「diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image processing method and a device, and an image forming apparatus that can obtain a dot arrangement of high quality by performing proper error diffusion processing according to the generation position of an error caused by characteristics of dot formation.例文帳に追加

ドット形成の特性による誤差の発生位置に応じて、適切な誤差拡散処理を行い、高品質のドット配置を得ることができる画像処理方法および装置並びに画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of giving a further excellent conductivity, gas permeation performance, and water repellency to a conductive porous substrate for fuel cell, and a paste composition used for the same.例文帳に追加

燃料電池用導電性多孔質基材に、一段と優れた導電性、ガス透過性及び撥水性を付与できるガス拡散層の製造方法及びそれに用いるペースト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has RESURF structure that can actualize high breakdown voltage without adding a diffusion step at high temperature for a long time and improve reliability, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高温長時間の拡散工程を追加することなく、高耐圧を実現することができ、かつ信頼性を向上することができるリサーフ構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that prevents impurity ions of a source-drain region from being diffused abnormally and partially toward a channel region by suppressing diffusion of impurities in a gate electrode through a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中の不純物がゲート絶縁膜を突き抜けてチャネル領域に拡散するのを抑制し、ソース・ドレイン領域の不純物イオンが部分的にチャネル領域方向に異常拡散するのを防ぐ。 - 特許庁

To create an SiO_2 film and/or an SiN film satisfying diffusion control properties and passivation properties in a deposition method that creates the SiO_2 film and/or the SiN film patterned on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上にパターニングされたＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすＳｉＯ_2膜および／もしくはＳｉN膜を生成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further a method for suppressing diffusion of the dioxins in which a material comprising 1 to 50 weight parts of gypsum to 100 weight parts of light burnt magnesia is added to the soil containing the dioxins and is mixed, is provided.例文帳に追加

また、当該軽焼マグネシア１００重量部に対し、石膏を１〜５０重量部含む材を、ダイオキシン類を含む土壌に添加して混合することを特徴とするダイオキシン類の拡散抑制方法。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of inexpensively and easily forming fine pores with excellent gas permeability, without any impurities left inside even in case of film-shape molding.例文帳に追加

フィルム状の成形した場合であっても、内部に不純物などが残留することなく、ガス透過性に優れた微細孔を安価かつ容易に形成することができるガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

A steel matrix layer and a nitrogen diffused layer excellent in the adhesion to this layer and having abrasion resistance, thermal shock resistance, fatigue resistance and impact resistance are formed on the surfaces of the parts related to a pressure head by a brilliant nitrogen diffusion method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れ、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐熱疲労性、耐衝撃性を有する窒素拡散層を形成させる。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制（バリヤ）層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and further can reduce manufacturing time.例文帳に追加

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、かつ製造時間の短縮ができる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加

ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a piezoelectric device that maintains airtightness in a package by suppressing phenomena of diffusion of an eutectic metal component to the electrode film of a piezoelectric vibrating piece and suction of gold (Au) of the electrode film.例文帳に追加

共晶金属成分が圧電振動片の電極膜への拡散及び電極膜の金（Ａｕ）を吸出しする現象を抑制し、パッケージ内部の気密を保った圧電デバイスを製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing rare earth-iron-nitrogen-based alloy powder in which deterioration in magnetic properties is prevented, and having satisfactory coercive force and squareness at a high yield by a reduction diffusion process.例文帳に追加

還元拡散法において、合金粉末の磁気特性を低下させることを防ぎ、高い収率で、良好な保磁力と角形性を有する希土類−鉄−窒素系合金粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient organic solvent recovery system capable of stably reducing the diffusion of an organic solvent to environment and recovering the organic solvent from an organic solvent-containing gas, and an organic solvent recovery method using the same.例文帳に追加

環境への有機溶剤の拡散を安定的に低減することができる、有機溶剤含有ガスから有機溶剤を回収する効率の良い有機溶剤回収システム及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the air cathode 10 having a multilayer structure and a manufacturing method thereof, an air cathode has a multilayer structure composed of at least one substrate 11, two diffusion layers 12, and three activation layers 13.例文帳に追加

多層構造を備えた空気負極１０及びその製造方法は、少なくとも一片基礎台１１、二片の拡散層１２と三片の活化層１３から構成された多層構造の空気負極である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that prevents charging damage to a transistor, when forming a moisture diffusion prevention film, and suppresses the infiltration of moisture to a ferroelectric capacitor, when forming wiring.例文帳に追加

水分拡散防止膜の形成時におけるトランジスタへのチャージングダメージを防止すると共に、配線形成時における強誘電体キャパシタへの水分の侵入を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a transistor in parasitic resistance in a state of realizing shallow junction of an emitter base, in a method of manufacturing a bipolar transistor whose emitter diffusion layer is formed by diffusing impurities from an emitter polysilicon electrode.例文帳に追加

エミッタポリシリコン電極からの不純物拡散によってエミッタ拡散層を形成するバイポーラトランジスタの製造方法において、エミッタベースの浅接合を実現した状態でトランジスタの寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion layer capable of insuring proper drainage and moisture retention and stabilizing the drainage and moisture retention; and to provide a fuel cell and a method of manufacturing the fuel cell.例文帳に追加

