「diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.例文帳に追加

この基板に、活性層５を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層５の表面に異種伝導型の半導体活性層６を形成して、立体的構造を持つＰＮ接合面を形成する。 - 特許庁

To provide a method for forming a vanadium-based film, which can form a vanadium-based film having practical adhesiveness and toughness, as well as hardness equivalent to that obtained with a molten salt diffusion method, even at a lower film-forming temperature than a steel-tempering temperature.例文帳に追加

鋼の焼き戻し温度より低い成膜温度でも溶融塩拡散法によるのと同等の硬度とともに、実用密着性および靱性を備えたバナジウム系被膜を形成可能なバナジウム系被膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an information recording and reproducing device which prevents the influence of heat storage and thermal diffusion and improves accuracy in recording in a recording method using a so-called multipulse-type write strategy including a plurality of pulse strings, and also provide a method for the same.例文帳に追加

複数のパルス列を含むいわゆるマルチパルス型のライトストラテジーを採用する記録手法において、熱蓄積や熱拡散の影響をより抑制し、記録精度を向上させることが可能な情報記録装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Wirings, an electrode, and a method for forming the same are provided which comprises removing unwanted region of the seed layer and a first metal diffusion-preventing film, and selectively forming a second metal diffusion-preventing film, by the electroless plating method so as to cover the surfaces including the side surfaces of the seed layer, the metal wiring layer and the first metal diffusion-preventing film.例文帳に追加

本発明は、基板上若しくは回路素子上に設けられた第１の金属拡散防止膜上に、シード層の形成に続いて、フォトレジストマスクを用いて選択的に無電解メッキ法、又は電解メッキ法により、金属配線層を形成し、シード層及び第１の金属拡散防止膜の不要領域除去と、シード層及び金属配線層及び第１の金属拡散防止膜の側面を含む表面を覆うように無電解メッキ法による第２の金属拡散防止膜の選択的な形成と、により形成される配線及び電極及び、これらの形成方法である。 - 特許庁

To prevent the reduction of the corrosion resistance and strength of a material caused by the melting of Al and Cu in the base metals by the mutual diffusion of Al and Cu in a brazing method for an Al material and a Cu material.例文帳に追加

Ａｌ材とＣｕ材とのろう付け方法において、Ａｌ及びＣｕの相互拡散によって母材のＡｌ及びＣｕが溶融することによる耐食性及び強度の低下を、防止する。 - 特許庁

To provide a styrenic resin composition which is suitably used in a light diffusion plate applications due to excellent heat resistance and strength and excellent extrusion stability compared to the conventional one and a process for efficiently producing the same manufacturing method.例文帳に追加

従来に比べ、耐熱性及び強度に優れ、また押出安定性にも優れるため、光拡散板用途に好適なスチレン系樹脂組成物及びその効率的な製造方法を提供すること。 - 特許庁

To allow preventing a generation of undesirable isolated dots in a low density portion and easily providing high quality output image data in image processing that employs an error diffusion method.例文帳に追加

誤差拡散法を採る画像処理における、濃度の低い部分での好ましくない孤立ドットの発生を防止し、簡単な方法で高品質の出力画像データを得ることができるようにする。 - 特許庁

To provide a method for simply and efficiently manufacturing a precursor which is suitable for manufacturing a sintered body in which a relative density which is suitable for two-dimensional diffusion of heat is large and graphite powder is orientated.例文帳に追加

熱の二次元的な拡散に好適な相対密度が大きく、黒鉛粉末が配向した焼結体を製造するに好適な前駆体を簡便に効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

Next, a lower electrode is formed on an upper face of the anti-diffusion layer by a sputter method (S104), and the lower electrode is heated at 500°C for 30 minutes (S105), to relieve a residual stress of the lower electrode.例文帳に追加

次に、スパッタ法により拡散防止層の上面に下部電極を形成し（Ｓ１０４）、下部電極を５００℃で３０分間加熱して（Ｓ１０５）下部電極の残留応力を緩和させる。 - 特許庁

