「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

After that, recessed parts in the above steps are filled with a diffusion preventive material to form a film on the recessed parts, and Zn diffused parts are smoothly polished from over the Zn diffused parts until the places of the Zn diffused parts which are exposed to the surface of the layer 3.例文帳に追加

その後、拡散防止材料で上記段差の凹部を埋めて膜を形成し、上からＺｎ拡散部が表面に出るところまで平滑に研磨する。 - 特許庁

The entire surface except at least a portion of a side surface of a drain-side diffusion layer 112" A on the side of a channel region 116 is covered with an oxide film 107.例文帳に追加

ドレイン側拡散層１１２”Ａにおけるチャネル領域１１６側の側面の少なくとも一部を除いた全面が、酸化膜１０７により、覆われている。 - 特許庁

A first dope 45 forming a diffusion layer and containing particles and a second dope 46 forming a substrate and containing no particle are casted to be overlapped with the same width.例文帳に追加

拡散層を形成し粒子を含む第１ドープ４５と、支持体を形成し粒子を非含有とする第２ドープ４６とが同一幅で重なるように流延する。 - 特許庁

To provide a barrier layer very effective for preventing diffusion of water and/or oxygen which is easily and reliably manufactured in an integrated circuit device including a copper structure.例文帳に追加

銅構造を含む集積回路デバイス内に、容易かつ信頼性良く製造される水および／または酸素の拡散を防ぐのに非常に有効なバリア層を提供する。 - 特許庁

A bottom part of the bowing profile enters into the silicon semiconductor substrate, beyond the high concentration impurity diffusion semiconductor layer and improves the leakage characteristics of the element isolation region.例文帳に追加

ボーイング形状部底部は、高濃度不純物拡散半導体層を越えてシリコン半導体基板内に入り込み素子分離領域のリーク特性が向上する。 - 特許庁

A 1poly type memory cell 10 has a pair of source-drain region 11, a floating gate electrode layer 13, and an impurity diffusion region 14 for control gate.例文帳に追加

１ｐｏｌｙ型メモリセル１０は、１対のソース／ドレイン領域１１と、フローティングゲート電極層１３と、コントロールゲート用不純物拡散領域１４とを有している。 - 特許庁

Source/drain diffusion layers S and D involve an epitaxial layer 21, for example, and are formed thick on the side part of the lower gate electrode member 14, while being insulated by an oxide film 20.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層Ｓ，Ｄは例えばエピタキシャル層２１を伴い酸化膜２０で絶縁されつつ下部ゲート電極部材１４側部に厚く形成されている。 - 特許庁

A transistor T consisting of a source/drain diffusion layer 12, a gate electrode 13, a gate insulating film 14 and a sidewall insulating film 15 is formed on a silicon board 10.例文帳に追加

シリコン基板１０上にはソース／ドレイン拡散層１２、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４及び側壁絶縁膜１５からなるトランジスタＴが形成されている。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁

A drain diffusion layer 11b comprises a lightly doped region 5a and a heavily doped region 5b, and the region 5a is located at a channel region side.例文帳に追加

ドレイン拡散層１１ｂを、低濃度不純物領域５ａと高濃度不純物領域５ｂとで構成し、低濃度不純物領域５ａをチャンネル領域側に配置する。 - 特許庁

To prevent the epitaxial growth of an n-type polycrystalline silicon film connecting the storage node electrode of a trench capacitor to the n-type source/drain diffusion layer of an MOS (metal oxide semiconductor) transistor.例文帳に追加

トレンチキャパシタのストレージノード電極とＭＯＳトランジスタのｎ型ソース／ドレイン拡散層とを接続するｎ型多結晶シリコン膜のエピタキシャル成長を防止すること。 - 特許庁

A diffusion layer 70 is provided in the semiconductor substrate 20 so as to overlap with the floating gate 40 in a channel width direction and in a channel length direction of a channel region.例文帳に追加

拡散層７０は、半導体基板２０内に設けられ、チャネル領域のチャネル幅方向およびチャネル長さ方向においてフローティングゲート４０とオーバーラップしている。 - 特許庁

A cathode gas diffusion layer 13 of a unit cell 1 is constituted of water repellent part 20a and hydrophilic part 20b, and the hydrophilic part 20b is arranged and installed between neighboring water repellent parts 20a.例文帳に追加

単位セル１のカソードガス拡散層１３を撥水部２０ａと親水部２０ｂとによって構成し、隣り合う撥水部２０ａの間に親水部２０ｂを配設する。 - 特許庁

The probing circuit (PB) has no connection with the predetermined logic functions, and the diffusion layer of the probing circuit is used by an LVP (Laser Voltage Probing) method.例文帳に追加

前記プロービング回路は、前記所定の論理機能とは関係が無く、前記プロービング回路の拡散層は、ＬＶＰ（Ｌａｓｅｒ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｐｒｏｂｉｎｇ）法で使用される。 - 特許庁

An element isolation dielectric film 6 is formed so as to surround an N type diffusion layer 54 and a guard ring 3 (guard ring well) is formed around the periphery.例文帳に追加