本発明は、適切な排水性と保湿性とを確保することができ、かつ、排水性と保湿性とを安定させることができるガス拡散層、燃料電池、および燃料電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a method for manufacturing an n^+-layer 11 and a p^+-layer 13 by applying both-side diffusion treatment to an n^--type wafer can be adopted and the production cost of a semiconductor device can be easily reduced.例文帳に追加

さらに、Ｎ^−型ウェーハに対して両面拡散処理を行ってＮ^＋層１１及びＰ^＋層１３を形成する製造方法の採用も可能になるので、半導体装置の製造コストの低減化も容易になる。 - 特許庁

To provide a PDP glass substrate made proof against heat shrinkage and yellowing in heat treatment by forming a highly diffusion-preventive thin film on a high-distortion-point glass by an on-line CVD method.例文帳に追加

高歪点ガラス上に、オンラインＣＶＤ法で高い拡散防止能力を有する薄膜を形成することにより、熱処理における熱収縮および黄変が防止されたＰＤＰ用ガラス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method and a container which prevent or minimize the diffusion of metals between a high value powder alloy and the container used for hot isostatic pressing, when forming billets using hot isostatic pressing.例文帳に追加

熱間等方圧加圧を使用してビレットを形成する場合に、高価な粉体合金と熱間等方圧加圧に使用される容器との間における金属の拡散を防ぎ、又は最小限化する方法及び容器を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of producing an exhaust gas treatment catalyst containing vanadium pentoxide harmful to human being without deteriorating the high catalytic activity and while suppressing separation and diffusion of the vanadium pentoxide as an active component.例文帳に追加

人体に有害な五酸化バナジウムを含有する排ガス処理触媒の高い触媒活性を低下させることなく、活性成分である五酸化バナジウムの分離、飛散を抑制して触媒を製造する方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing sodium hydroxide, which can stably and economically operate a two-chambered electrolytic cell provided with a gas diffusion electrode, by preventing calcium from depositing in an ion exchange membrane in the cell.例文帳に追加

ガス拡散電極を備えた２室法電解槽の、イオン交換膜内でのカルシウムの析出を防止することによって、安定的且つ経済的な運転が可能な水酸化ナトリウムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst layer forming method for forming a catalyst layer on a solid polymer electrolyte membrane for a fuel cell that prevents needlelike projections of a gas diffusion layer from piercing the solid polymer electrolyte membrane.例文帳に追加

燃料電池の固体高分子電解質膜上に触媒層を形成する触媒層形成方法において、ガス拡散層の針状突起物による固体高分子電解質膜への突き差しを防止する。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a radio transmitter-receiver, a radio transmitting-receiving method and its program which confines coded outputs for the transmission diversity within one diffusion region and improves the resistance against Doppler frequencies.例文帳に追加

送信ダイバーシチ用符号化出力を１つの拡散領域内に収め、ドップラー周波数に対する耐力を向上させることが出来る無線送受信機及び無線送受信方法並びにそのプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a membrane electrode junction which is advantageous for suppressing breakage of an electrolyte membrane and damage to a catalyst layer while increasing jointing performance of the interface of the electrode membrane and a gas diffusion layer.例文帳に追加

電解質膜とガス拡散層との界面の接合性を高めつつ、電解質膜の損傷、触媒層の損傷を抑制するのに有利な膜電極接合体の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a combustion apparatus capable of performing stable combustion while making the best use of diffusion method featuring reduced back fire, and capable of suppressing production of NOx with reduced production of CO and HC.例文帳に追加

逆火が少ないという拡散方式の利点を生かしつつ、安定した燃焼を行うことができ、ＣＯやＨＣの発生が少なく、さらにＮＯ_X の発生も抑制することができる燃焼装置を開発する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a material for a gas diffusion electrode in which a conductive material containing water soluble ink slurry can be permeated into a fiber of polytetrafluoroethylene without a troublesome hydrophilic treatment process.例文帳に追加

面倒な親水処理工程をすることなく導電性物質を含有した水溶性インクスラリーをポリテトラフルオロエチレンの繊維内部まで浸透させることのできるガス拡散電極用材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which suppresses excessive diffusion of nitrogen atoms, and improves nitrogen concentrations of an insulating film, when the insulating film including nitrogen and silicon as constituent elements is formed.例文帳に追加

構成元素として窒素とシリコンとを含む絶縁膜の形成時に、窒素原子の過度の拡散を抑制し、かつその絶縁膜の窒素濃度を高めることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electrode catalyst layer with a gas diffusion property with continuously slanted anisotropy against a polymer electrolyte film, in an electrode catalyst layer for a polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極触媒層において、高分子電解質膜に対して連続的に傾斜した異方性のあるガス拡散性を有した電極触媒層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加

同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁

To provide a method capable of reducing a sulfur component in hydrogen chloride fed to the production of chlorine to a level practically free from trouble in reaction even without performing the water absorption and diffusion of hydrogen chloride.例文帳に追加

塩化水素の水吸収および放散を行なわなくとも、塩素の製造に供される塩化水素中の硫黄成分を実用上反応に支障のないレベルにまで低減し得る方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that can prevent diffusion of the impurities contained in the gate electrode and improve the reliability of the gate insulation film and the durability of the hot carriers.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