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first memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5590件
The memory device 4 and the data processing device 3 capable of accessing and controlling the memory device 4 are packaged on the first surface of the packaging substrate.例文帳に追加
実装基板の第1面に、メモリデバイス(4)と前記メモリデバイスをアクセス制御可能なデータ処理デバイス(3)が実装される。 - 特許庁
The first gate set provides bit output indicating an error in the given memory while the given memory word is tested.例文帳に追加
所与のメモリ・ワードがテスト中である間に第1ゲート・セットは、所与のメモリ内の誤りを示すビット出力を提供する。 - 特許庁
It is determined whether a home system memory, to which an address related to a memory block is allocated, is inside the first matching domain or not.例文帳に追加
メモリ・ブロックに関連したアドレスが割り当てられたホーム・システム・メモリが第1の整合ドメイン内にあるかどうかが判断される。 - 特許庁
In another example of the first and second memory structures, the data and ECC are included in different memory banks and are accessed in parallel.例文帳に追加
他の実施例による第1及び第2メモリ構成では、データとECCは異なるメモリバンクに備えられ、パラレルにアクセスされる。 - 特許庁
IC memory devices include a memory cell array that is configured to output data bits in parallel at a first data transfer rate and an output circuit.例文帳に追加
第1データ転送速度で並列にデータビットを出力するメモリセルアレイと出力回路とを含む半導体装置である。 - 特許庁
The magnetization direction of the memory layer 3 can be varied by current penetrating the memory layer 3, the first nonmagnetic layer 4, and the reference layer 2.例文帳に追加
記憶層3の磁化方向は、記憶層3、第1非磁性層4、及び参照層2を貫く電流により可変とされる。 - 特許庁
A first memory cell MCmn-1 and a second memory cell MCmn which adjoin mutually in a direction of wordline store one-bit information.例文帳に追加
ワード線方向に互いに隣接する第1メモリセルMCmn−1と第2メモリセルMCmnとで1ビットの情報を記憶する。 - 特許庁
An integrated circuit includes an OTP memory cell and a sense amplifier 20 coupled to the memory cell via a first bit line and a second bit line.例文帳に追加
集積回路は、OTPメモリセルと、第1および第2ビット線を介してメモリセルに接続されたセンスアンプ20とを備える。 - 特許庁
In addition, the memory control unit 110 generates a first memory read-out enable signal 228 which is a timing signal for reading data out.例文帳に追加
さらに、メモリ制御部110では、データ読み出し用のタイミング信号である第1メモリ読出イネーブル信号228などを生成する。 - 特許庁
The apparatus stores the preview data in a first memory and in a second memory, and uses the memories selectively according to the actual scan.例文帳に追加
プレビューデーターをそれぞれ第一メモリ、第二メモリに記憶して、本スキャンモードに応じて、選択的に使用することを特徴とする。 - 特許庁
The memory cell array block 200 includes at least first and second memory cell blocks 21, 22 divided into blocks with an erasure unit.例文帳に追加
メモリセルアレイブロック200は、消去単位でブロック分割された少なくとも第1及び第2のメモリセルブロック21,22を含む。 - 特許庁
A chip select signal CS1 is assigned to a first nonvolatile memory and the chip select signal CS1 is also assigned to a second nonvolatile memory.例文帳に追加
揮発性メモリ1にチップセレクト信号CS1を割り当て、もう1つの揮発性メモリ2にチップセレクト信号CS1を割り当てる。 - 特許庁
A second signal required for the emulation memory is separated from a first signal from the microcomputer and is transmitted to the memory-side board.例文帳に追加
マイクロコンピュータからの第1の信号のうちエミュレーションメモリに必要な第2の信号を分離しメモリ側ボードに伝達する。 - 特許庁
Each of a plurality of memory subblocks includes a plurality of memory transistors that are connected in parallel between a first node and a second node.例文帳に追加
複数のメモリサブブロックの各々は、第1ノードと第2ノードとの間に並列接続された複数のメモリトランジスタを含む。 - 特許庁
Images corresponding to a predetermined time before an event among the images stored in the first buffer memory 34 are copied to a second buffer memory 36.例文帳に追加
第1バッファメモリ34に記憶された画像のうちイベント前所定時間分の画像が第2バッファメモリ36に複写される。 - 特許庁
A compressing memory having a fixed memory amount is allotted at a first page, and a remaining utilizable region is allotted to a band buffer (Fig. 3 (b)).例文帳に追加
