「diffusion layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

The diffusion agent composition used for forming an impurity diffusion layer into a semiconductor substrate contains: an impurity diffusion composition (A); a silicon compound (B); and a solvent (C) containing a solvent (C1) having a boiling point of 100°C or less, a solvent (C2) having a boiling point of 120-180°C and a solvent (C3) having a boiling point of 240-300°C.例文帳に追加

拡散剤組成物は、半導体基板への不純物拡散剤層の形成に用いられる拡散剤組成物であって、不純物拡散成分（Ａ）と、ケイ素化合物（Ｂ）と、沸点が１００℃以下である溶剤（Ｃ１）、沸点が１２０〜１８０℃である溶剤（Ｃ２）、および沸点が２４０〜３００℃である溶剤（Ｃ３）を含む溶剤（Ｃ）と、を含有する。 - 特許庁

This cell of fuel cell is provided with the pair of diffusion layers for sandwiching a membrane-electrode assembly, a pair of fuel cell separators for sandwiching both sides of diffusion layers, and a separator sealing material for sealing the fuel cell separators, and a water-repellency deterioration restraining layer is formed between the separator sealing material and the diffusion layers.例文帳に追加

膜−電極アッセンブリを挟持する一対の拡散層と、前記拡散層の両外側を挟持する一対の燃料電池用セパレータと、前記燃料電池セパレータ同士をシールするセパレータ用シール材とを備える燃料電池セルであって、前記セパレータ用シール材と前記拡散層との間に、撥水性低下抑制層を備える。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.例文帳に追加

固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁

The production process of the thin-film superconductive wire material 10A comprises the steps of forming an intermediate layer 2 on a metal tape substrate 1, forming a first superconductive layer 3 having an RE123 composition as a diffusion-preventing layer on the intermediate layer 2 and forming a second superconductive layer 4 having an RE123 composition so as to come into contact with the first superconductive layer 3.例文帳に追加

本発明の薄膜超電導線材１０Ａの製造方法は、金属テープ基板１上に中間層２を形成する工程と、その中間層２上にＲＥ１２３系の組成を有する第１の超電導層３を拡散防止層として形成する工程と、第１の超電導層３に接するように、ＲＥ１２３系の組成を有する第２の超電導層４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

Since a resistance in a transverse direction of the current diffusion layer (6) having the two dimensional electron gas effect is small, there occurs current broadening, and consequently the light extraction efficiency improves.例文帳に追加

２次元電子ガス効果を有する電流分散層（６）の横方向の抵抗が小さいので、電流の広がりが生じ、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

In the short pulse electrolysis, the lowering of the short pulse is completed (time t_E) after the startup of the short pulse P 1 (time t_S) and before the generation of a diffusion layer at a cathode boundary (t≤t_D).例文帳に追加

短パルス電解では、短パルスＰ１の立ち上げ後（時間ｔ_S）、陰極界面に拡散層が発生する前（ｔ≦ｔ_D）に、短パルスの立ち下げが完了する（時間ｔ_E）。 - 特許庁

To provide a resistance regulating device that electrically regulates, so that variation in resistance value of a diffusion layer manufactured in a semiconductor process is contained within a definite range.例文帳に追加

半導体プロセスによって製造された拡散層の抵抗値のばらつきを一定の範囲内に入るように、電気的に調整可能な抵抗調整装置を提供する。 - 特許庁

A resistor row is composed of a plurality of resistor elements 5 formed of an impurity diffusion layer, and resistor elements 5a having the same element shape with the resistor element 5 are arranged on both sides of the resistor row composed of the resistor elements 5.例文帳に追加

不純物拡散層により形成された複数の抵抗素子５の列の両側に、抵抗素子５と素子形状が同じ抵抗素子５ａを配置する。 - 特許庁

In the manufacturing method, an intrinsic base diffusion layer 7 is formed in almost a central part of a semiconductor region 2 which is enclosed with an isolation insulation film 3 in a main surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面において分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に真性ベース拡散層７を形成する。 - 特許庁

Also, the retarder is hardly deposited in the inside (in the recessed part) of the via hole similar to in the stirring method because the thickness of the diffusion layer in the inside (inside the recessed part) of the via hole is thick corresponding to the depth of the via hole (the recessed part).例文帳に追加

それに対し、バイアホールの内部（凹内）はバイアホール（凹）の深さ分拡散層の厚さが厚いので、攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。 - 特許庁

This is constituted so that the permeation wetting limit surface tension of the diffusion layer of the fuel supply side which is not in contact with a rib apex part of the separator becomes 22 to 40 mN/m.例文帳に追加

セパレータのリブ頂部と接触していない燃料供給側の拡散層の浸透ぬれ限界表面張力が、２２〜４０ｍＮ／ｍとなるような構成とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus of gas diffusion layer for fuel cell, which can control the degree of impregnation of ink into a base material with high accuracy, and to provide a manufacturing method.例文帳に追加

基材内部へのインクの含浸度合を高精度で制御することができる燃料電池用ガス拡散層の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a drop in power supply voltage without increasing the width of a power supply wiring connected to the power source node of a diffusion layer.例文帳に追加