In a method of manufacturing the semiconductor device, a light-emitting element 12, which forms a p electrode 13 and a low-melt-point metal diffusion prevention layer 14 on the upper surface and comprises a plurality of group III nitride semiconductors, is formed on a sapphire substrate 10.例文帳に追加

ｐ電極１３および低融点金属拡散防止層１４が上面に形成された、複数のIII 族窒化物半導体からなる発光素子１２を、サファイア基板１０上に形成する。 - 特許庁

To facilitate the diffusion of PCB in a solid, to shorten a time required for decontamination and to improve the efficiency of cleaning when PCB is decontaminated from an impregnatable object to be cleaned by means of a solvent cleaning method.例文帳に追加

溶媒洗浄方式で含浸性被洗物からＰＣＢを除染するにあたり、固体中でのＰＣＢの拡散を早め、除染に要する時間の短縮と、洗浄効率の向上を図る。 - 特許庁

To provide a gas flow measurement method and its device of a fuel cell (in a gas-flow channel in a direction toward inside a cell face and/or in a diffusion layer) free from flow-channel clogging and capable of discerning a tip of a flow.例文帳に追加

流路詰まりがなく、流れ先端の判別が可能な、燃料電池の（セル面内方向のガス流路内および／または拡散層内の）ガス流れ計測方法とその装置の提供。 - 特許庁

To provide a film formation composition which is used for an application diffusion method, which can diffuse high-concentration impurity into a silicon wafer, and which can form a silica-based film simultaneously.例文帳に追加

塗布拡散法に用いる膜形成組成物であって、シリコンウエハに、より高い濃度の不純物を拡散することができ、更に、同時にシリカ系被膜を形成することが可能な膜組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric capacitor which exhibits proper electrical characteristics by preventing the advancing diffusion of an external substance, such as a reducing element or the like to a dielectric film, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

誘電体膜に対する還元性元素等の外部物質の進入拡散を防止することによって，良好な電気的特性を示す誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then a gradation conversion means 203 converts the monochrome halftone data stored in the memory means 204 into monochrome pseudo-halftone data, using for example, error diffusion method, and stores it in the memory means 204.例文帳に追加

次いで、階調変換手段２０３は、記憶手段２０４に格納されたモノクロ中間調データをモノクロ擬似中間調データに例えば誤差拡散法を用いて変換し、記憶手段２０４に格納する。 - 特許庁

To provide a highly integrated semiconductor device, and its fabricating method, in which the identical potential can be applied to a well in units of potential being applied to an impurity diffusion layer and the well potential can be stabilized.例文帳に追加

不純物拡散層へ電位を与える単位で、ウエルへ同一電位を与えることができ、ウエル電位を安定化し、高集積化された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can form the diffusion layer of N-type and P-type MOS transistors using a shallow junction so that resistance becomes low without increasing the number of processes.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタの拡散層を工程数を増加させることなく浅い接合で抵抗を低く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a substrate for display panels, in which a rugged shape to be formed on the surface of each of a black matrix and a colored layer is made smaller so that the fluidization and diffusion of an aligning agent are not hindered.例文帳に追加

ブラックマトリックスおよび着色層の表面に形成される凹凸を小さくして、配向材の流動および拡散が阻碍されない表示パネル用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method efficiently manufacturing a large number of flat plate type fuel cells in which the diffusion of transition metals between electrodes is suppressed and drop in the power generation performance of a fuel cell is prevented.例文帳に追加

電極間における遷移金属の拡散が抑制されており燃料電池の発電性能を低下させない平板型燃料電池セルを効率的に大量生産できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous carbon electrode base material which can efficiently distribute a reaction gas to a fuel cell electrode reaction section if the porous carbon electrode base material is used in a gas diffusion layer for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池用のガス拡散層に用いた場合、燃料電池電極反応部に反応ガスを効率よく分配することができる多孔質炭素電極基材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel included in a metal substrate.例文帳に追加

