| 意味 | 例文 |
diffusion methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3044件
To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of stabilizing an electrical resistance between a capacitor and dopant diffusion region of a transistor low and decreasing the number of processes.例文帳に追加
キャパシタとトランジスタの不純物拡散領域との間の電気抵抗を低く安定化し得て、工程数を削減し得る半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a screening method mixing the merits of systematic dithering having an advantage that dots can be formed in a specified shape and of error diffusion method exhibiting excellent reproducibility of detail, and a halftone processor implementing that method.例文帳に追加
特定の形状の網点を形成することができるという利点を持つ組織的ディザと細部の再現性に優れた誤差拡散法の長所をミックスしたスクリーニング方法とその方法を実現したハーフトーン処理装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide an image processing apparatus and an image processing method capable of generating a high quality image without producing phenomena such as banding even when halftone processing a multi-tone image data by an error diffusion method or an equivalent method thereto.例文帳に追加
多階調の画像データを誤差拡散法またはこれと等価な方法によりハーフトーン処理した際にも、バンディング等の現象が生じることのない高画質な画像形成ができる画像処理装置および画像処理方法を提供すること。 - 特許庁
Halftone processing by a dither method and an error diffusion method compares the separated S components with the separated L components in dot density for each pixel position to generate S sparse data, L sparse data, S sparse plus L dense data, and S dense plus sparse data.例文帳に追加
ディザ法、誤差拡散法によるハーフトーン処理は、分離したS成分、L成分に対して各画素位置ごとにドット密度を比較しS疎データ、L疎データ、S疎+L密データ、S密+L疎データを生成する。 - 特許庁
To reduce memory capacity for storing a density error value that occurs and to obtain an image processing result with high graininess in an image processing method for recording a multiple tone image by an error diffusion method.例文帳に追加
誤差拡散法により多階調の画像を記録する画像処理方法において、発生する濃度誤差値を格納するメモリ容量を低減するとともに、粒状性のよい画像処理結果を得ることを目的とする。 - 特許庁
To provide rare earth-iron-manganese-nitrogen based magnet powder that has a remarkably decreased Fe rich phase, and has an excellent square property, and to provide a method for manufacturing the powder at low cost by a reduction diffusion method.例文帳に追加
Feリッチ相が大幅に減少し、良好な保磁力と優れた角形性を有する希土類−鉄−マンガン−窒素系磁石粉末およびそれを還元拡散法で安価に製造する方法を提供。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a catalyst carrying diffusion layer in which the catalyst can be utilized effectively and reduction of cost is possible, and to provide a manufacturing method of a membrane electrode assembly.例文帳に追加
本発明は、触媒を効率的に利用することができ、コストの削減が可能である触媒担持拡散層の製造方法、および膜電極複合体の製造方法を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁
An N-type high-concentration region is formed by doping impurities such as phosphorus or arsenic into a part or the entire surface of the extension drain region through an ion-implantation method or a POCl3 diffusion method.例文帳に追加
N型高濃度領域1は、イオン注入法またはPOCl_3拡散法によって延長ドレイン領域表面の一部ないしは全面にリンまたはヒ素等の不純物をドープすることによって形成される。 - 特許庁
To provide a bonding method with which the diffusion of flux to an element to be housed in a sealed container using a solder comprising a surface acoustic wave (SAW) device is completely prevented, in the bonding method for the container.例文帳に追加
弾性表面波装置を構成するはんだを用いた密閉容器の接合方法で、容器内部に収納する素子に対し、フラックスの飛散を全廃する接合方法を実現することを目的とする。 - 特許庁
To provide the forming method of conductive film pattern, the manufacturing method of a device, an electro-optical device and an electronic instrument, in which the diffusion of a metal element is prevented by covering the film pattern by a more precise barrier metal layer.例文帳に追加
膜パターン上をより緻密なバリアメタル層で覆うことにより、金属元素が拡散することを防止した、導電膜パターンの形成方法、デバイスの製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁
To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.例文帳に追加
低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁
The optical characteristics-analyzing system at least comprises a diffusion constant acquisition means 1 for calculating a diffusion constant of a component material composing the optical system, for which the diffusion constant is unknown, an optical system model generating means 2 for generating a numerical analysis model necessary for numerical analysis by a finite element method, and an optical characteristics-calculating means 3 for calculating the optical characteristics.例文帳に追加
上記課題を解決するために、本発明に係る光学特性解析システムは、拡散定数が未知である光学系を構成する部品材料の拡散定数を算出する拡散定数取得手段1と、有限要素法による数値解析に必要な数値解析モデルを生成する光学系モデル生成手段2と、光学特性を算出する光学特性算出手段3と、を少なくとも備える。 - 特許庁
To provide a mounting method for an electronic component and a mounting device therefor which solves various problems of a conventional mounting methods by deformation of bump electrodes, a solid phase diffusion method by ultrasonic vibration, and a surface activation processing method by energy wave irradiation.例文帳に追加
従来の突起電極の変形による実装方法、超音波振動による固相拡散方法、エネルギ波照射による表面活性化処理方法が抱えていた種々の問題を解決できる電子部品の実装方法およびその実装装置を提供する。 - 特許庁
To improve mechanical strength of an Nb_3Sn superconducting wire produced by the internal diffusion method to exhibit its excellent superconducting properties, and to provide: the Nb_3Sn superconducting wire produced by internal diffusion method which exceeds a conventional one manufactured by bronze method in both sides of superconducting properties and strength; and its precursors.例文帳に追加
内部拡散法Nb_3Sn超電導線材が備えている優れた超電導特性を十分に発揮させるべく、内部拡散法Nb_3Sn超電導線材における機械的強度の強化を図り、従来のブロンズ法Nb_3Sn超電導線材を超電導特性および強度の両面で凌駕することのできる内部拡散法Nb_3Sn超電導線材、およびそのための前駆体を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solid-state image sensing device capable of reducing the entry of an impurity metal from a metal film to a silicon substrate by diffusion of metal, and of suppressing white spot noise.例文帳に追加
金属膜からシリコン基板への金属拡散による不純物金属の浸入を低減し、白点ノイズを抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for inexpensively manufacturing a metal precision mechanical component which is assembled and formed by liquid phase diffusion welding by simplified manufacturing processes and a metal precision mechanical component.例文帳に追加
液相拡散接合により組み立て成型した金属製精密機械部品を簡素化された製造工程で、低コストで製造可能な金属製精密機械部品を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, which can be lessened in chip size and enhanced in operation speed by lessening a diffusion layer in junction capacitance, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加
チップサイズを縮小でき且つ拡散層の接合容量を低減して動作速度の高速化が図れる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing Cu damascene wiring which suppresses a diffusion of Cu spreading on the interface between a Cu wiring pattern and a cap layer, and simultaneously suppresses an increase in resistance of the Cu wiring pattern.例文帳に追加
Cu配線パターンとキャップ層との界面を伝うCuの拡散を抑制し、同時にCu配線パターンの抵抗の増大を抑制するCuダマシン配線の製造法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.例文帳に追加
必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting device capable of forming end surface window structure by Zn solid phase diffusion which can be performed in low temperature and short time, furthermore is independent of thickness.例文帳に追加
本発明は、低温、短時間、膜厚に依存しないZn固相拡散により端面窓構造を形成できる半導体発光素子の製造方法を提供するものである。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a high accuracy, high sensitivity solid state image sensor in which the loss of light utilization efficiency due to the absorption or diffusion of light in an intermediate layer can be reduced.例文帳に追加
中間層での光の吸収や拡散による光利用効率のロスを低減できる高精度、高感度の固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for diffusing impurity in a semiconductor wafer by which dispersion of sheet resistance and generation of surface defect can be restrained, even when high concentration impurity diffusion is conducted.例文帳に追加
高濃度の不純物拡散を行う場合であっても、シート抵抗のバラツキや表面欠陥の発生を抑制できる半導体ウェーハへの不純物拡散方法を提供する。 - 特許庁
To prevent decrease in ink deposition property in an image part caused when a great number of sheets are printed in a lithographic printing plate having an aluminum plate as a supporting body and using a silver complex salt diffusion transfer method.例文帳に追加
アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、多数枚の印刷時に発生する画像部のインキ着肉性の低下を防止する。 - 特許庁
To provide a field-effect transistor which reduces a parasitic capacitance generated between an umbrella part of a gate electrode of T-type structure and a diffusion layer, and to provide a method of manufacturing the field-effect transistor.例文帳に追加
T型構造のゲート電極の傘部と拡散層の間に生じる寄生容量を低減した電界効果トランジスタ及びその電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
The light diffusion medium constituted by forming a light diffusing layer mainly consisting of transparent resin on a transparent base body has a honeycomb structure of which the light diffusing layer is formed by a waterdrop mold method.例文帳に追加
透明基体上に透明樹脂を主成分とする光拡散層を設けた光拡散媒体であって、光拡散層が水滴鋳型法によって形成されたハニカム構造を有する。 - 特許庁
To provide a perfume releasing device and a perfume releasing method which enable the sufficient suppression of the diffusion of a perfume to a surrounding environment by reducing the releasing amount of the perfume.例文帳に追加
香料の放出量を少なくして、周囲の環境への香料の拡散を充分に抑えることのできる香料放出装置及び方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a very effective control method for a polishing margin when a wafer such as SOI wafer of an SOI layer having a diffusion layer which requires the control of a minute polishing margin is polished.例文帳に追加
拡散層を有するSOI層のSOIウエーハのような微小な研磨代の管理が必要とされるウエーハを研磨する場合に、極めて有効な研磨代の管理方法を提供する。 - 特許庁
To provide a steel structure produced by butt-jointing hollow steels such as steel pipes or the like or a hollow steel and a steel having a given shape to each other by the liquid-phase diffusion welding, and a production method therefor.例文帳に追加
鋼管等の中空鋼同士または中空鋼と任意の形状を有する鋼を液相拡散接合で突き合わせ接合した鋼構造体とその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing gas sensor element, capable of obtaining a diffusion-rate limiting section having pores arbitrary in shapes and dimensions, and of suppressing the closure of the pores by a poisoning component.例文帳に追加
任意の形状・寸法の気孔を持った拡散律速部が得られ、被毒成分による気孔の閉塞を抑制することができるガスセンサ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加
有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのZn拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a light diffusion plate for a backlight device, which is formed of a propylene resin and prevented from being deformed even under severe heat conditions.例文帳に追加
バックライト装置に用いられるプロピレン樹脂からなる光拡散板であって、厳しい熱条件においても変形しない光拡散板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加
STIプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数nm程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing capacitor of semiconductor element by which the deterioration of a dielectric layer can be prevented by preventing the diffusion of hydrogen generated in a chamber at the time of forming a protective film.例文帳に追加
本発明は、保護膜形成時にチャンバ内に発生する水素の拡散を防止し、誘電体層の劣化を防止できる半導体素子のキャパシタの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of estimating physical parameters in which various voltage losses are individually obtained and thereby physical parameters of an electrolyte membrane, a catalyst layer and a diffusion layer are estimated.例文帳に追加
各種電圧損失を個別に求めると共に電解質膜、触媒層及び拡散層の物理パラメータを推定することが可能な燃料電池の物理パラメータ推定方法を実現する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor that prevents a semiconductor pattern from decreasing in length owing to diffusion of metal ions, a method of manufacturing the same, and a display substrate.例文帳に追加
本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに表示基板を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a carbon substrate for a gas diffusion layer of a polymer electrolyte fuel cell, the carbon substrate formed thereby, and a system used for manufacturing the same.例文帳に追加
高分子電解質型燃料電池のガス拡散層用炭素基材の製造方法、それによって形成された炭素基材及びその製造に使われるシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a membrane electrode structure capable of being formed in a given thickness and capable of obtaining adhesive strength between a solid polymer electrolyte membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加