Ｎ型拡散層５４を取り囲むように半導体基板表面に素子分離絶縁膜６が形成され、その周囲にガードリング（ガードリング用ウェル）３が形成されている。 - 特許庁

Therefore, by plating the gold layer to the lead, the problem due to poor contact or tin diffusion at an OLB section, and whisker generation of tin etc. can be effectively solved.例文帳に追加

よって、リードに金層をメッキすることによって、ＯＬＢ部位での接触不良または錫拡散、錫のウィスカー発生などによる問題を効果的に解決できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of reducing the resistance ratio when connecting the upper electrode of a trench capacitor to the diffusion layer of a transistor, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

トレンチキャパシタの上部電極と、トランジスタの拡散層とを接続する際の低抵抗化が可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

A capacitance element 400 constitutes a memory cell and a first diffusion layer 226 serving as a source and a drain is connected to the capacitance element 400 in a first transistor 200.例文帳に追加

容量素子４００はメモリセルを構成しており、第１トランジスタ２００は、ソース及びドレインとなる第１拡散層２２６が容量素子４００に接続している。 - 特許庁

The surface light source device is provided with a diffusion member which makes enter light emitted from the luminous layer and diffuses and transmits or reflects the incident light.例文帳に追加

前記面光源装置は、前記発光層から出射された光を入射し、この入射した光を拡散して透過もしくは反射させる拡散部材を備える。 - 特許庁

To endow a gas diffusion layer for a fuel cell electrode with performance equivalent to or better than that in case of using a VGCF, with the use of a low-cost material and at low cost.例文帳に追加

燃料電池電極用ガス拡散層において、安価な材料を使用して低コストでＶＧＣＦを使用した場合と同等以上の性能を有すること。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer suppressing deterioration in battery characteristics with time including deterioration in a battery voltage, to provide a fuel cell electrode, and to provide a fuel cell.例文帳に追加

電池電圧の低下を初めとする電池特性の経時的な低下を抑制できるガス拡散層、燃料電池用電極及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

A second low dielectric constant film LOWK2c, a third low dielectric constant film LOWK3c, and a film serving as a mask layer are laminated on a diffusion prevention film ADF in this order.例文帳に追加

拡散防止膜ＡＤＦ上に、第２の低誘電率膜ＬＯＷＫ２ｃ、第３の低誘電率膜ＬＯＷＫ３ｃ、マスク層となるべき膜がこの順に積層される。 - 特許庁

The thickness of the iron-nickel diffusion layer 91 is desired to be 0.5 μm or more and 1.2 μm or less, and in this case, the heavy load discharge performance is further improved.例文帳に追加

鉄−ニッケル拡散層９１の厚さは０．５μｍ以上１．２μｍ以下であることが好ましく、この場合に重負荷放電性能がよりいっそう向上する。 - 特許庁

To reduce a wet area on the skin abutting surface side of an absorptive article by accelerating diffusion more on the lower side than on the upper side in the thickness direction of an absorption layer.例文帳に追加

吸収層の厚み方向の上側よりも下側における拡散をより促進し、吸収性物品の肌当接面側における濡れ面積が減らす。 - 特許庁

The n-type diffusion layer forming composition contains glass powder including a donor element, and a dispersant containing a binder having a solubility parameter being equal to or less than 12(MJ/m^3)^1/2.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、溶解度パラメーターが１２（ＭＪ／ｍ^３）^１／２以下であるバインダーを含む分散媒と、を含有する。 - 特許庁

To simultaneously prevent both decrease in power generation output caused, by flooding in an anode diffusion layer and decrease in power generation output caused by retention of water in an anode gas flow passage.例文帳に追加

アノード拡散層でのフラッディングによる発電出力低下とアノードガスの流路内での水の滞留による発電出力低下とを同時に防止することである。 - 特許庁

The planar gas diffusion layer (multi-void body) 6 has a plurality of voids 6a, and is composed so as to have different void rates in a direction along the planar face.例文帳に追加

複数の空隙６ａを有する板状のガス拡散層（多空隙質体）６であって、板面に沿う方向に異なる空隙率を有するように構成している。 - 特許庁

By draining the liquid water amount by purge treatment, the water amount maintained by the gas diffusion layer 5 is suppressed to not more than a second water amount.例文帳に追加

そして、この排水液水量をパージ処理により排水することにより、ガス拡散層５によって保持される液水量を第２の液水量以下に抑制する。 - 特許庁

To provide a fuel cell capable of securing gas diffusion capability without damaging an electrolyte membrane 1 and of increasing joining force in each layer of a cell 100.例文帳に追加

電解質膜１にダメージを与えることなく、ガス拡散性を確保することができ、また、単位セル１００各層内の結着力が向上する燃料電池を提供する。 - 特許庁

To provide a metal separator needed for a solid polymer fuel cell (a polymer electrolyte fuel cell, PEFC) having both sufficient corrosive resistanCE and conductivity with a gas diffusion layer.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池(Polymer Electrolyte Fuel Cell, PEFC)用金属セパレータとして必要とされる十分な耐食性とガス拡散層との導電性とを両立させた金属セパレータの提供。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent device which has a protection layer that carries out a role as a reliable diffusion barrier for the humidity and is stable mechanically and chemically.例文帳に追加