1ページ目で既定メモリ量の圧縮メモリを割当て、残りの利用可能領域をバンドバッファに割り当てる(図3(b))。 - 特許庁
First of all, an operation program for writing the measurement data taken from the outside in the flash memory 2 is written in the flash memory 2.例文帳に追加
まず、外部から取込まれた計測データをフラッシュメモリ2へ書込む処理を行う操作プログラムをフラッシュメモリ2に書込んでおく。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of reducing the influence of a read retention failure in a second nonvolatile memory when a first nonvolatile memory is accessed.例文帳に追加
第1不揮発性メモリをアクセスするときに、第2不揮発性メモリにおけるリードリテンション不良の影響を低減することができる半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
Data are so written that data stored in memory cells of one half of memory cells provided in each address of the first address group, and data stored in memory cells of the other half are identical.例文帳に追加
前記第1番地群の各番地に設けられたメモリセルの半数に記憶されるデータと残り半数に記憶されるデータが同じとなるようにデータの書き込みを行う。 - 特許庁
To start a firm program by inserting an option memory into a memory slot other than by a method of downloading the updated firm program to a first memory and starting the firm program.例文帳に追加
バージョンアップしたファームプログラムを第1のメモリにダウンロードして起動する方法以外に、メモリスロットにオプションメモリを挿入してファームプログラムを起動することなどを可能とする。 - 特許庁
A display control section 52 is provided with a first display memory 96a for an ordinary line, a second display memory 96b for an interpolation line, and a video memory control means 94.例文帳に追加
表示制御部52は、通常ライン用の第1の表示メモリ96aと、補間ライン用の第2の表示メモリ96bと、ビデオメモリ制御手段94とを備えている。 - 特許庁
A first image memory 353 stores an ordinary light image, a second image memory 354 stores a spectral image, and a third image memory 355 stores an enlarged image.例文帳に追加
第1の画像メモリ353が通常光画像を記憶し、第2の画像メモリ354が分光画像を記憶し、第3の画像メモリ355が拡大画像を記憶する。 - 特許庁
The memory hub operates in a first mode when the write command is directed to the hub so as to generate memory access signals adapted to be applied to memory devices.例文帳に追加
メモリハブは、書込みコマンドがハブに向けられているときは、メモリデバイスに適用するように適応されたメモリアクセス信号を発生するように第1モードで動作する。 - 特許庁
The ferroelectric memory device is provided with a first kind ferroelectric memory MC1 group with a high imprint characteristic and a second kind ferroelectric memory MC2 group with a low imprint characteristic.例文帳に追加
インプリント特性が大きい第1種の強誘電体メモリ素子MC1の群と、インプリント特性が小さい第2種の強誘電体メモリ素子MC2の群とを備える。 - 特許庁
When the data are transferred from the first memory to the second memory, the value information among each pixel data is removed so that data amounts to be stored in the second memory can be reduced.例文帳に追加
第1のメモリから第2のメモリにデータが転送される際、各画素データのうちアルファ値情報を除かれることにより、第2のメモリに記憶されるデータ量が減る。 - 特許庁
The semiconductor memory has a memory cell array 110, a first selector 140, a second selector 150, a FIFO memory 160, and a deteriorated cell checker 170.例文帳に追加
半導体記憶装置は、メモリセルアレイ110と、第1の選択部140と、第2の選択部150と、FIFOメモリ160と、劣化セル検査部170を備えている。 - 特許庁
The memory device has a shared sense amplifier between a first memory block and a second memory block and includes a bit line isolation circuit, a bit line equalizer circuit, and a bit line equalizing voltage generating circuit.例文帳に追加
第1メモリブロックと第2メモリブロックとの間に共有センスアンプを有し、ビットラインアイソレーション回路とビットラインイコライザ回路、ビットラインイコライジング電圧発生回路を含む。 - 特許庁
A second reading operation is executed to read data from a dummy memory cell before a first reading operation for reading data from a real memory cell by using a reference memory cell.例文帳に追加
リファレンスメモリセルを利用してリアルメモリセルからデータを読み出す第1読み出し動作の前に、ダミーメモリセルからデータを読み出す第2読み出し動作が実行される。 - 特許庁
At this time, the readout operation of a second data group is preliminarily executed to the second memory cell group exclusive of the first memory cell group among the one set of the memory cells.例文帳に追加