所定の厚さに形成できると共に、固体高分子電解質膜とガス拡散層との間で優れた接着強度が得られる膜−電極構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an oxidation resistant fuel cell component and a method for creating an aluminum diffusion surface layer within a fuel cell component to reduce chromium contamination occurring during operation of a fuel cell.例文帳に追加
耐酸化性燃料電池部品及び燃料電池部品内部にアルミニウム拡散表面層を形成して燃料電池の運転中に起こるクロム汚染を低減する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a base material for a gas diffusion electrode, which exhibits high conductivity, gas permeability, and high water-repellency without using fluorine and to provide a method of manufacturing the material and an MEA containing the material.例文帳に追加
導電性およびガス透過性が共に高く且つフッ素を用いなくとも撥水性の高いガス拡散電極用基材、その製造方法、およびこれを備えたMEAを提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a solar battery cell that can manufacture a solar battery having superior photoelectric conversion efficiency, by removing a dead layer of a surface layer of an impurity diffusion layer in a simple and sure way.例文帳に追加
簡便かつ確実に不純物拡散層の表層のデッド層を除去して光電変換効率に優れた太陽電池を製造可能な太陽電池セルの製造方法を得ること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device equipped with a plurality of diffusion layer resistances each of which has a different resistance value, while reducing the manufacturing steps and manufacturing cost, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
工程数の低減や製造コストの削減を図りつつ、各々が異なる抵抗値を有する複数の拡散層抵抗を備えた半導体装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a wafer treatment method and a device, where an improved MOS gate dielectric film uniform in thickness and superior in reliability and barrier diffusion properties than a silicon dioxide film can be formed.例文帳に追加
均一な厚さでニ酸化ケイ素より優れた信頼性とバリヤ拡散特性を有する改良されたMOSゲート誘電体成膜を可能にするウエハ処理の方法と装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the semiconductor device, by which the overlapped length of a low-concentration diffusion layer and a gate electrode is made an optimal dimension, and enable microfabrication of device is attained.例文帳に追加
低濃度拡散層とゲート電極とのオーバーラップする長さを最適な寸法とし,素子の微細化を可能とする半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of easily, stably and accurately setting an imaging object region in diffusion tensor imaging using an MRI apparatus independent of the subjectivity and skill, etc., of an examiner.例文帳に追加
検者の主観や技量などに依存しない、MRI装置による拡散テンソルイメージングにおけるイメージング対象領域の簡便で安定かつ正確な設定方法を提供すること。 - 特許庁
According to the manufacturing method, the diffusion of the damping material 23 into the metal melt during the casting does not occur and since a binder and the like are not used, there is no need for a countermeasure against degassing.例文帳に追加
この製造方法によれば、鋳造時に減衰材23が金属溶湯中に拡散することが無く、又、粘結剤等を使用しないためガス抜き対策の必要もない。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device that can obtain superior electric characteristic by improving the end-part shape of an element diffusion layer in contact with an element isolation insulating film.例文帳に追加
素子分離絶縁膜に接する素子拡散層の端部形状を改善することにより、優れた電気的特性を得ることを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method which can accurately form a high-density impurity layer in a thin silicon film, due to the diffusion of impurities from an intermediate layer to the thin silicon film.例文帳に追加
太陽電池において、中間層からシリコン薄膜への不純物の拡散により、シリコン薄膜中に高濃度の不純物層を精度よく形成できる製造方法を提供すること。 - 特許庁
In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加
本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるP型の拡散層7、17を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁
To provide a method for estimating the calculation time and/or calculation power necessary to compose a live realistic display regarding the diffusion of light in a virtual environment.例文帳に追加
仮想環境における光の拡散に関してライブの現実的な表示を構成するために必要な計算時間及び/又は計算パワーを適正に推定する方法を提供する。 - 特許庁
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