金属基板に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an excellent substrate for an oxide superconductive wire material by preventing peeling resulting from the surface diffusion and surface oxidation of nickel contained in a substrate.例文帳に追加

基体に含まれるニッケルの表面拡散および表面酸化が原因でおこる剥離を防止して良好な酸化物超電導線材用基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which improves reverse short channel effect by terminating Frenkel crystal defects formed during impurity ion implantation, and suppressing enhanced diffusion of boron.例文帳に追加

不純物イオン注入時に形成されたフレンケル型結晶欠陥を終端させ、ボロンの増速拡散を抑制することで、逆短チャンネル効果を改善した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a laser doping method of forming a laser doping concentration profile which steeply varies in a direction parallel to the surface of a substrate at the end of at least a part of a dopant diffusion region.例文帳に追加

ドーパント拡散領域の少なくとも一部の端部において、基板の表面と平行な方向に急峻に変化するドーピング濃度プロファイルを形成するレーザドーピング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device capable of restraining a semiconductor substrate from being expanded in a diffusion layer area formed on a surface of the semiconductor substrate, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成された拡散層領域における半導体基板の膨張の発生を抑制することが可能な、半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The polyolefin microporous film has the product of diffusion coefficients in respective directions measured by a gradient magnetic field NMR method of 4.5×10^-31≤D(Z)×D(MD)×D(TD)≤1×10^-29.例文帳に追加

磁場勾配ＮＭＲ法によって測定された各方向の拡散係数の積が４．５×１０^−３１≦Ｄ（Ｚ）×Ｄ（ＭＤ）×Ｄ（ＴＤ）≦１×１０^−２９であるポリオレフィン微多孔膜。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of an excellent CaAlAs-based semiconductor laser device, in which Zn diffusion arrives at an active layer sufficiently and which will not cause COD, and to provide the semiconductor laser device.例文帳に追加

活性層まで十分にＺｎ拡散が達し、ＣＯＤを起こさない良好なＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ装置の簡便な製造方法及び半導体レーザ装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a tubular SiC-compact with high impact resistance and corrosion resistance, suitable for, for instance, a liner tube and a process tube of a diffusion furnace, and to provide an inexpensive manufacturing method with high productivity.例文帳に追加

耐熱衝撃性、耐蝕性が高く、例えば拡散炉のライナーチューブやプロセスチューブなどとして好適な管状ＳｉＣ成形体、および高い生産性で低コストのその製造方法を提供する。 - 特許庁

A processing temperature required for this low-temperature solid phase epitaxial growth method is about 450°C-650°C, the thermal diffusion of the impurities into the semiconductor film 9 is suppressed, and an initial steep step profile can be maintained.例文帳に追加

この低温固相エピタキシャル成長法に要する処理温度は４５０℃〜６５０℃程度であり、半導体膜９内への不純物の熱拡散は抑えられ、初期の急峻なステッププロファイルが維持される。 - 特許庁

To provide a light diffusive sheet and a manufacturing method for the sheet having reduced processes and obtain a uniform light diffusion without using spherical beads, and a back light unit using the sheet.例文帳に追加

製造工程が少なく、かつ、球形ビーズを用いずに光の均一な拡散を可能とする光拡散シート、その製造方法及びそれを用いたバックライトユニットの提供を目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a metal precision mechanical component by liquid phase diffusion welding in assembling the mechanical component internally having complicated and precise pipe lines for carrying liquid and lightening weight.例文帳に追加

内部に複雑かつ精密な流体搬送用、重量軽減用の管路を有する機械部品の組み立て時の液相拡散接合による金属製精密機械部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

This invention is related to a method for manufacturing the LED (a light emitting diode) comprising the reflector plated by the silver with a diffusion preventing metal plating conducted in advance before the silver plating.例文帳に追加

本願発明は、銀めっきされた反射部を備えるＬＥＤ（発光ダイオード）の製造方法において、銀めっきを行う前に予め拡散防止金属めっきを行うＬＥＤの製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing an increase in the manufacturing cost by dispensing with an additional lithographic step, in manufacturing semiconductor devices having asymmetrical diffusion layer regions.例文帳に追加

