「first memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

A buffer memory is configured of two stages, that is, a first buffer memory matched with the transfer unit of data with an external device and a second buffer memory matched with the write-in unit of a nonvolatile memory for temporarily storing data.例文帳に追加

データを一時的に格納するためにバッファメモリを、外部装置とのデータの転送単位にあわせた第１のバッファメモリと、不揮発性メモリの書き込み単位にあわせた第２のバッファメモリの２段階で構成する。 - 特許庁

An area which is continuous to the first nonvolatile memory 2a and the second nonvolatile memory 2b is divided on a single memory map, and the second nonvolatile memory 2b allocated on a backup area is updated.例文帳に追加

単一のメモリマップ上で第１の不揮発性メモリ２ａ，第２の不揮発性メモリ２ｂに対し連続する領域を分割し、バックアップ領域に割り当てられた第２の不揮発性メモリ２ｂに対して更新を行う。 - 特許庁

After the second write operation, the difference between the read reference current and the memory cell current for the memory cell can be expanded because threshold voltages for the memory cell is distributed to one side of the first or the second reference memory cell as a border.例文帳に追加

第２書き込み動作後、メモリセルの閾値電圧は、第１または第２リファレンスメモリセルを境界として一方側に分布するため、読み出しリファレンス電流とメモリセルのメモリセル電流との差を大きくできる。 - 特許庁

The residual quantity data are read from the second memory by the printing agent residual quantity management task and the updated residual quantity data are written in the second memory, and then the memory management task is executed to write the updated residual quantity data in the first memory.例文帳に追加

印刷剤残量管理タスクでは第２メモリから残量データを読み出し，第２メモリに更新された残量データを書き込み，かつメモリ管理タスクを実行して第１メモリに更新された残量データを書き込む。 - 特許庁

At applying of first signals (Pr) for reading out data stored in any one memory to any one of the memory cells, second signals (Ps) for transmitting the data are applied to the memory cells except the any one memory cell.例文帳に追加

いずれかのメモリセルに記憶されたデータを読み出す第１信号（Ｐｒ）が前記いずれかのメモリセルに印加されるときに、前記いずれかのメモリセルを除くメモリセルに前記データを伝送する第２信号（Ｐｓ）が印加される。 - 特許庁

A memory wafer(100) includes a first surface(152) which has a memory chip(110) located on it and where the memory chip(110) forms the outer surface(154) of the memory wafer, and a second surface(158) which is on the opposite side to the outer surface(154).例文帳に追加

メモリウェーハ(100)は、その上に配置されたメモリチップ(110)を有する第１の表面(152)であって、そのメモリチップ(110)がメモリウェーハの外面(154)を画定する、第１の表面(152)と、外面(154)と反対側にある第２の表面(158)とを含む。 - 特許庁

This nonvolatile memory includes a nonvolatile memory cell 11 for storing the data and a read circuit connected to the memory cell 11 via first and second bit lines GBLX, GBLZ for reading the data stored in the memory cell 11.例文帳に追加

データを記憶可能な不揮発性のメモリセル１１及びメモリセル１１に第１、第２ビット線GBLX、GBLZを介して接続されて、メモリセル１１に記憶されたデータを読み出すための読出回路を備える不揮発性記憶装置である。 - 特許庁

A first processing system 11 continuously and sequentially stores respective even slices in a first memory 13 without making gaps, and a second processing system 12 continuously and sequentially stores respective odd slices in the first memory 13 without making gaps.例文帳に追加

第１処理系１１が、各偶数スライスを隙間を空けずに連続させて第１メモリ１３に順次格納し、第２処理系１２が、各奇数スライスを隙間を空けずに連続させて第１メモリ１３に順次格納する。 - 特許庁

The database system (900) stores a first assignment to the first memory portion (920-1) of a first predetermined profile (110) and a second assignment to the second memory portion (920-2) of a second predetermined profile (111).例文帳に追加

データベースシステム（９００）は、第１の所定のプロファイル（１１０）の第１メモリ部分（９２０−１）への第１の割当てと、第２の所定のプロファイル（１１１）の第２メモリ部分（９２０−２）への第２の割当てを格納する。 - 特許庁

An emulator 50 is connectable between a target device 51 having a memory 53 for holding successively updated first data, and a host device 52 acquiring second data coinciding with the first data held in a first memory.例文帳に追加