拡散層の電源ノードと接続される電源配線の幅を大きくすることなく、電源電圧のドロップの抑制を図り得る半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a thermographic material and a photothermographic material each having a layer which functions as a barrier against the diffusion of a fatty acid resulting from high temperature development.例文帳に追加

熱現像中の材料からの脂肪酸の拡散に対する障壁として機能する層を有するサーモグラフィ材料およびフォトサーモグラフィ材料を提供する。 - 特許庁

The adhesive collectors 42, 44 are formed by moving a step 36 back to the outside in the direction parallel to the electrolyte membrane 11 from the end face position of a diffusion layer.例文帳に追加

接着剤溜まり４２、４４が、段差３６を、拡散層の端面位置から電解質膜１１と平行な方向に外側に後退させることにより、形成されている。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部３３及び分離部３２は、前記ｎ型拡散層４よりも浅く、且つ基板１のｐ型ウェル２よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

The variable resistance model compensates the variance of a voltage in a channel end part adjacent to the low-concentration diffusion layer, which is caused by an influence of not only the gate voltage but also the drain voltage.例文帳に追加

可変抵抗モデルは低濃度ドレイン拡散層に隣接するチャネル端部の電圧がゲート電圧のみならずドレイン電圧の影響も受けて変化することを補償する。 - 特許庁

A surface barrier film 29 made of a metal material acting as a barrier for preventing diffusion of Cu is interposed between the Cu wiring 24 and the coating layer 31.例文帳に追加

そして、Ｃｕ配線２４と被覆層３１との間には、Ｃｕの拡散を防止するバリア性を有する金属材料からなる表面バリア膜２９が介在されている。 - 特許庁

The bottom and lateral faces of the upper layer wiring 10 and the via 12 are continuously cladded with a barrier film 13 consisting of a material having barrier performance against Cu diffusion.例文帳に追加

上層配線１０およびビア１２の底面および側面は、Ｃｕの拡散に対するバリア性を有する材料からなるバリア膜１３で連続して被覆されている。 - 特許庁

In the sidewall 21, a region from the region in contact with the gas diffusion electrode layer GDL to the bottom surface 22 and the bottom surface 22 are configured by a hydrophilic region.例文帳に追加

側壁２１において、ガス拡散電極層ＧＤＬに接する領域から底面２２に達する領域及び底面２２は親水性領域により構成されている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that prevents a drop in bonding breakdown voltage of a source-drain diffusion layer while improving reliability to hot carrier effects.例文帳に追加

ホットキャリア効果に対する信頼性を向上させると共にソースドレイン拡散層の接合耐圧を低下させることがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The magnetic lip connected to a writing electrode is formed nearby a second end of the opening part, and the diffusion barrier layer is arranged between the magnetic lip and the opening part.例文帳に追加

書き込み極に接続された磁性リップが開口部の第２端部近傍で形成され、磁性リップと開口部の間に拡散障壁層が配置されている。 - 特許庁

By this manufacturing method, the semiconductor device is realized in which the n-type embedded diffusion layer 2 is suppressed from creeping up more than required, to provide a wanted breakdown strength characteristics.例文帳に追加

この製造方法により、Ｎ型の埋込拡散層２の必要以上の這い上がりを抑制し、所望の耐圧特性が得られる半導体装置を実現できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of which tradeoff relation between a threshold and diffusion layer leakage is solved, and of which the gate oxide film can be formed, without the need for dividing the forming into plural steps.例文帳に追加

しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を解消するとともに、ゲート酸化膜の形成を複数回に分けて行う必要のない半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition method of a metal thin film which functions as the barrier film of Cu diffusion and as a plating seed layer with single film, and exhibits excellent adhesion to Cu.例文帳に追加

単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory cell which can be adapted to multiple specifications by altering at least one of metal and contact layers, while the bulk of a diffusion layer, etc. are fixed.例文帳に追加

拡散層等のバルクが固定であってメタル層、コンタクト層の少なくとも何れか１層を変更して複数の仕様に対応可能なメモリセルを提供すること。 - 特許庁

A plurality of impeding portions 8 to impede a gas flow in the direction along the face in contact with a diffusion layer 5 are provided in gas passage layers 6a, 6b formed by a porous body.例文帳に追加

多孔体によって形成されたガス流路層６ａ、６ｂ内に、拡散層５に接触する面に沿った方向のガスの流れを阻害する阻害部８を複数設ける。 - 特許庁

To obtain a solid polymer fuel cell which has a superior cell characteristic by suppressing the drying of electrolyte membrane of an entrance side of reaction gas and by suppressing the reduction of gas diffusion performance of a catalyst layer of an exit side.例文帳に追加

反応ガスの入口側の電解質膜の乾燥や出口側の触媒層のガス拡散性能の低下を抑制して、優れたセル特性を有するものを得る。 - 特許庁

On the surface of the first diffusion region, a shielding layer is arranged so as to surround the first metal silicide film while being away from the edge of the first metal silicide film.例文帳に追加