非対称型の拡散層領域を持つ半導体装置を製造するに際、付加的リソグラフィー工程を不要とし、製造コストの増加を抑える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer for a solid polymer fuel cell capable of being manufactured at a low temperature at low cost without using a carbon base material such as carbon paper and carbon cloth.例文帳に追加

カーボンペーパーやカーボンクロス等の炭素基材を使用せず、低温での製造が可能となる製造コストの安い固体高分子型燃料電池用ガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a small crosstalk noise semiconductor device and its manufacturing method which can prevent diffusion of copper into a low permattrurty insulating film and reduce the permattrurty of a low-permattrurty insulating film and water absorptance.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜への銅の拡散を防止でき、低誘電率絶縁膜の誘電率および吸水性を低減できる小さなクロストークノイズの半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas diffusion layer has just one peak in a log differential pore volume distribution graph measured by a mercury press-fitting method, with the peak existing within a range of a pore diameter of 0.01 to 1 μm.例文帳に追加

本発明のガス拡散層は、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric memory comprises a step of forming the moisture diffusion preventive film formed on at least the first interlayer film.例文帳に追加

また、上記強誘電体メモリを製造する方法であって、少なくとも第１層間膜上に、水分拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法である。 - 特許庁

To inhibit a ceramics member from being contaminated by diffusion of boron from a graphite member of a high-temperature furnace during high-temperature heat treatment while suppressing effects on an environment by a simple method and simple equipment.例文帳に追加

簡単な方法及び設備により環境への影響を抑えながら、高温熱処理時に高温炉の黒鉛部材からのボロンの拡散によってセラミックス部材が汚染されることを抑制する。 - 特許庁

To provide a liquid phase diffusion welding method by which the positioning of mutual welding end parts is easily performed with high accuracy without generating excessive tensile stress on piping to be obtained.例文帳に追加

得られる配管に過大な引っ張り応力を生ずることがなく、接合端部同士の位置合わせを高い精度で簡便に行うことを可能にする液相拡散接合方法を提供する。 - 特許庁

To ensure general-purpose properties and flexibly cope with the number of bits of quantization when quantization with a smaller number of bits is performed to multivalued image data of two or more colors by using an error diffusion method.例文帳に追加

２色以上の多値画像データに対して誤差拡敬法を用いてより少ないビット数に量子化する場合に、汎用性を有し、且つ、量子化するビット数に応じて柔軟に対処できるようにする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which suppresses the diffusion of p-type dopant to a light emitting layer (or active layer) with a high luminance and reduces the maintenance requirement of a deposition system.例文帳に追加

発光層（または活性層）へのｐ型ドーパントの拡散を抑制して高輝度を実現でき、また、成長装置のメンテナンス頻度を少なくできる半導体発光素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single mode optical fiber that has low initial loss in 1,380 nm band and that can maintain loss at 1,380 nm at a low level even if hydrogen enters by diffusion from the outside.例文帳に追加

１３８０nm帯での初期損失が低く、且つ外部から水素が拡散してきた場合でも、１３８０nmでの損失を低く保つことができるシングルモード光ファイバの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion layer having an ultra-shallow junction without causing the depletion of a gate electrode and deterioration in the reliability of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極の空乏化や、ゲート絶縁膜の信頼性低下を招くことなく、極浅い接合を有する不純物拡散層を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second method includes the steps of masking the root areas of the gear with a coating material which would inhibit carbon diffusion in the root areas but not completely stop it.例文帳に追加

第二の方法には、ギアの基部領域を、基部領域における炭素の拡散を完全に防止することはないが、これを抑制するようなコーティング材料を用いてマスキングするステップが含まれる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode for a fuel cell allowing normal temperature joining of a gas diffusion layer with an electrolyte film and not losing the reinforcing effect of the electrolyte film throughout all the steps.例文帳に追加

ガス拡散層の電解質膜への接合が常温で行え、また全工程を通して電解質膜の補強効果を失うことのない燃料電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