エミュレータ５０は、順次更新される第１データを保持するメモリ５３を有するターゲット装置５１と第１メモリに保持される第１データに一致する第２データを取得するホスト装置５２との間に接続可能である。 - 特許庁

In a first mode, this semiconductor memory device amplifies the difference of a first input signal to a second input signal obtained from a switching circuit 63 by using an amplifier circuit 67, and stores the result in a first memory circuit 69a.例文帳に追加

第１のモードのときに、切替回路６３からの第２の入力信号に対する第１の入力信号の差分を増幅回路６７により増幅して、第１の記憶回路６９ａに記憶する。 - 特許庁

Also, in the nonvolatile semiconductor memory device, first and second memory cells forming one group are arranged being divided into a pair of a first even strings and second even strings, and a pair of first odd strings and second odd strings.例文帳に追加

また、不揮発性半導体メモリ装置では、一組を成す第１及び第２メモリセルは、第１偶数ストリングと第２偶数ストリングとの対、及び第１奇数ストリングと第２奇数ストリングとの対に分散して配置される。 - 特許庁

The ferroelectric storage device has a first memory cell MCO which includes a ferroelectric capacitor and a first reference cell RMCO which includes a ferroelectric capacitor for holding the reference potential of the data held by the first memory cell MCO.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを含む第１のメモリセルＭＣ０と、該第１のメモリセルＭＣ０が保持するデータの参照電位を保持する強誘電体キャパシタを含む第１のリファレンスセルＲＭＣ０とを有している。 - 特許庁

A first memory cell transistor 21 constitutes part of the memory cell of an SRAM, and has a first-conductivity first gate electrode 24 and a pair of second-conductivity source/drain diffused layers 25.例文帳に追加

第１メモリセルトランジスタ２１は、ＳＲＡＭのメモリセルの一部を構成し、第１導電型の第１ゲート電極２４と、第１導電型と反対の第２導電型の１対の第１ソース／ドレイン拡散層２５と、を有する。 - 特許庁

This memory device comprises memory cells (10) provided with memory structure being switchable for a memory state, and a programming circuit (40) in which first voltage is applied to a first node of the memory structure and second voltage is applied to a second node so that the first voltage and the second voltage are made inverse polarity each other, and which performs writing for the memory cell (10).例文帳に追加

メモリ装置であって、記憶状態のスイッチングが可能な記憶構造を備える記憶セル（１０）と、第１の電圧及び第２の電圧が逆極性になるようにして、前記記憶構造の第１のノードに前記第１の電圧を印加し、前記記憶構造の第２のノードに前記第２の電圧を印加して、前記記憶セル（１０）に書き込みを施すプログラミング回路（４０）が含まれている、メモリ装置。 - 特許庁

The first node of each memory cell and the second node which is the other end of the variable resistance element of this memory cell are connected to the bit lines different from each other.例文帳に追加

各メモリセルの第１ノードと、このメモリセルの抵抗変化素子の他端である第２ノードとは別々のビット線と接続される。 - 特許庁

Cache memories, arranged as a first memory cell array and main memories arranged as a second memory cell array, are provided mixed.例文帳に追加

同一の半導体基板上に、第１のメモリセルアレイを有するキャッシュメモリと、第２のメモリセルアレイを有するメインメモリとが混載されている。 - 特許庁

The capacity of the data storage node of the second memory circuit 3 is set larger than that of the data storage node of the first memory circuit 1.例文帳に追加

そして、第２メモリ回路３のデータ蓄積ノードの容量を、第１メモリ回路１のデータ蓄積ノードの容量よりも大きくする。 - 特許庁

The second nonvolatile memory stores a substitution address among a plurality of addresses in the plurality of data storage areas of the first nonvolatile memory.例文帳に追加

第２不揮発性メモリは、第１不揮発性メモリの複数のデータ格納領域の複数のアドレスのうち、置換アドレスを格納する。 - 特許庁

A method is provided for transferring data for the processing of an image between a first memory and a second memory accessible by a processor.例文帳に追加

画像の処理のために、第１のメモリとプロセッサによってアクセス可能な第２のメモリとの間でデータを転送する方法が提供される。 - 特許庁

The memory means 38 cancels the memory state, when the comparison signal V_COMP is inverted between the first timing and the second timing.例文帳に追加

