第１配線層形成工程以降の製造工程で発生するチャージを拡散層に放電することができ、容量酸化膜の破壊を防ぐことも可能となる。 - 特許庁

The error diffusion information influencing pixels in the same block is recorded in an internal error buffer provided in the same processor as a processor having a calculation processing unit and having low capacity while having a high access speed, and the error diffusion information influencing pixels outside the same block is recorded in an external error buffer provided outside the processor and having high capacity while having a low access speed.例文帳に追加

同一ブロック内の画素に影響を与える誤差拡散情報については、算出処理部を有するプロセッサと同一のプロセッサ内に備えられたアクセス速度は速いが容量の低い内部誤差バッファへ記録し、同一ブロック外の画素に影響を与える誤差拡散情報については前記プロセッサ外に備えられたアクセス速度は遅いが容量の高い外部誤差バッファへ記録する。 - 特許庁

A charge accumulation layer 20 for capacity coupling to the active region is formed on the active region through a first gate insulating film 18, a control gate 24 for capacity coupling to the charge accumulation layer 20 is formed on the charge accumulation layer 20 through a second gate insulating film 22, and a source diffusion layer 8 is formed on the opposite side of the drain diffusion layer to the control gate 24.例文帳に追加

活性領域上には第１のゲート絶縁膜１８を介して活性領域に容量結合する電荷蓄積層２０が形成され、電荷蓄積層２０上には第２のゲート絶縁膜２２を介して電荷蓄積層２０に容量結合する制御ゲート２４が形成され、制御ゲート２４に対してドレイン拡散層の反対側にはソース拡散層８が形成される。 - 特許庁

To provide a diffusion pump for minimizing the thermal requisites imposed thereon which will be generated if a large capacity of working fluid must be maintained at the boiling point continuously, by coupling a reservoir of a large capacity with the pump and locating the reservoir apart from the pump body.例文帳に追加

拡散ポンプに大容量のリザーバを結合すると共に、リザーバをポンプ本体から離して配置することで、大容量の作動流体を連続的に沸点に維持しなければならないとしたならば生じるであろう、ポンプについての熱的な要求条件を最小にする。 - 特許庁

To provide a positive electrode activator in which lowness of the diffusion velocity of the ion species and lowness of the electron conductivity are compensated, having a good charge and discharge capacity close to the theoretical capacity and good load characteristics, and a non-aqueous electrolyte secondary battery utilizing the same, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

イオン種の拡散速度の低さと電子導電性の低さが補われ、理論容量に近い良好な充放電容量と良好な負荷特性を有する正極活物質、及びこれを利用した非水電解質二次電池、並びにこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress mutual diffusion between components in a dielectric layer and components in an insulating layer at the time of simultaneously baking a green sheet and the dielectric layer through an electrode layer in a capacitor, to prevent reduction in the capacity of the capacitor part, and to suppress the dispersion of the capacity.例文帳に追加

コンデンサ部の電極層を介してグリーンシートと誘電体層を同時焼成する際、誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分との相互拡散を抑制し、コンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるものとすること。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

In starting a subscriber station unit, the system sets a channel and generates the necessary spectrum diffusion code required for supporting the maximum capacity channel required by the subscriber station unit.例文帳に追加

加入者局ユニットが起動すると、このシステムはチャネルを設定し、その加入者局ユニットの求める最大容量チャネルのサポートに必要なスペクトラム拡散符号を発生する。 - 特許庁

To enhance the overflow drain function and the gettering capacity required for the substrate performance by suppressing impurity diffusion due to high-temperature heat treatment, without complicating the manufacturing process.例文帳に追加

高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。 - 特許庁

To reduce memory capacity for storing a density error value that occurs and to obtain an image processing result with high graininess in an image processing method for recording a multiple tone image by an error diffusion method.例文帳に追加

誤差拡散法により多階調の画像を記録する画像処理方法において、発生する濃度誤差値を格納するメモリ容量を低減するとともに、粒状性のよい画像処理結果を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which increasing operation speed of a Y decoder and reduction of layout area can be realized by reducing diffusion layer capacity which seem as a load of an address decode-signal.例文帳に追加

アドレスデコード信号の負荷として見える拡散層容量を小さくして、Ｙデコーダの高速化とレイアウト面積の縮小化を実現することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current can be reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide an image forming device, etc., capable of performing cost reduction by reducing the storage capacity of a table for noise attachment for performing gradation processing by an error diffusion system after attaching noise.例文帳に追加

ノイズを付加した後に誤差拡散方式による階調処理をおこなうためのノイズ付加用のテーブルの記憶容量を削減してコストダウンを図ることができる画像処理装置などを提供する。 - 特許庁

The variation of a PN junction capacity caused by a thermal variation in the semiconductor wafer resulting from heat treatment in the diffusion furnace is corrected by making each area of the semiconductor region wherein the impurity is deposited different.例文帳に追加

上記拡散炉での熱処理による上記半導体ウェハの熱バラツキによるＰＮ接合容量のバラツキは、上記不純物がデポジションされら半導体領域の面積を異なせることにより補正する。 - 特許庁

To provide a high quality high performance semiconductor device in which a wiring capacity and a leakage current are reduced while preventing the drift and diffusion of a wiring material effectively.例文帳に追加

配線容量の減少、リーク電流の減少、配線材料のドリフト・拡散を効果的に防止でき、高品質・高性能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

After a second inter-layer insulation film 120 is formed on the capacity upper electrode 119, a third plug 121 for connecting the impurity diffusion layer 111 and upper layer wiring 122 is formed on the respective inter-layer insulation films.例文帳に追加

容量上部電極１１９の上に第２の層間絶縁膜１２０を形成した後、各層間絶縁膜に、不純物拡散層１１１と上層配線１２２とを接続する第３のプラグ１２１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a barrier insulating film of lower specific inductive capacity can be formed, while maintaining denseness by which the diffusion of copper can be prevented.例文帳に追加

銅の拡散を防止できる緻密性を維持しつつ、さらに低い比誘電率のバリア絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