また、この際、該1組のメモリセルのうちの第1のメモリセル群以外の第2のメモリセル群に対し、第2のデータ群の読み出し動作が、予備的に実行される。 - 特許庁
The semiconductor memory comprises: 2^n (n is positive integer) pieces of memory cell groups; a first decoder provided to each of 2^n pieces of memory cell groups; and a second decoder.例文帳に追加
半導体メモリは、2^n(nは正の整数)個のメモリセルグループと、2^n個のメモリセルグループの各々に対して設けられた第1デコーダと、第2デコーダとを有している。 - 特許庁
A first memory 21 is a memory area divided into a plurality selectable from the outside and can store a plurality of flash memory writing programs in accordance with processor models.例文帳に追加
第1のメモリ21は、記憶領域を外部から選択可能に複数に分割してプロセッサの機種に応じた複数のフラッシュメモリ書き込みプログラムを格納できる。 - 特許庁
To appropriately determine a code to be transferred when transferring a code from a first memory to a second memory in parallel to executing the code transferred to the second memory.例文帳に追加
第1のメモリから第2のメモリへのコードの転送を、第2のメモリに転送済のコードの実行と並行して行う場合に、転送すべきコードを適切に決定する。 - 特許庁
A memory control part 25 sets the first memory bank in a refreshing area for performing refreshing and sets the second memory bank in a non-refreshing area for stopping refreshing.例文帳に追加
そして、メモリ制御部25は、第1のメモリバンクをリフレッシュを行うリフレッシュ領域に設定するとともに、第2のメモリバンクをリフレッシュを停止する非リフレッシュ領域に設定する。 - 特許庁
The control part increases or decreases the memory data in the first memory area when the medals are received, consumed or gained and gets the count exceeding the limit value stored into the second memory area.例文帳に追加
制御部は、メダルの受付、消費、獲得があったとき、第1記憶領域の記憶データを増減し、制限値を越える数量は第2記憶領域に記憶させる。 - 特許庁
First memory cells MCBl, MCBr to store data patterns to be retrieved and second memory cells MCAl, MCAr to store retrieval data patterns are arranged on a memory sub-block.例文帳に追加
メモリサブブロックに、被検索データパターンを格納する第1のメモリセルMCBl,MCBr、および検索データパターンを格納する第2のメモリセルMCAl,MCArを設ける。 - 特許庁
At least some of the data are transferred by the direct memory access controller in units of a block between the first memory and the second memory accessible by the processor.例文帳に追加
ダイレクト・メモリ・アクセス・コントローラによって、データの少なくとも一部が、第1のメモリとプロセッサによってアクセス可能な第2のメモリとの間でブロック単位で転送される。 - 特許庁
A random access memory array includes first random access memory elements arranged in a plurality of rows and columns for storing data words at a multiple memory locations.例文帳に追加
ランダムアクセスメモリアレイは、複数のメモリ位置においてデータワードを格納するために複数個の行及び列に配列された第一ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁
In the address conversion of first one-line data read in a main memory, addresses after the conversion of all dots of the one-line data stored in the main memory are held in the main memory as a cache.例文帳に追加
主記憶メモリに読み込まれた最初の1ラインのアドレス変換において、1ライン全てのドットにおいてその変換後アドレスをキャッシュとして主記憶メモリにに保持する。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit device is provided with a memory cell array MCA including a memory cell having a ferroelectric capacitor as a memory element having first and second electrodes.例文帳に追加
半導体集積回路装置は、第1電極と第2電極とを有する記憶素子としての強誘電体キャパシタを有するメモリセルを含んだメモリセルアレイMCAを有する。 - 特許庁
The memory system comprises a memory element having a first bank and a second bank, and a memory controller having a lead request scheduling queue for storing read requests.例文帳に追加
本発明のメモリシステムは、第1バンクと第2バンクを有したメモリ素子と、リード要請を格納するためのリード要請スケジュ−リングキューを有するメモリコントローラを含む。 - 特許庁
The memory system include, for each memory bank, first switching logic for receiving an output for each link controller, and for conveying the output of only one of the link controllers to the memory bank.例文帳に追加
メモリバンクごとに、リンク制御部ごとの出力を受け取り、そのリンク制御部のうちの1つだけの出力をメモリバンクに伝えるための第1のスイッチングロジックがある。 - 特許庁