記憶手段３８は、第１のタイミングと第２のタイミングの間で前記比較信号V_COMPが反転したときに、前記記憶状態を解除する。 - 特許庁

A coprocessor 26 reads out the image information from the first memory 24 through a DMA control module 223 and a memory control module 222.例文帳に追加

コプロセッサ２６はＤＭＡコントロールモジュール２２３及びメモリコントロールモジュール２２２を介して第１メモリ２４から画像情報を読み出す。 - 特許庁

A control section 101 store data with respect to the item image recorded on a memory card inserted into a first card slot 140 to its built-in memory 103.例文帳に追加

制御部１０１は、第１カードスロット１４０のメモリカードに記録されたアイテム画像に関するデータを内蔵メモリ１０３に保持する。 - 特許庁

The first to the (N-1)-th line memory parts 11 to 15 set the same value into the second to the (N-1)-th line memory parts 13 to 15 of the next stage.例文帳に追加

第１〜第Ｎ−１のラインメモリ部１１〜１５は同一値を次段の第２〜第Ｎ−１ラインメモリ部１３〜１５に設定する。 - 特許庁

The update data are temporarily stored in a first nonvolatile memory 233 for system control via an image memory access controller 221.例文帳に追加

この更新データは画像メモリー・アクセス制御部２２１を介してシステム制御用の第１の不揮発メモリー２３３に一時的に格納される。 - 特許庁

The driver (1) includes a first memory (10), an address control circuit (20), a display driving circuit (30), and a second memory (60).例文帳に追加

本発明のドライバ（１）は、第１メモリ（１０）と、アドレス制御回路（２０）と、表示駆動回路（３０）と、第２メモリ（６０）とを具備している。 - 特許庁

Each cell of MCAM includes a data memory cell for storing data value and a magnitude comparator coupled to a first memory cell.例文帳に追加

ＭＣＡＭの各セルはデータ値を格納するためのデータメモリセルと第一メモリセルへ結合されているマグニチュード比較器とを包含している。 - 特許庁

The electric fuse memory includes a memory cell MC including a fuse element F and a first transistor TRB, an external terminal PAD, and a second transistor TRA.例文帳に追加

フューズ素子Ｆと第１トランジスタＴＲＢを含むメモリセルＭＣと、外部端子ＰＡＤと、第２トランジスタＴＲＡと、を有する。 - 特許庁

The memory cell includes a memory transistor having a first island-shaped semiconductor region 102, a floating gate 109 and a control gate 111.例文帳に追加

メモリセルには、第１の島状半導体領域１０２、フローティングゲート１０９、コントロールゲート１１１が有するメモリトランジスタが設けられている。 - 特許庁

The first register pair is disposed in the center of the memory module, and disposed in a position where the front and back surfaces of the memory module face each other.例文帳に追加

第１レジスター対は、メモリモジュールの中央部に配置されてメモリモジュールの表面及び裏面の相互対応する位置に配置される。 - 特許庁

The port buffer transmits data to the memory array on a first common bus (1) and receives data from the memory array on a second common bus (2).例文帳に追加

ポートバッファは、（１）第一の共通バス上でメモリアレイへのデータ送信（２）第二の共通バス上でメモリアレイからのデータ受信を行う。 - 特許庁

An interlayer film 15 is formed in such a manner that it covers the memory cell capacitor C on the first hydrogen barrier film 8 and the memory cell capacitor C.例文帳に追加

第１の水素バリア膜８およびメモリセルキャパシタＣの上には、メモリセルキャパシタＣを覆うように層間膜１５が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: a substrate; a wiring layer; a memory layer; a circuit layer; and first and second contact wiring.例文帳に追加

実施形態によれば、基板、配線層、メモリ層、回路層及び第１、第２コンタクト配線を含む半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device includes a memory section M having first and second memory cells for storing data bits and an error correction bits, respectively.例文帳に追加

半導体装置はデータビットを記憶する第１メモリセルおよび誤り訂正ビットを記憶する第２メモリセルを有するメモリ部Ｍを含む。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate including an active region and first and second memory cell strings on the active region.例文帳に追加