第１の拡散領域の表面において、第１の金属シリサイド膜の縁から離れて、第１の金属シリサイド膜を取り囲むようにシールド層が配置されている。 - 特許庁

To bring a source-drain region composed of a silicon mixed crystal layer in an MIS transistor close to a channel region while preventing trouble due to diffusion of an impurity.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタにおけるシリコン混晶層からなるソースドレイン領域を、不純物の拡散による不具合を防止しながらチャネル領域に近づけることができるようにする。 - 特許庁

Since the catalyst layer 60 is a diffusion reflection surface, the reflected light is more scattered than the case of a mirror surface, and absorption rate by the dyes is high and power generation efficiency is good.例文帳に追加

触媒層６０は拡散反射面であるので、鏡面の場合よりも反射光は散乱され、色素による吸収率が高く発電効率が良い。 - 特許庁

A surface of the silicon substrate 2 formed with the second-conductivity diffusion layer 3 has unevenness, and the unevenness is formed so that projections 17 are continued when seen in two dimensions.例文帳に追加

第２導電型拡散層３が形成されたシリコン基板２の表面に凹凸が設けられ、凹凸は、平面的に見て、凸部１７が連続するように設けられている。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer having a reduced cost, high conductivity, high gas permeability, and sufficient mechanical strength, in view of a problem in a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術における問題点に鑑み、低コスト性、高導電性、高ガス透過性および十分な機械的強度を有するガス拡散層を提供する。 - 特許庁

A multiplication expression multiplying the function of the vertical direction adjacent diffusion layer distance and a weighting function is generated and a parameter correction amount is calculated on the basis of the multiplication expression.例文帳に追加

その縦方向隣接拡散層距離の関数と重み付け関数とを掛け合わせた乗算式を生成し、その乗算式に基づいて、パラメータ補正量を算出する。 - 特許庁

By this arrangement, the heat generated in a laser beam irradiation portion is widely distributed by the heat diffusion layer 112, and as a result, the heat is efficiently discharged through the whole substrate 111.例文帳に追加

これによりレーザ光照射部分ので発生した熱が熱拡散層１１２によって広く分布し、この結果、基板１１１全体を介して効率よく放熱される。 - 特許庁

The paste composition for electrode formation given with an n-type diffusion layer forming function comprises: metal particles; glass particles containing donor elements; resin; and a solvent.例文帳に追加

ｎ型拡散層形成機能を付与した電極形成用ペースト組成物を、金属粒子と、ドナー元素を含むガラス粒子と、樹脂と、溶剤と、を含んで構成する。 - 特許庁

A gas diffusion layer for fuel cells is structured with a porous member mainly composed of conductive particles such as acetylene black or graphite and a polymer resin such as PTFE.例文帳に追加

アセチレンブラックやグラファイトなどの導電性粒子と、ＰＴＦＥなどの高分子樹脂とを主成分とした多孔質部材で燃料電池用ガス拡散層を構成する。 - 特許庁

To provide an aluminized treatment method which does not require supply of H_2 gas and by which the surface state of an aluminum diffusion layer is made good, and the generation of pollutants is reduced.例文帳に追加

Ｈ２ガスの供給を必要とせず、しかも、アルミニウム拡散層の表面状態が良好で、汚染物質の発生を少なくできるアルミナイズド処理方法を提供する。 - 特許庁

The position identification mark is formed in a convex-concave shape in the side face portion (side part) of a linear pattern 11 for substrate potential supply which is formed using a diffusion layer.例文帳に追加

本発明の位置識別マークは、拡散層で形成される直線状の基板電位供給用パターン１１の側面部（辺側）に、凹凸形状を設けて形成される。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer including a gas flow passage formed at one main surface thereof, which is capable of achieving further improvement in power generation performance.例文帳に追加

一方の主面にガス流路が形成されたガス拡散層において、発電性能の一層向上させることができるガス拡散層を提供することにある。 - 特許庁

Consequently, decrease in the breakdown voltage due to concentration of electric field at the corners of each diffusion layer 3-5 can be prevented in the end parts and the bottom of the cell section.例文帳に追加

これにより、セル部の終端部及び底部において、各拡散層３〜５のコーナー部での電界集中による耐圧低下を防止することが可能となる。 - 特許庁

Subsequently, the level 28 of the diffusion liquid 26 is moved from the upper part toward the lower part of the surface of a mask layer 14 by slanting a cell structural body 24 from the horizontal state thereof.例文帳に追加

続いて、セル構造体２４を水平から傾けることにより、マスク層１４の表面において分散液２６の液面２８を上方から下方へ移動させる。 - 特許庁

Further, it is excluded that hot holes which are generated in a source diffusion layer 12 during erasing operation are injected in the tunnel film 14 and reliability of the tunnel film is deteriorated.例文帳に追加

さらに、消去動作中にソース拡散層１２で発生するホットホールがトンネル膜１４に注入されることによってトンネル膜の信頼性を劣化させることもない。 - 特許庁