The image formation device has a rewritable first memory connected to the microprocessor through the bus and a second memory controlled by electromagnetic coupling with a read write unit, and the microprocessor operates based on a transfer means that transfers the data stored in the second memory to the first memory and the first memory rewritten with the transfer means.例文帳に追加
マイクロプロセッサにバス接続された書き換え可能な第1のメモリと、リードライトユニットとの電磁結合により制御される第2のメモリを備え、前記第2のメモリに記憶されたデータを前記第1のメモリに転送する転送手段と、前記転送手段によって書き換えられた前記第1のメモリに基づいて前記マイクロプロセッサが動作する。 - 特許庁
In the programmable controller, application programs to be updated (changed or newly added) and application programs to be not updated, which are already stored in a first memory, are relocated on a second memory so that their addresses are continuous, and the first memory is invalidated, and the relocated continuous application program group is all stored from on the second memory into the first memory.例文帳に追加
提案するプログラマブルコントローラでは、第2メモリ上で、更新する(変更や新規追加の)アプリケーションプログラムおよび、第1メモリに既に格納され更新しないアプリケーションプログラムをアドレスが連続するように再配置し、第1メモリを無効化し、第2メモリ上から再配置された連続するアプリケーションプログラム群を、第1メモリにすべて格納している。 - 特許庁
The measuring instrument, which can arbitrarily set the storing cycle of the measuring data, provides a first memory with a high writing speed and a second memory with a writing speed lower than the first memory as a measuring data storing means, and stores the measuring data to the first memory or the second memory corresponding to the set storing cycle.例文帳に追加
測定データの格納周期が任意に設定できる測定器であって、測定データ格納手段として書込み速度が高速な第1のメモリと書込み速度が第1のメモリよりも低速な第2のメモリとを設け、設定された格納周期に応じて測定データを第1のメモリまたは第2のメモリに格納することを特徴とするもの。 - 特許庁
When a memory address included in a memory access request from a CPU 11 is the first memory address, a cache control part 14 executes access to the memory 15 by turning off cache control, and when the memory address included in the memory access request is the second memory address, turns on cache control to execute access to the cache 113.例文帳に追加
キャッシュ制御部14は、CPU11からのメモリアクセス要求に含まれるメモリアドレスが第1のメモリアドレスである場合、キャッシュ制御をオフしてメモリ15に対するアクセスを実行し、メモリアクセス要求に含まれるメモリアドレスが第2のメモリアドレスである場合、キャッシュ制御をオンして、キャッシュ113に対するアクセスを実行する。 - 特許庁
In the sampling memory circuit 40, the first data passed from the memory control circuit 12 to the memory circuit 11 and the second data same with the data to be passed from the memory circuit 11 to the memory control circuit 12 are stored, thus permitting to monitor the data sent/received between the memory control device and the memory circuit.例文帳に追加
サンプリングメモリ回路40には、メモリ制御回路12からメモリ回路11へ渡される第1データとメモリ回路11からメモリ制御回路12へ渡されるべきデータと同じデータである第2データが記憶されるので、メモリ制御装置とメモリ回路との間で送受されるデータをモニタできるようになる。 - 特許庁
The memory controller 200 is provided with: a means for degenerating a memory area of failure when the failure has occurred in a memory module (#0) 41; and a means for reconstructing a memory module (#2) 51 paired with the memory module (#0) 41 of failure as a mirroring pair for a first memory device 40 and a second memory device 50.例文帳に追加
メモリ制御装置200は、メモリモジュール(#0)41に障害が発生したとき、障害発生のメモリ領域を縮退する手段と、障害発生のメモリモジュール(#0)41とペアになっているメモリモジュール(#2)51を、第1メモリ装置40と第2メモリ装置50とのミラーリングのペアとして再構築する手段とを備える。 - 特許庁
The device has a feature that the data writing means executes a first stage program to the memory cell having the number of program stages lower than those for the other memory cells after the first stage program to the other memory cells.例文帳に追加
前記データ書き込み手段は、前記プログラム段階数が前記他のメモリセルよりも少ないメモリセルの第1段階のプログラムを前記他のメモリセルの第1段階のプログラムよりも後に実行することを特徴とする。 - 特許庁
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