湿気に対する信頼性のある拡散障壁としての役割を果たす機械的及び化学的に安定した保護層を具える有機エレクトロルミネッセント装置を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer on the opposite surface side is extended to at least a part on the side opposite to the surface region over the overall peripheral edge of the electrolyte membrane.例文帳に追加

反対面側のガス拡散層は、電解質膜の外周縁全周に亘って該表面領域とは反対側の少なくとも一部にまで延在している。 - 特許庁

Consequently, the N+ diffusion region 49 and N+ additional embedded layer 45 are connected surely together to lower the collector-emitter saturation voltage of the NPN transistor 31.例文帳に追加

そのことで、Ｎ^+型拡散領域４９とＮ^+型付加埋め込み層４５とは確実に連結され、ＮＰＮトランジスタ３１におけるコレクタ−エミッタ間飽和電圧が低減される。 - 特許庁

A wiring 10 of a conductor film is formed on the surface of interlayer insulating film 9, and the wiring 10 forms a short circuit at the source 4, drain 5, and diffusion layer 6 through a contact C.例文帳に追加

層間絶縁膜9の表面には導電体膜の配線10が形成され、配線10は、コンタクトCを介して、ソース4，ドレイン5及び拡散層6を電気的に短絡させている。 - 特許庁

To provide an interconnection structure of an integrated circuit having a dielectric layer with a low dielectric constant and capable of suppressing a deterioration of a mechanical strength and of improving a thermal diffusion.例文帳に追加

低い誘電率を有する誘電体層を備え機械的強度の低下をおさえると共に熱拡散を改善できる集積回路の相互接続構造を製造する。 - 特許庁

A trench 24 is formed inside the second diffusion layer 23, a conductive film is embedded on the inner side via an insulating film 25 and a gate electrode 14 is formed.例文帳に追加

第２の拡散層２３の内部にはトレンチ２４が形成され、その内側に絶縁膜２５を介して導電膜が埋め込まれてゲート電極１４が形成される。 - 特許庁

Namely, the source area 16S is formed on the surface of the P--type body diffusion layer 15 and the drain area 16D is formed on the N--type well 112.例文帳に追加

すなわち、ソース領域１６Ｓは、上記Ｐ^- 型ボディー拡散層１５の表面上に形成され、ドレイン領域１６Ｄは、Ｎ^- 型ウェル１１２上に形成されている。 - 特許庁

An n-well 10 having no p-type diffusion layer inside is formed between pads 5 and the outside device region 4 on a chip formed by a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１により形成されたチップ上の、パッド５と外側素子領域４との間に、その内部にＰ型拡散層を有さないＮウェル１０が形成される。 - 特許庁

The impurity concentration of an adjacent part of the P-type impurity diffusion layer 14 to the element isolation insulating film 12 is selected lower than that of the remaining part.例文帳に追加

Ｐ型不純物拡散層１４における素子分離絶縁膜１２との隣接部分の不純物濃度は、その残りの部分よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁

The fuel cell is formed by stacking an electrolyte body 1, an anode part 2, a cathode part 3, a diffusion layer 4, a liquid fuel supply part 5a, and an oxidant supply part 5b.例文帳に追加

燃料電池は、電解質体１，アノード部２，カソード部３，拡散層４，液体燃料供給部５ａ及び酸化剤供給部５ｂが積層されている。 - 特許庁

An N-drain region 38 is implanted in a P-epitaxial layer through the bottom part of a trench 35, extending between the N+-substrate 32 and the bottom part of trench through diffusion step.例文帳に追加

Ｎドレイン領域３３はトレンチ３５の底部を通りＰエピタキシャル層内に注入され、拡散ステップを経てＮ＋基板３２とトレンチの底部との間に延在する。 - 特許庁

The medical implant having a drug delivery coating comprises a diffusion matrix made of a collagen matrix, a bioactive material, and a self-arranging transport barrier layer.例文帳に追加

コラーゲンマトリックス、生物活性材料および自己配列型(self-arranging)輸送バリヤー層から構成される拡散マトリックスを含んでなる、薬剤放出コーティングを有する医療インプラント。 - 特許庁

A conductor film 8 and the source/drain diffusion layer 14 are connected electrically together through the intermediary of a contact region formed on the upper sidewall of the trench region 6.例文帳に追加

導電体膜８およびソース・ドレイン拡散層１４は、トレンチ領域６の側壁上部に形成されたコンタクト領域を介して電気的に接続されている。 - 特許庁

In the circumference of the electronic-parts mount 2, an underfill diffusion prevention part 4 constituted by lacking the covering layer 14 in a grooved shape is arranged so as to surround the circumference.例文帳に追加

電子部品搭載部２の周囲には、カバー層１４が溝状に欠落して構成されたアンダーフィル拡散防止部４が、その周囲を囲むように設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, capable of reducing crystal defects in a diffusion layer and further reducing the chip size by reducing the dead area.例文帳に追加

拡散層の結晶欠陥を減少させることができ、さらにデッドエリアを減少させてチップサイズを小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