不揮発性メモリー素子は、活性領域を含む半導体基板及び前記活性領域上の第１及び第２メモリーセルストリングを含む。 - 特許庁

A method for designing a semiconductor memory device includes a first step of designing a first semiconductor memory device including a first number of cell array blocks, and a second step of designing a second semiconductor memory device including a second number of cell array blocks smaller than the first number by reducing a predetermined number of cell array block of the first number of the cell array block.例文帳に追加

半導体記憶装置の設計方法は、第１の数のセルアレイブロックを含む第１の半導体記憶装置を設計する第１の段階と、第１の数のセルアレイブロックのうちの所定数のセルアレイブロックを削除することで第１の数より少ない第２の数のセルアレイブロックを含む第２の半導体記憶装置を設計する第２の段階を含む。 - 特許庁

The NAND flash memory is provided with: a memory cell array 11 comprised of first, second, and third NAND blocks BK1, BK2, BK3 disposed in order in a first direction; first and second transfer transistor blocks 21 disposed in order in the first direction at a second direction crossing the first direction of the memory cell array 11.例文帳に追加

本発明の例に係わるＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、第１方向に順番に配置される第１、第２及び第３ＮＡＮＤブロックＢＫ１，ＢＫ２，ＢＫ３から構成されるメモリセルアレイ１１と、メモリセルアレイ１１の第１方向に交差する第２方向の一端において第１方向に順番に配置される第１及び第２転送トランジスタブロック２１とを備える。 - 特許庁

A circuit compares a first signal received from the first temperature budget sensor with a first reference signal, acquires first comparison results, and refreshes a plurality of multi-bit memory cells based on the first comparison results.例文帳に追加

回路は、第１の温度バジェットセンサから受信した第１の信号と、第１の基準信号とを比較し、第１の比較結果を取得するとともに、第１の比較結果に基づいて、複数のマルチビットメモリセルをリフレッシュする。 - 特許庁

According to an embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device is provided which includes a first laminate structure, a first semiconductor layer, a first organic film, a first semiconductor side insulator film, and a first electrode side insulator film.例文帳に追加

実施形態によれば、第１積層構造体と、第１半導体層と、第１有機膜と、第１半導体側絶縁膜と、第１電極側絶縁膜と、を備えた不揮発性半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁

The first switching circuit is configured to pass the output current to the first memory cell not at the desired resistance level, and block the output current from the first memory cell in response to the first memory cell achieving the desired resistance level.例文帳に追加

上記第１のスイッチング回路は、上記所望の抵抗値にない上記第１のメモリセルへ上記出力電流を送るように構成されていると共に、上記第１のメモリセルが上記所望の抵抗値に達したことに応答して、上記出力電流を上記第１のメモリセルから遮断するように構成されている。 - 特許庁

The redundant memory cells 12 comprises a first redundant memory cell having the first characteristics in which the first electrical state corresponds to '1', and, the second electrical state corresponds to '0', and the second redundant memory cell having the second characteristics in which the second electrical state corresponds to '1', and the first electrical state corresponds to '0'.例文帳に追加

冗長メモリセル（１２）は、第１電気的状態が”１”に対応し、且つ、第２電気的状態が”０”に対応する第１特性を有する第１冗長メモリセルと、前記第２電気的状態が”１”に対応し、且つ、前記第１電気的状態が”０”に対応する第２特性を有する第２冗長メモリセルとを含む。 - 特許庁

The transmitter increases a first numerical value stored in a volatile memory according to regulation and transmits the first numerical value wirelessly.例文帳に追加

送信機は、揮発性メモリに記憶されている第一の数値を規則に従って増加させ、第一の数値を無線で送信する。 - 特許庁

An image memory 62 stores first to fifth variation patterns 70-74 having different modes and first to seventh opening images 75-81.例文帳に追加

画像メモリ６２は、態様の異なる第１〜第５変動パターン７０〜７４と、第１〜第７オープニング画像７５〜８１を格納する。 - 特許庁

A first memory space A provides a first bit indicator to indicate whether at least one system resource is available for use.例文帳に追加

第一メモリ空間Ａは、少なくとも一つのシステム資源が利用可能となっているかを示す第一ビットインジケータを提供する。 - 特許庁

A first and a second memory cells MC1, MC2 store separate data on the first mode and complementary data on the second mode.例文帳に追加

第１、第２のメモリーセルＭＣ１、ＭＣ２は第１のモードでは別個のデータを記憶し、第２のモードでは相補データを記憶する。 - 特許庁