| 意味 | 例文 |
diffusion methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3044件
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加
キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus and an image processing method capable of generating a high quality image without producing phenomena such as banding even when halftone processing a multi-tone image data by an error diffusion method or an equivalent method thereto.例文帳に追加
多階調の画像データを誤差拡散法またはこれと等価な方法によりハーフトーン処理した際にも、バンディング等の現象が生じることのない高画質な画像形成ができる画像処理装置および画像処理方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a screening method mixing the merits of systematic dithering having an advantage that dots can be formed in a specified shape and of error diffusion method exhibiting excellent reproducibility of detail, and a halftone processor implementing that method.例文帳に追加
特定の形状の網点を形成することができるという利点を持つ組織的ディザと細部の再現性に優れた誤差拡散法の長所をミックスしたスクリーニング方法とその方法を実現したハーフトーン処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加
膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁
Halftone processing by a dither method and an error diffusion method compares the separated S components with the separated L components in dot density for each pixel position to generate S sparse data, L sparse data, S sparse plus L dense data, and S dense plus sparse data.例文帳に追加
ディザ法、誤差拡散法によるハーフトーン処理は、分離したS成分、L成分に対して各画素位置ごとにドット密度を比較しS疎データ、L疎データ、S疎+L密データ、S密+L疎データを生成する。 - 特許庁
To provide rare earth-iron-manganese-nitrogen based magnet powder that has a remarkably decreased Fe rich phase, and has an excellent square property, and to provide a method for manufacturing the powder at low cost by a reduction diffusion method.例文帳に追加
Feリッチ相が大幅に減少し、良好な保磁力と優れた角形性を有する希土類−鉄−マンガン−窒素系磁石粉末およびそれを還元拡散法で安価に製造する方法を提供。 - 特許庁
To reduce memory capacity for storing a density error value that occurs and to obtain an image processing result with high graininess in an image processing method for recording a multiple tone image by an error diffusion method.例文帳に追加
誤差拡散法により多階調の画像を記録する画像処理方法において、発生する濃度誤差値を格納するメモリ容量を低減するとともに、粒状性のよい画像処理結果を得ることを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.例文帳に追加
低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a bonding method with which the diffusion of flux to an element to be housed in a sealed container using a solder comprising a surface acoustic wave (SAW) device is completely prevented, in the bonding method for the container.例文帳に追加
弾性表面波装置を構成するはんだを用いた密閉容器の接合方法で、容器内部に収納する素子に対し、フラックスの飛散を全廃する接合方法を実現することを目的とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a catalyst carrying diffusion layer in which the catalyst can be utilized effectively and reduction of cost is possible, and to provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly.例文帳に追加
本発明は、触媒を効率的に利用することができ、コストの削減が可能である触媒担持拡散層の製造方法、および膜電極複合体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加
N型高濃度領域1は、イオン注入法またはPOCl_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁
The optical characteristics-analyzing system at least comprises a diffusion constant acquisition means 1 for calculating a diffusion constant of a component material composing the optical system, for which the diffusion constant is unknown, an optical system model generating means 2 for generating a numerical analysis model necessary for numerical analysis by a finite element method, and an optical characteristics-calculating means 3 for calculating the optical characteristics.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明に係る光学特性解析システムは、拡散定数が未知である光学系を構成する部品材料の拡散定数を算出する拡散定数取得手段1と、有限要素法による数値解析に必要な数値解析モデルを生成する光学系モデル生成手段2と、光学特性を算出する光学特性算出手段3と、を少なくとも備える。 - 特許庁
To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加
従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁
To improve mechanical strength of an Nb_3Sn superconducting wire produced by the internal diffusion method to exhibit its excellent superconducting properties, and to provide: the Nb_3Sn superconducting wire produced by internal diffusion method which exceeds a conventional one manufactured by bronze method in both sides of superconducting properties and strength; and its precursors.例文帳に追加
内部拡散法Nb_3Sn超電導線材が備えている優れた超電導特性を十分に発揮させるべく、内部拡散法Nb_3Sn超電導線材における機械的強度の強化を図り、従来のブロンズ法Nb_3Sn超電導線材を超電導特性および強度の両面で凌駕することのできる内部拡散法Nb_3Sn超電導線材、およびそのための前駆体を提供する。 - 特許庁
The light diffusion medium constituted by forming a light diffusing layer mainly consisting of transparent resin on a transparent base body has a honeycomb structure of which the light diffusing layer is formed by a waterdrop mold method.例文帳に追加
透明基体上に透明樹脂を主成分とする光拡散層を設けた光拡散媒体であって、光拡散層が水滴鋳型法によって形成されたハニカム構造を有する。 - 特許庁
To prevent decrease in ink deposition property in an image part caused when a great number of sheets are printed in a lithographic printing plate having an aluminum plate as a supporting body and using a silver complex salt diffusion transfer method.例文帳に追加
アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、多数枚の印刷時に発生する画像部のインキ着肉性の低下を防止する。 - 特許庁
To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加
T型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a perfume releasing device and a perfume releasing method which enable the sufficient suppression of the diffusion of a perfume to a surrounding environment by reducing the releasing amount of the perfume.例文帳に追加
香料の放出量を少なくして、周囲の環境への香料の拡散を充分に抑えることのできる香料放出装置及び方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a very effective control method for a polishing margin when a wafer such as SOI wafer of an SOI layer having a diffusion layer which requires the control of a minute polishing margin is polished.例文帳に追加
拡散層を有するSOI層のSOIウエーハのような微小な研磨代の管理が必要とされるウエーハを研磨する場合に、極めて有効な研磨代の管理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a steel structure produced by butt-jointing hollow steels such as steel pipes or the like or a hollow steel and a steel having a given shape to each other by the liquid-phase diffusion welding, and a production method therefor.例文帳に追加
鋼管等の中空鋼同士または中空鋼と任意の形状を有する鋼を液相拡散接合で突き合わせ接合した鋼構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electroless plating bath which makes it possible to form a diffusion barrier layer of a Re-based alloy, having a uniform thickness regardless of the shape and size of a workpiece, on the surface of a Ni-based alloy by a relatively simple method.例文帳に追加
Ni基合金の表面に、製品の形状や寸法に拘らず、比較的簡単な方法により、均一な膜厚のRe基合金からなる拡散バリア層を形成する。 - 特許庁
To eliminate extrusion, defluxion and the like with an easy method in the case of inserting a wire for diffusion welding into a groove formed in a ring inner face for forming an insertion port protruding part.例文帳に追加
挿口突部形成用のリング内面に形成した溝に拡散溶接用のワイヤーを挿入した場合、そのワイヤーのはみ出しや脱落を簡単な方法で解消することを課題とする。 - 特許庁
To provide a low expansion crystallized glass of a milk white color or white color having excellent light diffusion characteristics, a crystallized glass member and their manufacturing method.例文帳に追加
本発明は良好な光拡散性を有する乳白色または白色の低膨張結晶化ガラス、それを用いた結晶化ガラス部材、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加
均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたMOSゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for insolubilizing an oil content so as to prevent pollution diffusion of soil or underground water polluted with the oil content without influenced by buildings or obstacles.例文帳に追加
建造物や障害物に影響されることなく、油分により汚染された土壌や地下水の汚染拡散を防止することができる、油分の不溶化処理方法を提供する。 - 特許庁
To provide the manufacturing device and manufacturing method of an electrode for a polymer electrolyte fuel cell capable of efficiently bonding slurry of material of an electrode to a gas diffusion layer at a low price.例文帳に追加
電極の材料のスラリをガス拡散層に低コストで効率よく付着できる固体高分子形燃料電池の電極の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
To continuously manufacture metallic products with high yield by joining one end part of cylindrical or columnar metallic parts to the flat part of the metallic parts by a liquid phase diffusion joining method.例文帳に追加
液相拡散接合法により、円筒状又は円柱状の金属部品の片端部を、金属部品の平面部に接合して、連続的に歩留まり高く金属製品を製造する。 - 特許庁
According to the manufacturing method, the diffusion of the damping material 23 into the metal melt during the casting does not occur and since a binder and the like are not used, there is no need for a countermeasure against degassing.例文帳に追加
この製造方法によれば、鋳造時に減衰材23が金属溶湯中に拡散することが無く、又、粘結剤等を使用しないためガス抜き対策の必要もない。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can obtain superior electric characteristic by improving the end-part shape of an element diffusion layer in contact with an element isolation insulating film.例文帳に追加
素子分離絶縁膜に接する素子拡散層の端部形状を改善することにより、優れた電気的特性を得ることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method which can accurately form a high-density impurity layer in a thin silicon film, due to the diffusion of impurities from an intermediate layer to the thin silicon film.例文帳に追加
太陽電池において、中間層からシリコン薄膜への不純物の拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成できる製造方法を提供すること。 - 特許庁
In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるP型の拡散層7、17を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁
To provide a method for estimating the calculation time and/or calculation power necessary to compose a live realistic display regarding the diffusion of light in a virtual environment.例文帳に追加
仮想環境における光の拡散に関してライブの現実的な表示を構成するために必要な計算時間及び/又は計算パワーを適正に推定する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flush memory element which can improve a barrier characteristic between a substrate and a well region by forming a diffusion preventive region in the well region.例文帳に追加
ウェル領域間に拡散防止領域を形成することにより、基板とウェル領域間の障壁特性を改善することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a trap film for charge storage and a bit-line diffusion layer of a MONOS type semiconductor memory device, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加
MONOS型半導体記憶装置の電荷蓄積用のトラップ膜及びビット線拡散層を有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To enable printing of a photograph of high quality by using a processor of a conventional product without support of a hardware by using a very fast error diffusion method and an excellent color depth.例文帳に追加
非常に高速な誤差拡散法により及び優れたカラー深さを用いて、ハードウェアの支援なしに既製品のプロセッサを使用することにより、高品質写真プリントを可能とする。 - 特許庁
A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24).例文帳に追加
そして、目標関数の感度を導出し(ステップS23)、また二重井戸型ポテンシャルf(φ)を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く(ステップS24)。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing gas sensor element, capable of obtaining a diffusion-rate limiting section having pores arbitrary in shapes and dimensions, and of suppressing the closure of the pores by a poisoning component.例文帳に追加
任意の形状・寸法の気孔を持った拡散律速部が得られ、被毒成分による気孔の閉塞を抑制することができるガスセンサ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor that prevents a semiconductor pattern from decreasing in length owing to diffusion of metal ions, a method of manufacturing the same, and a display substrate.例文帳に追加
本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a carbon substrate for a gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell, the carbon substrate formed thereby, and a system used for manufacturing the same.例文帳に追加
高分子電解質型燃料電池のガス拡散層用炭素基材の製造方法、それによって形成された炭素基材及びその製造に使われるシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a membrane electrode structure capable of being formed in a given thickness and capable of obtaining adhesive strength between a solid polymer electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加
所定の厚さに形成できると共に、固体高分子電解質膜とガス拡散層との間で優れた接着強度が得られる膜−電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an oxidation resistant fuel cell component and a method for creating an aluminum diffusion surface layer within a fuel cell component to reduce chromium contamination occurring during operation of a fuel cell.例文帳に追加
耐酸化性燃料電池部品及び燃料電池部品内部にアルミニウム拡散表面層を形成して燃料電池の運転中に起こるクロム汚染を低減する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a base material for a gas diffusion electrode, which exhibits high conductivity, gas permeability, and high water-repellency without using fluorine and to provide a method of manufacturing the material and an MEA containing the material.例文帳に追加
導電性およびガス透過性が共に高く且つフッ素を用いなくとも撥水性の高いガス拡散電極用基材、その製造方法、およびこれを備えたMEAを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solar battery cell that can manufacture a solar battery having superior photoelectric conversion efficiency, by removing a dead layer of a surface layer of an impurity diffusion layer in a simple and sure way.例文帳に追加
簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device equipped with a plurality of diffusion layer resistances each of which has a different resistance value, while reducing the manufacturing steps and manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
This method is applied to an air cleaner as the structure obtaining the harmful gas removal efficiency of 50% or more in a single pass in a theoretical formula expressing the principle of the diffusion scrubber of Gormley and Kennedy.例文帳に追加
この方法を、空気浄化装置をGormley及びKennedyの拡散スクラバの原理を表す理論式において、1パスで50%以上の有害ガス除去効率を得られる構造として適用する。 - 特許庁
To provide an electronic watermark embedding device and an electronic watermark detector capable of preventing the energy of electronic watermark information embedded by a direct diffusion method from being distributed to a high frequency side in an inverse spectrum spreading process and making the electronic watermark information hardly losable.例文帳に追加
直接拡散法で埋め込まれた電子透かし情報のエネルギーが、逆スペクトル拡散過程において高周波側に配分されないようにすることができる。 - 特許庁
To provide an angle measuring instrument capable of measuring accurately an angle of a sample without depending on manual work, and to provide a thickness measuring method for a diffusion layer of a semiconductor wafer using the angle measuring instrument.例文帳に追加
試料の角度を人手に頼らず、正確に測定できる試料の角度測定装置およびこれを用いた半導体ウェーハの拡散層の厚さ測定方法を提供する。 - 特許庁
According to such a forming method, since P having higher diffusion coefficient than As which has been used in a prior art is used to form the pocket layer, a strong electric field near a channel is relaxed.例文帳に追加
このような形成方法によれば、ポケット層の形成に、従来用いられているAsよりも拡散係数が高いPを用いているので、チャネル近傍の強い電界が緩和される。 - 特許庁
To provide an anisotropic diffusion medium showing incident angle dependence of linearly transmitted light quantity even when the medium is rotated around an arbitrary straight line as an axis, and to provide a method for manufacturing the medium.例文帳に追加
任意の直線を軸に回転した場合においても直線透過光量が入射角依存性を示す異方性拡散媒体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加
低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし,素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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